Recent Developments in p-Type Oxide Semiconductor Materials and Devices

Advanced Materials

Volumn 28, Issue 20, 2016, Pages 3831-3892

  Wang, Zhenwei ^a   Nayak, Pradipta K ^a   Caraveo Frescas, Jesus A ^a   Alshareef, Husam N ^a  

^a KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Saudi Arabia)

Author keywords

oxide CMOS; oxide diodes; p type oxides; thin film transistors; transparent electronics

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; COPPER OXIDES; DISPERSIONS; ELECTRONIC STRUCTURE; METALS; MOS DEVICES; OXIDE SEMICONDUCTORS; SEMICONDUCTOR DIODES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SURFACE CHEMISTRY; THIN FILM CIRCUITS; THIN FILM TRANSISTORS; THIN FILMS; TIN OXIDES;

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; INNOVATIVE APPROACHES; MATERIAL INSTABILITY; P TYPE SEMICONDUCTOR; P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTORS; P-TYPE OXIDES; SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICES; TRANSPARENT ELECTRONICS;

NICKEL OXIDE;

EID: 84975722546     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201503080     Document Type: Review

References (400)

1. E. Fortunato, P. Barquinha, R. Martins, Adv. Mater. 2012, 24, 2945.
2. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature 2004, 432, 488.
3. R. L. Hoffman, B. J. Norris, J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 733.
4. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, G. Nunes, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117.
5. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Gonçalves, A. J. S. Marques, L. M. N. Pereira, R. F. P. Martins, Adv. Mater. 2005, 17, 590.
6. E. Fortunato, R. Martins, Phys. Status Solidi RRL 2011, 5, 336.
7. E. Fortunato, R. Barros, P. Barquinha, V. Figueiredo, S.-H. K. Park, C.-S. Hwang, R. Martins, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 052105.
8. Y. Ogo, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 032113.
9. Y. Ogo, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Kimura, M. Hirano, H. Hosono, Phys. Status Solidi A 2009, 206, 2187.
10. H. Hosono, 19th Int. Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), IEEE, Piscataway, NJ, USA, 2012, p. 1.
11. A. L. Robinson, Science 1984, 224, 705.
12. H. Klauk, U. Zschieschang, J. Pflaum, M. Halik, Nature 2007, 445, 745.
13. R. Martins, A. Nathan, R. Barros, L. Pereira, P. Barquinha, N. Correia, R. Costa, A. Ahnood, I. Ferreira, E. Fortunato, Adv. Mater. 2011, 23, 4491.
14. R. F. P. Martins, A. Ahnood, N. Correia, L. Pereira, R. Barros, P. Barquinha, R. Costa, I. M. M. Ferreira, A. Nathan, E. Fortunato, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 2153.
15. H. Kawazoe, M. Yasukawa, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi, H. Hosono, Nature 1997, 389, 939.
16. H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, H. Kawazoe, J. Non-Cryst. Solids 1996, 200, 165.
17. H. Raebiger, S. Lany, A. Zunger, Phys. Rev. B 2007, 76, 045209.
18. A. Togo, F. Oba, I. Tanaka, K. Tatsumi, Phys. Rev. B 2006, 74, 195128.
19. H. Yanagi, H. Kawazoe, A. Kudo, M. Yasukawa, H. Hosono, J. Electroceram. 2000, 4, 407.
20. H. Kawazoe, H. Yanagi, K. Ueda, H. Hosono, MRS Bull. 2000, 25, 28.
21. P. C. Hsu, C. C. Wu, H. Hiramatsu, T. Kamiya, H. Hosono, ECS J. Solid State Sci. Technol. 2014, 3, Q3040.
22. K. Ueda, T. Hase, H. Yanagi, H. Kawazoe, H. Hosono, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, J. Appl. Phys. 2001, 89, 1790.
23. T. Mine, H. Yanagi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Thin Solid Films 2008, 516, 5790.
24. H. Yanagi, K. Ueda, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, Solid State Commun. 2001, 121, 15.
25. H. Yanagi, T. Hase, S. Ibuki, K. Ueda, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1583.
26. A. Kudo, H. Yanagi, H. Hosono, H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 220.
27. H. Ohta, K.-i. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 475.
28. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, N. Sarukura, M. Hirano, H. Hosono, Electron. Lett 2000, 36, 984.
29. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5720.
30. H. Hosono, Thin Solid Films 2007, 515, 6000.
31. K. Ueda, S. Inoue, S. Hirose, H. Kawazoe, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2701.
32. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 598.
33. S. Park, D. A. Keszler, M. M. Valencia, R. L. Hoffman, J. P. Bender, J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4393.
34. G. W. Watson, J. Chem. Phys. 2001, 114, 758.
35. A. Walsh, G. W. Watson, Phys. Rev. B 2004, 70, 235114.
36. L. Y. Liang, Z. M. Liu, H. T. Cao, Z. Yu, Y. Y. Shi, A. H. Chen, H. Z. Zhang, Y. Q. Fang, X. L. Sun, J. Electrochem. Soc. 2010, 157, H598.
37. H. Yabuta, N. Kaji, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 072111.
38. B. S. Li, K. Akimoto, A. Shen, J. Cryst. Growth 2008, 311, 1102.
39. E. Ruiz, S. Alvarez, P. Alemany, R. A. Evarestov, Phys. Rev. B 1997, 56, 7189.
40. M. Nolan, S. D. Elliott, Phys. Chem. Chem. Phys. 2006, 8, 5350.
41. D. O. Scanlon, B. J. Morgan, G. W. Watson, A. Walsh, Phys. Rev. Lett. 2009, 103, 096405.
42. M. T. Greiner, M. G. Helander, W.-M. Tang, Z.-B. Wang, J. Qiu, Z.-H. Lu, Nat. Mater. 2012, 11, 76.
43. G. Hautier, A. Miglio, G. Ceder, G. M. Rignanese, X. Gonze, Nat. Commun. 2013, 4, 2292.
44. G. Hautier, A. Miglio, D. Waroquiers, G. M. Rignanese, X. Gonze, Chem. Mater. 2014, 26, 5447.
45. H. Yanagi, S.-i. Inoue, K. Ueda, H. Kawazoe, H. Hosono, N. Hamada, J. Appl. Phys. 2000, 88, 4159.
46. A. N. Banerjee, S. Kundoo, K. K. Chattopadhyay, Thin Solid Films 2003, 440, 5.
47. H. Gong, Y. Wang, Y. Luo, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3959.
48. S. Gao, Y. Zhao, P. Gou, N. Chen, Y. Xie, Nanotechnology 2003, 14, 538.
49. J. Tate, M. K. Jayaraj, A. D. Draeseke, T. Ulbrich, A. W. Sleight, K. A. Vanaja, R. Nagarajan, J. F. Wager, R. L. Hoffman, Thin Solid Films 2002, 411, 119.
50. M. Sasaki, M. Shimode, J. Phys. Chem. Solids 2003, 64, 1675.
51. C. W. Teplin, T. Kaydanova, D. L. Young, J. D. Perkins, D. S. Ginley, A. Ode, D. W. Readey, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3789.
52. R. Nagarajan, N. Duan, M. K. Jayaraj, J. Li, K. A. Vanaja, A. Yokochi, A. Draeseke, J. Tate, A. W. Sleight, Int. J. Inorg. Mater. 2001, 3, 265.
