Quantum confinement in Si and Ge nanostructures: Theory and experiment

Applied Physics Reviews

Volumn 1, Issue 1, 2014, Pages

  Barbagiovanni, Eric G ^a,d   Lockwood, David J ^b   Simpson, Peter J ^c   Goncharova, Lyudmila V ^c  

^a Beijing Computational Science Research Centre   (China)

^b NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

^c UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

^d INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO   (Portugal)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FABRICATION; INTERFACE STATES; INTERFACES (MATERIALS); OPTICAL PROPERTIES; QUANTUM CONFINEMENT; SEMICONDUCTING GERMANIUM;

EFFECTIVE MASS APPROXIMATION; EXPERIMENTAL PARAMETERS; FABRICATION METHOD; OXYGEN VACANCY DEFECTS; PSEUDOPOTENTIAL METHOD; STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES; THEORETICAL MODELING; TIGHT BINDING METHODS;

SILICON;

EID: 84905280261     PISSN: None     EISSN: 19319401     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4835095     Document Type: Review

References (425)

1. V. Mitin, D. Sementsov, and N. Vagidov, Quantum Mechanics for Nanostructures (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 2010).
2. R. Feynman, J. Microelectromech. Syst. 1, 60 (1992).
3. W. D. Heiss, Quantum Dots: A Doorway to Nanoscale Physics (Springer, Berlin, 2005).
4. M. Leijnse and K. Flensberg, Phys. Rev. B 84, 140501(R) (2011).
5. E. G. Barbagiovanni, L. V. Goncharova, and P. J. Simpson, Phys. Rev. B 83, 035112 (2011).
6. L. Jacak, P. Hawrylak, and A. Wojs, Quantum Dots (Springer, Berlin, 1998).
7. C. Delerue and M. Lannoo, Nanostructures: Theory and Modelling (Springer, Berlin, 2004).
8. P. Harrison, Quantum Wells, Wires, and Dots, 3rd ed. (John Wiley and Sons Ltd., West Sussex, (2009).
9. J. H. Davies, The Physics of Low-Dimensional Semiconductors: An Introduction (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1998).
10. F. Flory, L. Escoubas, and G. Berginc, J. Nanophotonics 5, 052502 (2011).
11. R. Rurali, Rev. Mod. Phys. 82, 427 (2010).
12. A. D. Yoffe, Adv. Phys. 51, 799 (2002).
13. J. Fan and P. K. Chu, Small 6, 2080 (2010).
14. V. A. Belyakov, V. A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Technol. 2008, 279502.
15. C. Cimpean, V. Groenewegen, V. Kuntermann, A. Sommer, and C. Kryschi, Laser Photonics Rev. 3, 138 (2009).
16. J. Heitmann, F. Müller, M. Zacharias, and U. Gösele, Adv. Mater. 17, 795 (2005).
17. D. J. Lockwood, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 20, 235 (2009).
18. O. B. Gusev, A. N. Poddubny, A. A. Prokofiev, and I. N. Yassievich, Semiconductors 47, 183 (2013).
19. Z. Zhang, R. Zou, L. Yu, and J. Hu, CRC Crit. Rev. Solid State Sci. 36, 148 (2011).
20. E. G. Barbagiovanni, D. J. Lockwood, P. J. Simpson, and L. V. Goncharova, J. Appl. Phys. 111, 034307 (2012).
21. B. R. Nag, Physics of Quantum Well Devices (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, 2000).
22. J. D. B. Bradley, P. E. Jessop, and A. P. Knights, Appl. Phys. Lett. 86, 241103.1 (2005).
23. S. S. Iyer and Y. H. Xie, Science 260, 40 (1993).
24. L. Tsybeskov and D. J. Lockwood, Proc. IEEE 97, 1284 (2009).
25. M. S. Hybertsen, Phys. Rev. Lett. 72, 1514 (1994).
26. D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin, G. Polisski, M. Schwartzkopff, and F. Koch, Phys. Rev. Lett. 81, 2803 (1998).
27. P. Alfaro, A. Miranda, A. E. Ramos, and M. Cruz-Irisson, Braz. J. Phys. 36, 375 (2006).
28. T. Takagahara and K. Takeda, Phys. Rev. B 46, 15578 (1992).
29. D. H. Feng, Z. Z. Xu, T. Q. Jia, X. X. Li, and S. Q. Gong, Phys. Rev. B 68, 035334 (2003).
30. C. Garcia, B. Garrido, P. Pellegrino, R. Ferre, J. A. Moreno, J. R. Morante, L. Pavesi, and M. Cazzanelli, Appl. Phys. Lett. 82, 1595 (2003).
31. W. D. A. M. de Boer, D. Timmerman, K. Dohnalova, I. N. Yassievich, H. Zhang, W. J. Buma, and T. Gregorkiewicz, Nat. Nanotechnol. 5, 878 (2010).
32. B. Delley and E. F. Steigmeier, Phys. Rev. B 47, 1397 (1993).
33. A. Miranda, J. L. Cuevas, A. E. Ramos, and M. Cruz-Irisson, Microelectron. J. 40, 796 (2009).
34. G. F. Grom, D. J. Lockwood, J. P. McCaffrey, H. J. Labbe, P. M. Fauchet, B. White, J. Diener, D. Kovalev, F. Koch, and L. Tsybeskov, Nature 407, 358 (2000).
35. C. R. Pidgeon, P. J. Phillips, D. Carder, B. N. Murdin, T. Fromherz, D. J. Paul, W. X. Ni, and M. Zhao, Semicond. Sci. Technol. 20, L50 (2005).
36. H. Haug and S. W. Koch, Quantum Theory of the Optical and Electronic Properties of Semiconductors (World Scientific Publishing Co., Singapore, 2004).
37. D. F. Walls and G. J. Milburn, Quantum Optics (Springer, Berlin, 2008).
38. S. Mirabella, R. Agosta, G. Franzo, I. Crupi, M. Miritello, R. L. Savio, M. A. D. Stefano, S. D. Marco, F. Simone, and A. Terrasi, J. Appl. Phys. 106, 103505 (2009).
39. S. Glutsch, Excitons in Low-Dimensional Semiconductors: Theory, Numerical Methods, Applications (Springer, Berlin, 2004).
40. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors: Physical and Material Properties, 3 rd ed. (Springer, Berlin, 2001).
41. M. L. Brongersma, P. G. Kik, A. Polman, K. S. Min, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 76, 351 (2000).
42. S. Lüttjohann, C. Meier, M. Offer, A. Lorke, and H. Wiggers, Europhys. Lett. 79, 37002 (2007).
43. L. Pavesi, L. D. Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, and F. Priolo, Nature 408, 440 (2000).
44. V. I. Klimov, Science 290, 314 (2000).
45. Y. Suwa and S. Saito, Phys. Rev. B 79, 233308 (2009).
46. S. Saito, Y. Suwa, H. Arimoto, N. Sakuma, D. Hisamoto, H. Uchiyama, J. Yamamoto, T. Sakamizu, T. Mine, S. Kimura, T. Sugawara, and M. Aoki, Appl. Phys. Lett. 95, 241101 (2009).
47. M. J. Süess, R. Geiger, R. A. Minamisawa, G. Schiefler, J. Frigerio, D. Chrastina, G. Isella, R. Spolenak, J. Faist, and H. Sigg, Nat. Photonics 7, 466 (2013).
48. J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L. C. Kimerling, and J. Michel, Opt. Lett. 35, 679 (2010).
49. R. S. Knox, Theory of Excitons (Academic, New York, 1963).
50. G. D. Scholes and G. Rumbles, Nature Mater. 5, 683 (2006).
51. R. D. Schaller, V. M. Agranovich, and V. I. Klimov, Nat. Phys. 1, 189 (2005).
52. M. C. Beard, K. P. Knutsen, P. Yu, J. M. Luther, Q. Song, W. K. Metzger, R. J. Ellingson, and A. J. Nozik, Nano Lett. 7, 2506 (2007).
