Electrical properties of atomic-layer-deposited thin gadolinium oxide high- k gate dielectrics

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 10, 2007, Pages

  Duenas S ^a   Castan H ^a   Garcia H ^a   Gomez A ^a   Bailon L ^a   Kukli, K ^b,c   Hatanpaa T ^c   Lu, J ^d   Ritala, M ^c,e   Leskela M ^c  

^a UNIVERSITY OF VALLADOLID   (Spain)

^b UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

^c UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^d UPPSALA UNIVERSITY   (Sweden)

^e ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; ATOMIC LAYER DEPOSITION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC PROPERTIES; FILM GROWTH; GADOLINIUM COMPOUNDS; GATE DIELECTRICS; LEAKAGE CURRENTS;

INTERFACE TRAP DENSITIES; PRECURSORS;

THIN FILMS;

EID: 34548267262     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2761845     Document Type: Article

References (42)

1. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res., 11, 2757 (1996).
2. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1785 (2000).
3. M. Leskelä and M. Ritala, J. Solid State Chem., 171, 170 (2003).
4. M. Leskelä, K. Kukli, and M. Ritala, J. Alloys Compd., 418, 27 (2006).
5. M. Hong, A. R. Kortan, J. Kwo, J. P. Mannaerts, J. J. Krajewski, Z. H. Lu, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1688 (2000).
6. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Chabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilia, Appl. Phys. Lett., 77, 130 (2000).
7. M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2297 (1996).
8. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science, 283, 1897 (1999).
9. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. L. Queeny, Y. J. Chapal, R. L. Opila, Jr., D. A. Muller, S. N. G. Chu, B. J. Sapjeta, T. S. Lay, J. Appl. Phys., 89, 3920 (2001).
10. M. P. Singh, C. S. Thakur, K. Shalini, S. Banerjee, N. Bhat, and S. A. Shivashankar, J. Appl. Phys., 96, 5631 (2004).
11. T. M. Pang, C. S. Liao, H. H. Hsu, C. L. Chen, and J. C. Wang, Appl. Phys. Lett., 87, 262908 (2005).
12. S. A. Park, Y. S. Roh, Y. K. Kim, J. H. Baeck, M. Noh, K. Jeong, M. H. Cho, C. H. Chang, M. K. Joo, T. G. Kim, J. Appl. Phys., 98, 024906 (2005).
13. L. Z. Hsieh, H. H. Ko, P. Y. Kuei, L. B. Chang, and M. J. Jeng, J. Appl. Phys., 98, 076110 (2005).
14. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker, R. J. Potter, K. Kukli, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Mater. Chem., 14, 3101 (2004).
15. H. Iwai, S. Ohmi, S. Akama, C. Ohsima, I. Kashiwagi, A. Kikuchi, J. Taguchi, H. Yamamoto, I. Ueda, A. Kuriyama, in Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics I, S. Kar, D. Misra, R. Singh, and, F. Gonzalez, Editors, PV 2002-28, p. 27, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (2002).
16. J. Päiväsaari, M. Putkonen, and L. Niinistö, Thin Solid Films, 472, 275 (2005).
17. T. Suntola, Thin Solid Films, 216, 84 (1992).
18. D. V. Lang, J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974).
19. M. Schulz and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett., 31, 622 (1977).
20. L. He, H. Hasegawa, T. Sawada, and H. Ohno, J. Appl. Phys., 63, 2120 (1998).
21. T. Hashizume, H. Hasegawa, R. Riemenschneider, and H. L. Hartnagel, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 33, 727 (1994).
22. S. Dueas, R. Peláez, H. Castán, R. Pinacho, L. Quintanilla, J. Barbolla, I. Mártil, and G. González-Díaz, Appl. Phys. Lett., 71, 826 (1997).
23. H. Castán, S. Dueas, J. Barbolla, E. Redondo, N. Blanco, I. Mártil, and G. González-Díaz, Microelectron. Reliab., 40, 845 (2000).
24. S. Dueas, H. Castán, H. García, L. Bailón, K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, Microelectron. Reliab., 47, 653 (2007).
25. B. O. Cho, J. Wang, L. Sha, and J. P. Chang, Appl. Phys. Lett., 80, 1052 (2002).
26. N. Novkovski and E. Atanassova, Appl. Phys. A, 83, 435 (2006).
27. W. Yang, J. Marino, A. Monson, and C. A. Wolden, Semicond. Sci. Technol., 21, 1573 (2006).
28. N. Novkoski, Semicond. Sci. Technol., 21, 945 (2006).
29. C. Zhao, T. Witters, B. Brijs, H. Bender, O. Richard, M. Caymax, T. Heeg, J. Schubert, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, Appl. Phys. Lett., 86, 132903 (2005).
30. N. A. Hegab and H. E. Atya, J. Ovonic Research., 2, 21 (2006).
31. Y. Kim, S. Ohmi, K. Tsutsui, and H. Iwai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 6A and 4032 (2005).
32. S. Kar and R. Singh, in Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics I, S. Kar, D. Misra, R. Singh, and, F. Gonzalez, Editors, PV 2002-28, p. 13, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (2002).
33. G. A. Niklasson and K. Brantervik, J. Appl. Phys., 59, 980 (1986).
34. M. Wagner, T. Heeg, J. Schubert, St. Lenk, S. Mantl, C. Zhao, M. Caymax, and S. De Gendt, Appl. Phys. Lett., 88, 172901 (2006).
35. W. J. Zhu, M. Khare, J. Snare, P. R. Varekamp, S. H. Ku, P. Agnello, T. C. Chen, and T. P. Ma, Proceedings of the International Symposium on VLSI Technology Systems Applications, Hsinchu, Taiwan, p. 212 (2001).
36. A. Laha, E. Bugiel, H. J. Osten, and A. Fissel, Appl. Phys. Lett., 88, 172107 (2006).
37. R. L. Nigro, V. Raineri, C. Bondiorno, R. Toro, G. Malandrino, and I. L. Fragala, Appl. Phys. Lett., 83, 129 (2003).
38. M. Czernohorsky, E. Bugiel, H. J. Osten, A. Fissel, and O. Kirfel, Appl. Phys. Lett., 88, 152905 (2006).
39. A. Laha, H. J. Osten, and A. Fissel, Appl. Phys. Lett., 89, 143514 (2006).
40. S. Dueas, H. Castán, H. García, J. Barbolla, K. Kukli, J. Aarik, and A. Aidla, Semicond. Sci. Technol., 19, 1141 (2004).
41. S. Dueas, H. Castán, H. García, A. de Castro, L. Bailón, K. Kukli, A. Aidla, J. Aarik, H. Mändar, T. Uustare, J. Appl. Phys., 99, 054902 (2006).
42. S. Dueas, H. Castán, H. García, L. Bailón, K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, M. Rooth, O. Wilhelmsson, and A. Harsta, J. Appl. Phys., 100, 094107 (2006).