GaN grown on Si(111) substrate: From two-dimensional growth to quantum well assessment

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 1, 1999, Pages 82-84

  Semond, F ^a   Damilano, B ^a   Vezian S ^a   Grandjean, N ^a   Leroux, M ^a   Massies, J ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0002849654     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124283     Document Type: Article

References (25)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. K. S. Stevens, M. Kinniburgh, A. F. Schwartzman, A. Ohtani, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. 66, 3179 (1995).
3. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, J. W. Yang, R. Gaska, D. Kuksenkov, H. Temkin, I. K. Shmagin, Y. C. Chang, J. F. Muth, and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. 72, 551 (1998).
4. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998); 73, 1487 (1998).
5. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998); 73, 1487 (1998).
6. A. Ohtani, K. S. Stevens, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. 65, 61 (1994).
7. Z. Yang, F. Guarin, I. W. Tao, W. I. Wang, and S. S. Iyer, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 789 (1995).
8. U. Rossner, J. L. Rouviere, A. Bourret, and A. Barski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 145 (1996).
9. M. A. Sánchez-García, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Muñoz and R. Beresford, J. Cryst. Growth 183, 23 (1998); M. A. Sánchez-García, E. Calleja, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Monroy, D. Basak, E. Muñoz, C. Villar, A. Sanz-Hervas, M. Aguilar, J. J. Serrano, and J. M. Blanco, J. Electron. Mater. 27, 276 (1998).
10. M. A. Sánchez-García, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Muñoz and R. Beresford, J. Cryst. Growth 183, 23 (1998); M. A. Sánchez-García, E. Calleja, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Monroy, D. Basak, E. Muñoz, C. Villar, A. Sanz-Hervas, M. Aguilar, J. J. Serrano, and J. M. Blanco, J. Electron. Mater. 27, 276 (1998).
11. E. S. Hellman, D. N. E. Buchanan, and C. H. Chen, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 43 (1998).
12. H. P. D. Schenk, G. D. Kipshidze, V. B. Lebedev, S. Shokhovets, R. Goldhahn, J. Kräußlich, A. Fissel, and W. Richter, J. Cryst. Growth 201-202, 359 (1999).
13. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, Chimin Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1996).
14. A. J. Steckl, J. Devrajan, C. Tran, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 2264 (1996).
15. N. P. Kobayashi, J. T. Kobayashi, P. D. Dapkus, W. J. Choi, A. E. Bond, X. Zhang, and D. H. Rich, Appl. Phys. Lett. 71, 3569 (1997).
16. I. Ivanov, L. Hultman, K. Järrendahl, P. Mårtensson, J. E. Sundgren, B. Hjörvarsson, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 78, 5721 (1995).
17. A. Bourret, A. Barski, J. L. Rouvière, G. Renaud, and A. Barbier, J. Appl. Phys. 83, 2003 (1998).
18. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laügt, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 71, 240 (1997).
19. L. K. Li, J. Alperin, W. I. Wang, D. C. Look, and D. C. Reynolds, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1275 (1998).
20. J. H. Neave and B. A. Joyce, Appl. Phys. A: Solids Surf. 31, 1 (1983).
21. K. Pakula, A. Wysmolek, K. P. Korona, J. M. Baranowski, R. Stepniewski, I. Grzegory, B. Buckowski, J. Jun, S. Krukowski, M. Wroblewski, and S. Porowski, Solid State Commun. 97, 919 (1996).
22. J. Jayapalan, B. J. Skromme, R. P. Vaudo, and V. M. Phanse. Appl. Phys. Lett. 73, 1188 (1998).
23. M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennéguès, J. Massies, and P. Gibart, Mater. Sci. Eng., B 50, 97 (1997).
24. N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, M. Mesrine, and M. Laügt, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 618 (1999).
25. N. Grandjean and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 73, 1260 (1998).