Challenges in atomic-scale characterization of high-k dielectrics and metal gate electrodes for advanced CMOS gate stacks

Journal of Materials Science and Technology

Volumn 25, Issue 3, 2009, Pages 289-313

  Zhu, Xinhua ^a   Zhu, Jianmin ^a   Li, Aidong ^a   Liu, Zhiguo ^a   Ming, Naiben ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

High k gate dielectrics; HRTEM; Metal gate electrodes, CMOS gate stack; STEM

Indexed keywords

ADVANCED CMOS; ATOMIC SCALE; CMOS DEVICES; CMOS TECHNOLOGY; COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; DEVICE RELIABILITY; DIELECTRIC GATES; ELECTRON BEAM DAMAGE; ENERGY DISPERSIVE X RAY SPECTROSCOPY; FEATURE SIZES; FUTURE CHALLENGES; FUTURE GENERATIONS; GATE STACKS; GATE THICKNESS; HAFNIUM OXIDES; HIGH DIELECTRIC CONSTANT (HIGH-K); HIGH RESOLUTION; HIGH-ANGLE ANNULAR DARK FIELDS; HIGH-K DIELECTRIC; HIGH-K GATE DIELECTRICS; HIGH-K GATE STACKS; HIGH-K OXIDES; HRTEM; INTERFACE BEHAVIOR; INTERFACIAL LAYER; INTERFACIAL STRUCTURES; KEY FEATURE; MATERIAL CHARACTERIZATIONS; METAL GATE; METAL GATE ELECTRODES; METAL GATE ELECTRODES, CMOS GATE STACK; METROLOGY TOOLS; MICRO-STRUCTURAL CHARACTERIZATION; NANO SCALE; PERFORMANCE OF DEVICES; PERSONAL PERSPECTIVE; RESEARCH PROGRESS; SCANNING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; SI-BASED; STEM; STRUCTURAL EVOLUTION; WORKING PRINCIPLES; Z-CONTRAST IMAGING;

ATOMS; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CHARACTERIZATION; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE; DIELECTRIC DEVICES; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRODES; ELECTRON BEAMS; ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPES; ELECTRONS; GATES (TRANSISTOR); HAFNIUM; HAFNIUM COMPOUNDS; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; LEAKAGE CURRENTS; LOGIC GATES; METALS; MOS CAPACITORS; PHYSICAL PROPERTIES; REFRACTORY METAL COMPOUNDS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SILICON COMPOUNDS;

GATE DIELECTRICS;

EID: 67549112944     PISSN: 10050302     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (145)

1. D. Buchanan: IBM J. Res. Dev., 1999, 43, 245.
2. M. L. Green, E. P. Gusev, R. Degraeve and E. Garfunkel: J. Appl. Phys., 2001, 90, 2057.
3. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys., 2001, 89, 5243.
4. 2 and Related Dielectrics: Science and Technology, ed. G. Pacchioni, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, Netherlands, 2000, 557.
5. D. C. Gilmer, R. Hegde, R. Cotton, J. Smith, L. Dip, R. Garcia, V. Dhandapani, D. Triyoso, D. Roan, A. Franke, R. Rai, L. Prabhu, C. Hobbs, J. M. Grant, L. La, S. Samavedam, B. Taylor, H. Tseng and P. Tobin: Microelectron. Eng., 2003, 69, 138.
6. M. S. Akbar, S. Gopalan, H. J. Cho, K. Onishi, R. Choi, R. Nieh, C. S. Kang, Y. H. Kim, J. Han, S. Krishnan and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett., 2003, 82, 1757.
7. L. Miotti, K. P. Bastos, G. V. Soares, C. Driemeier, R. P. Pezzi, J. Morais, I. J. R. Baumvol, A. L. P. Rotondaro, M. R. Visokay, J. J. Chambers, M. Quevedo-Lopez and L. Colombo: Appl. Phys. Lett., 2004, 85, 4460.
8. M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Kirshnan, P. D. Kirsch, G. Pant, B. E. Gnade and R. M. Wallace: Appl. Phys. Lett., 2005, 87, 262902.
9. E. P. Gusev, C. Cabral, M. Copel, C. D. Emic and M. Gribelyuk: Microelectron. Eng., 2003, 69, 145.
10. A. I. Kingon, J. P. Maria and S. K. Streiffer: Nature, 2000, 496, 1032.
11. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys., 2001, 89, 5243.
