Role of extrinsic atoms on the morphology and field emission properties of carbon nanotubes

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 24, 2003, Pages 4334-4336

  Chan, L H ^a   Hong, K H ^a   Xiao, D Q ^a   Hsieh, W J ^a   Lai, S H ^a   Shih, H C ^a   Lin, T C ^b   Shieu, F S ^b   Chen, K J ^c   Cheng, H C ^c  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON TRAPS; ELECTRONIC DENSITY OF STATES; FULLERENES; MORPHOLOGY; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

BINDING ENERGY;

CARBON NANOTUBES;

EID: 0037773361     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1579136     Document Type: Article

References (25)

1. K. A. Dean and B. R. Chalamala, Appl. Phys. Lett. 75, 3017 (1999).
2. W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 75, 3129 (1999).
3. R. H. Fowler and L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 119, 173 (1928).
4. D. L. Caroll, Ph. Redlish, X. Blasé, J.-C. Charlier, S. Curran, P. M. Ajayan, S. Roth, and M. Ruhle, Phys. Rev. Lett. 81, 2332 (1998).
5. M. Torrones, W. K. Hsn, A. Schilder, H. Terrones, N. Crobert, J. P. Hare, Y. Q. Zhu, M. Schwoerer, K. Prassides, H. W. Kroto, and D. R. M. Walton, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 66, 307 (1998).
6. W. J. Jong, S. H. Lai, K. H. Hong, H. N. Lin, and H. C. Shih, Diamond Relat. Mater. 11, 1019 (2002).
7. S. H. Tsai, C. L. Lee, C. W. Chao, and H. C. Shih, Carbon 38, 781 (2000).
8. S. H. Tsai, C. W. Chao, C. L. Lee, and H. C. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 3462 (1999).
9. D. Marton, K. J. Boyd, A. H. Al-Bayati, S. S. Todorov, and J. W. Rabalaais, Phys. Rev. Lett. 73, 118 (1994).
10. M. J. S. Dewar, E. G. Zoebisch, E. F. Mealy, and J. J. P. Stewart, J. Am. Chem. Soc. 107, 3902 (1985).
11. H. Sjöström, S. Stafström, M. Boman, and J.-E. Sunogren, Phys. Rev. Lett. 75, 1336 (1995).
12. K. Suenaga, M. P. Johansson, N. Hellgren, E. Broitman, L. R. Wallenberg, C. Colliex, J.-E. Sundgren, and L. Hultman, Chem. Phys. Lett. 300, 695 (1999).
13. N. G. Chopra, R. J. Luyken, K. Cherrey, V. H. Crespi, M. L. Cohen, S. G. Louie, and A. Zettl, Science (Washington, DC, U.S.) 269, 966 (1995).
14. M. Terrones, P. Redlich, N. Grobert, S. Trasobares, W.-K. Hsu, H. Terrones, Y.-Q. Zhu, J. P. Hare, C. L. Reeves, A. K. Cheetham, M. Rühle, H. W. Kroto, and D. R. M. Walton, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 11, 655 (1999).
15. R. Haerle, E. Riedo, A. Pasquarello, and A. Baldereschi, Phys. Rev. B 65, 045101 (2001).
16. P. G. Collins and A. Zettl, Phys. Rev. B 55, 9391 (1997).
17. J.-M. Bonard, J.-P. Salvetat, T. Stockli, W. A. de Heer, L. Forro, and A. Chatelain, Appl. Phys. Lett. 73, 918 (1998).
18. X. Xu and G. R. Brandes, Appl. Phys. Lett. 74, 2549 (1999).
19. Y. C. Choi, Y. M. Shin, D. J. Bae, S. C. Lim, Y. H. Lee, and B. S. Lee, Diamond Relat. Mater. 10, 1457 (2001).
20. D. Temple, Mater. Sci. Eng., R. 24, 185 (1999).
21. J.-M. Bonard, J.-P. Salvetat, T. Stöckli, L. Forró, and A. Chàtelain, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 69, 245 (1999).
22. M. Chhowalla, C. Ducati, N. L. Rupesinghe, and K. B. K. Teo, Appl. Phys. Lett. 79, 2079 (2001).
23. S. Han and J. Ihm, Phys. Rev. B 61, 9986 (2000).
24. W. P. Kang, A. Wisitsora-at, J. L. Davidson, and D. V. Kerns, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 684 (1998).
25. J. Hu, P. Yang, and C. M. Lieber, Phys. Rev. B 57, 3185 (1998).