53. A. J. Nozik, Nat. Photonics 6, 272 (2012).
54. N. A. Hill and K. B. Whaley, Phys. Rev. Lett. 75, 1130 (1995).
55. C. Klingshirn, Semiconductor Optics (Springer, Berlin, 2005).
56. T. Suemoto, K. Tanaka, A. Nakajima, and T. Itakura, Phys. Rev. Lett. 70, 3659 (1993).
57. P. D. J. Calcott, K. J. Nash, L. T. Canham, M. J. Kane, and D. Brumhead, J. Phys.: Condens. Matter 5, L91 (1993).
58. D. Babic and R. Tsu, Superlattices Microstruct. 22, 581 (1997).
59. L. W. Wang and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 73, 1039 (1994).
60. M. V. R. Krishna and R. A. Friesner, J. Chem. Phys. 96, 873 (1992).
61. H. Haken, Nuovo Cimento 3, 1230 (1956).
62. O. Verzelen, R. Ferreira, and G. Bastard, Phys. Rev. B 64, 075315 (2001).
63. J. Martin, F. Cichos, F. Huisken, and C. von Borczyskowski, Nano Lett. 8, 656 (2008).
64. J. Singh, D. Birkedal, V. G. Lyssenko, and J. M. Hvam, Phys. Rev. B 53, 15909 (1996).
65. G. Bacher, R. Weigand, J. Seufert, V. D. Kulakovskii, N. A. Gippius, A. Forchel, K. Leonardi, and D. Hommel, Phys. Rev. Lett. 83, 4417 (1999).
66. E. K. Lee, D. J. Lockwood, J. M. Baribeau, A. M. Bratkovsky, T. I. Kamins, and L. Tsybeskov, Phys. Rev. B 79, 233307 (2009).
67. M. Combescot and O. Betbeder-Matibet, Phys. Rev. B 80, 205313 (2009).
68. A. Wojs and P. Hawrylak, Phys. Rev. B 55, 13066 (1997).
69. T. M. Lu, N. C. Bishop, T. Pluym, J. Means, P. G. Kotula, J. Cederberg, L. A. Tracy, J. Dominguez, M. P. Lilly, and M. S. Carroll, Appl. Phys. Lett. 99, 043101 (2011).
70. S. D. Sarma, R. Sousa, X. Hu, and B. Koiller, Solid State Commun. 133, 737 (2005).
71. Q. Li, L. Cywinski, D. Culcer, X. Hu, and S. Das Sarma, Phys. Rev. B 81, 085313 (2010).
72. E. Poem, O. Kenneth, Y. Kodriano, Y. Benny, S. Khatsevich, J. Avron, and D. Gershoni, Phys. Rev. Lett. 107, 087401 (2011).
73. L. Liu, Phys. Rev. 126, 1317 (1962).
74. R. Winkler, Spin Orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and Hole Systems (Springer, Berlin, 2003).
75. D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, J. Diener, and F. Koch, Opt. Mater. 17, 35 (2001).
76. G. W. Hanson, Fundamentals of Nanoelectronics (Prentice Hall, New Jersey, 2008).
77. W. H. Lim, C. H. Yang, F. A. Zwanenburg, and A. S. Dzurak, Nanotechnology 22, 335704 (2011).
78. F. A. Zwanenburg, C. E. W. M. van Rijmenam, Y. Fang, C. M. Lieber, and L. P. Kouwenhoven, Nano Lett. 9, 1071 (2009).
79. A. L. Smirl, E. J. Loren, J. Rioux, J. E. Sipe, and H. M. van Driel, in Quantum Electronics and Laser Science Conference (Optical Society of America, 2010), p. 3.
80. C. Simmons, J. Prance, B. V. Bael, T. Koh, Z. Shi, D. Savage, M. Lagally, R. Joynt, M. Friesen, S. Coppersmith, and M. Eriksson, Phys. Rev. Lett. 106, 156804 (2011).
81. B. V. Kamenev, G. F. Grom, D. J. Lockwood, J. P. McCafrey, B. Laikhtman, and L. Tsybeskov, Phys. Rev. B 69, 235306 (2004).
82. L. Tsybeskov, G. F. Grom, P. M. Fauchet, J. P. McCaffrey, J.-M. Baribeau, G. I. Sproule, and D. J. Lockwood, Appl. Phys. Lett. 75, 2265 (1999).
83. D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, and S. T. Lee, Science 299, 1874 (2003).
84. H. E. Schaefer, Nanoscience: The Science of the Small in Physics, Engineering, Chemistry, Biology and Medicine (Springer, Berlin, 2010).
85. Nanostructure Science and Technology, edited by A. Korkin, P. S. Krstić, and J. C. Wells (Springer, New York, 2010).
86. R. J. Martn-Palma and A. Lakhtakia, Nanotechnology: A Crash Course (Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, Bellingham, 2010).
87. Single Semiconductor Quantum Dots, edited by P. Michler (Springer, Berlin, 2009).
88. K. J. Vahala, Nature 424, 839 (2003).
89. A. Amo, D. Sanvitto, F. P. Laussy, D. Ballarini, E. del Valle, M. D. Martin, A. Lemaitre, J. Bloch, D. N. Krizhanovskii, M. S. Skolnick, C. Tejedor, and L. Viña, Nature 457, 291 (2009).
90. D. P. DiVincenzo, D. Bacon, J. Kempe, G. Burkard, and K. B. Whaley, Nature 408, 339 (2000).
91. S. Nadj-Perge, S. M. Frolov, E. P. A. M. Bakkers, and L. P. Kouwenhoven, Nature 468, 1084 (2010).
92. F. Patolsky and C. M. Lieber, Mater. Today 8, 20 (2005).
93. J. L. West and N. J. Halas, Curr. Opin. Biotechnol. 11, 215 (2000).
94. S. K. Ray, S. Maikap, W. Banerjee, and S. Das, J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 153001 (2013).
95. V. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. Khachatryan, and K. Touryan, J. Appl. Phys. 89, 2268 (2001).
96. A. J. Nozik, Physica E 14, 115 (2002).
97. K. Tanabe, Energies 2, 504 (2009).
98. H. J. Joyce, Q. Gao, H. H. Tan, C. Jagadish, Y. Kim, J. Zou, L. M. Smith, H. E. Jackson, J. M. Yarrison-Rice, P. Parkinson, and M. B. Johnston, Prog. Quantum Electron. 35, 23 (2011).
99. W. E. Hagston, T. Stirner, and F. Rasul, J. Appl. Phys. 89, 1087 (2001).
100. Handbook of Luminescent Semiconductor Materials, edited by L. Bergman and J. L. McHale (CRC Press, Boca Raton, 2011).
101. L. Mangolini, J. Vac. Sci. Technol. B 31, 020801 (2013).
102. Z. Xie, E. J. Henderson, O. Dag, W. Wang, J. E. Lofgreen, C. Kübel, T. Scherer, P. M. Brodersen, Z. Z. Gu, and G. A. Ozin, J. Am. Chem. Soc. 133, 5094 (2011).
103. J. Wilcoxon, G. Samara, and P. Provencio, Phys. Rev. B 60, 2704 (1999).
104. D. P. Puzzo, E. J. Henderson, M. G. Helander, Z. Wang, G. A. Ozin, and Z. Lu, Nano Lett. 11, 1585 (2011).
105. M. W. Dashiell, U. Denker, C. Müller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kern, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 80, 1279 (2002).