12. R. K. Sharma, A. Kumar and J. M. Anthony: JOM, 2001, 53.
13. M. Houssa and M. M. Heyns: in High-k Gate Dielectrics, ed. M. Houssa, Institute of Physics Publishing, Bristol, 2004, 3.
14. J. Robertson: Rep. Prog. Phys., 2006, 69, 327.
15. E. P. Gusev, V. Narayanan and M. M. Frank: IBM J. Res. Dev., 2006, 50, 387.
16. B. H. Lee, J. W. Oh, H. H. Tseng, R. Jammy and H. Huff: Materialstoday, 2006, 9, 32.
17. G. He and L. D. Zhang: J. Mater. Sci. Technol., 2007, 23, 433.
18. A. C. Diebolda, D. Venablesb, Y. Chabalc, D. Mullerc, M. Weldonc and E. Garfunkeld: Mater. Sci. Semicond. Process., 1999, 2, 103.
19. B. W. Busch, O. Pluchery, Y. J. Chabal, D. A. Muller, R. L. Opila, J. R. Kwo and E. Garfunkel: MRS Bulletin, 2002, 27, 206.
20. E. Garfunkeld, T. Gustafsson, P. Lysaght, S. Stemmer and R. Wallace: FUTURE FAB Inter., 21, 2006, Section 8.
21. P. M. Voyles, D. A. Muller and E. J. Kirkland: Micros. Microanal., 2004, 10, 291.
22. K. V. Benthem, A. W. Lupini, M. Kim, H. S. Baik, S. Doh, J. H. Lee, M. P. Oxley, J. T. Luck and S. J. Pennycook: Appl. Phys. Lett., 2005, 87, 034104.
23. H. Rose: Optik, 1990, 85, 19.
24. P. E. Batson, N. Dellby and O. L. Krivanek: Nature, 2002, 418, 617.
25. H. Fukuda, M. Yasuda, T. Iwabuchi and S. Ohno: Appl. Surf. Sci., 1992, 60/61, 359.
26. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskela, T. Sajavaara, J. Keinonen, D. C. Gilmer, R. Hedge, R. Rai and L. Prabhu: J. Mater. Sci. Mater. Electron., 2003, 14, 161.
27. T. Gustafsson, H. C. Lu, B. W. Busch, W. H. Schulte and E. Garfunkel: Nucl. Instrum. Meth. B, 2001, 183, 146.
28. Y. P. Kim, S. K. Choi, H. K. Kim and D. W. Moon: Appl. Phys. Lett., 1997, 71, 3504.
29. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson and R. S. Urdahl: Appl. Phys. Lett., 1998, 73, 1517.
30. R. A. B. Devine: Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 1924.
31. X. B. Lu, Z. G. Liu, G. H. Shi, H. Q. Ling, H. W. Zhou, X. P. Wang and B. Y. Nguyen: Appl. Phys. A, 2004, 78, 921.
32. J. L. Autran, R. Devine, C. Chaneliere and B. Balland: IEEE Electron Device Lett., 1997, 18, 447.
33. K. A. Son, A. Y. Mao, Y. M. Sun, B. Y. Kim, F. Liu, A. Kamath, J. M. White, D. L. Kwong, D. A. Roberts and R. N. Vritis: Appl. Phys. Lett., 1998, 72, 1187.
34. G. B. Alers, R. M. Fleming, Y. H. Wong, B. Dennis, A. Pinczuk, G. Redinbo, R. Urdahl, E. Ong and Z. Hasan: Appl. Phys. Lett., 1998, 72, 1308.
35. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson and R. Urdahl: Appl. Phys. Lett., 1998, 73, 1517.
36. M. B. Lee, M. Kawasaki and H. Koinuma: Jpn. J. Appl. Phys., 1995, 34, 808.
37. H. S. Kim, D. C. Gilmer and D. L. Polla: Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 3860.
38. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X. C. Wang, M. T. Hsieh, H. S. Kim, W. Gladfelter and J. Yan: IEEE Trans. Electron Devices, 1997, 44, 104.
