Indium nitride (InN): A review on growth, characterization, and properties

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 5, 2003, Pages 2779-2808

  Bhuiyan, Ashraful Ghani ^a   Hashimoto, Akihiro ^a   Yamamoto, Akio ^a  

^a UNIVERSITY OF FUKUI   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; HETEROJUNCTIONS; HOLE MOBILITY; LIGHT EMITTING DIODES; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING FILMS; TRANSISTORS;

ELECTRONIC DEVICES;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0141608080     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1595135     Document Type: Review

References (206)

1. See, for example, the recent reviews and also the references in S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000); S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, ibid. 86, 1 (1999).
2. See, for example, the recent reviews and also the references in S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000); S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, ibid. 86, 1 (1999).
3. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
4. S. N. Mohammad and H. Morkoc, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996).
5. For a recent review, see, O. Ambacher, J. Phys. D 31, 2653 (1998).
6. I. Akasaki, H. Amano, N. Koide, M. Kotaki, and K. Manabe, Physica B 185, 428 (1993).
7. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L8 (1993).
8. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
9. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
10. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 826 (1998).
11. E. Bellotti, B. K. Doshi, K. F. Brennan, J. D. Albrecht, and P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 85, 916 (1999).
12. B. E. Foutz, S. K. O'Leary, M. S. Shur, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 7727 (1999).
13. T. L. Tansley and C. P. Foley, J. Appl. Phys. 59, 3241 (1986).
14. A. Yamamoto, M. Tsujino, M. Ohkubo, and A. Hashimoto, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 35, 53 (1994).
15. Z. G. Qian, W. Z. Shen, H. Ogawa, and Q. X. Guo, J. Appl. Phys. 92, 3683 (2002).
16. V. Y. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
17. V. Y. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 230, R4 (2002).
18. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
19. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
20. M. Hori, K. Kano, T. Yamaguchi, Y. Saito, T. Araki, Y. Nanishi, N. Teraguchi, and A. Suzuki, Phys. Status Solidi B 234, 750 (2002).
21. V. Y. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 234, 787 (2002).
22. Y. Saito, H. Harima, E. Kurimoto, T. Yamaguchi, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi, Phys. Status Solidi B 234, 796 (2002).
23. T. Miyajima et al., Phys. Status Solidi B 234, 801 (2002).
24. R. Juza and H. Hahn, Z. Anorg. Allg. Chem. 239, 282 (1938).
25. R. Juza and A. Rabenau, Z. Anorg. Allg. Chem. 285, 212 (1956).
26. T. Renner, Z. Anorg. Allg. Chem. 298, 28 (1958).
27. J. Pastrnak and L. Souckova, Phys. Status Solidi 3, K71 (1963).
28. G. V. Samsonov, Nitridy Kiev, 1969.
29. N. A. Gorjunova, Slosnye Almazopodobnye Poluprovodniki, Moscow, 1964.
30. J. B. McChesney, P. M. Bridenbaugh, and P. B. O'Connor, Mater. Res. Bull. 5, 783 (1970).
31. H. J. Hovel and J. J. Cuomo, Appl. Phys. Lett. 20, 71 (1972).
32. J. W. Trainor and K. Rose, J. Electron. Mater. 3, 821 (1974).
33. A. F. Andreeyva and O. J. Eliseejva, Z. Neorg. Chim. 13, 185 (1974).
34. K. Osamura, K. Nakajima, Y. Murakami, H. P. Shingu, and A. Ohtsuki, Solid State Commun. 11, 617 (1972).
35. K. Osamura, S. Naka, and Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975).
36. N. Puychevrier and M. Menoret, Thin Solid Films 36, 141 (1976).
37. L. A. Marasina, I. G. Pichugin, and M. Tlaczala, Krist. Tech. 12, 541 (1977).
38. B. R. Natarajan, A. H. Eltoukhy, J. E. Greene, and T. L. Barr, Thin Solid Films 69, 201 (1980).
39. T. L. Tansley and C. P. Foley, Electron. Lett. 20, 1066 (1984).
40. C. P. Foley and T. L. Tansley, Appl. Surf. Sci. 22/23, 663 (1985).
41. T. L. Tansley and C. P. Foley, in Proceedings of the 3rd International Conference on Semi-Insulating III-V Materials, Warm Springs, Oregon, 1984, p. 497.