53. M. K. Jayaraj, A. D. Draeseke, J. Tate, A. W. Sleight, Thin Solid Films 2001, 397, 244.
54. N. Duan, A. W. Sleight, M. K. Jayaraj, J. Tate, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1325.
55. Y. Kakehi, S. Nakao, K. Satoh, T. Yotsuya, Thin Solid Films 2003, 445, 294.
56. R. Nagarajan, A. D. Draeseke, A. W. Sleight, J. Tate, J. Appl. Phys. 2001, 89, 8022.
57. X. Nie, S.-H. Wei, S. B. Zhang, Phys. Rev. Lett. 2002, 88, 066405.
58. J. Pellicer-Porres, A. Segura, A. S. Gilliland, A. Muñoz, P. Rodríguez-Hernández, D. Kim, M. S. Lee, T. Y. Kim, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 181904.
59. J. Tate, H. L. Ju, J. C. Moon, A. Zakutayev, A. P. Richard, J. Russell, D. H. McIntyre, Phys. Rev. B 2009, 80, 165206.
60. M. Nolan, Thin Solid Films 2008, 516, 8130.
61. D. O. Scanlon, G. W. Watson, J. Phys. Chem. Lett. 2010, 1, 3195.
62. M. Fang, H. He, B. Lu, W. Zhang, B. Zhao, Z. Ye, J. Huang, Appl. Surf. Sci. 2011, 257, 8330.
63. J. Luo, Y. J. Lin, H. C. Hung, C. J. Liu, Y. W. Yang, J. Appl. Phys. 2013, 114, 033712.
64. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, I. Yagi, K. Ueda, H. Hosono, J. Appl. Phys. 2002, 91, 3074.
65. A. Kudo, H. Yanagi, K. Ueda, H. Hosono, H. Kawazoe, Y. Yano, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2851.
66. K. Ueda, S. Inoue, H. Hosono, N. Sarukura, M. Hirano, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2333.
67. S. Inoue, K. Ueda, H. Hosono, N. Hamada, Phys. Rev. B 2001, 64, 245211.
68. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Hosono, Thin Solid Films 2002, 411, 125.
69. H. Hiramatsu, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, H. Hosono, J. Appl. Phys. 2002, 91, 9177.
70. H. Hiramatsu, K. Ueda, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 17344.
71. H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono, J. Appl. Phys. 2003, 94, 5805.
72. K. Ueda, H. Hosono, J. Appl. Phys. 2002, 91, 4768.
73. K. Ueda, H. Hosono, Thin Solid Films 2002, 411, 115.
74. H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono, J. Mater. Res. 2004, 19, 2137.
75. Z. Q. Yao, B. He, L. Zhang, C. Q. Zhuang, T. W. Ng, S. L. Liu, M. Vogel, A. Kumar, W. J. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 062102.
76. H. F. Jiang, X. B. Zhu, H. C. Lei, G. Li, Z. R. Yang, W. H. Song, J. M. Dai, Y. P. Sun, Y. K. Fu, J. Alloys Compd. 2011, 509, 1768.
77. Y. S. Zou, H. P. Wang, S. L. Zhang, D. Lou, Y. H. Dong, X. F. Song, H. B. Zeng, RSC Adv. 2014, 4, 41294.
78. B. K. Meyer, A. Polity, D. Reppin, M. Becker, P. Hering, P. J. Klar, T. Sander, C. Reindl, J. Benz, M. Eickhoff, C. Heiliger, M. Heinemann, J. Blasing, A. Krost, S. Shokovets, C. Muller, C. Ronning, Phys. Status Solidi B 2012, 249, 1487.
79. U. D. Lanke, M. Vedawyas, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 1999, 155, 97.
80. S. Åsbrink, L. J. Norrby, Acta Crystallogr., B 1970, 26, 8.
81. M. A. Rafea, N. Roushdy, J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 015413.
82. K. Matsuzaki, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 202107.
83. W. H. Brattain, Rev. Mod. Phys. 1951, 23, 203.
84. W. Y. Ching, Y.-N. Xu, K. W. Wong, Phys. Rev. B 1989, 40, 7684.
85. D. Wu, Q. Zhang, M. Tao, Phys. Rev. B 2006, 73, 235206.
86. M. Heinemann, B. Eifert, C. Heiliger, Phys. Rev. B 2013, 87, 115111.
87. E. Fortunato, V. Figueiredo, P. Barquinha, E. Elamurugu, R. Barros, G. Goncalves, S. H. K. Park, C. S. Hwang, R. Martins, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 192102.
88. A. O. Musa, T. Akomolafe, M. J. Carter, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1998, 51, 305.
89. A. Mittiga, E. Salza, F. Sarto, M. Tucci, R. Vasanthi, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 163502.
90. R. Jayakrishnan, Mater. Sci. Semicond. Process. 2013, 16, 1608.
91. Y. S. Jeong, H. Kim, H. S. Lee, J. Alloys Compd. 2013, 573, 163.
92. K. J. Saji, S. Populoh, A. N. Tiwari, Y. E. Romanyuk, Phys. Status Solidi A 2013, 210, 1386.
93. S. W. Lee, Y. S. Lee, J. Heo, S. C. Siah, D. Chua, R. E. Brandt, S. B. Kim, J. P. Mailoa, T. Buonassisi, R. G. Gordon, Adv. Energy Mater. 2014, 4, 1301916.
94. T. Minami, Y. Nishi, T. Miyata, Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 212104.
95. A. Wagner, M. Stahl, N. Ehrhardt, A. Fahl, J. Ledig, A. Waag, A. Bakin, Proc. SPIE 2014, 8987, 898726.
96. L. D. Wang, Y. X. Zhao, G. H. Wang, H. Zhou, C. Geng, C. Q. Wu, J. W. Xu, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2014, 130, 387.
97. A. Zakutayev, C. M. Caskey, A. N. Fioretti, D. S. Ginley, J. Vidal, V. Stevanovic, E. Tea, S. Lany, J. Phys. Chem. Lett. 2014, 5, 1117.
98. M. Pavan, S. Ruhle, A. Ginsburg, D. A. Keller, H. N. Barad, P. M. Sberna, D. Nunes, R. Martins, A. Y. Anderson, A. Zaban, E. Fortunato, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2015, 132, 549.
99. J. Zhang, J. Liu, Q. Peng, X. Wang, Y. Li, Chem. Mater. 2006, 18, 867.
100. S. Deng, V. Tjoa, H. M. Fan, H. R. Tan, D. C. Sayle, M. Olivo, S. Mhaisalkar, J. Wei, C. H. Sow, J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 4905.
101. M. K. Wu, J. R. Ashburn, C. J. Torng, P. H. Hor, R. L. Meng, L. Gao, Z. J. Huang, Y. Q. Wang, C. W. Chu, Phys. Rev. Lett. 1987, 58, 908.
102. J. B. Torrance, A. Bezinge, A. I. Nazzal, T. C. Huang, S. S. P. Parkin, D. T. Keane, S. J. LaPlaca, P. M. Horn, G. A. Held, Phys. Rev. B 1989, 40, 8872.
103. A. Chen, S. Haddad, Y.-C. Wu, T.-N. Fang, Z. Lan, S. Avanzino, S. Pangrle, M. Buynoski, M. Rathor, W. Cai, N. Tripsas, C. Bill, M. VanBuskirk, M. Taguchi, 2005 IEDM Tech. Dig. IEEE Int. Electron Devices Meeting, IEEE, Piscataway, NJ, USA 2005, p. 746.
