Photoluminescence mechanism model for oxidized porous silicon and nanoscale-silicon-particle-embedded silicon oxide

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 68, Issue 8, 2003, Pages

  Qin, G ^a,b  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b INTERNATIONAL CENTRE FOR MATERIALS PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

SILICON;

ARTICLE; LUMINESCENCE; MATHEMATICAL ANALYSIS; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM MECHANICS; VAPOR;

EID: 3242695148     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.68.085309     Document Type: Article

References (30)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1146 (1990).
2. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 56, 2379 (1990).
3. Properties of Porous Silicon, edited by L. Canham (Inspect, London, 1997).
4. A. Grosman, C. Ortega, J. Siejka, and M. Chamarro, J. Appl. Phys. 74, 1992 (1993).
5. G. G. Qin and Y. Q. Jia, Solid State Commun. 86, 559 (1993).
6. A. G. Cullis, L. T. Canham and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
7. G. G. Qin, J. Lin, J. Q. Duan, and G. Q. Yao, Appl. Phys. Lett. 69, 1689 (1996).
8. G. G. Qin, X. S. Liu, S. Y. Ma, J. Lin, G. Q. Yao, X. Y. Lin, and K. X. Lin, Phys. Rev. B 55, 12-876 (1997).
9. G. G. Qin, Mater. Res. Bull. 33, 1857 (1998).
10. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
11. M. S. Hybertsen, in Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, edited by M. L. Cohen and J. R. Chelikowsky (Springer-Verlag, New York, 1988).
12. G. Qin and G. G. Qin, J. Appl. Phys. 82, 2572 (1997).
13. G. G. Qin and G. Qin, Phys. Status Solidi A 182, 335 (2000).
14. D. L. Dexter, in Solid State Physics, edited by F. Seitz and D. Turnbull (Academic, New York, 1958), Vol. 6.
15. T. H. Ning, J. Appl. Phys. 49, 4077 (1978).
16. X. Gao and S. S. Yee, Solid-State Electron. 39, 399 (1996).
17. A. Palma, J. A. Lopez-Villanueva and J. E. Carceller, J. Electrochem. Soc. 143, 2687 (1996).
18. K. Ito, S. Ohyama, Y. Uehara, and S. Ushioda, Appl. Phys. Lett. 67, 2536 (1995);
19. M. Binder, T. Edelmann, T. H. Metzger, G. Mauckner, G. Goerigk, and J. Peisl, Thin Solid Films 276, 65 (1996);
20. L. P. You, C. L. Heng, S. Y. Ma, Z. C. Ma, W. H. Zong, Z. L. Wu, and G. G. Qin, J. Cryst. Growth 212, 109 (2000).
21. G. G. Qin, H. Z. Song, B. R. Zhang, J. Lin, J. Q. Duan, and G. Q. Yao, Phys. Rev. B 54, 2548 (1996).
22. I. M. Chang and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 82, 3514 (1997).
23. J. Harper and M. J. Sailor, Langmuir 13, 4652 (1997).
24. L. Jia, S. P. Wang, I. H. Wilson, S. K. Hark, S. L. Zhang, Z. F. Liu, and S. M. Cai, Appl. Phys. Lett. 71, 1391 (1997).
25. T. S. Iwayama, N. Kurumado, D. E. Hole, and P. D. Townsend, J. Appl. Phys. 83, 6018 (1998).
26. T. S. Iwayama, Y. Terao, A. Kamiya, M. Takeda, S. Nakao, and K. Saitoh, Nanostruct. Mater. 5, 307 (1995).
27. M. L. Brongersma, A. Polman, K. S. Min, E. Boer, T. Tambo, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 72, 2577 (1998).
28. C. Delerue, M. Lannoo, and G. Allan, in Properties of Porous Silicon (Ref. 3), p. 212.
29. L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob and W. Skorupa, Appl. Phys. B: Lasers Opt. 71, 131 (2000).
30. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, and F. Priolo, Nature (London) 408, 440 (2000).