106. G. E. Cirlin, P. Werner, G. Gösele, B. V. Volovik, V. M. Ustinov, and N. N. Ledentsov, Tech. Phys. Lett. 27, 14 (2001).
107. D. Grützmacher, T. Fromherz, C. Dais, J. Stangl, E. Müller, Y. Ekinci, H. H. Solak, H. Sigg, R. T. Lechner, E. Wintersberger, S. Birner, V. Holy, and G. Bauer, Nano Lett. 7, 3150 (2007).
108. Z. Yang, Y. Shi, J. Liu, B. Yan, R. Zhang, Y. Zheng, and K. Wang, Mater. Lett. 58, 3765 (2004).
109. J. M. Baribeau, X. Wu, N. L. Rowell, and D. J. Lockwood, J. Phys.: Condens. Matter 18, R139 (2006).
110. J. M. Baribeau, N. L. Rowell, and D. J. Lockwood, "Self-assembled Si1-xGex dots and islands," in Self-Organized Nanoscale Materials, edited by M. Adachi and D. J. Lockwood (Springer, New York, 2006) pp. 1-70.
111. J. N. Aqua, I. Berbezier, L. Favre, T. Frisch, and A. Ronda, Phys. Rep. 522, 59 (2013).
112. M. P. Halsall, H. Omi, and T. Ogino, Appl. Phys. Lett. 81, 2448 (2002).
113. J. H. Davies, The Physics of Low-dimensional Semiconductors: An Introduction (Cambridge University Press, Cambridge, 1998).
114. K. Brunner, Rep. Prog. Phys. 65, 27 (2002).
115. D. Depla, S. Mahieu, and J. E. Greene, "Sputter deposition processes," in Handbook of Deposition Technologies for Films and Coatings: Science, Applications and Technology, 3 rd ed., edited by P. M. Martin (Elsevier Inc., Oxford, 2010), pp. 253-296.
116. M. D. Strikovski, J. Kim, and S. H. Kolagani, "Plasma energetics in pulsed laser and pulsed electron deposition," in Springer Handbook of Crystal Growth, edited by G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, and M. Dudley (Springer, Berlin, 2010), pp. 1193-1211.
117. D. Mattox, Handbook of Physical Vapour Deposition (PVD) Processing: Film Formation, Adhesion, Surface Preparation and Contamination Control (Noyes Publications, New Jersey, 1998).
118. S. Godefroo, M. Hayne, M. Jivanescu, A. Stesmans, M. Zacharias, O. I. Lebedev, G. V. Tendeloo, and V. V. Moshchalkov, Nat. Nanotechnol. 3, 174 (2008).
119. M. Molinari, H. Rinnert, M. Vergnat, and P. Weisbecker, Mater. Sci. Eng., B 101, 186 (2003).
120. H. Rinnert, M. Vergnat, and A. Burneau, J. Appl. Phys. 89, 237 (2001).
121. G. Seguini, S. Schamm-Chardon, P. Pellegrino, and M. Perego, Appl. Phys. Lett. 99, 082107 (2011).
122. L. Titova, T. Cocker, D. Cooke, X. Wang, A. Meldrum, and F. Hegmann, Phys. Rev. B 83, 085403 (2011).
123. T. van Buuren, L. N. Dinh, L. L. Chase, W. J. Siekhaus, and L. J. Terminello, Phys. Rev. Lett. 80, 3803 (1998).
124. C. Bostedt, T. van Buuren, T. M. Willey, N. Franco, L. J. Terminello, C. Heske, and T. Möller, Appl. Phys. Lett. 84, 4056 (2004).
125. J. Derr, K. Dunn, D. Riabinina, F. Martin, M. Chaker, and F. Rosei, Physica E 41, 668 (2009).
126. T. Orii, M. Hirasawa, T. Seto, N. Aya, and S. Onari, Eur. Phys. J. D 24, 119 (2003).
127. D. Riabinina, C. Durand, J. Margot, M. Chaker, G. A. Botton, and F. Rosei, Phys. Rev. B 74, 075334 (2006).
128. S. I. Shah, G. H. Jaffari, E. Yassitepe, and B. Ali, "Evaporation: Processes, bulk microstructures, and mechanical properties," in Handbook of Deposition Technologies for Films and Coatings: Science, Applications and Technology, 3rd ed., edited by P. M. Martin (Elsevier Inc., Oxford, 2010), pp. 135-252.
129. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon Press, New York, 1985), see http://www.srim.org/.
130. L. V. Dao, X. Wen, M. T. T. Do, P. Hannaford, E. C. Cho, Y. H. Cho, and Y. Huang, J. Appl. Phys. 97, 013501 (2005).
131. Y. Maeda, Phys. Rev. B 51, 1658 (1995).
132. S. Hayashi, Y. Kanzawa, M. Kataoka, T. Nagareda, and K. Yamamoto, Z. Phys. D 26, 144 (1993).
133. W. Zhang, S. Zhang, and Y. L. T. Chen, J. Cryst. Growth 311, 1296 (2009).
134. A. Saar, Y. Reichman, M. Dovrat, D. Krapf, J. Jedrzejewski, and I. Balberg, Nano Lett. 5, 2443 (2005).
135. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Phys. Rev. B 58, 7921 (1998).
136. B. Zhang, S. Shrestha, M. A. Green, and G. Conibeer, Appl. Phys. Lett. 96, 261901 (2010).
137. B. Zhang, S. Shrestha, P. Aliberti, M. A. Green, and G. Conibeer, Thin Solid Films 518, 5483 (2010).
138. M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 57, 2692 (1990).
139. M. Dovrat, Y. Goshen, J. Jedrzejewski, I. Balberg, and A. Saar, Phys. Rev. B 69, 155311 (2004).
140. M. Alonso, I. Marcus, M. Garriga, A. G. ni, J. Jedrzejewski, and I. Balberg, Phys. Rev. B 82, 045302 (2010).
141. X. Wen, L. V. Dao, P. Hannaford, E. C. Cho, Y. H. Cho, and M. A. Green, New J. Phys. 9, 337 (2007).
142. J. S. de Sousa, E. W. S. Caetanoa, J. R. Goncalves, G. A. Farias, V. N. Freire, and E. F. da Silva, Jr., Appl. Surf. Sci. 190, 166 (2002).
143. S. Kim, M. C. Kim, S. Cho, K. J. Kim, H. N. Hwang, and C. C. Hwang, Appl. Phys. Lett. 91, 103113 (2007).
144. S. Furukawa and T. Miyasato, Phys. Rev. B 38, 5726 (1988).
145. X. Wen, L. V. Dao, and P. Hannaford, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 3573 (2007).
146. S. Kim, Y. M. Park, S. H. Choi, K. J. Kim, and D. H. Choi, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 1339 (2007)
147. B. Julsgaard, Y. M. Lu, P. Balling, and A. N. Larsen, Appl. Phys. Lett. 95, 183107 (2009).
148. P. Clauws, Mater. Sci. Eng., B 36, 213 (1996).
149. Y. Maeda, N. Tsukamoto, and Y. Yazawa, Appl. Phys. Lett. 59, 3168 (1991).
150. Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, and Y. Maeda, Appl. Phys. Lett. 61, 2187 (1992).
151. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 74, 1558 (1999).
152. B. Zhang, W. Truong, S. Shrestha, M. A. Green, and G. Conibeer, Physica E 45, 207 (2012).
153. W.K. Choi, Y. W. Ho, S. P.Ng, andV.Ng, J. Appl. Phys. 89, 2168 (2001).
154. M. Zacharias and P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 71, 380 (1997).
155. J. O. Carlsson and P. M. Martin, "Chemical vapor deposition," in Handbook of Deposition Technologies for Films and Coatings: Science, Applications and Technology, 3 rd ed., edited by P. M. Martin (Elsevier Inc., Oxford, 2010), pp. 314-363.