42. C. P. Foley and T. L. Tansley, Phys. Rev. B 33, 1430 (1986).
43. T. L. Tansley and C. P. Foley, J. Appl. Phys. 60, 2092 (1986).
44. C. P. Foley and J. Lyngdal, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1708 (1987).
45. K. L. Westra, R. P. W. Lawson, and M. J. Brett, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 1730 (1988).
46. B. T. Sullivan, R. R. Parsons, K. L. Westra, and M. J. Brett, J. Appl. Phys. 64, 4144 (1988).
47. K. Kubota, Y. Kobayashi, and K. Fujimoto, J. Appl. Phys. 66, 2984 (1989).
48. Y. Sato and S. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L1641 (1989).
49. T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki, and A. Katsui, Proceedings of the Sixteenth International Symposium on GaAs and Related Compounds, Karuizawa, Japan, September 25-29, 1989 (Institute of Physics, Bristol, 1990), p. 141.
50. A. Wakahara and A. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 54, 709 (1989).
51. A. Wakahara, T. Tsuchiya, and A. Yoshida, J. Cryst. Growth 99, 385 (1990).
52. A. Yamamoto, T. Tanaka, K. Koide, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi A 194, 510 (2002).
53. H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Auger III, E. E. Haller, and O. Ambacher, Abstract of the 44th Electronic Material Conference, Santa Barbara, CA, June 26-28, 2002; J. Electron. Mater. (to be published); W. J. Schaff (private communication, Cornell University, Ithaca, N.Y.).
54. H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Auger III, E. E. Haller, and O. Ambacher, Abstract of the 44th Electronic Material Conference, Santa Barbara, CA, June 26-28, 2002; J. Electron. Mater. (to be published); W. J. Schaff (private communication, Cornell University, Ithaca, N.Y.).
55. H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Auger III, E. E. Haller, and O. Ambacher, Abstract of the 44th Electronic Material Conference, Santa Barbara, CA, June 26-28, 2002; J. Electron. Mater. (to be published); W. J. Schaff (private communication, Cornell University, Ithaca, N.Y.).
56. T. Yodo, H. Ando, D. Nosei, and Y. Harada, Phys. Status Solidi B 228, 21 (2001).
57. T. Yodo, H. Yona, H. Ando, D. Nosei, and Y. Harada, Appl. Phys. Lett. 80, 968 (2002).
58. S. Keller, I. Ben-yaacov, S. P. Denvers, and U. K. Mishra, Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN' 2000), Nagoya, Japan, September 24-27, 2000, IPAP conference series 1, p. 233.
59. W. J. Schaff, H. Lu, J. Hwang, and H. Wu, Proceedings of the Seventeenth Biennial IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Performance Devices, August 7-9, 2000, p. 225.
60. H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and C. Wood, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 693, 9 (2002).
61. O. Ambacher, M. S. Brandt, R. Dimitrov, T. Metzger, M. Stutzmann, R. A. Fischer, A. Miehr, A. Bergmajer, and G. Dollinger, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3532 (1996).
62. A. Koukitu, N. Takahashi, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1136 (1997).
63. T. Matsuoka, in GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997), pp. 53-59.
64. A. Koukitu, T. Taki, N. Takahashi, and H. Seki, J. Cryst. Growth 197, 99 (1999).
65. A. Koukitu, Y. Kumagai, N. Kubota, and H. Seki, Phys. Status Solidi B 216, 707 (1999).
66. A. Yamamoto, Y. Murakami, K. Koide, M. Adachi, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi B 228, 5 (2001).
67. W. K. Chen, Y. C. Pan, H. C. Lin, J. Ou, W. H. Chen, and M. C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1625 (1997).
68. M. Adachi, Y. Murakami, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN' 2000), Nagoya, Japan, September 24-27, 2000, IPAP conference series 1, p. 339.