104. A. Chen, S. Haddad, Y. C. Wu, Z. Lan, T. N. Fang, S. Kaza, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 123517.
105. J. C. Park, J. Kim, H. Kwon, H. Song, Adv. Mater. 2009, 21, 803.
106. J. Y. Xiang, J. P. Tu, X. H. Huang, Y. Z. Yang, J. Solid State Electrochem. 2008, 12, 941.
107. H. A. Al-Jawhari, Mater. Sci. Semicond. Process. 2015, 40, 241.
108. K. Matsuzaki, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Phys. Status Solidi A 2009, 206, 2192.
109. W. Seiler, E. Millon, J. Perriere, R. Benzerga, C. Boulmer-Leborgne, J. Cryst. Growth 2009, 311, 3352.
110. A. Subramaniyan, J. D. Perkins, R. P. O'Hayre, S. Lany, V. Stevanovic, D. S. Ginley, A. Zakutayev, APL Mater. 2014, 2, 022105.
111. C. R. Iordanescu, D. Tenciu, I. D. Feraru, A. Kiss, M. Bercu, D. Savastru, R. Notonier, C. E. A. Grigorescu, Dig. J. Nanomater. Biostruct. 2011, 6, 863.
112. X. Zou, G. Fang, L. Yuan, M. Li, G. Wenjie, X. Zhao, IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 827.
113. X. Zou, G. J. Fang, J. W. Wan, X. He, H. N. Wang, N. S. Liu, H. Long, X. Z. Zhao, IEEE Trans. Electron Devices 2011, 58, 2003.
114. K. R. Balasubramaniam, V. M. Kao, J. Ravichandran, P. B. Rossen, W. Siemons, J. W. Ager, Thin Solid Films 2012, 520, 3914.
115. F.-Y. Ran, M. Taniguti, H. Hosono, T. Kamiya, J. Disp. Technol. 2015, 11, 720.
116. J. W. Park, H. Jang, S. Kim, S. H. Choi, H. Lee, J. Kang, S. H. Wei, J. Appl. Phys. 2011, 110, 103503.
117. J. Deuermeier, J. Gassmann, J. Brotz, A. Klein, J. Appl. Phys. 2011, 109, 113704.
118. H. J. Li, C. Y. Pu, C. Y. Ma, S. Li, W. J. Dong, S. Y. Bao, Q. Y. Zhang, Thin Solid Films 2011, 520, 212.
119. V. X. Hien, J. L. You, K. M. Jo, S. Y. Kim, J. H. Lee, J. J. Kim, Y. W. Heo, Vacuum 2015, 111, 60.
120. I. Shogo, M. Takahiro, A. Katsuhiro, Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L786.
121. S. Y. Sung, S. Y. Kim, K. M. Jo, J. H. Lee, J. J. Kim, S. G. Kim, K. H. Chai, S. J. Pearton, D. P. Norton, Y. W. Heo, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 222109.
122. A. Dindar, J. B. Kim, C. Fuentes-Hernandez, B. Kippelen, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 172104.
123. Y. S. Lee, M. T. Winkler, S. C. Siah, R. Brandt, T. Buonassisi, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 192115.
124. F. M. Li, R. Waddingham, W. I. Milne, A. J. Flewitt, S. Speakman, J. Dutson, S. Wakeham, M. Thwaites, Thin Solid Films 2011, 520, 1278.
125. V. Figueiredo, E. Elangovan, R. Barros, J. V. Pinto, T. Busani, R. Martins, E. Fortunato, J. Disp. Technol. 2012, 8, 41.
126. D. W. Nam, I. T. Cho, J. H. Lee, E. S. Cho, J. Sohn, S. H. Song, H. I. Kwon, J. Vac. Sci. Technol., B 2012, 30, 060605.
127. Z. Q. Yao, S. L. Liu, L. Zhang, B. He, A. Kumar, X. Jiang, W. J. Zhang, G. Shao, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 042114.
128. V. Figueiredo, J. V. Pinto, J. Deuermeier, R. Barros, E. Alves, R. Martins, E. Fortunato, J. Disp. Technol. 2013, 9, 735.
129. Q. Huang, L. Wang, X. F. Bi, J. Phys. D: Appl. Phys. 2013, 46, 505101.
130. C. Y. Jeong, J. Sohn, S. H. Song, I. T. Cho, J. H. Lee, E. S. Cho, H. I. Kwon, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 082103.
131. J. Sohn, S.-H. Song, D.-W. Nam, I.-T. Cho, E.-S. Cho, J.-H. Lee, H.-I. Kwon, Semicond. Sci. Technol. 2013, 28, 015005.
132. I. J. Park, C. Y. Jeong, U. Myeonghun, S. H. Song, I. T. Cho, J. H. Lee, E. S. Cho, H. I. Kwon, IEEE Electron Device Lett. 2013, 34, 647.
133. H. A. Al-Jawhari, J. A. Caraveo-Frescas, Adv. Mater. Res. (Durnten-Zurich, Switz.) 2014, 856, 215.
134. Y. S. Jung, H. W. Choi, K. H. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 2014, 53, 11RA10.
135. K. C. Sanal, L. S. Vikas, M. K. Jayaraj, Appl. Surf. Sci. 2014, 297, 153.
136. Z. Chen, X. Xiao, Y. Shao, W. Meng, S. Zhang, L. Yue, L. Xie, P. Zhang, H. Lu, S. Zhang, 12th IEEE Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), IEEE, Piscataway, NJ, USA 2014, p. 1, DOI: 10.1109/ICSICT.2014.7021451.
137. Y. L. Shen, M. L. Guo, X. H. Xia, G. S. Shao, Acta Mater. 2015, 85, 122.
138. W.-C. Chen, P.-C. Hsu, C.-W. Chien, K.-M. Chang, C.-J. Hsu, C.-H. Chang, W.-K. Lee, W.-F. Chou, H.-H. Hsieh, C.-C. Wu, J. Phys. D: Appl. Phys. 2014, 47, 365101.
139. C. Malerba, F. Biccari, C. L. A. Ricardo, M. D'Incau, P. Scardi, A. Mittiga, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2011, 95, 2848.
140. Y. H. Ko, G. Nagaraju, S. H. Lee, J. S. Yu, Mater. Lett. 2014, 117, 217.
141. M. Izaki, M. Nagai, K. Maeda, F. B. Mohamad, K. Motomura, J. Sasano, T. Shinagawa, S. Watase, J. Electrochem. Soc. 2011, 158, D578.
142. W. L. Yu, Y. Z. Lin, X. W. Zhu, Z. G. Hu, M. J. Han, S. S. Cai, L. L. Chen, H. H. Shao, J. Appl. Phys. 2015, 117, 045701.
143. A. Eskandari, P. Sangpour, M. R. Vaezi, Mater. Chem. Phys. 2014, 147, 1204.
144. H. Nagai, T. Suzuki, H. Hara, C. Mochizuki, I. Takano, T. Honda, M. Sato, Mater. Chem. Phys. 2012, 137, 252.
145. S. Y. Kim, C. H. Ahn, J. H. Lee, Y. H. Kwon, S. Hwang, J. Y. Lee, H. K. Cho, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 2417.