156. L. Martinu, O. Zabeida, and J. E. Klemberg-Sapieha, "Plasma-enhanced chemical vapor deposition of functional coatings," in Handbook of Deposition Technologies for Films and Coatings: Science, Applications and Technology, 3 rd ed., edited by P. M. Martin (Elsevier Inc., Oxford, 2010), pp. 392-465.
157. R. Dhanasekaran, "Growth of semiconductor single crystals from vapor phase," in Springer Handbook of Crystal Growth, edited by G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, and M. Dudley (Springer, Berlin, 2010), pp. 897-935.
158. C. Meier, S. Lüttjohann, M. Offer, H. Wiggers, and A. Lorke, Adv. Solid State Phys. 48, 79 (2009).
159. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 56, 2379 (1990).
160. Y. Kanemitsu and S. Okamoto, Phys. Rev. B 58, 9652 (1998).
161. Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, and K. Takeda, Phys. Rev. B 48, 4883 (1993).
162. G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, and C. Reynaud, Appl. Phys. Lett. 80, 4834 (2002).
163. C. Reynaud, O. Guillois, N. Herlin-Boime, G. Ledoux, and F. Huisken, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 832, F6.2.1 (2005).
164. F. Iacona, G. Franzo, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 87, 1295 (2000).
165. L. A. Nesbit, Appl. Phys. Lett. 46, 38 (1985).
166. T. V. Torchynska, J. Non-Cryst. Solids 352, 2484 (2006).
167. B. Zaknoon, G. Bahir, C. Saguy, and R. Edrei, Nano Lett. 8, 1689 (2008).
168. T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, and S. Hasegawa, J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998).
169. N. M. Park, C. J. Choi, T. Y. Seong, and S. J. Park, Phys. Rev. Lett. 86, 1355 (2001).
170. D. Wen-Ge, Y. Jing, M. Ling-Hai, W. Shu-Jie, Y. Wei, and F. Guang- Sheng, Commun. Theor. Phys. 55, 688 (2011).
171. W. Yu, J. Y. Zhang, W. G. Ding, and G. S. Fu, Eur. Phys. J. B 57, 53 (2007).
172. F. A. Reboredo and A. Zunger, Phys. Rev. B 62, R2275 (2000).
173. D. W. Kim, Y. H. Kim, X. Chen, C. H. Lee, S. C. Song, F. E. Prins, D. L. Kwong, and S. Banerjee, J. Vac. Sci. Technol., B 19, 1104 (2001).
174. S. N. M. Mestanza, I. Doi, and N. C. Frateschi, J. Integr. Circuits Syst. 2, 81 (2007). Available at www.sbmicro.org.br/jics/html/artigos/vol2 no2/ 04.pdf.
175. J. Shieh, T. S. Ko, H. L. Chen, B. T. Dai, and T. C. Chu, Chem. Vap. Deposition 10, 265 (2004).
176. R. Wei, N. Deng, M. Wang, S. Zhang, and P. Chen, in Proceedings of 2005 5 th IEEE Conference on Nanotechnology (2005), Vol. 2.
177. K. W. Sun, S. H. Sue, and C. W. Liu, Physica E 28, 525 (2005).
178. P. Boucaud, V. Le Thanh, S. Sauvage, D. Debarre, D. Bouchier, and J. M. Lourtioz, Thin Solid Films 336, 240 (1998).
179. J. Huang, Z. Ye, B. Zhao, X. Ma, Y. Wang, and D. Que, Appl. Phys. Lett. 78, 1858 (2001).
180. I. V. Markov, "Nucleation at surfaces," in Springer Handbook of Crystal Growth, edited by G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, and M. Dudley (Springer, Berlin, 2010), pp. 17-52.
181. H. Hirayama and H. Asahi, "Molecular beam epitaxy with gaseous source," in Handbook of Crystal Growth, edited by D. T. J. Hurle (Elsevier Science, Amsterdam, 1994), pp. 184-221.
182. D. Vvedensky, "Epitaxial growth of semiconductors," in Low- Dimensional Semiconductor Structures, edited by K. Barnham and D. Vvedensky (Cambridge University Press, Cambridge, 2001), pp. 1-55.
183. O. P. Pchelyakov, Y. B. Bolkhovityanov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. I. Yakimov, and B. Voigtländer, Thin Solid Films 367, 75 (2000).
184. E. Søndergard, R. Kofman, P. Cheyssac, and A. Stella, Surf. Sci. 364, 467 (1996).
185. O. G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 71, 2340 (1997).
186. H. Baumgärtner, F. Kaesen, H. Gossner, and I. Eisele, Appl. Surf. Sci. 130, 747 (1998).
187. V. V. Afanasev, M. Badylevich, A. Stesmans, A. Laha, H. J. Osten, and A. Fissel, Appl. Phys. Lett. 95, 102107 (2009).
188. A. Fissel, A. Laha, E. Bugiel, D. Kühne, M. Czernohorsky, R. Dargis, and H. J. Osten, Microelectron. J. 39, 512 (2008).
189. J. L. Bischoff, H. Mortada, D. Dentel, M. Derivaz, C. Ben Azzouz, A. Akremi, C. Chefi, F. Miguel Morales, M. Herrera, J. Manuel Manuel, R. Garcia, and M. Diani, Phys. Status Solidi A 209, 657 (2012).
190. H. Mortada, D. Dentel, M. Derivaz, J. L. Bischoff, E. Denys, R. Moubah, C. Ulhaq-Bouillet, and J. Werckmann, J. Cryst. Growth 323, 247 (2011).
191. D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, E. V. Korotkov, and N. O. Krivulin, Tech. Phys. Lett. 36, 548 (2010).
192. X. Wang, Z. M. Jiang, H. J. Zhu, F. Lu, D. Huang, C. W. Hu, Y. Chen, Z. Zhu, T. Yao, and X. Liu, Appl. Phys. Lett. 71, 3543 (1997).
193. A. A. Shklyaev and M. Ichikawa, Surf. Sci. 514, 19 (2002).
194. D. J. Lockwood, N. L. Rowell, I. Berbezier, G. Amiard, A. Ronda, M. Faustini, and D. Grosso, J. Electrochem. Soc. 157, H1160 (2010).
195. A. Konchenko, Y. Nakayama, I. Matsuda, S. Hasegawa, Y. Nakamura, and M. Ichikawa, Phys. Rev. B 73, 113311 (2006).
196. N. L. Rowell, D. J. Lockwood, I. Berbezier, P. D. Szkutnik, and A. Ronda, J. Electrochem. Soc. 156, H913 (2009).
197. D. J. Lockwood, N. L. Rowell, I. Berbezier, G. Amiard, L. Favre, A. Ronda, and D. Grosso, ECS Trans. 28, 33 (2010).
198. M. Nastasi and J. W. Mayer, Ion Implantation and Synthesis of Materials (Springer, Berlin, 2006).
199. C. R. Mokry, P. J. Simpson, and A. P. Knights, J. Appl. Phys. 105, 114301 (2009).
200. S. N. Dedyulin, M. P. Singh, F. S. Razavi, and L. V. Goncharova, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 288, 60 (2012).
201. P. J. Simpson, C. R. Mokry, and A. P. Knights, J. Phys.: Conf. Ser. 265, 012022 (2011).
202. M. L. Brongersma, A. Polman, K. S. Min, and H. A. Atwater, J. Appl. Phys. 86, 759 (1999).
203. S. Guha, S. B. Qadri, R. G. Musket, M. A. Wall, and T. Shimizu- Iwayama, J. Appl. Phys. 88, 3954 (2000).
204. C. Bonafos, B. Colombeau, A. Altibelli, M. Carrada, G. B. Assayag, B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, and A. Claverie, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 178, 17 (2001).
