Photoluminescence from Si nanocrystals induced by high-temperature implantation in SiO2

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 9, 2004, Pages 5053-5059

  Sias, U S ^a,b   Moreira, E C ^c   Ribeiro, E ^d   Boudinov, H ^a   Amaral, L ^a   Behar, M ^a  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF RIO GRANDE DO SUL   (Brazil)

^b Centra Fed de Educ Technól   (Brazil)

^c UNIVERSIDADE ESTADUAL DO RIO GRANDE DO SUL   (Brazil)

^d LABORATÓRIO NACIONAL DE LUZ SÍNCROTRON   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; LIGHT EMISSION; MICROELECTRONICS; PHOTOLUMINESCENCE; PHOTONS; SILICA; SILICON; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ANNEALING PARAMETERS; PHOTONIC DEVICES; SILICON NANOCRYSTALS (NC);

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 2442445225     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1691182     Document Type: Article

References (30)

1. T. S. Iwayama, N. Kurumado, D. E. Hole, and P. D. Townsend, J. Appl. Phys. 83, 6018 (1998).
2. T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, and S. Hasegawa, J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998).
3. A. Kachurin, A. F. Leier, K. S. Zhuravlev, I. E. Tyschenko, A. K. Gutakovskli, V. A. Volodin, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Semiconductors 32, 1222 (1998).
4. F. Iacona, G. Franzò, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 87, 1295 (2000).
5. M. L. Brongersma, A. Polman, K. S. Min, E. Boer, T. Tambo, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 72, 2577 (1998).
6. T. S. Iwayama, T. Hama, D. E. Hole, and W. Boyd, Solid-State Electron. 45, 1487 (2001).
7. T. S. Iwayama, K. Fujita, M. Akai, S. Nakao, and K. Saitoh, J. Non-Cryst. Solids 187, 112 (1995).
8. B. Garrido Fernandez, M. López, C. García, A. Pérez-Rodríguez, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Canada, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 91, 798 (2002).
9. W. L. Wilson, P. L. Szajowski, and L. E. Brus, Science 262, 1242 (1993).
10. R. E. Hummel and S.-S. Chang, Appl. Phys. Lett. 61, 1965 (1992).
11. T. S. Iwayama, S. Nakao, and K. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
12. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 56, 2379 (1990).
13. K. S. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, H. A. Atwater, M. L. Brongersma, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 69, 2033 (1996).
14. J. G. Zhu, C. W. White, J. D. Budai, S. P. Withrow, and Y. Chen, J. Appl. Phys. 78, 4386 (1995).
15. L. N. Dinh, L. L. Chase, M. Balooch, L. J. Terminello, and F. Wooten, Appl. Phys. Lett. 65, 3111 (1994).
16. H. Morisaki, F. W. Ping, H. Ono, and K. Yazawa, J. Appl. Phys. 70, 1869 (1991).
17. S. Hayashi, T. Nagareda, Y. Kanzawa, and K. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 3840 (1993).
18. Y. Kanzawa, T. Kageyama, S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Solid State Commun. 102, 533 (1997).
19. Z. H. Lu, D. J. Lockwood, and J.-M. Baribeau, Nature (London) 378, 258 (1995).
20. D. J. Lockwood, Z. H. Lu, and J.-M. Baribeau, Phys. Rev. Lett. 76, 539 (1996).
21. S. Guha, S. B. Qadri, R. G. Musket, M. A. Wall, and T. S. Iwayama, J. Appl. Phys. 88, 3954 (2000).
22. T. S. Iwayama, D. E. Hole, and I. W. Boyd, J. Phys.: Condens. Matter 11, 6595 (1999).
23. D. Kovalev, J. Diener, H. Heckler, G. Polisski, N. Künzner, and F. Koch, Phys. Rev. B 61, 4485 (2000).
24. T. Fischer, V. Petrova-Koch, K. Scheglov, M. S. Brandt, F. Koch, and V. Lehmann, Thin Solid Films 276, 100 (1996).
25. C. Garcia, B. Garrido, P. Pellegrino, R. Ferre, J. A. Moreno, L. Pavesi, M. Cazzanelli, and J. R. Morante, Physica E (Amsterdam) 16, 429 (2003).
26. S. Cheylan and R. G. Elliman, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 148, 986 (1999).
27. A. N. Goldstein, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 62, 33 (1996).
28. S. Veprek, Thin Solid Films 297, 145 (1997).
29. D. Pacifici, E. C. Moreira, G. Franzò, V. Martorino, F. Priolo, and F. Iacona, Phys. Rev. B 65, 144109 (2002).
30. C. Delerue, G. Allan, and M. Lannoo, Phys. Rev. B 48, 11024 (1993).