Enhancement-mode buried strained silicon channel quantum dot with tunable lateral geometry

Applied Physics Letters

Volumn 99, Issue 4, 2011, Pages

  Lu, T M ^a   Bishop, N C ^a   Pluym, T ^a   Means, J ^a   Kotula, P G ^a   Cederberg, J ^a   Tracy, L A ^a   Dominguez, J ^a   Lilly, M P ^a   Carroll, M S ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING CONDITION; DC VOLTAGE; ENHANCEMENT-MODE; GATE STACKS; HALL BARS; PROCESS FLOWS; QUANTUM DOT NANOSTRUCTURES; STRAINED SILICON CHANNEL; THERMAL BUDGET;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; POLYSILICON;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 79961071753     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3615288     Document Type: Article

References (17)

1. J. R. Petta, A. C. Johnson, A. Yacoby, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Phys. Rev. B 72, 161301(R) (2005). 10.1103/PhysRevB.72.161301 (Pubitemid 43022064)
2. F. H. L. Koppens, C. Buizert, K. J. Tielrooij, I. T. Vink, K. C. Nowack, T. Meunier, L. P. Kouwenhoven, and L. M. K. Vandersypen, Nature 442, 766 (2006). 10.1140/epjd/e2005-00251-1
3. A. M. Tyryshkin, S. A. Lyon, A. V. Astashkin, and A. M. Raitsimring, Phys. Rev. B 68, 193207 (2003). 10.1103/PhysRevB.68.193207
4. W. M. Witzel, M. S. Carroll, A. Morello, L. Cywiski, and S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett. 105, 187602 (2010). 10.1103/PhysRevB.68.193207
5. R. R. Hayes, A. A. Kiselev, M. G. Borselli, S. S. Bui, E. T. Croke III, P. W. Deelman, B. M. Maune, I. Milosavljevic, J.-S. Moon, R. S. Ross, A. E. Schmitz, M. F. Gyure, and A. T. Hunter, e-prints arXiv:0908.0173 [cond-mat.mes-hall] (2009).
6. M. Xiao, M. G. House, and H. W. Jiang, Phys. Rev. Lett. 104, 096801 (2010). 10.1103/RevModPhys.79.1217
7. A. Morello, J. J. Pla, F. A. Zwanenburg, K. W. Chan, K. Y. Tan, H. Huebl, M. Mottonen, C. D. Nugroho, C. Yang, J. A. van Donkelaar, A. D. C. Alves, D. N. Jamieson, C. C. Escott, L. C. L. Hollenberg, R. G. Clark, and A. S. Dzurak, Nature 467, 687 (2010). 10.1038/nature09392
8. C. B. Simmons, J. R. Prance, B. J. Van Bael, T. S. Koh, Z. Shi, D. E. Savage, M. G. Lagally, R. Joynt, M. Friesen, S. N. Coppersmith, and M. A. Eriksson, Phys. Rev. Lett. 106, 156804 (2011). 10.1038/nature05803
9. E. P. Nordberg, G. A. T. Eyck, H. L. Stalford, R. P. Muller, R. W. Young, K. Eng, L. A. Tracy, K. D. Childs, J. R. Wendt, R. K. Grubbs, J. Stevens, M. P. Lilly, M. A. Eriksson, and M. S. Carroll, Phys. Rev. B 80, 115331 (2009). 10.1103/PhysRevA.57.120
10. H. W. Liu, T. Fujisawa, Y. Ono, H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Takashina, and Y. Hirayama, Phys. Rev. B 77, 073310 (2008). 10.1103/PhysRevLett.77.3613
11. E. P. Nordberg, H. L. Stalford, R. Young, G. A. T. Eyck, K. Eng, L. A. Tracy, K. D. Childs, J. R. Wendt, R. K. Grubbs, J. Stevens, M. P. Lilly, M. A. Eriksson, and M. S. Carroll, Appl. Phys. Lett. 95, 202102 (2009). 10.1103/PhysRevA.57.120
12. W. H. Lim, F. A. Zwanenburg, H. Huebl, M. Möttönen, K. W. Chan, A. Morello, and A. S. Dzurak, Appl. Phys. Lett. 95, 242102 (2009). 10.1103/PhysRevA.57.120
13. C. B. Simmons, M. Thalakulam, N. Shaji, L. J. Klein, H. Qin, R. H. Blick, D. E. Savage, M. G. Lagally, S. N. Coppersmith, and M. A. Eriksson, Appl. Phys. Lett. 91, 213103 (2007). 10.1126/science.278.5344.1788
14. H. Klauk, T. N. Jackson, S. F. Nelson, and J. O. Chu, Appl. Phys. Lett. 68, 1975 (1996). 10.1063/1.115644 (Pubitemid 126688443)
15. T. M. Lu, J. Liu, J. Kim, K. Lai, D. C. Tsui, and Y. H. Xie, Appl. Phys. Lett. 90, 182114 (2007). 10.1103/PhysRevLett.45.494
16. T. M. Lu, D. C. Tsui, C.-H. Lee, and C. W. Liu, Appl. Phys. Lett. 94, 182102 (2009). 10.1103/PhysRevLett.93.176809
17. M. Friesen, S. Chutia, C. Tahan, and S. N. Coppersmith, Phys. Rev. B 75, 115318 (2007). 10.1088/0268-1242/12/4/007