SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Journal of Materials Chemistry

Volumn 22, Issue 34, 2012, Pages 17568-17572

Low-voltage driving solution-processed nickel oxide based unipolar resistive switching memory with Ni nanoparticles

(5) Yoon, Doo Hyun a Kim, Si Joon a Jung, Joohye a Lim, Hyun Soo a Kim, Hyun Jae a

a Yonsei University (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY; EMBEDDED DEVICE; INSULATOR THICKNESS; LOW-VOLTAGE DRIVING; NI NANOPARTICLES; NIO THIN FILM; NONVOLATILE FLASH MEMORIES; OXYGEN MOBILITY; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING MEMORIES; SOLUTION-PROCESSED;

FLASH MEMORY; NICKEL OXIDE; NONVOLATILE STORAGE; RANDOM ACCESS STORAGE;

NANOPARTICLES;

EID: 84865011455 PISSN: 09599428 EISSN: 13645501 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c2jm33032f Document Type: Article

Times cited : (29)

References (34)

1
- 78649340782
- H. Akinaga H. Shima Proc. IEEE 2010 98 12 2237
- (2010) Proc. IEEE , vol.98 , Issue.12 , pp. 2237
- Akinaga, H.¹ Shima, H.²

2
- 35748974883
- R. Waser M. Aono Nat. Mater. 2007 6 833
- (2007) Nat. Mater. , vol.6 , pp. 833
- Waser, R.¹ Aono, M.²

3
- 79951731656
- C.-H. Cheng F.-S. Yeh A. Chin Adv. Mater. 2011 23 902
- (2011) Adv. Mater. , vol.23 , pp. 902
- Cheng, C.-H.¹ Yeh, F.-S.² Chin, A.³

4
- 76649133422
- D.-H. Kwon K. M. Kim J. H. Jang J. M. Jeon M. H. Lee G. H. Kim X.-S. Li G.-S. Park B. Lee S. Han M. Kim C. S. Hwang Nat. Nanotechnol. 2010 5 148
- (2010) Nat. Nanotechnol. , vol.5 , pp. 148
- Kwon, D.-H.¹ Kim, K.M.² Jang, J.H.³ Jeon, J.M.⁴ Lee, M.H.⁵ Kim, G.H.⁶ Li, X.-S.⁷ Park, G.-S.⁸ Lee, B.⁹ Han, S.¹⁰ Kim, M.¹¹ Hwang, C.S.¹²

5
- 80051693082
- B. Cho S. Song Y. Ji T.-W. Kim T. Lee Adv. Funct. Mater. 2011 21 2806
- (2011) Adv. Funct. Mater. , vol.21 , pp. 2806
- Cho, B.¹ Song, S.² Ji, Y.³ Kim, T.-W.⁴ Lee, T.⁵

6
- 78650257686
- D. Panda A. Dhar S. K. Ray J. Appl. Phys. 2010 108 104513
- (2010) J. Appl. Phys. , vol.108 , pp. 104513
- Panda, D.¹ Dhar, A.² Ray, S.K.³

7
- 66449128301
- M.-J. Lee S. L. Kim C. B. Lee H. Yin S.-E. Ahn B. S. Kang K. H. Kim J. C. Park C. J. Kim I. Song S. W. Kim G. Stefanovich J. H. Lee S. J. Chung Y. H. Kim Y. Park Adv. Funct. Mater. 2009 19 1587
- (2009) Adv. Funct. Mater. , vol.19 , pp. 1587
- Lee, M.-J.¹ Kim, S.L.² Lee, C.B.³ Yin, H.⁴ Ahn, S.-E.⁵ Kang, B.S.⁶ Kim, K.H.⁷ Park, J.C.⁸ Kim, C.J.⁹ Song, I.¹⁰ Kim, S.W.¹¹ Stefanovich, G.¹² Lee, J.H.¹³ Chung, S.J.¹⁴ Kim, Y.H.¹⁵ Park, Y.¹⁶

8
- 33745013331
- D. C. Kim M. J. Lee S. E. Ahn S. Seo J. C. Park I. K. Yoo I. G. Baek H. J. Kim E. K. Yim J. E. Lee S. O. Park H. S. Kim U.-I. Chung J. T. Moon B. I. Ryu Appl. Phys. Lett. 2006 88 232106
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 232106
- Kim, D.C.¹ Lee, M.J.² Ahn, S.E.³ Seo, S.⁴ Park, J.C.⁵ Yoo, I.K.⁶ Baek, I.G.⁷ Kim, H.J.⁸ Yim, E.K.⁹ Lee, J.E.¹⁰ Park, S.O.¹¹ Kim, H.S.¹² Chung, U.-I.¹³ Moon, J.T.¹⁴ Ryu, B.I.¹⁵

