High ε gate dielectrics Gd2O3 and Y2O3 for silicon

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 1, 2000, Pages 130-132

  Kwo, J ^a   Hong, M ^a   Kortan, A R ^a   Queeney, K T ^a   Chabal, Y J ^a   Mannaerts, J P ^a   Boone, T ^a   Krajewski, J J ^a   Sergent, A M ^a   Rosamilia, J M ^a  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001705774     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126899     Document Type: Article

References (22)

1. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
2. L. Manchanda, W. H. Lee, J. E. Bower, F. H. Baumann, W. L. Brown, C. J. Case, R. C. Keller, Y. O. Kim, E. J. Laskowski, M. D. Morris, R. L. Opila, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, and G. R. Weber, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 605 (1998).
3. I. C. Kizilyalli, P. K. Roy, F. H. Baumann, R. Y. Huang, D. K. Hwang, C. Chacon, R. Irwin, Y. Ma, and G. Alers, Technical Digest of the VLSI Symposium, 1998, p. 216.
4. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X. C. Wang, M. T. Hsieh, H. S. Kim, W. L. Gladfelter, and J. Yan, IEEE Trans. Electron Devices 44, 104 (1977).
5. D. Park, Q. Lu, T. King, C. Hu, A. Kainitsky, S. Tay, and C. Cheng, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 381 (1998).
6. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 74, 2854 (1999).
7. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 76, 112 (2000).
8. W. J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, K. Onishi, T. Ngai, S. Banerjee, and J. C. Lee, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 145 (1999).
9. M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2297 (1996).
10. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science 283, 1897 (1999).
11. M. Gurvitch, L. Manchanda, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 55, 360 (1989).
12. R. A. Mckee, F. J. Walker, and M. F. Chrisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
13. A. R. Kortan, A. Erbil, R. J. Birgeneau, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. Lett. 47, 1206 (1981).
14. K. Harada, H. Nakanishi, H. Itozaki, and S. Yazu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 934 (1991).
15. S. C. Choi, M. H. Cho, S. W. Whangbo, C. N. Whang, S. B. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 903 (1997).
16. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. L. Queeney, Y. J. Chabal, R. L. Opila, Jr., J. P. Mannaerts, J. Sapjeta, S. N. G. Chu, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilia (unpublished).
17. H. Tabata, H. Tanaka, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 65, 1970 (1994).
18. G. Timp, F. H. Baumann, T. Boone, R. Cirelli, J. Garno, A. Ghetti, H. Gossmann, M. Green, D. Jacobson, R. Kleiman, F. Klemens, A. Komblit, C. Lochstampfor, W. Mansfield, S. Mossio, D. A. Muller, L. E. Ocola, M. O'Malley, J. Rosamilia, J. Sapjeta, P. Silverman, T. Sorsch, D. M. Tennant, W. Timp, and B. E. Weir, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 615 (1998).
19. L. M. Terman, Solid-State Electron. 5, 285 (1962).
20. B. B. Stefanov, A. G. Gurevich, M. K. Weldon, K. Raghavachari, and Y. J. Chabal. Phys. Rev. Lett. 81, 3908 (1998).
21. K. L. Queeney, Y. J. Chabal, J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, and J. P. Mannaert (unpublished).
22. G. B. Alers, D. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. Urdahl. Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998).