69. A. Yamamoto, T. Shin-ya, T. Sugiura, and A. Hashimoto, J. Cryst. Growth 189/190, 461 (1998).
70. A. Yamamoto, T. Tanaka, K. Koide, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi A 194, 510 (2002).
71. S. Nakamura, Y. Harada, and M. Seno, Appl. Phys. Lett. 58, 2021 (1991).
72. K. Nishida, S. Haneda, K. Hara, H. Munekata, and H. Kukimoto, J. Cryst. Growth 170, 312 (1997).
73. C.-C. Yang, G.-C. Chi, C.-K. Huang, and M.-C. Wu, J. Cryst. Growth 200, 32 (1999).
74. A. Yamamoto, M. Adachi, and A. Hashimoto, J. Cryst. Growth 230, 351 (2001).
75. F.-H. Yang, J.-S. Hwang, Y.-J. Yang, K.-H. Chen, and J.-H. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1321 (2002).
76. Q. Fareed, J. Yang, J. Zhang, V. Adivarahan, and M. A. Khan, Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN' 2000), Nagoya, Japan, September 24-27, 2000, IPAP conference series 1, p.237.
77. Q. Guo, O. Kato, and A. Yoshida, J. Appl. Phys. 73, 7969 (1993).
78. Q. Guo and A. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 90 (1994).
79. Q. Guo and A. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2453 (1994).
80. Q. Guo, T. Yamamura, A. Yoshida, and N. Itoh, J. Appl. Phys. 75, 4927 (1994).
81. Q. Guo, H. Ogawa, H. Yamano, and A. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 66, 715 (1995).
82. H.-J. Kwon, Y.-H. Lee, O. Miki, H. Yamano, and A. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 69, 937 (1996).
83. M. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L595 (1997).
84. M. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L658 (1997).
85. Q. X. Guo, M. Nishio, H. Ogawa, A. Wakahara, and A. Yoshida, Phys. Rev. B 58, 15304 (1998).
86. T. Tsuchiya, H. Yamano, O. Miki, A. Wakahara, and A. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 1884 (1999).
87. T. Tsuchiya, O. Miki, K. Shimada, M. Ohnishi, A. Wakahara, and A. Yoshida, J. Cryst. Growth 220, 185 (2000).
88. T. Tsuchiya, M. Ohnishi, A. Wakahara, and A. Yoshida, J. Cryst. Growth 220, 191 (2000).
89. X. Li, B. Zhou, K. S. A. Butcher, E. Florido, N. Syakir, and T. L. Tansley, Proceedings of the Australian Compound Optoelectronic Materials Devices Conference, Sydney, Australia, December 12-14, 1994, p. 43.
90. A. G. Bhuiyan, T. Tanaka, A. Yamamoto, and A. Hashimoto, Phys. Status Solid) A 194, 502 (2002).
91. A. G. Bhuiyan, T. Tanaka, K. Kasashima, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5), Nara, Japan. May 25-30, 2003 (accepted).
92. R. F. Davis, M. J. Paisley, Z. Sitar, D. J. Kester, K. S. Alley, K. Linthicum, L. B. Rowland, S. Tanaka, and R. S. Kern, J. Cryst. Growth 178, 87 (1997).
93. C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, and S. M. Donovan, J. Cryst. Growth 178, 74 (1997).
94. W. C. Hughes, W. H. Rowland, Jr., M. A. L. Johnson, S. Fujita, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J. Ren, and J. A. Edmond, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1571 (1995).
95. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
96. A. Botchkarev, A. Salvador, B. Sverdlov, J. Myoung, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 77, 4455 (1995).
97. R. J. Molnar and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 4587 (1994).
98. K. Iwata, H. Asahi, S. J. Yu, K. Asami, H. Fujita, M. Fushida, and S. Gonda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L289 (1996).
99. W. E. Hoke, P. J. Lemonias, and D. G. Weir, J. Cryst. Growth 111, 1024 (1991).
100. N. E. Lee, R. C. Powell, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2293 (1995).
101. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995).
102. N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 69, 2071 (1996).
103. W. Kim, A. Salvador, A. E. Botchkarev, O. Aktas, S. N. Mohammad, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 559 (1996).
104. M. Kamp, M. Mayer, A: Pelzmann, and K. J. Ebeling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 161 (1997).
105. H. Okumura, S. Yoshida, and E. Sakuma, J. Cryst. Growth 120, 114 (1991).
106. A. Koukitu and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L750 (1997).
107. A. Koukitu, N. Takahashi, T. Taki, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 235, L673 (1996).
108. Y. F. Ng, Y. G. Cao, M. H. Xie, X. L. Wang, and S. Y. Tong, Appl. Phys. Lett. 81, 3960 (2002).
109. C. Nörenberg, M. G. Martin, R. A. Oliver, M. R. Castell, and G. A. D. Briggs, J. Phys. D 35, 615 (2002).
110. C. Nörenberg, R. A. Oliver, M. G. Martin, L. Allers, M. R. Castell, and G. A. D. Briggs, Phys. Status Solidi A 194, 536 (2002).
