Molecular self-assembled monolayers and multilayers for organic and unconventional inorganic thin-film transistor applications

Advanced Materials

Volumn 21, Issue 14-15, 2009, Pages 1407-1433

  DiBenedetto, Sara A ^a   Facchetti, Antonio ^a   Ratner, Mark A ^a   Marks, Tobin J ^a  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALTERNATIVE GATE DIELECTRICS; CHARGE TRANSPORT; FUNDAMENTAL FACTORS; GATE-LEAKAGE CURRENT; INSULATING PROPERTIES; INTERFACE TRAP STATE; N-CHANNEL; OPERATING VOLTAGE; ORGANIC MOLECULES; ORGANIC SEMICONDUCTOR; ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS; PHASE PROCESSING; SAMS; SEMICONDUCTOR LAYERS; ULTRA-THIN;

DIELECTRIC MATERIALS; GATES (TRANSISTOR); INDUSTRIAL RESEARCH; LEAKAGE CURRENTS; MOS CAPACITORS; MULTILAYERS; PHASE INTERFACES; SELF ASSEMBLED MONOLAYERS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; THIN FILM DEVICES; THIN FILM TRANSISTORS; TRANSISTORS;

GATE DIELECTRICS;

EID: 66149121025     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200803267     Document Type: Review

References (300)