39. S. M. George, O. Sneh and J. D. Way: Appl. Surf. Sci., 1994, 82/83, 460.
40. R. D. Shannon: J. Appl. Phys., 1993, 73, 348.
41. R. H. French: J. Am. Ceram. Soc., 1990, 73, 477.
42. G. D. Wilk and R. M. Wallace: Appl. Phys. Lett., 1999, 74, 2854.
43. G. D. Wilk and R. M. Wallace: Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 112.
44. Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen and C. M. Kwei: IEEE Electron. Device Lett., 2000, 21, 341.
45. H. J. Osten, J. P. Liu and H. J. Mussig: Appl. Phys. Lett., 2002, 80, 297.
46. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Cabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent and J. M. Rosamilia: Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 130.
47. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys., 2001, 89, 5243.
48. J. Päiväsaari, M. Putkonen and L. Niinistö: Thin Solid Films, 2005, 472, 275.
49. J. A. Gupta, D. Landheer, J. P. McCaffrey and G. I. Sproule: Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1718.
50. M. Copel, E. Cartier and F. M. Ross: Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1607.
51. T. Heeg, M. Wagner, J. Schubert, C. Buchal, M. Boese, M. Luysberg, E. Cicerrella and J. L. Freeouf: Microelectron. Eng., 2005, 80, 150.
52. M. Wagner, T. Heeg, J. Schubert, C. Zhao, O. Richard, M. Caymax, V. V. Afanas and S. Mantl: Solid-State Electronics, 2006, 50, 58.
53. P. Myllymaki, M. Nieminen, J. Niinisto, M. Putkonen, K. Kuklibc and L. Niinisto: J. Mater. Chem., 2006, 16, 563.
54. K. Eisenbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw and C. D. Overgaard: Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 1324.
55. S. B. Samavedam, L. B. La, J. Smith, S. Dakshina-Murthy, E. Luckowski, J. Schaeffer, M. Zavala, R. Martin, V. Dhandapani, D. Triyoso, H. H. Tseng, P. J. Tobin, D. C. Gilmer, C. Hobbs, W. J. Taylor, J. M. Grant, R. I. Hegde, J. Mogab, C. Thomas, P. Abramowitz, M. Moosa, J. Conner, J. Jiang, V. Arunachalarn, M. Sadd, B. Y. Nguyen and B. White: IEDM Tech. Digest, 2001, 433.
56. W. Tsai, L. A. Ragnarsson, L. Pantisano, P. J. Chen, B. Onsia, T. Schram, E. Cartier, A. Kerber, E. Young, M. Caymax, S. D. Gendt and M. Heyns: IEDM Tech. Digest, 2003, 311.
57. E. Cartier, F. R. McFeely, V. Narayanan, P. Jamison, B. P. Linder, M. Copel, V. K. Paruchuri, V. S. Basker, R. Haight, D. Lim, R. Carruthers, T. Shaw, M. Steen, J. Sleight, J. Rubino, H. Deligianni, S. Guha, R. Jammy, and G. Shahidi: Symp. VLSI Technol., 2005, 230.
58. J. K. Schaeffer, L. R. C. Fonseca, S. B. Samavedam, Y. Liang, P. J. Tobin and B. E. White: Appl. Phys. Lett., 2004, 85, 1826.
59. Y. C. Cheng and E. A. Sullivan: J. Appl. Phys., 1973, 44, 923.
60. S. Krupanidhi, N. Maffeo, M. Sayer and K. E. Asse: J. Appl. Phys., 1983, 54, 6601.
61. K. Sreevinas, M. Sayer, D. J. Baar and M. Nishioka: Appl. Phys. Lett., 1988, 52, 709.
62. K. Saenger, R. Roy, K. Etzold and J. Cuomo: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1991, 200, 115.
63. R. Ramesh, A. Inam, W. K. Chan, F. Tillerot, B. Wilkens, C. C. Chang, T. Sands, J. M. Tarascon and V. G. Keramidas: Appl. Phys. Lett., 1991, 59, 3542.
64. K. D. Budd, S. K. Dey and D. A. Payne: Br. Ceram. Soc. Proc., 1985, 36, 107.
65. T. Kawahara, M. Yamamuka, T. Makita, J. Naka, A. Yuuki, N. Mikami and K. Ono: Jpn. J. Appl. Phys., 1994, 33, 5129.
66. L. A. Wills, W. A. Feil, B. W. Wessels, L. M. Tonge and T. J. Marks: J. Cryst. Growth, 1991, 107, 712.
67. M. de Keijser, G. J. M. Dormans, J. F. M. Gillessen, D. M. de Leeuw and H. W. Zandbergen: Appl. Phys. Lett., 1991, 58, 2636.