111. H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, W. Yeo, A. Pharkya, and L. Eastman, Appl. Phys. Lett. 77, 2548 (2000).
112. Y. Saito, H. Harima, E. Kurimoto, T. Yamaguchi, N. Teraguehi, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi, Phys. Status Solidi B 234, 796 (2002).
113. T. Yamaguchi, Y. Saito, K. Kano, T. Araki, N. Teraguchi, A. Suzuki, and Y. Nanishi, Phys. Status Solidi B 228, 17 (2001).
114. Y. Saito, Y. Tanabe, T. Yamaguchi, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi, Phys. Status Solidi B 228, 13 (2001).
115. K. Xu, W. Terashima, T. Hata, N. Hashimoto, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Phys. Status Solidi C 0, 377 (2002).
116. C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, and P. W. Wisk, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 179 (1993).
117. J. Aderhold, V. Yu. Davydov, F. Fedler, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, O. Semchinova, J. Stemmer, and J. Graul. J. Cryst. Growth 222, 701 (2001).
118. W. A. Bryden, J. S. Morgan, T. J. Kistenmacher, D. Dayan, R. Fainchtein, and T. O. Poehler, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 567 (1990).
119. T. J. Kistenmacher, D. Dayan, R. Fainchtein, W. A. Bryden, J. S. Morgan, and T. O. Poehler, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 573 (1990).
120. J. S. Morgan, T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden, and T. O. Poehler, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 579 (1990).
121. T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden, J. S. Morgan, and T. O. Poehler, J. Appl. Phys. 68, 1541 (1990).
122. T. J. Kistenmacher and W. A. Bryden, Appl. Phys. Lett. 59, 1844 (1991).
123. J. S. Morgan, T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden, and S. A. Ecelberger, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 202, 383 (1991).
124. T. L. Tansley and R. J. Egan, Phys. Rev. B 45, 10942 (1992).
125. T. L. Tansley and R. J. Egan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 395 (1992).
126. W. A. Bryden, S. A. Ecelberger, J. S. Morgan, T. O. Poehler, and T. J. Kistenmacher, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 409 (1992).
127. T. J. Kistenmacher, S. A. Ecelberger, and W. A. Bryden, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 441 (1992).
128. T. J. Kistenmacher and W. A. Bryden, Appl. Phys. Lett. 62, 1221 (1993).
129. T. J. Kistenmacher, S. A. Ecelberger, and W. A. Bryden, J. Appl. Phys. 74, 1684 (1993).
130. W. A. Bryden, S. A. Ecelberger, and T. J. Kistenmacher, Appl. Phys. Lett. 64, 2864 (1994).
131. Q. X. Guo, N. Shingai, M. Nishio, and H. Ogawa, J. Cryst. Growth 189/190, 466 (1998).
132. Q. X. Guo, M. Nishio, H. Ogawa, and A. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L490 (1999).
133. Q. X. Guo, A. Okade, H. Kidera, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa, J. Cryst. Growth 237-239, 1032 (2002).
134. I. J. Lee, J. W. Kim, T.-B. Hur, Y.-H. Hwang, and H.-K. Kim, Appl. Phys. Lett. 81, 475 (2002).
135. H. F. Yang, W. Z. Shen, Z. G. Qian, Q. J. Pan, H. Ogawa, and Q. X. Guo, J. Appl. Phys. 91, 9803 (2002).
136. I. J. Lee, J. W. Kim, Y.-H. Hwang, and H.-K. Kim, J. Appl. Phys. 92, 5814 (2002).
137. Motlan, E. M. Goldys, and T. L. Tansley, J. Cryst. Growth 241, 165 (2002).
138. K. S. A. Butcher, M. Wintrebert-Fouquet, P. P.-T. Chen, T. L. Tansley, and S. Srikeaw, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 693, 341 (2002).