1. A. Facchetti, M.-H. Yoon, T. J. Marks, Adv. Mater. 2005, 17, 1705.
2. T. W. Kelley, P. F. Baude, C. Gerlach, D. E. Ender, D. Muyres, M. A. Haase, D. E. Vogel, S. D. Theiss, Chem. Mater. 2004, 16, 4413.
3. S. R. Forrest, Naturer 2004, 428, 911.
4. C. Rolin, K. Vasseur, S. Schols, M. Jouk, G. Duhoux, R. Muller, J. Genoe, P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 033305.
5. L. Burgi, M. Turbiez, R. Pfeiffer, F. Bienewald, H.-J. Kirner, C.Winnewisser, Adv. Mater. 2008, 20, 2217.
6. A. Babel, Y. Zhu, K.-F. Cheng, W.-C. Chen, S. A. Jenekhe, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 2542.
7. H. Usta, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 8580.
8. B. Jones, A. Facchetti, M. R. Wasielewski, T. J. Marks, Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 1329.
9. H. Tian, J. Shi, D. Yan, L. Wang, Y. Geng, F. Wang, Adv. Mater. 2006, 18, 2149.
10. T. Kojima, J.-I. Nishida, S. Tokito, Y. Yamashita, Chem. Lett. 2007, 36, 1198.
11. M. L. Tang, M. E. Roberts, J. J. Locklin, M. M. Ling, Z. Bao, Chem. Mater. 2006, 18, 6250.
12. R. Schmidt, S. Goettling, D. Leusser, D. Stalke, A.-M. Krause, F. Wurthner, J. Mater. Chem. 2006, 16, 3708.
13. M. Mas-Torrent, C. Rovira, Chem. Soc. Rev. 2008, 37, 827.
14. H. Yan, Y. Zheng, R. Blache, C. Newman, S. Lu, J. Woerle, A. Facchetti, Adv. Mater. 2008, 9999, 1.
15. Z. Wang, C. Kim, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 13362.
16. S. E. Koh, J. E. Mendvedeva, A. Facchetti, B. Delley, A. J. Freeman, T. J. Marks, M. A. Ratner, J Phys. Rev. B. 2006, 110, 24361.
17. B. Yoo, D. Basu, T. Jung, D. Fine, B. A. Jones, A. Facchetti, M. R. Wasielewski, T. J. Marks, K. Dimmier, A. Dodabalapur, Adv. Mater. 2007, 19, 4028.
18. J. A. Letizia, M. R. Salata, C. M. Tribout, A. Facchetti, M. A. Ratner, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 9679.
19. H. Kong, D. H. Lee, I.-N. Kang, E. Lim, Y. K. Jung, J.-H. Park, T. Ahn, M. H. yi, C. E. Park, H.-K. Shim, J. Mater. Chem. 2008, 2008. 1895.
20. Lu, H. Usta, C. Risko, L. Wang, A. Facchetti, M. A. Ratner, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 7670.
21. H. Yan, Z. Chen, Y. Zheng, C. E. Newman, J. Quin, F. Dolz, M. Kastler, A. Facchetti, Nature 2009, 457, 679.
22. Organic Semiconductors in Sensor Applications, Springer Series in Materials Science, Vol. 107, (Eds. D. A. Bernards, R. M. Owens, G. G. Malliaras), Springer, Berlin/Heidelberg 2008.
23. J. Weidner, in Proc. ECS Trans, Curran Assoc. Inc., Washington DC 2008, Vol. 11, pp. 89.
24. S. Allard, M. Forster, B. Souharce, H. Thiem, U. Scherf, 1. 2008, 47, 4070.
25. Organic Electronic Materials: Conjugated Polymers and Low Molecular Weight Organic Solids, (Eds. R. Farchioni, G. Grosso), Springer, Berlin 2001.
26. G. Malliaras, Organic Semiconductors and Devices, Wiley, Hoboken 2003.
27. M. Berggren, D. Nilsson, N. D. Robinson, Nat. Mater. 2007, 6, 3.
28. A. Facchetti, Mater. Today 2007, 10, 28.
29. A. Facchetti, T. J. Marks, H. E. Katz, J. Veinot, in Printed Organic and Molecular Electronics, (Eds.: D. R. Gamota, P. Brazis, K. Kalyanasundaram, J. Zhang), Kluwer Academic, Boston 2004, pp. 83-159.
30. C. R. Newman, C. D. Frisbie, D. A. d. S. Filho, J.-L. Bredas, P. C. Ewbank, K. R. Mann, Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
31. Printed Organic and Molecular Electronics (Eds.: D. R, Gamota, P. Brazis, K. Kalyanasundaram, J. Zhang), Kluwer Academic, Boston 2004.
32. J. Hicks, D. Bergstrom, M. Hattendorf, J. Jopling, J. Maiz, S. Pae, C. Prasad, J. Wiedemer, Intel Technol. J. 2008, 12, 131.
33. F.-C. Chen, C.-H. Liao, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 103310.
34. J. X. Tang, C. S. Lee, M. Y. Chan, S. T. Lee, Appl. Surf. Sci.2008, 254, 7688.
35. K. D. Kim, D. S. Kim, C. K. Kim, C. K. Song, Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 6496.
36. C. Kim, A. Facchetti, T. J. Marks, Adv. Mater. 2007, 19, 2561.
37. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
38. M.-H. Yoon, A. Facchetti, T. J.Marks, Proc. Natl. Acad. Sci. 2005, 102, 4678.
39. D. Vuillaume, C. Boulas, J. Collet, J. V. Davidovits, F. Rondelez, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1646.
40. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehm, M. Schutz, S. Maisch, F. Effenberger, M. Brunnbauser, F. Stellacci, Nature 2004, 431, 963.