146. W. Yu, M. Han, K. Jiang, Z. Duan, Y. Li, Z. Hu, J. Chu, J. Raman Spectrosc. 2013, 44, 142.
147. D. Dhakal, T. Waechtler, S. E. Schulz, T. Gessner, H. Lang, R. Mothes, A. Tuchscherer, J. Vac. Sci. Technol., A 2014, 32, 041505.
148. D. Munoz-Rojas, M. Jordan, C. Yeoh, A. T. Marin, A. Kursumovic, L. A. Dunlop, D. C. Iza, A. Chen, H. Wang, J. L. M. Driscoll, AIP Adv. 2012, 2, 042179.
149. J. D. Kwon, S. H. Kwon, T. H. Jung, K. S. Nam, K. B. Chung, D. H. Kim, J. S. Park, Appl. Surf. Sci. 2013, 285, 373.
150. H. Itoh, Y. Suzuki, T. Sekino, J. C. Valmalette, S. Tohno, J. Ceram. Soc. Jpn. 2014, 122, 361.
151. P. Pattanasattayavong, S. Thomas, G. Adamopoulos, M. A. McLachlan, T. D. Anthopoulos, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 163505.
152. J. Q. Li, Z. X. Mei, D. Q. Ye, H. L. Liang, Y. P. Liu, X. L. Du, J. Cryst. Growth 2012, 353, 63.
153. D. Nunes, A. Pimentel, P. Barquinha, P. A. Carvalho, E. Fortunato, R. Martins, J. Mater. Chem. C 2014, 2, 6097.
154. S. H. Jeong, E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol., A 2010, 28, 1338.
155. T. Ikenoue, S.-i. Sakamoto, Y. Inui, Jpn. J. Appl. Phys. 2014, 53, 05FF06.
156. M. Vaseem, A. R. Hong, R. T. Kim, Y. B. Hahn, J. Mater. Chem. C 2013, 1, 2112.
157. A. Seko, A. Togo, F. Oba, I. Tanaka, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 045702.
158. J. P. Allen, D. O. Scanlon, S. C. Parker, G. W. Watson, J. Phys. Chem. C 2011, 115, 19916.
159. A. Tricoli, M. Righettoni, A. Teleki, Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 7632.
160. R. E. Presley, C. L. Munsee, C. H. Park, D. Hong, J. F. Wager, D. A. Keszler, J. Phys. D: Appl. Phys. 2004, 37, 2810.
161. J. Watson, Sens. Actuators 1984, 5, 29.
162. H. Li, X. Huang, L. Chen, Solid State Ionics 1999, 123, 189.
163. J. Safaei-Ghomi, H. Shahbazi-Alavi, E. Heidari-Baghbahadorani, RSC Adv. 2014, 4, 50668.
164. X. Q. Pan, L. Fu, J. Appl. Phys. 2001, 89, 6048.
165. X. Q. Pan, L. Fu, J. Electroceram. 2001, 7, 35.
166. J. F. Wager, B. Yeh, R. L. Hoffman, D. A. Keszler, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 2014, 18, 53.
167. J. A. Caraveo-Frescas, P. K. Nayak, H. A. Al-Jawhari, D. B. Granato, U. Schwingenschlogl, H. N. Alshareef, ACS Nano 2013, 7, 5160.
168. H. Luo, L. Y. Liang, H. T. Cao, Z. M. Liu, F. Zhuge, ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 5673.
169. S. Hwang, Y. Y. Kim, J. H. Lee, D. K. Seo, J. Y. Lee, H. K. Cho, J. Am. Ceram. Soc. 2012, 95, 324.
170. W. Guo, L. Fu, Y. Zhang, K. Zhang, L. Y. Liang, Z. M. Liu, H. T. Cao, X. Q. Pan, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 042113.
171. L. Y. Liang, Z. M. Liu, H. T. Cao, X. Q. Pan, ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 1060.
172. L. Y. Liang, Z. M. Liu, H. T. Cao, Y. Y. Shi, X. l. Sun, Z. Yu, A. H. Chen, H. Z. Zhang, Y. Q. Fang, ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 1565.
173. K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono, Adv. Mater. 2011, 23, 3431.
174. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
175. L. Y. Liang, H. T. Cao, ECS Trans. 2012, 50, 289.
176. L. Y. Liang, Z. M. Liu, H. T. Cao, W. Y. Xu, X. L. Sun, H. Luo, K. Cang, J. Phys. D: Appl. Phys. 2012, 45, 085101.
177. H. Hosono, Y. Ogo, H. Yanagi, T. Kamiya, Electrochem. Solid-State Lett. 2011, 14, H13.
178. N. F. Quackenbush, J. P. Allen, D. O. Scanlon, S. Sallis, J. A. Hewlett, A. S. Nandur, B. Chen, K. E. Smith, C. Weiland, D. A. Fischer, J. C. Woicik, B. E. White, G. W. Watson, L. F. J. Piper, Chem. Mater. 2013, 25, 3114.
179. L. Y. Liang, H. T. Cao, X. B. Chen, Z. M. Liu, F. Zhuge, H. Luo, J. Li, Y. C. Lu, W. Lu, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 263502.
180. H. Hayashi, S. Katayama, R. Huang, K. Kurushima, I. Tanaka, Phys. Status Solidi RRL 2015, 9, 192.
181. M. Liao, Z. W. Xiao, F. Y. Ran, H. Kumomi, T. Kamiya, H. Hosono, ECS J. Solid State Sci. Technol. 2015, 4, Q26.
182. T. Toyama, Y. Seo, T. Konishi, H. Okamoto, Y. Tsutsumi, Appl. Phys. Express 2011, 4, 071101.
183. Y. Kim, J. H. Jang, J. S. Kim, S. D. Kim, S. E. Kim, Mater. Sci. Eng., B 2012, 177, 1470.
184. Y. Kim, J. Um, S. Kim, S. E. Kim, ECS Solid State Lett. 2012, 1, P29.
185. K. C. Sanal, M. K. Jayaraj, Mater. Sci. Eng., B 2013, 178, 816.
186. P. C. Hsu, W. C. Chen, Y. T. Tsai, Y. C. Kung, C. H. Chang, C. J. Hsu, C. C. Wu, H. H. Hsieh, Jpn. J. Appl. Phys. 2013, 52, 05DC07.
187. P. C. Hsu, W. C. Chen, Y. T. Tsai, Y. C. Kung, C. H. Chang, C. C. Wu, H. H. Hsieh, Thin Solid Films 2014, 555, 57.
188. J. Um, B.-M. Roh, S. Kim, S. E. Kim, Mater. Sci. Semicond. Process. 2013, 16, 1679.
189. J. Um, S. E. Kim, ECS Solid State Lett. 2014, 3, P94.
190. P. C. Hsu, C. J. Hsu, C. H. Chang, S. P. Tsai, W. C. Chen, H. H. Hsieh, C. C. Wu, ACS Appl. Mater. Interfaces 2014, 6, 13724.
191. H. Luo, L. Y. Liang, Q. Liu, H. T. Cao, ECS J. Solid State Sci. Technol. 2014, 3, Q3091.
192. T. Yang, J. Zhao, X. Li, X. Gao, C. Xue, Y. Wu, R. Tai, Mater. Lett. 2014, 139, 39.
193. Y.-H. Jiang, I. C. Chiu, P.-K. Kao, J.-C. He, Y.-H. Wu, Y.-J. Yang, C.-C. Hsu, I. C. Cheng, J.-Z. Chen, Appl. Surf. Sci. 2015, 327, 358.
