Inductively coupled Ar/CH 4/H 2 plasmas for low-temperature deposition of ordered carbon nanostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 5, 2004, Pages 2713-2724

  Denysenko, I B ^a,b   Xu, S ^a   Long, J D ^a   Rutkevych, P P ^a   Azarenkov, N A ^b   Ostrikov, K ^a,c  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b V N KARAZIN KHARKIV NATIONAL UNIVERSITY   (Ukraine)

^c UNIVERSITY OF SYDNEY   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYTIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONS (CCVD); LOW PRESSURE HIGH TEMPERATURE (LPHT) METHODS;

CARBON NANOTUBES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRIC FIELDS; FLUXES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PLASMAS; SPECTROMETRY; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; SUBSTRATES; TRANSISTORS;

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA;

EID: 1642321079     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1642762     Document Type: Article

References (63)

1. W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 75, 3129 (1999).
2. S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker, Nature (London) 393, 49 (1998).
3. M. B. Nardelli and J. Bernholc, Phys. Rev. B 60, R16338 (1999).
4. L. Nilsson, O. Groening, O. Kuettel, P. Groening, and L. Schlapbach, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 326 (2002).
5. W. Zhu, C. Bower, O. Zhou, G. Kochanski, and S. Jin, Appl. Phys. Lett. 75, 873 (1999).
6. M. Su, B. Zheng, and J. Liu, Chem. Phys. Lett. 322, 321 (2000).
7. L. Delzeit, B. Chen, A. Cassell, R. Stevens, C. Nguyen, and M. Meyyappan, Chem. Phys. Lett. 348, 368 (2001).
8. L. Delzeit, I. McAninch, B. A. Cruden, D. Hash, B. Chen, J. Han, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 91, 6027 (2002).
9. M. Meyyappan, L. Delzeit, A. Cassell, and D. Hash, Plasma Sources Sci. Technol. 12, 205 (2003), and references therein.
10. Z. L. Tsakadze, K. Ostrikov, and S. Xu, (in press); Z. Tsakadze, S. Xu, J. Long, and K. Ostrikov, Bull. Am. Phys. Soc. 48, 13 (2003).
11. V. I. Merkulov, D. H. Lowndes, Y. Y. Wei, G. Eres, and E. Voelkl, Appl. Phys. Lett. 76, 3555 (2000).
12. C. Bower, W. Zhu, S. Jin, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 77, 830 (2000).
13. Y. M. Shyu and F. C. N. Hong, Diamond Relat. Mater. 10, 1241 (2001).
14. M. Chen, C. M. Chen, S. C. Shi, and C. F. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 614 (2003).
15. Z. L. Tsakadze, K. Ostrikov, J. D. Long, and S. Xu (in press).
16. Y. S. Woo, I. T. Han, Y. J. Park, H. J. Kim, J. E. Jung, N. S. Lee, D. Y. Jeon, and J. M. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 1410 (2003).
17. T. Hirao, K. Ito, H. Furuta, Y. K. Yap, T. Ikuno, S. Honda, Y. Mori, T. Sasaki, and K. Oura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L631 (2001).
18. D. Herrebout, A. Bogaerts, M. Yan, R. Gijbels, W. Goedheer, and E. Dekempeneer, J. Appl. Phys. 90, 570 (2001).
19. S. F. Yoon, K. H. Tan, Rusli, and J. Ahn, J. Appl. Phys. 91, 40 (2002).
20. V. Ivanov, O. Proshina, T. Rakhimova, A. Rakhimov, D. Herrebout, and A. Bogaerts, J. Appl. Phys. 91, 6296 (2002).
21. K. Bera, B. Farouk, and Y. H. Lee, Plasma Sources Sci. Teehnol. 10, 211 (2001).
22. K. Bera, B. Farouk, and P. Vitello, J. Phys. D 34, 1479 (2001).
23. D. B. Hash and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 93, 750 (2003).
24. D. Hash, D. Bose, T. R. Govindan, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 93, 6284 (2003).
25. S. Xu, K. N. Ostrikov, W. Luo, and S. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2185 (2000).