41. B. Mann, H. Kuhn, J. Appl. Phys. 1971, 42, 4398.
42. I. Langmuir, Trans. Faraday Soc. 1920, 15, 62.
43. M. Kitamura, Y. Arakawa, J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 184011.
44. C.-A. Di, G. Yu, Y. Liu, D. Zhu, J Phys. Rev. B 2007, 111, 14083.
45. J. Zaumseil, H. Sirringhaus, Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
46. G. Horowitz, J. Mater. Res. 2004, 19, 1946.
47. J. C. Cho, J. L. Lee, Y. He, B.-S. Kim, T. Lodge, C. D. Frisbie, Adv. Mater. 2008, 20, 686.
48. Dielectric Films for Advanced Microelectronics(Eds: M. Baklanov, M. Green, K. Maex ), John Wiley & Sons Ltd., New York 2007.
49. J. Zhao, K. Uosaki, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2034.
50. M. Porti, M. Nafria, X. Aymerich, A. Olbrich, B. Ebersberger, J. Appl. Phys. 2002, 91, 2071.
51. O. Gershewitz, M. Grinstein, C. N. Sukenik, K. Regev, J. Ghabboun, D. Cahen, J Phys. Rev. B 2004, 108, 664.
52. S. Kera, Y. Yabuuchi, H. Yamane, H. Setoyama, K. K. Okudaira, A. Kahn, N. Ueno, Phys. Rev. B 2004, 70, 085304.
53. Y.-J. Lui, H.-Z. Yu, 1. 2003, 4, 335.
54. A. Scott, D. B. Janes, C. Risko, M. A. Ratner, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 033508.
55. S. Lenfant, C. Krzeminski, C. Delerue, G. Allan, D. Vuillaume, Nano Lett. 2003, 3, 741.
56. B. Kim, J. M. Beebe, Y. Jun, X.-Y. Zhu, C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 4970.
57. K. Demirkan, A. Matthew, C. Weiland, Y. Yao, A. M. Rawlett, J. M. Tour, R. L. Opila, J. Chem. Phys. 2008, 128, 074705.
58. S. Lenfant, D. Guerin, F. Tran Van, C. Chevrot, S. Palacin, J. P. Bourgoin, O. Bouloussa, F. Rondelez, D. Vuillaume, J Phys. Rev. B. 2006, 110, 13947.
59. C. Miramond, D. Vuillaume, J. Appl. Phys. 2004, 96, 1529.
60. N. Peor, R. Sfez, S. Yitzchaik, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 4158.
61. H. Vazquez, W. Gao, F. Flores, A. Kahn, Phys. Rev. B Rapid Commun. 2005, 71, 041306.
62. A. Natan, L. Kronik, H. Haick, R. Tung, Adv. Mater. 2007, 19, 4103.
63. G. Heimel, L. Romaner, E. Zojer, J.-L. Bredas, Nano Lett. 2007, 7, 932.
64. D. M. Alloway, M. Hofmann, D. L. Smith, N. E. Gruhn, A. L. Graham, R. J. Colorado, V. H. Wysocki, R. T. Lee, P. A. Lee, N. R. Armstrong, J Phys. Rev. B 2003, 107, 11690.
65. G. Dholakla, M. Meyyappan, A. Facchetti, T. J. Marks, Nano Lett. 2006, 6, 2447.
66. J. Veres, S. Ogier, G. Lloyd, Chem. Mater. 2004, 16, 4543.
67. G. E. Poirier, E. D. Pylant, Science 1996, 272, 1145.
68. A. Cassaro, R. Mazzarello, R. Rousseau, L. Casalis, A. Verdini, A. Kohlmeyer, L. Floreano, S. Scandolo, A. Morgante, M. L. Klein, G. Scoles, Science 2008, 321, 943.
69. A. Ulman, Chem. Rev. 1996, 96, 1533.
70. J. Sagiv, J. Am. Chem. Soc. 1980, 10, 92.
71. D. K. Aswal, S. Lenfant, D. Guerin, J. V. Yakhmi, D. Vuillaume, Anal. Chim. Acta 2006, 568, 84.
72. A. Ulman, An Introduction to Ultrathin Organic Films from Langmuir- Blodgett to Self-Assembly, Academic Press, San Diego 1991.
73. F. Schreiber, J. Phys.: Condens. Matter 2004, 16, R881.
74. C. Oncins, C. Vericat, F. Sanz, J. Chem. Phys. 2008, 128, 044701.
75. T. Y. B. Leung, M. C. Gerstenberg, D. J. Lavrich, G. Scoles, F. Schreiber, G. E. Poirier, Langmuir2000, 16, 549.
76. C. Vericat, M. E. Vela, G. A. Benitez, J. A. M. Gago, X. Torrelles, R. C. Salvarezza, J. Phys.: Condens. Matter 2006, 18, R867.
77. S.-S. Li, L.-P. Xu, L.-J. Wan, S.-T.Wang, L. Jiang, J Phys. Rev. B 2006, 110, 1794.
78. J. Noh, H. Kato, M. Kawai, M. Hara, J Phys. Rev. B 2006, 110, 2793.
79. D. S. Everhart, in Handbook of Applied Surface and Colloid Chemistry, (Ed. K. Holmberg) Vol. 2 Wiley, Chichester 2003, pp. 22-116.
80. M. Twardowski, R. G. Nuzzo, Langmuir 2002, 18, 5529.
81. D. Syomin, J. Wang, B. E. Koel, 1. 2001, 495, L827.
82. P. C. Rusu, G. Giovannetti, G. Brocks, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 14448.
83. P. E. Laibinis, G. M. Whitesides, D. L. Allara, Y. T. Tao, A. N. Parikh, R. G. Nuzzo, J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 7152.
84. A. Shaporenko, A. Ulman, M. Zharnikov, J Phys. Rev. B 2005, 109, 3898.
85. E. A. Weiss, R. C. Chiechi, G. K. Kaufman, J. K. Kriebel, Z. Li, M. Duati, M. A. Rampi, G. M. Whitesides, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 4336.
86. E. Hoque, J. A. DeRose, R. Houriet, P. Hoffmann, H. J. Mathieu, Chem. Mater. 2007, 19, 798.