194. S. Y. Sung, K. M. Jo, S. Y. Kim, J. H. Lee, J. J. Kim, S. K. Park, J. S. Lim, Y. W. Heo, J. Nanoelectron. Optoelectron. 2012, 7, 475.
195. J. A. Caraveo-Frescas, H. N. Alshareef, Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 222103.
196. H. A. Al-Jawhari, J. A. Caraveo-Frescas, M. N. Hedhili, H. N. Alshareef, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 9615.
197. H. A. Al-Jawhari, J. A. Caraveo-Frescas, M. N. Hedhili, J. Electron. Mater. 2015, 44, 117.
198. P. K. Nayak, J. A. Caraveo-Frescas, Z. Wang, M. N. Hedhili, Q. X. Wang, H. N. Alshareef, Sci. Rep. 2014, 4, 4672.
199. Z. Wang, H. A. Al-Jawhari, P. K. Nayak, J. A. Caraveo-Frescas, N. Wei, M. N. Hedhili, H. N. Alshareef, Sci. Rep. 2015, 5, 9617.
200. M. A. Khan, J. A. Caraveo-Frescas, H. N. Alshareef, Org. Electron. 2015, 16, 9.
201. S. W. Z Meng, L. T. Zhang, X. Xiao, S. D. Zhang, 21st Int. Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), IEEE, Piscataway, NJ, USA 2014, p. 105.
202. A. Sharma, M. Varshney, K. D. Verma, Y. Kumar, R. Kumar, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 2013, 308, 15.
203. R. Martins, V. Figueiredo, R. Barros, P. Barquinha, G. Goncalves, L. Pereira, I. Ferreira, E. Fortunato, Proc. SPIE 2012, 8263, 826315.
204. Y.-J. Han, Y.-J. Choi, I.-T. Cho, S. H. Jin, J.-H. Lee, H.-I. Kwon, IEEE Electron Device Lett. 2014, 35, 1260.
205. M. U, Y. J. Han, S. H. Song, I. T. Cho, J. H. Lee, H. I. Kwon, J. Semicond. Technol. Sci. 2014, 14, 666.
206. I. C. Chiu, I. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 2014, 35, 90.
207. Y.-J. Han, Y.-J. Choi, C.-Y. Jeong, D. Lee, S.-H. Song, H.-I. Kwon, IEEE Electron Device Lett. 2015, 36, 466.
208. S. Hwang, J. H. Lee, Y. Y. Kim, M. G. Yun, K. H. Lee, J. Y. Lee, H. K. Cho, J. Nanosci. Nanotechnol. 2014, 14, 8908.
209. I. T. Cho, M. U, H. I. Kwon, Semicond. Sci. Technol. 2014, 29, 045001.
210. I. C. Chiu, Y. S. Li, M. S. Tu, I. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 2014, 35, 1263.
211. Dhananjay, C.-W. Chu, C.-W. Ou, M.-C. Wu, Z.-Y. Ho, K.-C. Ho, S.-W. Lee, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 232103.
212. C.-W. Ou, Dhananjay, Z. Y. Ho, Y.-C. Chuang, S.-S. Cheng, M.-C. Wu, K.-C. Ho, C.-W. Chu, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 122113.
213. M. U, H. I. Kwon, I. T. Cho, S. H. Jin, J. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 2014, 65, 286.
214. H. N. Lee, H. J. Kim, C. K. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 020202.
215. T. Toyama, Y. Seo, T. Konishi, H. Okamoto, R. Morimoto, Y. Nishikawa, Y. Tsutsumi, Thin Solid Films 2014, 555, 148.
216. H. N. Lee, B. J. Song, J. C. Park, J. Disp. Technol. 2014, 10, 288.
217. X. X. Li, L. Y. Liang, H. T. Cao, R. F. Qin, H. L. Zhang, J. H. Gao, Z. G. Fei, Appl. Phys. Lett. 2015, 106, 132102.
218. J. H. Han, Y. J. Chung, B. K. Park, S. K. Kim, H.-S. Kim, C. G. Kim, T.-M. Chung, Chem. Mater. 2014, 26, 6088.
219. I. Barbul, A. L. Johnson, G. Kociok-Köhn, K. C. Molloy, C. Silvestru, A. L. Sudlow, ChemPlusChem 2013, 78, 866.
220. T. Wildsmith, M. S. Hill, A. L. Johnson, A. J. Kingsley, K. C. Molloy, Chem. Commun. 2013, 49, 8773.
221. H. S. Jarrett, A. W. Sleight, H. H. Kung, J. L. Gillson, J. Appl. Phys. 1980, 51, 3916.
222. H. Mizoguchi, M. Hirano, S. Fujitsu, T. Takeuchi, K. Ueda, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1207.
223. H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 2013, 52, 090001.
224. D. J. Singh, R. C. Rai, J. L. Musfeldt, S. Auluck, N. Singh, P. Khalifah, S. McClure, D. G. Mandrus, Chem. Mater. 2006, 18, 2696.
225. A. R. Nagaraja, N. H. Perry, T. O. Mason, Y. Tang, M. Grayson, T. R. Paudel, S. Lany, A. Zunger, J. Am. Ceram. Soc. 2012, 95, 269.
226. S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Shimizu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono, Adv. Mater. 2003, 15, 1409.
227. H. Ohta, H. Mizoguchi, M. Hirano, S. Narushima, T. Kamiya, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 823.
228. T. Kamiya, S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Shimizu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 968.
229. H. J. Kim, I. C. Song, J. H. Sim, H. Kim, D. Kim, Y. E. Ihm, W. K. Choo, J. Appl. Phys. 2004, 95, 7387.
230. M. Dekkers, G. Rijnders, D. H. A. Blank, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 021903.
231. S. Kim, J. A. Cianfrone, P. Sadik, K.-W. Kim, M. Ivill, D. P. Norton, J. Appl. Phys. 2010, 107, 103538.
232. F. Schein, H. von Wenckstern, H. Frenzel, M. Grundmann, IEEE Electron. Device Lett. 2012, 33, 676.
233. F. J. Klupfel, F. L. Schein, M. Lorenz, H. Frenzel, H. von Wenckstern, M. Grundmann, IEEE Trans. Electron Devices 2013, 60, 1828.
234. F.-L. Schein, M. Winter, T. Böntgen, H. von Wenckstern, M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 022104.
235. P. Schlupp, F.-L. Schein, H. von Wenckstern, M. Grundmann, Adv. Electron. Mater. 2015, 1, 1400023.
236. H. von Wenckstern, D. Splith, S. Lanzinger, F. Schmidt, S. Müller, P. Schlupp, R. Karsthof, M. Grundmann, Adv. Electron. Mater. 2015, 1, 1400026.
237. S. Samanta, S. M. Saini, J. Electron. Mater. 2014, 43, 3659.
238. N. Mansourian-Hadavi, S. Wansom, N. H. Perry, A. R. Nagaraja, T. O. Mason, L. H. Ye, A. J. Freeman, Phys. Rev. B 2010, 81, 075112.
