All amorphous oxide bipolar heterojunction diodes from abundant metals

Advanced Electronic Materials

Volumn 1, Issue 1-2, 2015, Pages

  Schlupp, Peter ^a   Schein, Friedrich Leonhard ^a   von Wenckstern, Holger ^a   Grundmann, Marius ^a  

^a UNIVERSITY OF LEIPZIG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84964517791     PISSN: None     EISSN: 2199160X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/aelm.201400023     Document Type: Article

References (27)

1. H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, H. Kawazoe, J. Non-Cryst. Solids 1996, 198, 165.
2. M. Grundmann, F.-L. Schein, R. Karsthof, P. Schlupp, H. von Wenckstern, Adv. Sci. Technol. 2014, 93, 252.
3. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 4303.
4. M. K. Jayaraj, K. J. Saji, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono, J. Vac. Sci. Technol. B 2008, 26, 495.
5. E. M. C. Fortunato, L. M. N. Pereira, P. M. C. Barquinha, A. M. Botelho do Rego, G. Goncalves, A. Vila, J. R. Morante, R. F. P. Martins, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 222103.
6. T. Kamiya, H. Hosono, NPG Asia Mater. 2010, 2, 15.
7. Y.-H. Kim, J.-S. Heo, T.-H. Kim, S. Park, M.-H. Yoon, J. Kim, M. S. Oh, G.-R. Yi, Y. Y. Noh, S. K. Park, Nature 2012, 489, 128.
8. H. Pu, Q. Zhou, L. Yue, Q. Zhang, Semicond. Sci. Technol. 2013, 28, 105002.
9. J.-S. Park, H. Kim, I.-D. Kim, J. Electroceram. 2014, 32, 117.
10. J. F. Wager, B. Yeh, R. L. Hoffman, D. A. Keszler, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 2013, 18, 53.
11. Risk List 2012, British Geological Survey, http://www.bgs.ac.uk/ mineralsuk/statistics/risklist.html, (Accessed: April 2014).
12. R. Rudnick, S. Gao, Treatise on Geochemistry, Vol. 1 (Eds: H. D. Holland, K. K. Turekian), Elsevier Ltd., Oxford 2003.
13. Metalprices, http://www.metalprices.com, (Accessed: February 2014).
14. Commodity Statistics and Information, U.S. Geological Survey, http:// minerals.usgs.gov/minerals/pubs/commodity, (Accessed: April 2014).
15. P. Schlupp, H. von Wenckstern, M. Grundmann, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2014, 1633, 101.
16. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 2004, 86, 013503.
17. S.-J. Seo, C. G. Choi, Y. H. Hwang, B.-S. Bae, J. Phys. D: Appl. Phys 2009, 42, 035106.
18. J. Heo, S. Bok Kim, R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 113507.
19. F.-L. Schein, M. Winter, T. Böntgen, H. von Wenckstern, M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 022104.
20. F.-L. Schein, H. von Wenckstern, H. Frenzel, M. Grundmann, IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 676.
21. J. D. Perkins, T. R. Paudel, A. Zakutayev, P. F. Ndione, P. A. Parilla, D. L. Young, S. Lany, D. S. Ginley, A. Zunger, N. H. Perry, Y. Tang, M. Grayson, T. O. Mason, J. S. Bettinger, Y. Shi, M. F. Toney, Phys. Rev. B 2001, 84, 205207.
22. T. R. Paudel, A. Zakutayev, S. Lany, M. D'Avezac, A. Zunger, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 4493.
23. S. Kim, J. A. Cianfrone, P. Sadik, K.-W. Kim, M. Ivill, D. P. Norton, J. Appl. Phys. 2010, 107, 103538.
24. S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Shimizu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono, Adv. Mater. 2003, 15, 1409.
25. T. Kamiya, S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Shimizu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 968.
26. H. von Wenckstern, M. Brandt, G. Zimmermann, J. Lenzner, M. Lorenz, M. Grundmann, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2007, 957.
27. L. J. van der Pauw, Philips Res. Repts. 1958, 13, 1.