Room-temperature excitons in wide-gap layered-oxysulfide semiconductor: LaCuOs

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 16, 2001, Pages 2333-2335

  Ueda, K ^a   Inoue, S ^a   Hosono, H ^a   Sarukura, N ^b   Hirano, M ^b  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035896812     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1364656     Document Type: Article

References (23)

1. T. Makino, C. H. Chia, N. T. Tuan, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 76, 1905 (2000).
2. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 73, 1038 (1998).
3. Y. Kawakami, I. Hauksson, H. Stewart, J. Simpson, I. Galbaith, K. A. Prior, and C. Cavenett, Phys. Rev. B 48, 11994 (1993).
4. Y. Yamada, T. Sakashita, H. Watanahe, H. Kugimiya, S. Nakamura, and T. Taguchi, Phys. Rev. B 61, 8363 (2000).
5. G. Mandel, Phys. Rev. A 134, 1073 (1964).
6. G. F. Neumark, J. Appl. Phys. 65, 4859 (1989).
7. R. M. Park, M. B. Troffer, C. M. Rouleau, J. M. DePuydt, and M. A. Haase, Appl. Phys. Lett. 57, 2127 (1990).
8. K. Ueda, S. Inoue, S. Hirose, H. Kawazoe, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 2701 (2000).
9. H. Kawazoe, M. Yasukawa, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi, and H. Hosono, Nature (London) 389, 939 (1997).
10. H. Yanagi, A. Kudo, K. Ueda, H. Hosono, and H. Kawazoe, J. Electroceram. 4, 427 (2000).
11. H. Yanagi, S. Inoue, K. Ueda, H. Kawazoe, and H. Hosono, J. Appl. Phys. 88, 4159 (2000).
12. K. Ueda, T. Hase, H. Yanagi, H. Kawazoe, H. Hosono, H. Ohta, M. Orita, and M. Hirano, J. Appl. Phys. 89, 1790 (2001).
13. H. Yanagi, T. Hase, S. Ibuki, K. Ueda, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 78, 1583 (2001).
14. A. Kudo, H. Yanagi, H. Hosono, and H. Kuwazoe, Appl. Phys. Lett. 73, 220 (1998).
15. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, N. Sarukura, M. Hirano, and H. Hosono, Electron. Lett. 36, 1 (2000); Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
16. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, N. Sarukura, M. Hirano, and H. Hosono, Electron. Lett. 36, 1 (2000); Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
17. M. Palazzi, Acad. Sci.,. Paris, C. R. 292, 789 (1981).
18. S. Inoue, K. Ueda, and H. Hosono, (unpublished).
19. D. C. Reynolds and T. C. Collins, Excitons: Their Properties and Uses (Academic, New York, 1981).
20. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors (Springer, New York, 1996).
21. K. Watanabe, T. Karasawa, T. Komatsu, and Y. Kaifu, J. Phys. Soc. Jpn. 55, 897 (1986).
22. H. Iwamura, H. Kobayashi, and H. Okamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L795 (1984).
23. T. Miyazawa, S. Tarucha, Y. Ohmori, Y. Suzuki, and H. Okamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L200 (1986).