239. N. Singh, U. Schwingenschlögl, Europhys. Lett. 2013, 104, 37002.
240. D. M. Ramo, P. D. Bristowe, J. Chem. Phys. 2014, 141, 084704.
241. D. O. Scanlon, G. W. Watson, Phys. Chem. Chem. Phys. 2011, 13, 9667.
242. S. Samanta, Opt. Mater. 2015, 45, 141.
243. M. N. Amini, H. Dixit, R. Saniz, D. Lamoen, B. Partoens, Phys. Chem. Chem. Phys. 2014, 16, 2588.
244. O. Volnianska, P. Boguslawski, J. Appl. Phys. 2013, 114, 033711.
245. O. Volnianska, P. Boguslawski, J. Phys. D: Appl. Phys. 2014, 47, 465101.
246. J. D. Perkins, T. R. Paudel, A. Zakutayev, P. F. Ndione, P. A. Parilla, D. L. Young, S. Lany, D. S. Ginley, A. Zunger, N. H. Perry, Y. Tang, M. Grayson, T. O. Mason, J. S. Bettinger, Y. Shi, M. F. Toney, Phys. Rev. B 2011, 84, 205207.
247. H. Sato, T. Minami, S. Takata, T. Yamada, Thin Solid Films 1993, 236, 27.
248. M. D. Irwin, B. Buchholz, A. W. Hains, R. P. H. Chang, T. J. Marks, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2008, 105, 2783.
249. J. L. McNatt, Phys. Rev. Lett. 1969, 23, 915.
250. J. Hugel, C. Carabatos, J. Phys. C: Solid State Phys. 1983, 16, 6713.
251. M. T. Greiner, Z.-H. Lu, NPG Asia Mater. 2013, 5, e55.
252. N. F. Mott, Philos. Mag. 1961, 6, 287.
253. J. Hubbard, Proc. R. Soc. Lond. Ser. A: Math. Phys. Sci. 1963, 276, 238.
254. J. Hubbard, Proc. R. Soc. Lond. Ser. A: Math. Phys. Sci. 1964, 277, 237.
255. J. Hubbard, Proc. R. Soc. Lond. Ser. A: Math. Phys. Sci. 1964, 281, 401.
256. J. Zaanen, G. A. Sawatzky, J. W. Allen, Phys. Rev. Lett. 1985, 55, 418.
257. S. Lany, J. Osorio-Guillén, A. Zunger, Phys. Rev. B 2007, 75, 241203.
258. T. Dutta, P. Gupta, A. Gupta, J. Narayan, J. Appl. Phys. 2010, 108, 083715.
259. N. Alidoust, E. A. Carter, Phys. Chem. Chem. Phys. 2015, 17, 18098.
260. M. Z. Sialvi, R. J. Mortimer, G. D. Wilcox, A. M. Teridi, T. S. Varley, K. G. U. Wijayantha, C. A. Kirk, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 5675.
261. J. Nagai, G. D. McMeeking, Y. Saitoh, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1999, 56, 309.
262. S. C. Chen, C. K. We, T. Y. Kuo, W. C. Peng, H. C. Lin, Thin Solid Films 2014, 572, 51.
263. J. H. Park, J. Seo, S. Park, S. S. Shin, Y. C. Kim, N. J. Jeon, H.-W. Shin, T. K. Ahn, J. H. Noh, S. C. Yoon, C. S. Hwang, S. I. Seok, Adv. Mater. 2015, 27, 4013.
264. A. Agrawal, H. R. Habibi, R. K. Agrawal, J. P. Cronin, D. M. Roberts, R. Caronpopowich, C. M. Lampert, Thin Solid Films 1992, 221, 239.
265. S. Pereira, A. Goncalves, N. Correia, J. Pinto, L. Pereira, R. Martins, E. Fortunato, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2014, 120, 109.
266. Y. R. Park, K. J. Kim, J. Cryst. Growth 2003, 258, 380.
267. C.-C. Wu, C.-F. Yang, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 4996.
268. E. Thimsen, A. B. F. Martinson, J. W. Elam, M. J. Pellin, J. Phys. Chem. C 2012, 116, 16830.
269. H. Shimotani, H. Suzuki, K. Ueno, M. Kawasaki, Y. Iwasa, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 242107.
270. S. Takami, R. Hayakawa, Y. Wakayama, T. Chikyow, Nanotechnology 2010, 21, 134009.
271. J. Jiang, X. Wang, Q. Zhang, J. Li, X. X. Zhang, Phys. Chem. Chem. Phys. 2013, 15, 6875.
272. S. Liu, R. Liu, Y. Chen, S. Ho, J. H. Kim, F. So, Chem. Mater. 2014, 26, 4528.
273. K. Matsubara, S. Huang, M. Iwamoto, W. Pan, Nanoscale 2014, 6, 688.
274. Y. Ohya, M. Ueda, Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 4738.
275. H. Ohta, M. Hirano, K. Nakahara, H. Maruta, T. Tanabe, M. Kamiya, T. Kamiya, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1029.
276. N. Münzenrieder, C. Zysset, L. Petti, T. Kinkeldei, G. A. Salvatore, G. Troester, Solid-State Electron. 2013, 87, 17.
277. M. Tyagi, M. Tomar, V. Gupta, Mater. Res. Bull. 2015, 66, 123.
278. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi, B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5655.
279. M.-J. Lee, S. I. Kim, C. B. Lee, H. Yin, S.-E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. Song, S. W. Kim, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, Y. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1587.
280. H. D. Lee, B. Magyari-Kope, Y. Nishi, Phys. Rev. B 2010, 81, 193202.
281. I. M. Chan, T. Y. Hsu, F. C. Hong, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1899.
282. F. Jiang, W. C. H. Choy, X. Li, D. Zhang, J. Cheng, Adv. Mater. 2015, 27, 2930.
283. H. Ohta, M. Kamiya, T. Kamaiya, M. Hirano, H. Hosono, Thin Solid Films 2003, 445, 317.
284. S. Bai, M. Cao, Y. Jin, X. Dai, X. Liang, Z. Ye, M. Li, J. Cheng, X. Xiao, Z. Wu, Z. Xia, E. Sun, E. Wang, Y. Mo, F. Gao, F. Zhang, Adv. Energy Mater. 2014, 4, 1301460.
285. M. D. Irwin, J. D. Servaites, D. B. Buchholz, B. J. Leever, J. Liu, J. D. Emery, M. Zhang, J.-H. Song, M. F. Durstock, A. J. Freeman, M. J. Bedzyk, M. C. Hersam, R. P. H. Chang, M. A. Ratner, T. J. Marks, Chem. Mater. 2011, 23, 2218.
286. D. S. Ginley, H. Hosono, D. C. Paine, Handbook of Transparent Conductors, Springer, New York 2010.
287. A. Facchetti, T. J. Marks, Transparent Electronics: From Synthesis to Applications, John Wiley & Sons, New York 2010.
288. J. A. Caraveo-Frescas, Ph.D. Thesis, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia 2013.
289. H. Frenzel, A. Lajn, M. Grundmann, Phys. Status Solidi RRL 2013, 7, 605.
290. Y. Kim, Y. Kim, H. Lee, J. Disp. Technol. 2014, 10, 995.
291. J. H. Lee, D. N. Liu, S. T. Wu, Introduction to Flat Panel Displays, John Wiley & Sons, New York 2008.
292. A. C. Tickle, Thin-Film Transistors-A New Approach to Microelectronics, Wiley, New York, 1969.
293. P. Barquinha, Ph.D. Thesis, Universidade Nova de Lisboa, Lisbon, Portugal 2010.
294. D. Hong, G. Yerubandi, H. Q. Chiang, M. C. Spiegelberg, J. F. Wager, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 2008, 33, 101.