26. S. Xu, K. N. Ostrikov, Y. Li, E. L. Tsakadze, and I. R. Jones, Phys. Plasmas 8, 2549 (2001).
27. K. N. Ostrikov, S. Xu, and A. B. M. Shaflul Azam, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 251 (2002).
28. V. Schulz-von der Gathen, J. Roepcke, T. Gans, M. Kaning, C. Lukas, and H. F. Doebele, Plasma Sources Sci. Technol. 10, 530 (2001).
29. C. Riccardi, R. Barni, M. Fontanesi, and P. Tosi, Chem. Phys. Lett. 329, 66 (2000).
30. T. Nozaki, K. Okazaki, U. Kortshagen, and J. Heberlein, Bull. Am. Phys. Soc. 48, 13 (2003).
31. E. Gogolides, D. Mary, A. Rhallabi, and G. Turban, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 261 (1995).
32. J. Geddes, R. W. McCullough, A. Donnelly, and H. B. Gilbody, Plasma Sources Sci. Technol. 2, 93 (1993).
33. K. N. Ostrikov, I. B. Denysenko, E. L. Tsakadze, S. Xu, and R. G. Storer, J. Appl. Phys. 92, 4935 (2002).
34. H. Amemiya, J. Phys. Soc. Jpn. 66, 1335 (1997).
35. J. T. Gudmundsson, Plasma Sources Sci. Technol. 10, 76 (2001).
36. T. Chevolleau and W. Fukarek, Plasma Sources Sci. Technol. 9, 568 (2000).
37. N. Sadeghi, M. van de Grift, D. Vender, G. M. W. Kroesen, and F. J. de Hoog, Appl. Phys. Lett. 70, 835 (1997).
38. H. Kojima, H. Toyoda, and H. Sugai, Appl. Phys. Lett. 55, 1292 (1989).
39. C. Hopf, K. Letourneur, W. Jacob, T. Schwarz-Selinger, and A. Von Keudell, Appl. Phys. Lett. 74, 3800 (1999).
40. A. Von Keudell, T. Schwarz-Selinger, M. Meier, and W. Jacob, Appl. Phys. Lett. 76, 676 (2000).
41. N. Mutsukura, S. Inoue, and Y. Machi, J. Appl. Phys. 72, 43 (1992).
42. C. Hopf, T. Schwarz-Selinger, W. Jacob, and A. Von Keudell, J. Appl. Phys. 87, 2719 (2000).
43. C. Lee and M. A. Lieberman, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 368 (1995).
44. V. A. Godyak, Soviet Radio Frequency Discharge Research (Delphic, Falls Church, VA, 1986).
45. M. Kawase, T. Nakai, A. Yamaguchi, T. Hakozaki, and K. Nashimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 3396 (1997).
46. I. Peres, M. Fortin, and J. Margot, Phys. Plasmas 3, 1754 (1996).
47. K. N. Ostrikov, S. Xu, and M. Y. Yu, J. Appl. Phys. 88, 2268 (2000).
48. M. Chhowalla, K. B. K. Teo, C. Ducati, N. L. Rupesinghe, G. A. J. Amaratunga, A. C. Ferrari, D. Roy, J. Robertson, and W. I. Milne, J. Appl. Phys. 90, 5308 (2001).
49. S. Stoykov, C. Eggs, and U. Kortshagen, J. Phys. D 34, 2160 (2001).
50. E. Covacevic, I. Stefanovic, J. Bemdt, and J. Winter, J. Appl. Phys. 93, 2924 (2003).
51. S. Ashida, C. Lee, and M. A. Lieberman, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2498 (1995).
52. http://www.kinema.com/download.htm
53. D. K. Davies, L. E. Kline, and W. E. Bies, J. Appl. Phys. 65, 3311 (1989).
54. M. Hayashi, in Nonequilibrium Processes in Partially Ionized Gases, edited by M. Capitelli and J. N. Bardsley (Plenum, New York, 1990).
55. W. L. Fite and R. T. Brackmann, Phys. Rev. 112, 1151 (1958).
56. T. Nakano, H. Toyoda, and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 2912 (1991).
57. Y.-K. Kim and M. Eugene Rudd, Phys. Rev. A 50, 3954 (1994).
58. A. G. Engelhardt and A. V. Phelps, Phys. Rev. 131, 2115 (1963).
59. D. A. Alman, D. N. Ruzic, and J. N. Brooks, Phys. Plasmas 7, 1421 (2000).
60. M. Heintze, M. Magureanu, and M. Kettlitz, J. Appl. Phys. 92, 7022 (2002).
61. K. Tachibana, M. Nishida, H. Harima, and Y. Urano, J. Phys. D 17, 1727 (1984).
62. R. L. Mills, P. C. Ray, B. Dhandapani, R. M. Mayo, and J. He, J. Appl. Phys. 92, 7008 (2002).
63. H. Chatham, D. Hils, R. Robertson, and A. C. Gallagher, J. Chem. Phys. 79, 1301 (1983).