9
- 84859939803
- D. Panda C.-Y. Huang T.-Y. Tseng Appl. Phys. Lett. 2012 100 112901
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 112901
- Panda, D.¹ Huang, C.-Y.² Tseng, T.-Y.³

10
- 54249086674
- L. F. Liu J. F. Kang N. Xu X. Sun C. Chen B. Sun Y. Wang X. Y. Liu X. Zhang R. Q. Han Jpn. J. Appl. Phys. 2008 47 2701
- (2008) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.47 , pp. 2701
- Liu, L.F.¹ Kang, J.F.² Xu, N.³ Sun, X.⁴ Chen, C.⁵ Sun, B.⁶ Wang, Y.⁷ Liu, X.Y.⁸ Zhang, X.⁹ Han, R.Q.¹⁰

11
- 84865042485
- Q. Liu S. Long H. Lv W. Wang J. Niu Z. Huo J. Chen M. Liu ACS Nano 2010 4 6161 6168
- (2010) ACS Nano , vol.4 , pp. 6161-6168
- Liu, Q.¹ Long, S.² Lv, H.³ Wang, W.⁴ Niu, J.⁵ Huo, Z.⁶ Chen, J.⁷ Liu, M.⁸

12
- 78049295581
- Q. Liu S. Long W. Wang S. Tanachutiwat Y. Li Q. Wang M. Zhang Z. Huo J. Chen M. Liu IEEE Electron Device Lett. 2010 31 1299 1301
- (2010) IEEE Electron Device Lett. , vol.31 , pp. 1299-1301
- Liu, Q.¹ Long, S.² Wang, W.³ Tanachutiwat, S.⁴ Li, Y.⁵ Wang, Q.⁶ Zhang, M.⁷ Huo, Z.⁸ Chen, J.⁹ Liu, M.¹⁰

13
- 68249108599
- W.-Y. Chang K.-Y. Cheng J.-M. Tsai H.-J. Chen F. Chen M.-J. Tsai T.-B. Wu Appl. Phys. Lett. 2009 95 042104
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , pp. 042104
- Chang, W.-Y.¹ Cheng, K.-Y.² Tsai, J.-M.³ Chen, H.-J.⁴ Chen, F.⁵ Tsai, M.-J.⁶ Wu, T.-B.⁷

14
- 78650366326
- J. H. Yoon K. M. Kim M. H. Lee S. K. Kim G. H. Kim S. J. Song J. Y. Seok C. S. Hwang Appl. Phys. Lett. 2010 97 232904
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.97 , pp. 232904
- Yoon, J.H.¹ Kim, K.M.² Lee, M.H.³ Kim, S.K.⁴ Kim, G.H.⁵ Song, S.J.⁶ Seok, J.Y.⁷ Hwang, C.S.⁸

15
- 34547842595
- W. Guan S. Long R. Jia M. Liu Appl. Phys. Lett. 2007 91 062111
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.91 , pp. 062111
- Guan, W.¹ Long, S.² Jia, R.³ Liu, M.⁴

16
- 79953712661
- M. Uenuma K. Kawano B. Zheng N. Okamoto M. Horita S. Yoshii I. Yamashita Y. Uraoka Nanotechnology 2011 22 215201
- (2011) Nanotechnology , vol.22 , pp. 215201
- Uenuma, M.¹ Kawano, K.² Zheng, B.³ Okamoto, N.⁴ Horita, M.⁵ Yoshii, S.⁶ Yamashita, I.⁷ Uraoka, Y.⁸

17
- 33645889383
- J. F. Gibbons W. E. Beadle Solid-State Electron. 1964 7 785
- (1964) Solid-State Electron. , vol.7 , pp. 785
- Gibbons, J.F.¹ Beadle, W.E.²

18
- 84861094897
- J. Jung S. H. Oh D. H. Yoon H. J. Kim J. Nanosci. Nanotechnol. 2012 12 2 1165
- (2012) J. Nanosci. Nanotechnol. , vol.12 , Issue.2 , pp. 1165
- Jung, J.¹ Oh, S.H.² Yoon, D.H.³ Kim, H.J.⁴

19
- 56749166069
- G. H. Kim H. S. Shin B. D. Ahn K. H. Kim W. J. Park H. J. Kim J. Electrochem. Soc. 2009 156 H7
- (2009) J. Electrochem. Soc. , vol.156 , pp. 7
- Kim, G.H.¹ Shin, H.S.² Ahn, B.D.³ Kim, K.H.⁴ Park, W.J.⁵ Kim, H.J.⁶

20
- 77954799519
- M. Feygenson A. Kou L. E. Kreno J. M. Patete F. Zhang M. S. Kim V. Solovyov S. S. Wong M. C. Aronson Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2010 81 014420
- (2010) Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. , vol.81 , pp. 014420
- Feygenson, M.¹ Kou, A.² Kreno, L.E.³ Patete, J.M.⁴ Zhang, F.⁵ Kim, M.S.⁶ Solovyov, V.⁷ Wong, S.S.⁸ Aronson, M.C.⁹

