Stable zirconium silicate gate dielectrics deposited directly on silicon

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 1, 2000, Pages 112-114

  Wilk, G D ^a,c   Wallace, R M ^b,c  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^b Center for Advanced Research and Technology   (United States)

^c TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001624638     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125673     Document Type: Article

References (21)

1. J. H. Stathis and D. J. DiMaria, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. (1998), p. 167.
2. A. Chatterjee, R. Chapman, K. Joyner, M. Otobe, S. Hattangady, M. Bevan, G. Brown, H. Yang, Q. He, D. Rogers, S. Fang, R. Kraft, A. Rotondaro, M. Terry, K. Brennan, S. Aur, J. C. Hu, G. D. Wilk, M. Aoki, M. Rodder, and I.-C. Chen, Tech Dig. Int. Electron Devices Meet. (1998), p. 777.
3. I. C. Kizilyalli, R. Y. S. Huang, and P. K. Roy, IEEE Electron Device Lett. 19, 423 (1998).
4. D. Park, Y.-C. King, Q. Lu, T.-J. King, C. Hu, A. Kalnitsky, S.-P. Tay, and C.-C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 19, 441 (1998).
5. B. He, T. Ma, S. A. Campbell, and W. L. Gladfelter, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. (1998), p. 1038.
6. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
7. L. Manchanda, W. H. Lee, J. E. Bower, F. H. Baumann, W. L. Brown, C. J. Case, R. C. Keller, Y. O. Kim, E. J. Laskowski, M. D. Morris, R. L. Opila, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, and G. R. Weber, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. (1998), p. 605.
8. A. Chin, C. C. Liao, C. H. Liu, W. J. Chen, and C. Tsai, VLSI Symp. Tech. Dig. (1999), p. 135.
9. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. S. Urdahl, Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998).
10. C. J. Taylor, D. C. Gilmer, D. G. Colombo, G. D. Wilk, S. A. Campbell, J. Roberts, and W. L. Gladfelter, J. Am. Chem. Soc. 121, 5220 (1999).
11. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 74, 2854 (1999).
12. R. Beyers, J. Appl. Phys. 56, 147 (1984).
13. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
14. G. D. Wilk, Proc. SPIE 3212, 42 (1997).
15. S. Q. Wang and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 64, 4711 (1998).
16. A. Kumar, D. Rajdev, and D. L. Douglass, J. Am. Chem. Soc. 55, 439 (1972).
17. W. B. Blumenthal, The Chemical Behavior of Zirconium (Van Nostrand, Princeton, 1958), pp. 201-219.
18. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
19. ox=10 Å.
20. H. B. Michaelson, J. Appl. Phys. 48, 4729 (1977).
21. B. Brar, G. D. Wilk, and A. C. Seabaugh, Appl. Phys. Lett. 69, 2728 (1996).