205. C. Bonafos, B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, T. Kihn, G. B. Assayag, and A. Claverie, Mater. Sci. Eng., B 70, 380 (2000).
206. B. Garrido, M. Lopez, O. Gonzalez, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, and C. Bonafos, Appl. Phys. Lett. 77, 3143 (2000).
207. U. Serincan, M. Kulakci, R. Turan, S. Foss, and T. G. Finstad, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 254, 87 (2007).
208. T. S. Iwayama, T. Hama, D. E. Hole, and I. W. Boyd, Vacuum 81, 179-185 (2006).
209. U. S. Sias, E. C. Moreira, E. Ribeiro, H. Boudinov, L. Amaral, and M. Behar, J. Appl. Phys. 95, 5053 (2004).
210. W. Skorupa, R. A. Yankov, I. E. Tyschenko, H. Fröb, T. Böhme, and K. Leo, Appl. Phys. Lett. 68, 2410 (1996).
211. M. Yamamoto, T. Koshikawa, T. Yasue, H. Harima, and K. Kajiyama, Thin Solid Films 369, 100 (2000).
212. L. Nikolova, R. G. Saint-Jacques, C. Dahmounea, and G. G. Ross, Surf. Coat. Technol. 203, 2501 (2009).
213. E. P. OReilly and J. Robertson, Phys. Rev. B 27, 3780 (1983).
214. A. Stesmans and V. V. Afanasev, J. Appl. Phys. 97, 033510 (2005).
215. H. Z. Song and X. M. Bao, Phys. Rev. B 55, 6988 (1997).
216. R. Tohmon, Y. Shimogaichi, H. Mizuno, Y. Ohki, K. Nagasawa, and Y. Hama, Phys. Rev. Lett. 62, 1388 (1989).
217. S. Guha, M. D. Pace, D. N. Dunn, and I. L. Singer, Appl. Phys. Lett. 70, 1207 (1997).
218. C. J. Nicklaw, M. P. Pagey, S. T. Pantelides, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, K. F. Galloway, E. J. Wittig, B. M. Howard, E. Taw, W. H. McNeil, and J. F. Conley, Jr., IEEE Trans. Nucl. Sci. 47, 2269 (2000).
219. B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 91, 798 (2002).
220. D. Pacifici, E. Moreira, G. Franzo, V. Martorino, F. Priolo, and F. Iacona, Phys. Rev. B 65, 144109 (2002).
221. M. Lopez, B. Garrido, C. Garcia, P. Pellegrino, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, Appl. Phys. Lett. 80, 1637 (2002).
222. A. Stesmans, J. Appl. Phys. 88, 489 (2000).
223. D. I. Tetelbaum, A. N. Mikhaylov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, A. I. Belov, D. M. Gaponova, and S. V. Morozov, Vacuum 78, 519 (2005).
224. I. D. Sharp, Q. Xu, D. O. Yi, C. W. Yuan, J. W. Beeman, K. M. Yu, J. W. Ager, D. C. Chrzan, and E. E. Haller, J. Appl. Phys. 100, 114317 (2006).
225. E. G. Barbagiovanni, S. N. Dedyulin, P. J. Simpson, and L. V. Goncharova, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 272, 74 (2012)
226. K. Hirose, H. Nohira, K. Azuma, and T. Hattori, Prog. Surf. Sci. 82, 3 (2007).
227. L. Ding, T. P. Chen, Y. Liu, M. Yang, and J. I. Wong, J. Appl. Phys. 101, 103525 (2007).
228. U. S. Sias, L. Amaral, M. Behar, H. Boudinov, and E. C. Moreira, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 250, 178 (2006).
229. J. Linnros, N. Lalic, A. Galeckas, and V. Grivickas, J. Appl. Phys. 86, 6128 (1999).
230. V. I. Klimov, C. J. Schwarza, D. W. McBranch, and C. W. White, Appl. Phys. Lett. 73, 2603 (1998).
231. M. V. Minke and K. A. Jackson, J. Non-Cryst. Solids 351, 2310 (2005).
232. U. V. Desnica, M. Buljan, P. Dubcek, Z. Siketic, I. B. Radovic, S. Bernstorff, U. Serincan, and R. Turan, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 249, 843 (2006).
233. K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino, Appl. Phys. Lett. 76, 2244 (2000).
234. S. N. M. Mestanza, I. Doi, J. W. Swart, and N. C. Frateschi, J. Mater. Sci. 42, 7757 (2007).
235. J. P. Zhao, D. X. Huang, Z. Y. Chen, W. K. Chu, B. Makarenkov, A. J. Jacobson, B. Bahrim, and J. W. Rabalais, J. Appl. Phys. 103, 124304 (2008).
236. C. F. Yu, D. S. Chao, Y. F. Chen, and J. H. Liang, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 307, 171 (2013).
237. L. Rebohle, J. von Borany, R. A. Yankov, W. Skorupa, I. E. Tyschenko, H. Fröb, and K. Leo, Appl. Phys. Lett. 71, 2809 (1997).
238. X. L. Wu, T. Gao, G. G. Siu, S. Tong, and M. Bao, Appl. Phys. Lett. 74, 2420 (1999).
239. K. S. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, H. A. Atwater, M. L. Brongersma, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 68, 2511 (1996).
240. H. B. Kim, K. H. Chae, C. N. Whang, J. Y. Jeong, M. S. Oh, S. Im, and J. H. Song, J. Lumin. 80, 281 (1998).
241. R. Salh, L. Fitting, E. V. Kolesnikova, A. A. Sitnikova, M. V. Zamoryanskaya, B. Schmidt, and H. J. Fitting, Semiconductors 41, 381 (2007).
242. J. M. Schmeltzer and J. M. Buriak, "Recent developments in the chemistry and chemical applications of porous silicon," in The Chemistry of Nanomaterials, edited by C. N. R. Rao, A. Müller, and A. K. Cheetham (Wiley, Weinheim, 2004), Vol. 2, pp. 518-547.
243. D. J. Lockwood, Solid State Commun. 92, 101 (1994).
244. S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus, D. L. Adler, Y. H. Xie, F. M. Ross, Y. J. Chabal, T. D. Harris, L. E. Brus, W. L. Brown, E. E. Chaban, P. F. Szajowski, S. B. Christman, and P. H. Citrin, Phys. Rev. B 52, 4910 (1995).
245. L. T. Canham, T. I. Cox, A. Loni, and A. J. Simons, Appl. Surf. Sci. 102, 436 (1996).
246. L. Stalmans and J. Poortmans, Prog. Photovoltaics 6, 233 (1998).
247. B. Hamilton, Semicond. Sci. Technol. 10, 1187 (1995).
248. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
249. L. Brus, J. Phys. Chem. 98, 3575 (1994).
250. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
251. R. Boukherroub, S. Morin, D. D. M. Wayner, F. Bensebba, G. I. Sproule, J. M. Baribeau, and D. J. Lockwood, Chem. Mater. 13, 2002 (2001).
252. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
253. I. Sychugov, R. Juhasz, J. Valenta, and J. Linnros, Phys. Rev. Lett. 94, 087405 (2005).
254. D. J. Lockwood, A. Wang, and B. Bryskiewicz, Solid State Commun. 89, 587 (1994).
255. L. Z. Kun, K. Y. Lan, C. Hao, H. Ming, and Q. Yu, Chin. Phys. Lett. 22, 984 (2005).
256. Z. Sui, P. P. Leong, I. P. Herman, G. S. Higashi, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 60, 2086 (1992).