139. K. S. A. Butcher, H. Dou, E. M. Goldys, T. L. Tansley, and S. Srikeaw, Phys. Status Solidi C 0, 373 (2002).
140. O. Igarashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 2665 (1992).
141. Y. Sato and S. Sato, J. Cryst. Growth 144, 15 (1994).
142. N. Takahashi, J. Ogasawara, and A. Koukitu, J. Cryst. Growth 172, 298 (1997).
143. N. Takahashi, R. Matsumoto, A. Koukitu, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L743 (1997).
144. H. Sunakawa, A. Yamaguchi, A. Kimura, and A. Usui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1395 (1996).
145. R. D. Vispute, J. Narayan, H. Wu, and K. Jagannadham, J. Appl. Phys. 77, 4724 (1995).
146. R. D. Vispute, H. Wu, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 67, 1549 (1995).
147. D. Feiler, R. S. Williams, A. A. Talin, H. Yoon, and M. S. Goorsky, J. Cryst. Growth 171, 12 (1997).
148. P. Bhauacharya, T. K. Sharma, S. Singh, A. Ingale, and L. M. Kukreja, J. Cryst. Growth 236, 5 (2002).
149. Y. Sato, S. Kakinuma, and S. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 4377 (1994).
150. Y. Sato and S. Sato, J. Cryst. Growth 146, 262 (1995).
151. I. Bello, W. M. Lau, R. P. W. Lawson, and K. K. Foo, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1642 (1992).
152. Y.-J. Bai, Z.-G. Liu, X.-G. Xu, D.-L. Cui, X.-P. Hao, X. Feng, and Q.-L. Wang, J. Cryst. Growth 241, 189 (2002).
153. A. Yamamoto, M. Tsujino, M. Ohkubo, and A. Hashimoto, J. Cryst. Growth 137, 415 (1994).
154. Y. C. Pan, W. H. Lee, C. K. Shu, H. C. Lin, C. I. Chiang, H. Chang, D. S. Lin, M. C. Lee, and W. K. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 645 (1999).
155. T. Tsuchiya, H. Yamano, O. Miki, A. Wakahara, and A. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 1884 (1999).
156. W. K. Chen, H. C. Lin, Y. C. Pan, J. Ou, C. K. Shu, W. H. Chen, and M. C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 4870 (1998).
157. A. Yamamoto, Y. Yamauchi, T. Ogawa, M. Ohkubo, and A. Hashimoto, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 879 (1996).
158. A. Yamamoto, Y. Yamauchi, M. Ohkubo, A. Hashimoto, and T. Saitoh, Solid-State Electron. 41, 149 (1997).
159. S. Strife, D. Chandrasekhar, D. J. Smith, J. Sariel, H. Chen, N. Teraguchi, and H. Morkoc, J. Cryst. Growth 127, 204 (1993).
160. A. Yamamoto, Y. Yamauchi, M. Ohkubo, and A. Hashimoto, J. Cryst. Growth 174, 641 (1997).
161. A. Yamamoto, M. Adachi, T. Arita, T. Sugiura, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi A 176, 595 (1999).
162. M. Adachi, A. Seki, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN' 2000), Nagoya, Japan, September 24-27, 2000, IPAP conference series 1, p. 347.
163. A. Yamamoto, T. Shin-ya, T. Sugiura, M. Ohkubo, and A. Hashimoto, J. Cryst. Growth 189/190, 476 (1998).
164. A. P. Lima, A. Tabata, J. R. Leite, S. Kaiser, D. Schikora, B. Schottker, T. Frey, D. J. As, and K. Lischka, J. Cryst. Growth 201/202, 396 (1999).
165. A. Tabata et al., Appl. Phys. Lett. 74, 362 (1999).
166. A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto, and R. Ishigami, J. Cryst. Growth 212, 379 (2000).
167. A. G. Bhuiyan, A. Yamamoto, A. Hashimoto, and R. Ishigami, Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN' 2000), Nagoya, Japan, September 24-27, 2000, IPAP conference series 1, p. 343.
168. A. G. Bhuiyan, A. Yamamoto, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi B 228, 27 (2001).
169. A. G. Bhuiyan, A. Yamamoto, A. Hashimoto, and Y. Ito, J. Cryst. Growth 236, 59 (2002).
170. J. S. Pan, A. T. S. Wee, C. H. A. Huan, H. S. Tan, and K. L. Tan, J. Phys. D 29, 2997 (1996).
171. H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, G. Koley, and L. Eastman, Appl. Phys. Lett. 79, 1489 (2001).
172. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 85, 7682 (1999).
173. J. H. M. Nicholls, H. Gallagher, B. Henderson, C. Trager-Cowan, P. G. Middleton, K. P. O'Donnel, T. S. Cheng, C. T. Foxon, and B. H. T. Chai, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 535 (1996).
174. P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, R. Lavado, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 69, 2116 (1996).
175. T. Ishi, Y. Tazoh, and S. Miyazawa, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 155 (1997).
176. A. Brown et al., J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1300 (1998).
177. V. V. Mamutin et al., Phys. Status Solidi A 176, 247 (1999).
178. Y. Saito, N. Teraguchi, A. Suzuki, and Y. Nanishi, Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN' 2000), Nagoya, Japan, September 24-27, 2000, IPAP conference series 1, p. 182.
179. Y. Saito, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L91 (2001).
180. Y. Saito, T. Yamaguchi, H. Kanazawa, K. Kano, T. Araki, Y. Nanishi, A. Suzuki, and N. Teraguchi, J. Cryst. Growth 237-239, 1017 (2002).
181. M. Higashiwaki and T. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L540 (2002).
182. M. Higashiwaki and T. Matsui, Phys. Status Solidi C 0, 360 (2002).
183. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16310 (1996).
184. A. Yamamoto, T. Tanaka, A. G. Bhuiyan, K. Sugita, K. Kasashima, Y. Kimura, A. Hashimoto, and V. Yu. Davydov, 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5), Kara, Japan, May 25-30, 2003 (accepted).
185. D. C. Look, H. Lu, W. J. Schaff, J. Jasinski, and Z. Liliental-Weber, Appl. Phys. Lett. 80, 258 (2002).
186. M. Seelmann-Eggebert, J. L. Weher, H. Obloh, H. Zimmermann, A. Rar, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 71, 2635 (1997).
187. See a recent review and also the references in that E. S. Hellman, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 11 (1998).
188. T. Onozu, I. Gunji, R. Miura, S. S. C. Ammal, M. Kubo, K. Teraishi, A. Miyamoto, Y. Iyechika, and T. Maeda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2544 (1999).
189. Q. Guo, O. Kato, and A. Yoshida, J. Electrochem. Soc. 139, 2008 (1992).
190. J. R. Mileham, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, R. J. Shul, and S. P. Kilcoyne, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 836 (1996).
191. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, J. R. Lothian, P. W. Wisk, and A. Katz, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1772 (1993).
192. M. Ohkubo and O. Takai, Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN' 2000), Nagoya, Japan, September 24-27, 2000, IPAP conference series 1, p. 770.
193. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 64, 2294 (1994).
194. R. J. Shul, C. G. Willison, M. M. Bridges, J. Han, J. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, and S. M. Donovan, Solid-State Electron. 42, 2269 (1998).
195. Q. Guo, M. Matsuse, M. Nishio, and H. Ogawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 5048 (2000).
196. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317 (1989).
197. C. Stampfl, C. G. Van de Walle, D. Vogel, P. Kruger, and J. Pollmann, Phys. Rev. B 61, R7846 (2000).
198. V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, V. Y. Davydov, V. V. Ratnikov, Y. A. Kudriavtsev, B. Y. Ber, V. V. Emtsev, and S. V. Ivanov, Phys. Status Solidi A 176, 373 (1999).
199. H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, and L. F. Eastman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 680E, E3.2 (2001).
200. T. Inushima, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, T. Sakon, M. Motokawa, and S. Ohoya, J. Cryst. Growth 227-228, 481 (2001).
201. J. S. Dyck, K. Kash, K. Kim, W. R. L. Lambrecht, C. C. Hayman, A. Argoitia, M. T. Grossner, W. L. Zhou, and J. C. Angus, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 549 (1998).
202. T. Inushima, T. Shiraishi, V. Y. Davydov, Solid State Commun. 110, 491 (1999).
203. V. Y. Davydov et al., Appl. Phys. Lett. 75, 3297 (1999).
204. V. Y. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 216, 779 (1999).
205. G. Kaczmarczyk et al., Appl. Phys. Lett. 76, 2122 (2000).
206. E. Kurimoto, H. Harima, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, Phys. Status Solidi B 228, 1 (2001).