Properties of high κ gate dielectrics Gd2O3 and Y2O3 for Si

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 7, 2001, Pages 3920-3927

  Kwo, J ^a   Hong, M ^a   Kortan, A R ^a   Queeney, K L ^a   Chabal, Y J ^a   Opila, R L ^a   Muller, D A ^a   Chu, S N G ^a   Sapjeta, B J ^a   Lay, T S ^a   Mannaerts, J P ^a   Boone, T ^a   Krautter, H W ^a   Krajewski, J J ^a   Sergnt, A M ^a   Rosamilia, J M ^a  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035309756     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1352688     Document Type: Article

References (26)

1. D. A. Muller, T. Sorsch, S. Moccio, F. H. Baumann, and G. Timp, Nature (London) 399, 758 (1999).
2. J. B. Neaton, D. A. Muller, and N. W. Ashcroft, Phys. Rev. Lett. 85, 1298 (2000).
3. L. Manchanda, W. H. Lee, J. E. Bower, F. H. Baumann, W. L. Brown, C. J. Case, R. C. Keller, Y. O. Kim, E. J. Laskowski, M. D. Morris, R. L. Opila, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, and G. R. Weber, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1998, 605 (1998).
4. I. C. Kizilyalli, P. K. Roy, F. H. Baumann, R. Y. Huang, D. K. Hwang, C. Chacon, R. Irwin, Y. Ma, and G. Alers, Tech. Dig. VLSI Symp. 1998, 216 (1998).
5. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, H. S. Kim, M. A. Gribelyuk, G. D. Wilk, and W. L. Gladfelter, Electron Dev. 44, 104 (1997).
6. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 74, 2854 (1999).
7. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 76, 112 (2000).
8. W. J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, K. Onishi, T. Ngai, S. Banerjee, and J. C. Lee, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1999, 145 (1999).
9. R. A. Mckee, F. J. Walker, and M. F. Chrisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
10. D. Park, Q. Lu, T. King, C. Hu, A. Kainitsky, S. Tay, and C. Cheng, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1998, 381 (1998).
11. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
12. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).
13. M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2297 (1996).
14. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science 283, 1897 (1999).
15. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Chabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilia, Appl. Phys. Lett. 77, 130 (2000).
16. M. Gurvitch, L. Manchanda, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 55, 360 (1989).
17. A. R. Kortan, A. Erbil, R. J. Birgeneau, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. Lett. 47, 1206 (1981).
18. D. A. Muller and F. H. Baumann, JEOL News, Electron Opt. Instrum. 35E, 6 (2000).
19. B. B. Stefanov, A. G. Gurevich, M. K. Weldon, K. Raghavachari, and Y. J. Chabal, Phys. Rev. Lett. 81, 3908 (1998).
20. K. Harada, H. Nakanishi, H. Itozaki, and S. Yazu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 934 (1991).
21. S. C. Choi, M. H. Cho, S. W. Whangbo, C. N. Whang, S. B. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 903 (1997).
22. J. Sapjeta, M. L. Green, J. P. Chang, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, B. E. Weir, W. Gladden, Y. Ma, C. Y. Sung, and W. N. Lennard, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 557, 289 (1999).
23. G. B. Alers, D. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. Urdahl, Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998).
24. S. J. Pennycook, Ultramicroscopy 30, 58 (1989).
25. R. M. Fleming, D. V. Lang, C. D. W. Jones, M. L. Steigerwald, D. W. Murphy, G. B. Alers, Y.-H. Wong, R. B. van Dover, J. R. Kwo, and A. M. Sergent, J. Appl. Phys. 88, 850 (2000).
26. G. Timp, F. H. Baumann, T. Boone, R. Cirelli, J. Garno, A. Ghetti, H. Gossmann, M. Green, D. Jacobson, R. Kleiman, F. Klemens, A. Komblit, C. Lochstampfor, W. Mansfield, S. Mossio, D. A. Muller, L. E. Ocola, M. O'Malley, J. Rosamilia, J. Sapjeta, P. Silverman, T. Sorsch, D. M. Tennant, W. Timp, and B. E. Weir, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1998, 615 (1998).