295. R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley, Boston, MA, USA, 1996.
296. P. K. Weimer, Field-Effect Transistors: Physics, Techhnology, and Applications, Prentice Hall, Upper Saddle River, NJ, USA, 1966.
297. T. Ytterdal, Y. Cheng, T. A. Fjeldly, Device Modeling for Analog and RF CMOS Circuit Design, John Wiley & Sons, New York 2003.
298. N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C.-H. Park, D. A. Keszler, J. Appl. Phys. 2005, 97, 064505.
299. W. J. Park, H. S. Shin, B. D. Ahn, G. H. Kim, S. M. Lee, K. H. Kim, H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 083508.
300. R. L. Hoffman, J. Appl. Phys. 2004, 95, 5813.
301. F. Zhou, B. S. Yeh, K. A. Archila, J. F. Wager, ECS J. Solid State Sci. Technol. 2014, 3, Q3027.
302. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, New York 1981.
303. C. Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, Prentice Hall, Upper Saddle River, NJ, USA, 2009.
304. L. Liao, B. Yan, Y. F. Hao, G. Z. Xing, J. P. Liu, B. C. Zhao, Z. X. Shen, T. Wu, L. Wang, J. T. L. Thong, C. M. Li, W. Huang, T. Yu, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 113106.
305. T. Yu, X. Zhao, Z. X. Shen, Y. H. Wu, W. H. Su, J. Cryst. Growth 2004, 268, 590.
306. E. Fortunato, V. Figueiredo, P. Barquinha, E. Elamurugu, R. Barros, G. Goncalves, S. H. K. Park, C. S. Hwang, R. Martins, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 239902.
307. X. Zou, G. J. Fang, L. Y. Yuan, N. S. Liu, H. Long, X. Z. Zhao, Thin Solid Films 2010, 518, 4446.
308. X. Zou, G. J. Fang, L. Y. Yuan, N. S. Liu, H. Long, IEEE Int. Conf. Electron Devices Solid-State Circuits, IEEE, Piscataway, NJ, USA 2009, p. 217.
309. C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, S. Krishnan, J. H. Han, J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 2593.
310. J. W. Han, M. Meyyappan, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 192102.
311. W. B. Jackson, Phys. Rev. B 1988, 38, 3595.
312. A. Yelon, B. Movaghar, H. M. Branz, Phys. Rev. B 1992, 46, 12244.
313. H.-H. Hsieh, T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, C.-C. Wu, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 133503.
314. E. Fortunato, N. Correia, P. Barquinha, L. Pereira, G. Goncalves, R. Martins, IEEE Electron. Device Lett. 2008, 29, 988.
315. K. Okamura, B. Nasr, R. A. Brand, H. Hahn, J. Mater. Chem. 2012, 22, 4607.
316. D. B. Granato, J. A. Caraveo-Frescas, H. N. Alshareef, U. Schwingenschlögl, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 212105.
317. J. Y. W. Seto, J. Appl. Phys. 1975, 46, 5247.
318. K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 053505.
319. K. Hoshino, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, IEEE Trans. Electron. Devices 2009, 56, 1365.
320. P. K. Nayak, Z. Wang, D. H. Anjum, M. N. Hedhili, H. N. Alshareef, Appl. Phys. Lett. 2015, 106, 103505.
321. A. Olziersky, P. Barquinha, A. Vilà, L. Pereira, G. Gonçalves, E. Fortunato, R. Martins, J. R. Morante, J. Appl. Phys. 2010, 108, 064505.
322. W. B. Jackson, J. M. Marshall, M. D. Moyer, Phys. Rev. B 1989, 39, 1164.
323. A. V. Gelatos, J. Kanicki, Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 1197.
324. F. R. Libsch, J. Kanicki, Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 1286.
325. S. Sambandan, D. Striakhilev, A. Nathan, J. Disp. Technol. 2006, 2, 52.
326. J.-M. Lee, I.-T. Cho, J.-H. Lee, H.-I. Kwon, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 093504.
327. I.-T. Cho, J.-M. Lee, J.-H. Lee, H.-I. Kwon, Semicond. Sci. Technol. 2009, 24, 015013.
328. T.-C. Chen, T.-C. Chang, C.-T. Tsai, T.-Y. Hsieh, S.-C. Chen, C.-S. Lin, M.-C. Hung, C.-H. Tu, J.-J. Chang, P.-L. Chen, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 112104.
329. Y.-C. Chen, T.-C. Chang, H.-W. Li, S.-C. Chen, J. Lu, W.-F. Chung, Y.-H. Tai, T.-Y. Tseng, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 262104.
330. I.-J. Park, C.-Y. Jeong, M. U, S.-H. Song, I.-T. Cho, J.-H. Lee, E.-S. Cho, H.-I. Kwon, IEEE Electron. Device Lett. 2013, 34, 647.
331. J. Lee, J. Y. Jung, D. H. Kim, J.-Y. Kim, B.-L. Lee, J.-I. Park, J. W. Chung, J. S. Park, B. Koo, Y. W. Jin, S. Lee, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 083302.
332. R. Martins, I. Ferreira, E. Fortunato, Phys. Status Solidi RRL 2011, 5, 332.
333. Y. Nakamura, Y. Yoshida, Y. Honaga, S. Fujitsu, J. Eur. Ceram. Soc. 2005, 25, 2167.
334. S. Sheng, G. Fang, C. Li, S. Xu, X. Zhao, Phys. Status Solidi A 2006, 203, 1891.
335. H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 211107.
336. K. Tonooka, H. Bando, Y. Aiura, Thin Solid Films 2003, 445, 327.
337. S. Jeong, E. S. Aydil, J. Cryst. Growth 2009, 311, 4188.
338. K. Kwak, K. Cho, S. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 2013, 13, 3433.
339. J.-Y. Feng, C.-F. Hu, X.-P. Qu, 12th IEEE Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), IEEE, Piscataway, NJ, USA 2014, p. 1, DOI: 10.1109/ICSICT.2014.702.1183.
340. Y. H. Ok, K. R. Lee, B. O. Jung, Y. H. Kwon, H. K. Cho, Thin Solid Films 2014, 570, 282.
341. A. Polman, H. A. Atwater, Nat. Mater. 2012, 11, 174.
342. L. Zhu, G. Shao, J. K. Luo, Semicond. Sci. Technol. 2011, 26, 085026.
343. L. Zhu, G. Shao, J. K. Luo, Solid State Sci. 2012, 14, 857.
344. L. Zhu, J. K. Luo, G. Shao, W. I. Milne, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2013, 111, 141.
345. R. Sathyamoorthy, K. M. Abhirami, B. Gokul, S. Gautam, K. Chae, K. Asokan, Electron. Mater. Lett. 2014, 10, 743.
346. Z. Wang, P. K. Nayak, A. Albar, N. Wei, U. Schwingenschlögl, H. N. Alshareef, Adv. Mater. Interfaces 2015, 2, 1500374.