257. L. K. Pan, C. Q. Sun, B. K. Tay, T. P. Chen, and S. Li, J. Phys. Chem. B 106, 11725 (2002).
258. C. Q. Sun, L. K. Pan, Y. Q. Fu, B. K. Tay, and S. Li, J. Phys. Chem. B 107, 5113 (2003).
259. R. Mghaïeth, H. Maaref, I. Mihalcescu, and J. C. Vial, Microelectron. J. 30, 695 (1999).
260. D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin, G. Polisski, M. Schwartzkopff, and F. Koch, J. Porous Mater. 7, 85 (2000).
261. J. C. Vial, A. Bsiesy, F. Gaspard, and R. Herino, Phys. Rev. B 45, 14171 (1992).
262. L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, D. Wang, and C. M. Lieber, Nature 420, 57 (2002).
263. Y. Li, F. Qian, J. Xiang, and C. M. Lieber, Mater. Today 9, 18 (2006).
264. C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L. F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B. J. Ohlsson, U. Gösele, and L. Samuelson, Mater. Today 9, 28 (2006).
265. W. Lu and C. M. Lieber, J. Phys. D: Appl. Phys. 39, R387 (2006).
266. N. Wang, Y. Cai, and R. Q. Zhang, Mater. Sci. Eng., R 60, 1 (2008).
267. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
268. H. Adhikari, P. C. McIntyre, A. F. Marshall, and C. E. D. Chidsey, J. Appl. Phys. 102, 094311 (2007).
269. V. Grossi, L. Ottaviano, S. Santucci, and M. Passacantando, J. Non-Cryst. Solids 356, 1988 (2010).
270. T. Hanrath and B. A. Korgel, J. Am. Chem. Soc. 124, 1424 (2002).
271. P. Rudolph, "Defect formation during crystal growth from the melt," in Springer Handbook of Crystal Growth, edited by G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, and M. Dudley (Springer, Berlin, 2010), pp. 159-201.
272. Y. Wu, Y. Cui, L. Huynh, C. J. Barrelet, D. C. Bell, and C. M. Lieber, Nano Lett. 4, 433 (2004).
273. P. K. Sekhar, S. N. Sambandam, D. K. Sood, and S. Bhansali, Nanotechnology 17, 4606 (2006).
274. K. W. Kolasinski, Surface Science: Foundations of Catalysis and Nanoscience, 2 nd ed. (Wiley, West Sussex, 2008).
275. Y. Cui, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, J. Wang, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 78, 2214 (2001).
276. J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, and B. A. Korgel, Science 287, 1471 (2000).
277. A. Lugstein, M. Steinmair, Y. J. Hyun, G. Hauer, P. Pongratz, and E. Bertagnolli, Nano Lett. 8, 2310 (2008).
278. N. Ozaki, Y. Ohno, and S. Takeda, Appl. Phys. Lett. 73, 3700 (1998).
279. B. V. Kamenev, V. Sharma, L. Tsybeskov, and T. I. Kamins, Phys. Status Solidi A 202, 2753 (2005).
280. K. Das, A. K. Chakraborty, M. L. NandaGoswami, R. K. Shingha, A. Dhar, K. S. Coleman, and S. K. Ray, J. Appl. Phys. 101, 074307 (2007).
281. X. H. Sun, C. Didychuk, X. T. Zhou, F. Heigl, L. Armelao, T. Regier, R. I. R. Blyth, and T. K. Sham, Can. Light Source 22, 59 (2007). Available at http://www.lightsource.ca/about/pdf/activity-report-2007/22-Sham.pdf.
282. F. Sunqi, Y. Dapeng, Z. Hongzhou, B. Zhigang, D. Yu, H. Qingling, Z. Yinghua, and W. Jingjing, Sci. China, Ser. A 42, 1316 (1999).
283. P. Noe, J. Guignard, P. Gentile, E. Delamadeleine, V. Calvo, P. Ferret, F. Dhalluin, and T. Baron, J. Appl. Phys. 102, 016103 (2007).
284. C. C. Hong, W. J. Liao, and J. G. Hwu, Appl. Phys. Lett. 82, 3916 (2003).
285. A. T. Chu, T. T. N. Thi, T. T. Tran, B. N. Vu, T. T. Pham, V. T. Pham, T. H. Pham, and H. D. Pham, Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 2, 035004 (2011).
286. N. H. Quang, N. T. Truc, and Y. M. Niquet, Comput. Mater. Sci. 44, 21 (2008).
287. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wang, D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 72, 1835 (1998).
288. C. P. Li, X. H. Sun, N. B. Wong, C. S. Lee, S. T. Lee, and B. K. Teo, Chem. Phys. Lett. 365, 22 (2002).
289. S. T. Lee, R. Q. Zhang, and Y. Lifshitz, "Oxide-assisted growth of silicon and related nanowires: Growth mechanism, structure and properties," in The Chemistry of Nanomaterials, edited by C. N. R. Rao, A. Müller, and A. K. Cheetham (Wiley, Weinheim, 2004), Vol. 1, pp. 308-370.
290. R. G. Hobbs, S. Barth, N. Petkov, M. Zirngast, C. Marschner, M. Morris, and J. D. Holmes, J. Am. Chem. Soc. 132, 13742 (2010).
291. Y. Zhang, Y. Tang, N. Wang, C. Lee, I. Bello, and S. Lee, Phys. Rev. B 61, 4518 (2000).
292. S. T. Lee, N. Wang, and C. S. Lee, Mater. Sci. Eng., A 286, 16 (2000).
293. Y. Yao, F. Li, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 406, 381 (2005).
294. R. Q. Zhang, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Mater. 15, 635 (2003).
295. C. P. Li, C. S. Lee, X. L. Ma, N. Wang, R. Q. Zhang, and S. T. Lee, Adv. Mater. 15, 607 (2003).
296. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, C. Lam, N. Wang, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, J. Cryst. Growth 212, 115 (2000
297. T. K. Sham, S. J. Naftel, P. S. Kim, R. Sammynaiken, Y. H. Tang, I. Coulthard, A. Moewes, J. W. Freeland, Y. F. Hu, and S. T. Lee, Phys. Rev. B 70, 045313 (2004).
298. X. H. Sun, Y. H. Tang, P. Zhang, S. J. Naftel, R. Sammynaiken, T. K. Sham, H. Y. Peng, Y. F. Zhang, N. B. Wong, and S. T. Lee, J. Appl. Phys. 90, 6379 (2001).
299. D. J. Lockwood and A. G. Wang, Solid State Commun. 94, 905 (1995).
300. H. S. Seo, X. Li, H. D. Um, B. Yoo, J. H. K. K. P. Kim, Y. W. Cho, and J. H. Lee, Mater. Lett. 63, 2567 (2009).
301. B. Wu, A. Kumar, and S. Pamarthy, J. Appl. Phys. 108, 051101 (2010).
302. K. R. Williams, K. Gupta, and M. Wasilik, J. Microelectromech. Syst. 12, 761 (2003).
303. P. H. Yih, V. Saxena, and A. J. Steckl, Phys. Status Solidi B 202, 605 (1997).
304. M. Sekine, Appl. Surf. Sci. 192, 270 (2002).
305. G. Jäger-Waldau, H. U. Habermeier, G. Zwicker, and E. Bucher, J. Electron. Mater. 23, 363 (1994).
306. H. Yoshioka, N. Morioka, J. Suda, and T. Kimoto, J. Appl. Phys. 109, 064312 (2011).
307. J. Valenta, R. Juhasz, and J. Linnros, Appl. Phys. Lett. 80, 1070 (2002).
308. A. Wellner, R. E. Palmer, J. G. Zheng, C. J. Kiely, and K. W. Kolasinski, J. Appl. Phys. 91, 3294 (2002).
309. S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus, D. L. Adler, Y.-H. Xie, F. M. Ross, T. D. Harris, W. L. Brown, Y. J. Chabal, L. E. Brus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 72, 2648 (1994).