68. M. de Keijser and G. J. M. Dormans: Mater. Res. Soc. Bull., 1996, 21, 37.
69. A. Jones: Chem. Vap. Deposition, 1998, 4, 169.
70. I. M. Watson: Chem. Vap. Deposition, 1997, 3, 9.
71. A. C. Jones: J. Mater. Chem., 2002, 12, 2576.
72. O. Sneh, R. B. Clark-Phelps, A. R. Londergan, J. Winkler and T. E. Seidel: Thin Solid Films, 2002, 402, 248.
73. M. Leskela and M. Ritala: Thin Solid Films, 2002, 409, 138.
74. R. L. Puurunen: J. Appl. Phys., 2005, 97, 121301.
75. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker, R. J. Potter, K. Kukli, A. Rahtu, M. Ritalac and M. Leskela: J. Mater. Chem., 2004, 14, 3101.
76. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker, R. J. Potter, T. D. Manning, Y. F. Loo, R. O. Kane, J. M. Gaskell and L. M. Smith: Chem. Vap. Deposition, 2006, 12, 83.
77. M. Schumacher, P. K. Baumann and T. Seidel: Chem. Vap. Deposition, 2006, 12, 99.
78. W. Tsai, R. J. Carter, H. Nohira, M. Caymax, T. Conard, V. Cosnier, S. DeGendt, M. Heyns, J. Petry, O. Richard, W. Vandervorst, E. Young, C. Zhao, J. Maes, M. Tuominen, W. H. Schulte, E. Garfunkel and T. Gustafsson: Microelectron. Eng., 2003, 65, 259.
79. D. R. G. Mitchell, A. Aidla and J. Aarik: Appl. Surf. Sci., 2006, 253, 606.
80. J. Lu, J. Aarik, J. Undqvist, K. Kukli, A. Harsta and J. O. Carlsson: J. Cryst. Growth, 2005, 273, 510.
81. A. J. Craven, M. MacKenzie, D. W. McComb and F. T. Docherty: Microelectron. Eng., 2005, 80, 90.
82. M. MacKenzie, A. J. Craven, D. A. Hamilton and D. W. McComb: Appl. Phys. Lett., 2006, 88, 022108.
83. K. Sekine, S. Inumiya, M. Sato, A. Kaneko, K. Eguchi and Y. Tsunashima: IEDM Tech. Digest, 2003, 102.
84. Y. H. Lin, C. H. Chien, C. T. Lin, C. W. Chen, C. Y. Chang and T. F. Lei: IEDM Tech. Digest, 2004, 1080.
85. M. A. Quevedo-Lopez, M. R. Visokay, J. J. Chambers, M. J. Bevan, A. LiFatou, L. Colombo, M. J. Kim, B. E. Gnade and R. M. Wallace: J. Appl. Phys., 2005, 97, 043508.
86. T. M. Pan, C. L. Chen, W. W. Yeh and W. J. Lai: Electrochem. Solid-State Lett., 2007, 10, H101.
87. M. Leskala and M. Ritala: J. Solid State Chem., 2003, 171, 170.
88. T. M. Pan, J. D. Lee and W. W. Yeh: J. Appl. Phys., 2007, 101, 024110.
89. S. Duenas, H. Castan, H. Garcia, A. Gomez, L. Bailon, K. Kukli, T. Hatanpaa, J. Lu, M. Ritala and M. Leskela: J. Electrochem. Soc., 2007, 154, G207.
90. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys., 2001, 89, 5243.
91. J. A. Gupta, D. Landheer, J. P. McCaffrey and G. I. Sproule: Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1718.
92. M. Copel, E. Cartier and F. M. Ross: Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1607.
93. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Cabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent and J. M. Rosamilia: Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 130.
94. J. A. Gupta, D. Landheer, J. P. McCaffrey and G. F. I. Sproule: Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1718.
95. M. D. Kannan, S. K. Narayandass, C. Balasubramanian and D. Mangalaraj: Phys. Stat. Sol. (a), 1991, 128, 427.
96. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker, R. J. Potter, K. Kukli, A. Rahtu, M. Ritala and M. Leskela: Mater. Sci. Eng. B, 2005, 118, 97.