21
- 33947545395
- B. Sasi K. G. Gopchandran Nanotechnology 2007 18 115613
- (2007) Nanotechnology , vol.18 , pp. 115613
- Sasi, B.¹ Gopchandran, K.G.²

22
- 0031551690
- H. Tang F. Li J. Shinar Appl. Phys. Lett. 1997 71 2560
- (1997) Appl. Phys. Lett. , vol.71 , pp. 2560
- Tang, H.¹ Li, F.² Shinar, J.³

23
- 77955583640
- H. D. Lee B. Magyari-Köpe Y. Nishi Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2010 81 193202
- (2010) Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. , vol.81 , pp. 193202
- Lee, H.D.¹ Magyari-Köpe, B.² Nishi, Y.³

24
- 49149126998
- C. Park S. H. Jeon S. C. Chae S. Han B. H. Park Appl. Phys. Lett. 2008 93 042102
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.93 , pp. 042102
- Park, C.¹ Jeon, S.H.² Chae, S.C.³ Han, S.⁴ Park, B.H.⁵

25
- 34548263330
- C. B. Lee B. S. Kang M. J. Lee S. E. Ahn G. Stefanovich W. X. Xianyu K. H. Kim J. H. Hur H. X. Yin Y. Park I. K. Yoo Appl. Phys. Lett. 2007 91 082104
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.91 , pp. 082104
- Lee, C.B.¹ Kang, B.S.² Lee, M.J.³ Ahn, S.E.⁴ Stefanovich, G.⁵ Xianyu, W.X.⁶ Kim, K.H.⁷ Hur, J.H.⁸ Yin, H.X.⁹ Park, Y.¹⁰ Yoo, I.K.¹¹

26
- 0004005306
- Wiley, New York, p. 227
- S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1981, p. 227
- (1981) Physics of Semiconductor Devices
- Sze, S.M.¹

27
- 57349101496
- J. W. Seo J.-W. Park K. S. Kim J.-H. Yang S. J. Kang Appl. Phys. Lett. 2008 93 223505
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.93 , pp. 223505
- Seo, J.W.¹ Park, J.-W.² Kim, K.S.³ Yang, J.-H.⁴ Kang, S.J.⁵

28
- 38349103053
- W.-Y. Chang T.-C. Kai T.-B. Wu S.-F. Wang F. Chen Appl. Phys. Lett. 2008 92 022110
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.92 , pp. 022110
- Chang, W.-Y.¹ Kai, T.-C.² Wu, T.-B.³ Wang, S.-F.⁴ Chen, F.⁵

29
- 78650530010
- K. M. Chang W. H. Tzeng K. C. Liu W. R. Lia ECS Trans. 2010 28 119
- (2010) ECS Trans. , vol.28 , pp. 119
- Chang, K.M.¹ Tzeng, W.H.² Liu, K.C.³ Lia, W.R.⁴

30
- 33745386456
- D. S. Shang Q. Wang L. D. Chen R. Dong X. M. Li W. Q. Zhang Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2006 73 245427
- (2006) Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. , vol.73 , pp. 245427
- Shang, D.S.¹ Wang, Q.² Chen, L.D.³ Dong, R.⁴ Li, X.M.⁵ Zhang, W.Q.⁶

31
- 68249108599
- W. Y. Chang K. J. Cheng J. M. Tsai H. J. Chen F. Chen M. J. Tsai T. B. Wu Appl. Phys. Lett. 2009 95 4 042104
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , Issue.4 , pp. 042104
- Chang, W.Y.¹ Cheng, K.J.² Tsai, J.M.³ Chen, H.J.⁴ Chen, F.⁵ Tsai, M.J.⁶ Wu, T.B.⁷

32
- 0000407601
- K. M. Ostyn C. B. Carter Surf. Sci. 1982 121 360
- (1982) Surf. Sci. , vol.121 , pp. 360
- Ostyn, K.M.¹ Carter, C.B.²

33
- 84855697867
- D. Panda A. Dhar S. K. Ray IEEE Trans. Nanotechnol. 2012 11 1 51
- (2012) IEEE Trans. Nanotechnol. , vol.11 , Issue.1 , pp. 51
- Panda, D.¹ Dhar, A.² Ray, S.K.³

34
- 36549080841
- G.-S. Park X.-S. Lee D.-C. Kim R.-J. Jung M.-J. Lee S. Seo Appl. Phys. Lett. 2007 91 222103
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.91 , pp. 222103
- Park, G.-S.¹ Lee, X.-S.² Kim, D.-C.³ Jung, R.-J.⁴ Lee, M.-J.⁵ Seo, S.⁶

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.