Low-power high-performance non-volatile memory on a flexible substrate with excellent endurance

Advanced Materials

Volumn 23, Issue 7, 2011, Pages 902-905

  Cheng, Chun Hu ^b   Yeh, Fon Shan ^b   Chin, Albert ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

flexible electronics; GeO2; HfON; resistive random access memory (RRAM)

Indexed keywords

COVALENTLY BONDED; FLEXIBLE SUBSTRATE; GEO2; HFON; LOW COSTS; LOW POWER; NON-VOLATILE; NON-VOLATILE MEMORIES; OXYNITRIDES; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY;

DURABILITY; FLASH MEMORY; FLEXIBLE ELECTRONICS; NITRIDES;

RANDOM ACCESS STORAGE;

IMIDE; METAL; POLYMER;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTRIC CAPACITANCE; ELECTRICAL EQUIPMENT; IMPEDANCE; TIME; VOLATILIZATION;

ELECTRIC CAPACITANCE; ELECTRIC IMPEDANCE; ELECTRICAL EQUIPMENT AND SUPPLIES; IMIDES; METALS; POLYMERS; TIME FACTORS; VOLATILIZATION;

EID: 79951731656     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201002946     Document Type: Article

References (29)

1. K. J. Baeg, Y. Y. Noh, J. Ghim, S. J. Kang, H. Lee, D. Y. Kim, Adv. Mater. 2006, 18, 3179.
2. M. F. Chang, P. T. Lee, S. P. McAlister, A. Chin, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 233302.
3. M.-J. Lee, C. B. Lee, S. Kim, H. Yin, J. Park, S. E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, G. Stefanovich, I. Song, S. W. Kim, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, C. S. Lee, J. B. Park, I. G. Baek, C. J. Kim, Y. Park, IEDM Tech. Dig. 2008, 85.
4. S. Kim, H. Moon, D. Gupta, S. Yoo, Y. K. Choi, IEEE Trans. Electron Device 2009, 56, 696.
5. J. W. Seo, J. W. Park, K. S. Lin, S. J. Kang, Y. H. Hong, J. H. Yang, L. Fang, G. Y. Sung, H. K. Kim, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 133508.
6. G. H. Buh, I. Hwang, B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 142101.
7. X. Wu, P. Zhou, J. Li, L. Y. Chen, H. B. Lv, Y. Y. Lin, T. A. Tang, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 183507.
8. B. Sun, Y. X. Liu, L. F. Liu, N. Xu, Y. Wang, X. Y. Liu, R. Q. Han, J. F. Kang, Appl. Phys. Lett. 2009, 105, 061630.
9. W. Guan, S. Long, R. Jia, M. Liu, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 062111.
10. N. Xu, L. Liu, X. Sun, X. Liu, D. Han, Y. Wang, R. Han, J. Kang, B. Yu, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 232112.
11. C. Yoshida, K. Tsunoda, H. Noshiro, Y. Sugiyama, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 223510.
12. R. Dong, D. S. Lee, W. F. Xiang, S. J. Oh, D. J. Seong, S. H. Heo, H. J. Choi, M. J. Kwon, S. N. Seo, M. B. Pyun, M. Hasan, H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 042107.
13. P. Zhou, M. Yin, H. J. Wan, H. B. Lu, T. A. Tang, Y. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 053510.
14. D. Lee, D. J. Seong, I. Jo, F. Xiang, R. Dong, S. Oh, H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 122104.
15. D. Choi, D. Lee, H. Sim, M. Chang, H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 082904.
16. M. C. Ni, S. M. Guo, H. F. Tian, Y. G. Zhao, J. Q. Li, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 183502.
17. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
18. C. Cagli, F. Nardi, D. Ielmini, IEEE Trans. Electron Devices 2009, 56, 1712.
19. H. Y. Lee, P. S. Chen, T. Y. Wu, Y. S. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, F. Chen, C. H. Lien, M.-J. Tsai, IEDM Tech. Dig. 2008, 297.
20. M. Janousch, G. I. Meijer, U. Staub, B. Delley, S. F. Karg, B. P. Andreasson, Adv. Mater. 2007, 19, 2232.
21. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Mater. 2009, 21, 2632.
22. C. H. Cheng, A. Chin, F. S. Yeh, VLSI Symp. Tech. Dig. 2010, 85.
23. S. H. Lin, A. Chin, F. S. Yeh, S. P. McAlister, IEDM Tech. Dig. 2008, 843.
24. K. C. Chiang, C. H. Cheng, H. C. Pan, C. N. Hsiao, C. P. Chou, A. Chin, H. L. Hwang, IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 235.
25. A. Rose, Phys. Rev. 1955, 97, 1538.
26. A. Chin, K. Lee, B. C. Lin, S. Horng, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 653.
27. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2009, (accessed August 2010).
28. S. B. Chen, J. H. Lai, A. Chin, J. C. Hsieh, J. Liu, IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 185.
29. W. Shen, R. Dittmann, U. Breuer, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 222102.