Epitaxial growth of InN films on MgAl2O4 (1 1 1) substrates

Journal of Crystal Growth

Volumn 220, Issue 3, 2000, Pages 185-190

  Tsuchiya, Tohru ^a   Miki, Osamu ^a   Shimada, Kohji ^a   Ohnishi, Masato ^a   Wakahara, Akihiro ^a   Yoshida, Akira ^a  

^a TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Japan)

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MAGNESIUM COMPOUNDS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SUBSTRATES;

FULL-WIDTH AT HALF-MAXIMUM (FWHM); X-RAY ROCKING CURVES;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0034512134     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00547-9     Document Type: Article

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