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Volumn 89, Issue 7, 2001, Pages 3920-3927

Properties of high κ gate dielectrics Gd2O3 and Y2O3 for Si

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EID: 0035309756     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1352688     Document Type: Article
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References (26)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.