97. J. Päiväsaari, J. Niinistö, P. Myllymäki, C. L. Dezelah, C. H. Winter, M. Putkonen, M. Nieminen and L. Niinistö: Top. Appl. Phys., 2006, 106, 15.
98. M. Leskelä, K. Kukli and M. Ritala: J. All. Compd., 2006, 418, 27
99. J. Kwo: J. Appl. Phys., 2001, 89, 3920.
100. B. W. Busch, J. Kwo, M. Hong, J. P. Mannaerts, B. J. Sapjeta, W. H. Schulte, E. Garfunkel and T. Gustafsson: Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 2447.
101. S. Stemmer, J. P. Maria and A. I. Kingon: Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 102.
102. H. J. Osten, J. P. Liu, P. Gaworzewski, E. Bugiel and P. Zaumseil: IEDM Tech. Digest., 2000, 653.
103. G. Adachi and N. Imanaka: Chem. Rev., 1998, 98, 1479.
104. L. R. Morss: Chem. Rev., 1976, 7, 827.
105. H. J. Osten, J. P. Liu and H. J. Mussig: Appl. Phys. Lett., 2002, 80, 297.
106. R. L. Nigro, G. Malandrino, R. G. Toro and I. L. Fragalá: Chem. Vap. Deposition, 2006, 12, 109.
107. T. Heeg, M. Wagner, J. Schubert, C. Buchal, M. Boese, M. Luysberg, E. Cicerrella and J. L. Freeouf: Microelectron. Eng., 2005, 80, 150.
108. C. Zhao, T. Witters, B. Brijs, H. Bender, O. Richard, M. Caymax, T. Heeg, J. Schubert, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans and D. G. Schlom: Appl. Phys. Lett., 2005, 86, 132903.
109. H. J. Osten, M. Czernohorsky, R. Dargis, A. Laha, D. KÜhne, E. Bugiel and A. Fissel: Microelectron. Eng., 2007, 84, 2222.
110. H. J. Osten, D. Kühne, A. Laha, M. Czernohorsky, E. Bugiel and A. Fissel: J. Vac. Sci. Technol. B, 2007, 25, 1039.
111. A. Laha, A. Fissel, E. Bugiel and H. J. Osten: Thin Solid Films, 2005, 515, 6512.
112. D. G. Schlom and J. H. Haeni: MRS Bull., 2002, 27, 198.
113. C. Marchiori, M. Sousa, A. Guiller, H. Siegwart, J. P. Locquet, J. Fompeyrine, G. J. Norga and J. W. Seo: Appl. Phys. Lett., 2006, 88, 72913.
114. G. J. Norga, C. Marchiori, C. Rossel, A. Guiller, J. P. Locquet, H. Siegwart, D. Caimi and J. Fompeyrine, J. W. Seo and C. Dieker: J. Appl. Phys., 2006, 99, 84102.
115. C. J. Forst, C. R. Ashman, K. Schwarz and P. E. Bloch: Nature, 2004, 427, 53.
116. S. A. Chambers, Y. Liang, Z. Yu, R. Droopad, J. Ramdani and K. Eisenbeiser: Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 1662.
117. R. Schwab, R. Sporl, P. Severloh, R. Heidinger and J. Halbritter: Inst. Phys. Conf. Ser., 1997, 158, 61.
118. S. G. Lim, S. Kriventsov, T. N. Jackson, J. H. Haeni, D. G. Schlom, A. M. Balbashov, R. Uecker, P. Reiche, J. L. Freeouf and G. Lucovsky: J. Appl. Phys., 2003, 91, 4500.
119. L. F. Edge, D. G. Schlom, S. A. Chambers, E. Cicerrella, J. L. Freeouf, B. Hollander and J. Chubert: Appl. Phys. Lett., 2004, 84, 726.
120. A. D. Li, Q. Y. Shao, H. Q. Ling, J. B. Cheng, D. Wu, Z. G. Liu and N. B. Ming: Appl. Phys. Lett., 2003, 17, 3540.
121. P. Ellissier, R. Baptist and G. Chauvet: Surf. Sci., 1989, 210, 99.
122. D. O. Klenov, D. G. Schlom, H. Li and S. Stemmer: Jpn. J. Appl. Phys., 2005, 44, L617.
123. M. V. Fischetti, D. A. Neumayer and E. A. Cartier: J. Appl. Phys., 2001, 90, 4587.
124. S. Datta, G. Dewey, M. Doczy, B. S. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, R. Kotlyar, M. Metz, N. Zelick and R. Chau: IEDM Tech. Digest, 2003, 653.
