Ambipolar oxide thin-film transistor

Advanced Materials

Volumn 23, Issue 30, 2011, Pages 3431-3434

  Nomura, Kenji ^a   Kamiya, Toshio ^a   Hosono, Hideo ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

ambipolar thin film transistors; complementary like inverters; Oxide semiconductors; tin monoxide

Indexed keywords

AMBIPOLAR; AMBIPOLAR THIN FILM TRANSISTORS; COMPLEMENTARY-LIKE INVERTERS; N-CHANNEL; OXIDE ELECTRONICS; OXIDE SEMICONDUCTORS; SATURATION MOBILITY; SINGLE OXIDES; VOLTAGE GAIN;

THIN FILM DEVICES; TIN; TRANSISTORS;

THIN FILM TRANSISTORS;

OXIDE; SILICON DIOXIDE; TIN DERIVATIVE; TIN DIOXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; SEMICONDUCTOR; TEMPERATURE;

OXIDES; SILICON DIOXIDE; TEMPERATURE; TIN COMPOUNDS; TRANSISTORS, ELECTRONIC;

EID: 80051703067     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201101410     Document Type: Article

References (29)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature 2004, 432, 488.
2. J. F. Wager, D. A. Keszler, R. E. Presley, Transparent Electronics, Springer, New York 2008.
3. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, M. Kawasaki, Nat. Mater. 2005, 4, 42.
4. Handbook of Transparent Conductors, (Eds:, D. Ginley, H. Hosono, D. Paine,), Springer, New York 2010.
5. J. H. Na, M. Kitamura, Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 213505.
6. K. Nomura, T. Aoki, K. Nakamura, T. Kamiya, T. Nakanishi, T. Hasegawa, M. Kimura, T. Kawase, M. Hirano, H. Hosono,. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 263509.
7. P. T. Liu, Y. T. Chou, L. F. Teng, C. S. Fuh, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 083505.
8. H. Ynagi, T. Hase, S. Ibuki, K. Ueda, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1583.
9. H. Yanagi, T. Watanabe, K. Kodama, S. Iikubo, S. Shamoto, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, J. Appl. Phys. 2009, 105, 0939161.
10. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
11. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
12. Y. Nara, M. Matsumura, J. Appl. Phys. 1980, 51, 6443.
13. A. Togo, F. Oba, I. Tanaka, K. Tastumi, Phys. Rev. B 2006, 74, 195128.
14. Y. Ogo, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 213505.
15. E. Fortunato, R. Barros, P. Barquinha, V. Figueiredo, S.-H. Ko Park, C.-S. Hwang, R. Martins, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 052105.
16. H. Yabuta, N. Kaji, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono,. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 072111.
17. C.-W. Ou, Dhananjay, Z. Y. Ho, Y.-C. Chuang, S.-S. Cheng, M.-C. Wu, K.-C. Ho, C.-W. Chu, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 122113.
18. Dhananjay, C.-W. Chu, C.-W. Ou, M.-C. Wu, Z.-Y. Ho, K.-C. Ho, S.-W. Lee, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 232103.
19. Y. Ogo, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Kimura, M. Hirano, H. Hosono, Phys. Status Solidi A 2009, 206, 2187.
20. H. Hosono, Y. Ogo, H. Yanagi, T. Kamiya, Electrochem. Solid-State Lett. 2011, 14, 13.
21. G. W. Neudeck, H. F. Bare, K. Y. Chung, IEEE Trans. Electron Dev. 1987, 34, 344.
22. T. Kamiya, K. Nakahata, Y. T. Tan, Z. A. K. Durrani, I. Shimizu, J. Appl. Phys. 2001, 89, 6265.
23. T. Minami, Semicond. Sci. Technol. 2005, 20, S35.
24. S. Cahen, N. David, J. M. Fiorani, A. Maëtre, M. Vilasi, Thermochim. Acta 2003, 403, 275.
25. J. Zaumseil, H. Sirringhaus, Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
26. K.-Y. Chana, D. Knippb, J. Kirchhoff, A. Gordijn, H. Stiebig, Solid-State Electron. 2009, 53, 635.
27. E. J. Meijer, D. M. de Leeuw, S. Setayesh, E. van Veenendaal, B. -H. Huisman, P. W. M. Blom, J. C. Hummelen, U. Scherf, T. M. Klapwijk, Nat. Mater. 2003, 2, 678.
28. T. D. Anthopoulos, D. M. de Leeuw, E. Cantatore, S. Setayesh, E. J. Meijer, C. Tanase, J. C. Hummelen, P. W. M. Blom, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2098.
29. F. S. Kim, X. G. Guo, M. D. Watson, S. A. Jenekhe, Adv. Mater. 2010, 22, 478.