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Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 11, 2002, Pages 9177-9181

Electrical conductivity control in transparent p-type (LaO)CuS thin films prepared by rf sputtering

(5) Hiramatsu, Hidenori a Orita, Masahiro a Hirano, Masahiro a Ueda, Kazushige b Hosono, Hideo b

a JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY (Japan)

b Tokyo Institute of Technology ^* (Japan)

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Indexed keywords

CARRIER GENERATION; DOPING LEVELS; ELECTRICAL CONDUCTIVITY; P-TYPE; POST ANNEALING; RF-SPUTTERING; ROOM TEMPERATURE; SHORT WAVELENGTHS; ULTRAVIOLET LIGHTS; UV-EMITTING; WIDE GAP;

COPPER COMPOUNDS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOEXCITATION; SEMICONDUCTOR DOPING; THIN FILMS;

FILM PREPARATION;

EID: 0036607416 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.1473667 Document Type: Article

Times cited : (73)

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