Patterning of AlN, InN, and GaN in KOH-based solutions

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 14, Issue 3, 1996, Pages 836-839

  Mileham, J R ^a   Pearton, S J ^a   Abernathy, C R ^a   MacKenzie, J D ^a   Shul, R J ^b   Kilcoyne, S P ^b  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 5844371832     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580399     Document Type: Article

References (29)

1. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
2. S. Nakamura, T. Mikai, and M Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. R. J. Molnar, R. Singh, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 66, 268 (1995).
4. I. Akasaki and H. Amano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 383 (1992).
5. M. A. Khan, M. S. Shur, T. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burn, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 66, 1083 (1995).
6. S. Binari, L. B. Rowland, W. Kruppa, G. Kelna, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 1248 (1994).
7. S. D. Lester, F. A. Pence, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
8. C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, S. J. Pearton, and W. S. Hobson, Appl. Phys. Lett. 66, 1969 (1995).
9. R. F. Davis, Proc. IEEE 79, 702 (1991).
10. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, J. R. Lothian, P. Wisk, and A. Katz, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1772 (1993).
11. CRC Handbook of Metal Etchants, edited by D. Walker and W. H. Tarn (Chemical Rubber, Boca Raton, FL, 1991), pp. 118-121.
12. T. Y. Sheng, Z. Q. Yu, and G. J. Collins, Appl. Phys. Lett. 52, 576 (1988).
13. T. Pauleau, J. Electrochem. Soc. 129, 1045 (1982).
14. K. M. Taylor and C Lenie, J. Electrochem. Soc. 107, 308 (1960).
15. G. Long and L. M. Foster, J. Am. Ceram. Soc. 42, 53 (1959).
16. N. J. Barrett, J. D. Grange, B. J. Sealy, and K. G. Shephens, J. Appl. Phys. 57, 5470 (1985).
17. C. R. Aita and C. J. Gawlak, J. Vac Sci. Technol. A 1, 403 (1983).
18. G. R. Kline and K. M. Lakin, Appl. Phys. Lett. 43, 750 (1983).
19. T. L. Chu, J. Electrochem. Soc. 118, 1200 (1971).
20. J. I. Pankove, J. Electrochem. Soc. 119, 1118 (1972).
21. Q. X. Guo, O. Kato, and A. Yoshida, J. Electrochem. Soc. 139, 2008 (1992).
22. J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, V. Krishnamoorthy, S. Bharatan, K. S. Jones, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 67, 253 (1995).
23. S. Adachi and K. Oe, J. Electrochem. Soc. 130, 2427 (1983).
24. S. K. Ghandi, VLSI Fabrication Principles (Wiley, New York, 1994).
25. S. S. Tan and A. G. Milnes, Solid-State Electron. 38, 17 (1995).
26. W. M. Moreau, Semiconductor Lithography: Principles, Practices and Materials (Plenum, New York, 1988).
27. R. J. Shul, S. P. Kilcoyne, M. H. Crawford, J. E. Parmeter, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 66, 1761 (1995).
28. J. R. Mileham, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, R. J. Shul, and S. P. Kilcoyne, Appl. Phys. Lett. 67, 1119 (1995).
29. F. A. Ponce, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 65, 2302 (1994).