310. J. von Behren, T. van Buuren, M. Zacharias, E. H. Chimowitz, and P. M. Fauchet, Solid State Commun. 105, 317 (1998).
311. Q. Zhang and S. C. Bayliss, J. Appl. Phys. 79, 1351 (1996).
312. Y. Kanemitsu, J. Lumin. 100, 209 (2002).
313. B. T. Sullivan, D. J. Lockwood, H. J. Labbe, and Z. H. Lu, Appl. Phys. Lett. 69, 3149 (1996).
314. B.A.Wilson, C.M. Taylor, and J. P.Harbison, Phys. Rev. B 34, 8733 (1986).
315. D. J. Lockwood, Phase Transitions 68, 151 (1999).
316. T. Mchedlidze, T. Arguirov, S. Kouteva-Arguirova, G. Jia, M. Kittler, R. Rölver, B. Berghoff, M. Först, D. L. Bätzner, and B. Spangenberg, Thin Solid Films 516, 6800 (2008).
317. D. J. Lockwood and L. Tsybeskov, Encyclopedia Nanosci. Nanotechnol. 6, 477 (2004).
318. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, M. Virgilio, G. Grosso, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and A. Neels, Phys. Rev. B 78, 041407 (2008).
319. M. Bonfanti, E. Grilli, M. Guzzi, D. Chrastina, G. Isella, H. von Känel, and H. Sigg, Physica E 41, 972 (2009).
320. D. Chrastina, A. Neels, M. Bonfanti, M. Virgilio, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel, in 2008, 5 th IEEE International Conference on Group IV Photonics (2008), p. 194.
321. M. Virgilio, M. Bonfanti, D. Chrastina, A. Neels, G. Isella, E. Grilli, M. Guzzi, G. Grosso, H. Sigg, and H. von Känel, Phys. Rev. B 79, 075323 (2009).
322. M. Bollani, E. Müller, S. Signoretti, C. Beeli, G. Isella, M. Kummer, and H. von Känel, Mater. Sci. Eng., B 101, 102 (2003).
323. M. J. Süess, L. Carroll, H. Sigg, A. Diaz, D. Chrastina, G. Isella, E. Müller, and R. Spolenak, Mater. Sci. Eng., B 177, 696 (2012).
324. T. M. Burbaev, V. A. Kurbatov, A. O. Pogosov, M. M. Rzaev, and N. N. Sibeldin, Semiconductors 37, 207 (2003).
325. Y. H. Kuo, Y. K. Lee, Y. Ge, S. Ren, J. E. Roth, T. I. Kamins, D. A. B. Miller, and J. S. Harris, Nature 437, 1334 (2005).
326. U. Menczigar, G. Abstreiter, J. Olajos, H. Grimmeiss, H. Kibbel, H. Presting, and E. Kasper, Phys. Rev. B 47, 4099 (1993).
327. P. A. M. Rodrigues, M. A. Araüjo Silva, G. A. Narvaez, F. Cerdeira, and J. C. Bean, Braz. J. Phys. 29, 547 (1999).
328. A. Laha, E. Bugiel, M. Jestremski, R. Ranjith, A. Fissel, and H. J. Osten, Nanotechnology 20, 475604 (2009).
329. Z. H. Lu, J. M. Baribeau, and D. J. Lockwood, J. Appl. Phys. 76, 3911 (1994).
330. P. A. M. Rodrigues, M. A. Araüjo Silva, F. Cerdeira, and J. C. Bean, Phys. Rev. B 48, 18024 (1993).
331. S. B. Samavedam, M. T. Currie, T. A. Langdo, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 73, 2125 (1998).
332. G. G. Qin, S. Y. Ma, Z. C. Ma, W. H. Zong, and Y. Li-ping, Solid State Commun. 106, 329 (1998).
333. H. Xiao, S. Huang, J. Zheng, G. Xie, and Y. Xie, Microelectron. Eng. 86, 2342 (2009).
334. S. Huang, H. Xiao, and S. Shou, Appl. Surf. Sci. 255, 4547 (2009).
335. B. Averboukh, R. Huber, K. W. Cheah, Y. R. Shen, G. G. Qin, Z. C. Ma, and W. H. Zong, J. Appl. Phys. 92, 3564 (2002).
336. C. Ternon, F. Gourbilleau, R. Rizk, and C. Dufour, Physica E 16, 517 (2003).
337. E. C. Cho, J. Xia, A. G. Aberle, and M. A. Green, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 74, 147 (2002).
338. S. Cosentino, M. Miritello, I. Crupi, G. Nicotra, F. Simone, C. Spinella, A. Terrasi, and S. Mirabella, Nanoscale Res. Lett. 8, 128 (2013).
339. L. Heikkila, T. Kuusela, H. P. Hedman, and H. Ihantola, Appl. Surf. Sci. 133, 84 (1998).
340. R. Rölver, O. Winkler, M. Först, B. Spangenberg, and H. Kurz, Microelectron. Reliab. 45, 915 (2005).
341. R. Rölver, S. Brüninghoff, M. Först, B. Spangenberg, and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol., B 23, 3214 (2005).
342. T. Mchedlidze, T. Arguirov, M. Kittler, R. Roelver, B. Berghoff, M. Foerst, and B. Spangenberg, Physica E 38, 152 (2007).
343. Z. H. Lu, D. J. Lockwood, and J. M. Baribeau, Solid State Electron. 40, 197 (1996).
344. L. Tsybeskov and D. J. Lockwood, Self-Organised Growth of Silicon Nanocrystals in Nanocrystalline Si/SiO2 Superlattices, edited by K. Sato, Y. Furukawa, and K. Nakajima (Elsevier, Amsterdam, 2001).
345. D. J. Lockwood, G. F. Grom, P. M. Fauchet, and L. Tsybeskov, J. Crystal Growth 237, 1898 (2002).
346. J. M. Wagner, K. Seino, F. Bechstedt, A. Dymiati, J. Mayer, R. Rölver, M. Först, B. Berghoff, B. Spangenberg, and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol., A 25, 1500 (2007).
347. R. Rölver, M. Först, O. Winkler, B. Spangenberg, and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol., A 24, 141 (2006).
348. E. F. Steigmeier, R. Morf, D. Grützmacher, H. Auderset, B. Delley, and R. Wessicken, Appl. Phys. Lett. 69, 4165 (1996).
349. V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 87, 8165 (2000).
350. R. Rölver, B. Berghoff, D. L. Bätzner, B. Spangenberg, and H. Kurz, Appl. Phys. Lett. 92, 212108 (2008).
351. Z. H. Lu, J. M. Baribeau, D. J. Lockwood, M. Buchanan, N. Tit, C. Dharma-Wardana, and G. C. Aers, SPIE 3491, 457 (1998).
352. D. J. Lockwood, Z. H. Lu, and J. M. Baribeau, Phys. Rev. Lett. 76, 539 (1996).
353. Z. H. Lu, D. J. Lockwood, and J. M. Baribeau, Nature 378, 258 (1995).
354. S. Okamoto and Y. Kanemitsu, Solid State Commun. 103, 573 (1997).
355. D. J. Lockwood, M. W. C. Dharma-wardana, Z. H. Lu, D. H. Grozea, P. Carrier, and L. J. Lewis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 737, F1.1.1 (2003).
356. Z. H. Lu and D. Grozea, Appl. Phys. Lett. 80, 255 (2002).
357. Y. Kanemitsu, M. Iiboshi, and T. Kushida, J. Lumin. 87, 463 (2000).
358. Y. Kanemitsu, Y. Fukunishi, M. Iiboshi, S. Okamoto, and T. Kushida, Physica E 7, 456 (2000).
359. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, and J. A. Yarmoff, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988).
