Pressure-induced orientation control of the growth of epitaxial silicon nanowires

Nano Letters

Volumn 8, Issue 8, 2008, Pages 2310-2314

  Lugstein, A ^a   Steinmair, M ^a   Hyun, Y J ^a   Hauer, G ^a   Pongratz, P ^a   Bertagnolli, E ^a  

^a VIENNA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Austria)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC WIRE; NANOWIRES; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILANES; SILICON WAFERS; SINGLE CRYSTALS;

AU NANOCLUSTERS; EPITAXIAL SILICONS; EXPERIMENTAL CONDITIONS; GROWTH DIRECTIONS; GROWTH PROCESS; INDUCED ORIENTATIONS; MORPHOLOGICAL CHANGES; NUMBER OF SAMPLES; ONE-DIMENSIONAL GROWTHS; SI (1 1 1); SINGLE CRYSTAL SILICONS; STRUCTURAL CHARACTERIZATIONS; SYSTEM PRESSURES; TOTAL PRESSURES; VAPOR-LIQUID-SOLID GROWTH MECHANISMS;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 59549097635     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl8011006     Document Type: Article

References (47)

1. Morales, A. M.; Lieber, C. M. Science 1998, 279, 208.
2. Mattel, R.; Schmidt, T.; Shea, H. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447.
3. Cui, Y.; Duan, X.; Hu, J.; Lieber, C.M. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 5213.
4. Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayer, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan. H.; Lieber, C. M. Adv. Mater. 2003, 15, 353.
5. Kim, J.; So, H.; Park, J.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3548.
6. Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, J.; Smith, D. C.; Lieber, C. M. Nature 2002, 415, 617.
7. Martensson, T.; Borgstrom, M.; Seifert, W.; Ohlson, B. J.; Samuelson, L. Nanotechnology 2003, 14, 1255.
8. Haraguchi, K.; Katsuyama, T.; Hiruma, K.; Ogawa, K. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 745.
9. Duan, X.; Huang, Y.; Cui, Y.; Wang, J.; Lieber, C. M. Nature 2001, 409, 66.
10. Wang, J.; Gudiksen, M. S.; Duan, X.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1455.
11. Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 851.
12. Huang, Y.; Duan, X.; Cu, Y.; Lauhon, L. J.; Kim, K.-H.; Lieber, C. M. Science 2001, 294, 1313.
13. Bjork, M. T.; Ohlsson, B. J.; Thelander, C.; Persson, A. I.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4458.
14. De Franceschi, S.; van Dam, J. A.; Bakkers, E. P. A. M.; Feiner, L. F.; Gurevich, L.; Kouwenhoven, L. P. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 344.
15. Law, M.; Goldberger, J.; Yang, P. Annu. Rev. Mater. Res. 2004, 34, 83.
16. Cui, Y.; Wei, Q.; Park, H.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1289.
17. Islam, M. S.; Sharma, S.; Kamins, T. I.; Williams, R. S. Nanotechnology 2004, 15, L5.
18. Brus, L. J. Phys. Chem. 1994, 98, 3575.
19. Yorikawa, H.; Uchida, H.; Murmatsu, S. J. Appl. Phys. 1996, 79, 3619.
20. Mozos, J. L.; Machado, E.; Hernandez, E.; Ordejon, P. Int. J. Nanotechnol. 2005, 2, 114.
21. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
22. Arakawa, Y. Solid-State Electron. 1994, 37, 523.
23. Tchernycheva, M.; Harmand, J. C.; Patriarche, G.; Travers, L.; Cirlin, G. E. Nanotechnology 2006, 17, 4025.
24. Harmanda, J. C.; Tchernycheva, M.; Patriarchea, G.; Traversa, L.; Glasa, F.; Cirlinb, G. J. Cryst. Growth 2007, 301, 853.
25. Martelli, F.; Piccin, M.; Bais, G.; Jabeen, F.; Ambrosini, S.; Rubini, S.; Franciosi, A. Nanotechnology 2007, 18, 125603.
26. Wang, N.; Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Phys. Rev. B 1998, 58, R16024.
27. Wagner, R. S. In Whisker Technology; Levitt, A. P., Ed.; Wiley-Interscience: New York, 1970.
28. Givargizov, E. I. J. Cryst. Growth 1975, 31, 20.
29. Cui, Y.; Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Wang, J.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2214.
30. Wu, Y.; Cui, Y.; Huynh, L.; Barrelet, C. J.; Bell, D. C.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 433.
31. Schmidt, V.; Senz, S.; Gösele, U. Nano Lett. 2005, 931.
32. Persson, A. I.; Larsson, M. L.; Stenström, S.; Ohlsson, B. J.; Samuelson, L.; Wallenberg, L. R. Nature 2004, 3, 677.
33. Givargizov, E. I.; Sheftal, N. N. J. Crystal Growth 1971, 9, 326.
34. Hanrath, T.; Korgel, B. A. Small 2005, 1, 717.
35. Ozaki, N.; Ohno, Y.; Takeda, S. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3700.
36. Wu, Y.; Yang, H.; Huang, M.; Messer, B.; Song, J. H.; Yang, P. Chem. Eur. J. 2002, 8, 1260.
37. Latu-Romain, L.; Mouchet, C.; Cayron, C.; Rouviere, E.; Simonato, J. P. J. Nanvpart. Res. DOI 10.1007/s11051-007-9350-3.
38. Kawashima, T.; Mizutani, T; Nakagawa, T.; Torii, H.: Saitoh, T.; Komori, K.; Fujii, M. Nano Lett. 2008, 8 (1), 362.
39. Kamins, T. I.; Li, X.; Williams, R. S. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 263.
40. Lugstein, A.; Andrews, A. M.; Steinmair, M.; Hyun, Y. J.; Bertagnolli, E.; Weil, M.; Pongratz, P.; Schramböck, M.; Roch, T.; Strasser, G. Nanotechnology 2007, 18, 355306.
41. Yao, Y.; Li, F.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 2005, 406, 381.
42. Ghandhi, S. K. VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide, 1st ed; Wiley: New York, 1983; Chapter 1.
43. Zhou, G. W.; Zhang, Z.; Bai, Z. G.; Feng, S. Q.; Yu. D. P. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 677.
44. Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Wang, N.; Yu, D. P.; Lee, C. S.; Bello. I.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1835.
45. Yu, D. P.; Bai, Z. G.; Ding, Y.; Hang, Q. L.; Zhang, H. Z.; Wang. J. J.; Zou, Y. H.; Qian, W.; Xiong, G. C.; Zhou, H. T.; Feng, S. Q. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 3458.
46. Wang, N.; Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Lee, C. S.; Bello, I.: Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 1999, 299, 237.
47. Morral, A. F.; Arbiol, J.; Prades, J. D.; Cicera, A.; Morante, J. R. Adv. Mater. 2007, 19, 1347.