Electrical properties of hafnium silicate gate dielectrics deposited directly on silicon

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 19, 1999, Pages 2854-2856

  Wilk, G D ^a   Wallace, R M ^a  

^a TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000551766     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124036     Document Type: Article

References (22)

1. J. H. Stathis and D. J. DiMaria, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 167 (1998).
2. A. Chatterjee, R. Chapman, K. Joyner, M. Otobe, S. Hattangady, M. Bevan, G. A. Brown, H. Yang, Q. He, D. Rogers, S. J. Fang, R. Kraft, A. L. P. Rotondaro, M. Terry, K. Brennan, S.-W. Aur, J. C. Hu, H.-L. Tsai, P. Jones, G. D. Wilk, M. Aoki, M. Rodder, and I.-C. Chen, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 777 (1998).
3. I. C. Kizilyalli, R. Y. S. Huang, and P. K. Roy, IEEE Electron Device Lett. 19, 423 (1998).
4. D. Park, Y.-C. King, Q. Lu, T.-J. King, C. Hu, A. Kalnitsky, S.-P. Tay, and C. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 19, 441 (1998).
5. H. F. Luan, B. Z. Wu, L. G. Kang, B. Y. Kim, R. Vrtis, D. Roberts, and D. L. Kwong, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 609 (1998).
6. B. He, T. Ma, S. A. Campbell, and W. L. Gladfelter, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 1038 (1998).
7. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
8. L. Manchanda, W. H. Lee, J. E. Bower, F. H. Baumann, W. L. Brown, C. J. Case, R. C. Keller, Y. O. Kim, E. J. Laskowski, M. D. Morris, R. L. Opila, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, and G. R. Weber, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 605 (1998).
9. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. S. Urdahl, Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998).
10. S. Murtaza, J. Hu, S. Unnikrishnan, M. Rodder, and I-C. Chen, Proc. SPIE 3506, 49 (1998).
11. R. Beyers, J. Appl. Phys. 56, 147 (1984).
12. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
13. G. D. Wilk, Proc. SPIE 3212, 42 (1997).
14. D. C. Gilmer, D. G. Colombo, C. J. Taylor, J. Roberts, G. Haustad, S. A. Campbell, H. S. Kim, G. D. Wilk, M. A. Gribelyuk, and W. L. Gladfelter, Chem. Vap. Deposition 4, 9 (1998).
15. S. Q. Wang and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 64, 4711 (1988).
16. I. Barin and O. Knacke, Thermochemical Properties of Inorganic Substances (Springer, Berlin, 1973).
17. L. B. Pankratz, Thermodynamic Properties of Elements and Oxides (U.S. Dept. of Interior, Bureau of Mines Bulletin 672, U.S. Govt. Printing Office, Washington, DC, 1982).
18. S. P. Murarka, Suicides for VLSI Applications (Academic, New York, 1983).
19. W. B. Blumenthal, The Chemical Behavior of Zirconium (Van Nostrand, Princeton, 1958), pp. 201-219.
20. G. D. Wilk and R. M. Wallace (unpublished).
21. ox = 10 Å.
22. B. Brar, G. D. Wilk, and A. C. Seabaugh, Appl. Phys. Lett. 69, 2728 (1996).