360. S. Rashkeev, D. Fleetwood, R. Schrimpf, and S. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 87, 165506 (2001).
361. G. Hadjisavvas and P. C. Kelires, Physica E 38, 99 (2007).
362. B. Rößner, G. Isella, and H. von Känel, Appl. Phys. Lett. 82, 754 (2003).
363. K. Seino and F. Bechstedt, Semicond. Sci. Technol. 26, 014024 (2011).
364. C. Q. Sun, T. P. Chen, B. K. Tay, S. Li, H. Huang, Y. B. Zhang, L. K. Pan, S. P. Lau, and X. W. Sun, J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3470 (2001).
365. Y. Kanemitsu, Y. Fukunishi, and T. Kushida, Appl. Phys. Lett. 77, 211 (2000).
366. J. Singh, J. Non-Cryst. Solids 299, 444 (2002).
367. R. B. Wehrspohn, J. N. Chazalviel, F. Ozanam, and I. Solomon, Eur. Phys. J. B 8, 179 (1999).
368. M. Cardona and F. H. Pollak, Phys. Rev. 142, 530 (1966).
369. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, Les Ulis Cedax, 1988).
370. G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1976).
371. H. Haken, Quantum field theory of solids (North-Holland Pub. Co., Amsterdam, 1976).
372. S. Tomić and N. Vukmirović, J. Appl. Phys. 110, 053710 (2011).
373. Y. M. Niquet, C. Delerue, G. Allan, and M. Lannoo, Phys. Rev. B 62, 5109 (2000).
374. K. Seino, F. Bechstedt, and P. Kroll, Phys. Rev. B 86, 075312 (2012).
375. M. G. Burt, J. Phys. Condens. Matter 4, 6651 (1992).
376. K. Nehari, M. Lannoo, F. Michelini, N. Cavassilas, M. Bescond, and J. L. Autran, Appl. Phys. Lett. 93, 092103 (2008).
377. T. Takagahara, Phys. Rev. B 36, 9293 (1987).
378. S. Kivelson and C. D. Gelatt, Phys. Rev. B 19, 5160 (1979).
379. F. Alvarez and A. A. Valladares, Rev. Mex. Fis. 48, 528 (2002). Available at http://www.ejournal.unam.mx/rmf/no486/RMF48607.pdf.
380. R. A. Street, Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge University Press, Cambridge, 1991).
381. J. Singh, T. Aoki, and K. Shimakawa, Philos. Mag. B 82, 855 (2002).
382. X. Y. Lang, W. T. Zheng, and Q. Jiang, IEEE Trans. Nanotechnol. 7, 5 (2008).
383. L. Pan, Z. Sun, and C. Sun, Scr. Mater. 60, 1105 (2009).
384. X. Zianni and A. G. Nassiopoulou, J. Appl. Phys. 100, 074312 (2006).
385. L. E. Ramos, H. C. Weissker, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Phys. Status Solidi B 242, 3053 (2005).
386. D. B. T. Thoai, Y. Z. Hu, and S. W. Koch, Phys. Rev. B 42, 11261 (1990).
387. L. C. L. Y. Voon and M. Willatzen, The kp Method: Electronic Properties of Semiconductors (Springer, Berlin, 2009).
388. G. Allan, C. Delerue, and Y. Niquet, Phys. Rev. B 63, 205301 (2001).
389. J. M. Luttinger and W. Kohn, Phys. Rev. 97, 869 (1955).
390. B. Lassen, R. V. N. Melnik, and M. Willatzen, Commun. Comput. Phys. 6, 699 (2009).
391. L. Jacak and J. K. M. Korkusinski, Phys. Rev. B 57, 9069 (1998).
392. G. Bastard, Phys. Rev. B 24, 5693 (1981).
393. I. M. Kupchak, D. V. Korbutyak, Y. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, I. O. SokolovskiK%, and O. M. Sreseli, Semiconductor 40, 94 (2006).
394. A. Moskalenko, J. Berakdar, A. Prokofiev, and I. Yassievich, Phys. Rev. B 76, 085427 (2007).
395. S. Ögüt, J. R. Chelikowsky, and S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 79, 1770 (1997).
396. J. S. de Sousa, H. Wang, G. A. Farias, V. N. Freire, and E. F. da Silva, Jr., Appl. Surf. Sci. 166, 469 (2000).
397. A. M. Lepadatu, I. Stavarache, M. L. Ciurea, and V. Iancu, J. Appl. Phys. 107, 033721 (2010).
398. S. Goedecker and M. Teter, Phys. Rev. B 51, 9455 (1995).
399. C. Delerue, G. Allan, and M. Lannoo, Phys. Rev. B 48, 11024 (1993).
400. N. C. Bacalis and A. D. Zdetsis, J. Math. Chem. 46, 962-970 (2009).
401. Y. M. Niquet, G. Allan, C. Delerue, and M. Lannoo, Appl. Phys. Lett. 77, 1182 (2000).
402. M. Nishida, Semicond. Sci. Technol. 21, 443 (2006).
403. N. Tit, Z. H. Yamani, J. Graham, and A. Ayesh, Mater. Chem. Phys. 124, 927 (2010).
404. N. Tit and M. W. C. Dharma-Wardana, J. Appl. Phys. 86, 387 (1999).
405. K. Leung and K. B. Whaley, Phys. Rev. B 56, 7455 (1997).
406. F. Trani, G. Cantele, D. Ninno, and G. Iadonisi, Phys. Status Solidi C 2, 3435 (2005).
407. M. Nishida, J. Appl. Phys. 98, 023705 (2005).
408. M. Nishida, Phys. Rev. B 59, 15789 (1999).
409. A. A. Prokofiev, A. S. Moskalenko, I. N. Yassievich, W. D. A. M. de Boer, D. Timmerman, H. Zhang, W. J. Buma, and T. Gregorkiewicz, JETP Lett. 90, 758 (2009).
410. Z. Pu-Qin, H. Dong-Sheng, and W. Xing-Long, Chin. Phys. Lett. 22, 1492 (2005).
411. W. Pickett, Comput. Phys. Rep. 9, 115 (1989).
412. L. W. Wang and A. Zunger, J. Phys. Chem. 98, 2158 (1994
413. A. Zunger, Phys. Status Solidi B 224, 727 (2001).
414. C. Bulutay, Phys. Rev. B 76, 205321 (2007).
415. G. Bester, J. Phys.: Condens. Matter 21, 023202 (2009).
416. A. Zunger and L. W. Wang, Appl. Surf. Sci. 102, 350 (1996).
417. A. J. Read, R. J. Needs, K. J. Nash, L. T. Canham, P. D. J. Calcott, and A. Qteish, Phys. Rev. Lett. 69, 1232 (1992).
418. H. C. Weissker, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 65, 155328 (2002).
419. F. A. Reboredo, A. Franceschetti, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 75, 2972 (1999).
420. A. Franceschetti, L. W. Wang, and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 83, 1269 (1999).
421. A. Franceschetti and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 78, 915 (1997).
422. A. Franceschetti and A. Zunger, Phys. Rev. B 62, 2614 (2000).
423. A. V. Gert and I. N. Yassievich, JETP Lett. 97, 87 (2013).
424. V. Ranjan, M. Kapoor, and V. A. Singh, J. Phys.: Condens. Matter 14, 6647 (2002).
425. N. L. Rowell, D. J. Lockwood, A. Karmous, P. D. Szkutnik, I. Berbezier, and A. Ronda, Superlattices Microstruct. 44, 305 (2008).