125. E. P. Gusev, D. A. Buchanan, E. Cartier, A. Kumar, D. DiMaria, S. Guha, A. Callegari, S. Zafar, P. C. Jamison, D. Neumayer, M. Copel, M. A. Gribelyuk, H. Okorn-Schmidt, C. D. Emic, P. Kozlowski, K. Chan, N. Bojarczuk, L. Ragnarsson, P. Ronshein, K. Rim, R. J. Fleming, A. Mocuta and A. Ajmera: IEDM Tech. Digest, 2001, 451.
126. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, J. Kavalieros and M. Metz: IEEE Elect. Dev. Lett., 2004, 25, 408.
127. S. P. Murarka: J. Vac. Sci. Technol., 1980, 17, 775.
128. S. P. Murarka, D. B. Fraser, A. Sinha and H. J. Levinstein: IEEE Trans. Electron Devices, 1980, 27, 1409.
129. S. Inoue, N. Toyokura, T. Nakamura and H. Ishikawa: J. Electrochem. Soc., 1981, 128, 2402.
130. B. Tavel, T. Skotnicki, G. Pares, N. Carriere, M. Rivoire, F. Leverd, C. Julien, J. Torres and R. Pantel: IEDM Tech. Digest, 2001, 825.
131. Z. Krivokapic, W. P. Maszara, K. Achutan, P. King, J. Gray, M. Sidorow, E. Zhao, J. Zhang, J. Chan, A. Marathe and M. R. Lin: IEDM Tech. Digest, 2002, 271.
132. J. Kedzierski, D. Boyd, P. Ronsheim, S. Zafar, J. Newbury, J. O. C. Cabral, M. Ieong and W. Haensch: IEDM Tech. Digest, 2003, 315.
133. K. Takahashi, K. Manabe, T. Ikarashi, N. Ikarashi, T. Hase, T. Yoshihara, H. Watanabe, T. Tatsumi and Y. Mochizuki: IEDM Tech. Digest, 2004, 91.
134. C. Y. Kang, P. Lysaght, R. Choi, B. H. Lee, S. J. Rhee, C. H. Choi, M. S. Akbar and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett., 2005, 86, 222906.
135. J. K. Schaeffer, L. R. C. Fonseca, S. B. Samavedam, Y. Liang, P. J. Tobin and B. E. White: Appl. Phys. Lett., 2004, 85, 1826.
136. J. K. Schaeffer, S. B. Samavedam, D. C. Gilmer, V. Dhandapani, P. J. Tobin, J. Mogab, B. Y. Nguyen, B. E. White, S. D. Murthy, R. S. Rai, Z. X. Jiang, R. Martin, M. V. Raymond, M. Zavala, L. B. La, J. A. Smith, R. Garcia, D. Roan, M. Kottke and R. B. Gregory: J. Vac. Sci. Technol. B, 2003, 21, 11.
137. P. S. Lysaght, J. J. Peterson, B. Foran, C. D. Young, G. Bersuker and H. R. Huff: Mater. Sci. Semicond. Process., 2004, 7, 259.
138. M. P. Agustin, L. R. C. Fonseca, J. C. Hooker and S. Stemmer: Appl. Phys. Lett., 2005, 87, 121909.
139. M. P. Agustin, H. Alshareef, M. A. Q. Lopez and S. Stemmer: Appl. Phys. Lett., 2006, 89, 041906.
140. J. H. Harris, R. A. Youngman and R. G. Teller: J. Mater. Res., 1990, 5, 1763.
141. R. A. Youngman and J. H. Harris: J. Am. Ceram. Soc., 1990, 73, 3238.
142. S. Stemmer: J. Vac. Sci. Technol. B, 2004, 22, 791.
143. C. M. Perkins, B. B. Triplett, P. C. McIntyre, K. C. Saraswat and E. Shero: Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 1417.
144. H. N. Alshareef, H. F. Luan, K. Choi, H. R. Harris, H. C. Wen, M. A. Quevedo-Lopez, P. Majhi and B. H. Lee: Appl. Phys. Lett., 2006, 88, 112114.
145. F. T. Docherty, M. MacKenzie, D. Pennicardl, A. J. Craven and D. W. McComb: J. Phys.: Conference Ser., 2006, 26, 231.