347. J. F. Gibbons, W. E. Beadle, Solid-State Electron. 1964, 7, 785.
348. J. W. Park, D. Y. Kim, J. K. Lee, J. Vac. Sci. Technol., A 2005, 23, 1309.
349. I. Austin, in Semiconductor Effects in Amorphous Solids, North Holland, Amsterdam, The Netherlands 1970, p. 477.
350. D. H. Yoon, S. J. Kim, J. Jung, H. S. Lim, H. J. Kim, J. Mater. Chem. 2012, 22, 17568.
351. M. K. Hota, J. A. Caraveo-Frescas, M. A. McLachlan, H. N. Alshareef, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 152104.
352. M. K. Hota, M. N. Hedhili, Q. Wang, V. A. Melnikov, O. F. Mohammed, H. N. Alshareef, Adv. Electron. Mater. 2015, 1, 1400035.
353. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
354. M.-J. Lee, S. I. Kim, C. B. Lee, H. Yin, S.-E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. Song, S. W. Kim, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, Y. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1587.
355. D.-H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X.-S. Li, G.-S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148.
356. C.-H. Cheng, F.-S. Yeh, A. Chin, Adv. Mater. 2011, 23, 902.
357. B. Cho, S. Song, Y. Ji, T.-W. Kim, T. Lee, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 2806.
358. J. G. Simmons, R. R. Verderber, Proc. R. Soc. Lond. Ser. A: Math. Phys. Sci. 1967, 301, 77.
359. T. W. Hickmott, J. Vac. Sci. Technol. 1969, 6, 828.
360. Y. J. Park, I.-S. Bae, S. J. Kang, J. Chang, C. Park, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2010, 17, 1135.
361. R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. de Leeuw, Nat. Mater. 2005, 4, 243.
362. J. A. Caraveo-Frescas, M. A. Khan, H. N. Alshareef, Sci. Rep. 2014, 4, 5243.
363. C. T. Black, C. Farrell, T. J. Licata, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2041.
364. R. C. G. Naber, K. Asadi, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, B. de Boer, Adv. Mater. 2010, 22, 933.
365. K. H. Lee, G. Lee, K. Lee, M. S. Oh, S. Im, S.-M. Yoon, Adv. Mater. 2009, 21, 4287.
366. S. J. Kang, I. Bae, Y. J. Park, T. H. Park, J. Sung, S. C. Yoon, K. H. Kim, D. H. Choi, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1609.
367. R. H. Kim, H. J. Kim, I. Bae, S. K. Hwang, D. B. Velusamy, S. M. Cho, K. Takaishi, T. Muto, D. Hashizume, M. Uchiyama, P. Andre, F. Mathevet, B. Heinrich, T. Aoyama, D.-E. Kim, H. Lee, J.-C. Ribierre, C. Park, Nat. Commun. 2014, 5, 3583.
368. Y. Wang, Q. Niu, C. Hu, W. Wang, M. He, Y. Zhang, S. Li, L. Zhao, X. Wang, J. Xu, Q. Zhu, S. Chen, Opt. Lett. 2011, 36, 1521.
369. H.-Y. Chen, J. Hou, S. Zhang, Y. Liang, G. Yang, Y. Yang, L. Yu, Y. Wu, G. Li, Nat. Photonics 2009, 3, 649.
370. C. G. Granqvist, E. Avendano, A. Azens, Thin Solid Films 2003, 442, 201.
371. C. G. Granqvist, J. Eur. Ceram. Soc. 2005, 25, 2907.
372. C. G. Granqvist, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2008, 92, 203.
373. G. A. Niklasson, C. G. Granqvist, J. Mater. Chem. 2007, 17, 127.
374. R. J. Mortimer, Annu. Rev. Mater. Res. 2011, 41, 241.
375. C. G. Granqvist, Adv. Mater. 2003, 15, 1789.
376. E. Avendano, L. Berggren, G. A. Niklasson, C. G. Granqvist, A. Azens, Thin Solid Films 2006, 496, 30.
377. A. Urbano, F. F. Ferreira, S. C. deCastro, R. Landers, M. C. A. Fantini, A. Gorenstein, Electrochim. Acta 2001, 46, 2269.
378. N. Penin, A. Rougier, L. Laffont, P. Poizot, J. M. Tarascon, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2006, 90, 422.
379. Z. Jiao, M. Wu, Z. Qin, H. Xu, Nanotechnology 2003, 14, 458.
380. X. H. Xia, J. P. Tu, J. Zhang, X. L. Wang, W. K. Zhang, H. Huang, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2008, 92, 628.
381. R. C. Tenent, D. T. Gillaspie, A. Miedaner, P. A. Parilla, C. J. Curtis, A. C. Dillon, J. Electrochem. Soc. 2010, 157, H318.
382. A. Tricoli, M. Righettoni, A. Teleki, Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 7632.
383. H.-J. Kim, J.-H. Lee, Sens. Actuators, B 2014, 192, 607.
384. N. Barsan, C. Simion, T. Heine, S. Pokhrel, U. Weimar, J. Electroceram. 2010, 25, 11.
385. M. Huebner, C. E. Simion, A. Tomescu-Stanoiu, S. Pokhrel, N. Barsan, U. Weimar, Sens. Actuators, B 2011, 153, 347.
386. H.-J. Kim, K.-I. Choi, K.-M. Kim, C. W. Na, J.-H. Lee, Sens. Actuators, B 2012, 171, 1029.
387. K.-M. Kim, H.-M. Jeong, H.-R. Kim, K.-I. Choi, H.-J. Kim, J.-H. Lee, Sensors 2012, 12, 8013.
388. J.-W. Yoon, H.-J. Kim, I.-D. Kim, J.-H. Lee, Nanotechnology 2013, 24, 444005.
389. N. G. Cho, H.-S. Woo, J.-H. Lee, I.-D. Kim, Chem. Commun. 2011, 47, 11300.
390. K.-I. Choi, H.-R. Kim, K.-M. Kim, D. Li, G. Cao, J.-H. Lee, Sens. Actuators, B 2010, 146, 183.
391. Y. Ushio, M. Miyayama, H. Yanagida, Sens. Actuators, B 1993, 12, 135.
392. Y. Ushio, M. Miyayama, H. Yanagida, Sens. Actuators, B 1994, 17, 221.
393. W. J. Park, K. J. Choi, M. H. Kim, B. H. Koo, J.-L. Lee, J. M. Baik, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 6802.
394. K. Hikita, M. Miyayama, H. Yanagida, J. Am. Ceram. Soc. 1994, 77, 1961.
395. K. Hikita, M. Miyayama, H. Yanagida, J. Am. Ceram. Soc. 1995, 78, 865.
396. Y. Caglar, D. D. Oral, M. Caglar, S. Ilican, M. A. Thomas, K. Wu, Z. Sun, J. Cui, Thin Solid Films 2012, 520, 6642.
397. J. Tamaki, T. Maekawa, N. Miura, N. Yamazoe, Sens. Actuators B 1992, 9, 197.
398. H.-R. Kim, K.-I. Choi, K.-M. Kim, I.-D. Kim, G. Cao, J.-H. Lee, Chem. Commun. 2010, 46, 5061.
399. H.-R. Kim, A. Haensch, I.-D. Kim, N. Barsan, U. Weimar, J.-H. Lee, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 4456.
400. K.-I. Choi, M. Huebner, A. Haensch, H.-J. Kim, U. Weimar, N. Barsan, J.-H. Lee, Sens. Actuators, B 2013, 183, 401.