87. G. K. Jennings, T.-H. Yong, J. C. Munro, P. E. Laibinis, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 2950.
88. S. Vollmer, G. Witte, C. Woell, Langmuir 2001, 17, 7560.
89. J. J. Stapleton, T. A. Daniel, S. Uppili, O. M. Cabarcos, J. Naciri, R. Shashidhar, D. L. Allara, Langmuir 2005, 21, 11061.
90. J. C. Love, D. B. Wolfe, R. Haasch, M. L. Chabinyc, K. E. Paul, G. M. Whitesides, R. G. Nuzzo, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 2597.
91. H. Noguchi, M. Ito, K. Uosaki, Chem. Lett. 2005, 34, 950.
92. S. Lee, J. Park, R. Ragan, S. H. Kim, Z. Lee, D. K. Lim, D. A. A. Ohlberg, R. S. Williams, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 5745.
93. J. C. Love, L. A. Estroff, J. K. Kriebel, R. G. Nuzzo, G. M. Whitesides, Chem. Rev. 2005, 105, 1103.
94. F. Schreiber, A. Eberhardt, T. Y. B. Leung, P. Schwartz, S. M. Wetterer, D. J. Lavrich, L. Berman, P. Fenter, P. Eisen Berger, G. Scoles, Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1998, 57, 12476.
95. C. D. Bain, E. B. Troughton, Y. T. Tao, J. Evall, G. M. Whitesides, R. G. Nuzzo, J. Am. Chem. Soc. 1989, 111, 321.
96. Y. Han, K. Uosaki, Electrochim. Acta 2008, 53, 6196.
97. J. Zhang, Q. Chi, J. Ulstrup, Langmuir 2006, 22, 6203.
98. V. B. Engelkes, J. M. Beebe, C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 14287.
99. X. D. Cui, A. Primak, X. Zarate, J. Tomfohr, O. F. Sankey, A. L. Moore, T. A. Moore, D. Gust, L. A. Nagahara, S. M. Lindsay, J Phys. Rev. B 2002, 106, 8609.
100. B. Xu, N. J. Tao, Science 2003, 301, 1221.
101. X. Xiao, B. Xu, N. J. Tao, Nano Lett. 2004, 4, 267.
102. M. Tsutsui, Y. Teramae, S. Kurokawa, A. Sakai, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 163111.
103. R. B. Pontes, F. D. Novaes, A. Fazzio, A. J. R. Da Silva, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 8996.
104. D. J. Wold, R. Haag, M. A. Rampi, C. D. Frisbie, J Phys. Rev. B 2002, 106, 2813.
105. J. G. Kushmerick, D. B. Holt, S. K. Pollack, M. A. Ratner, J. C. Yang, T. L. Schull, J. Naciri, M. H. Moore, R. Shashidar, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 10654.
106. Z.-F. Shi, L.-J. Wang, H. Wang, X.-P. Cao, H.-L. Zhange, Org. Lett. 2007, 9, 595.
107. D. S. Seferos, R. Y. Lai, K. W. Plaxco, G. C. Bazan, Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 2387.
108. R. A. Wassel, C. B. Gorman, Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 5120.
109. J. F. Smalley, S. B. Sachs, C. E. D. Chidsey, S. P. Dudek, H. D. Sikes, S. E. Creager, C. J. Yu, S. W. Feldberg, M. D. Newton, J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 14620.
110. A. K. Flatt, Y. Yuxing, M. Francisco, J. M. Tour, J. Org. Chem. 2004, 69, 1752.
111. L. Patrone, S. Palacin, J. P. Bourgoin, J. Lagoute, T. Zambelli, S. Gauthier, Chem. Phys. 2002, 281, 325.
112. D. K. James, J. M. Tour, Top. Curr. Chem. 2005, 257, 33.
113. F. Svedberg, Y. Alaverdyan, P. Johansson, M. Kaell, J Phys. Rev. B 2006, 110, 25671.
114. S. Yasuda, T. Nakamura, M. Matsumoto, H. Shigekawa, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 16430.
115. B.-C. Yu, Y. Shirai, J. M. Tour, Tetrahedron 2006, 62, 10303.
116. J. Henzl, T. Bredow, K. Morgenstern, Chem. Phys. Lett. 2007, 435, 278.
117. G. Pace, V. Ferri, C. Grave, M. Elbing, C. von Haenisch, M. Zharnikov, M. Mayor, M. A. Rampi, P. Samori, Proc. Natl. Acad. Sci. 2007, 104, 9937.
118. A. S. Kumar, T. Ye, T. Takami, B.-C. Yu, A. K. Flatt, J. M. Tour, P. S. Weiss, Nano Lett. 2008, 8, 1644.
119. M. L. Chabinyc, X. Chen, R. E. Holmlin, H. Jacobs, H. Skulason, C. D. Frisbie, V. Mujica, M. A. Ratner, M. A. Rampi, G. M. Whitesides, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 11730.
120. G. K. Ramachandran, J. K. Tomfohr, J. Li, O. F. Sankey, X. Zarate, A. Primak, Y. Terazono, A. L. Moore, D. Gust, L. A. Nagahara, S. M. Lindsay, J Phys. Rev. B 2003, 107, 6162.
121. H. B. Akkerman, B. de Boer, J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 013001.
122. E. Tran, M. Duati, V. Ferri, K. Mullen, M. Zharnikov, G. M. Whitesides, M. A. Rampi, Adv. Mater. 2006, 18, 1323.
123. C. 123Haensch, C. Ott, S. Hoeppener, U. S. Schubert, Langmuir 2008, 24, 10222.
124. J. Cui, Q. Huang, J. C. G. Veinot, H. Yan, Q. Wang, G. R. Hutchison, A. G. Richter, G. Evmenenko, P. Dutta, T. J. Marks, Langmuir 2002, 18, 9958.
125. J. Li, J. Lui, G. A. Evmenenko, P. Dutta, T. J. Marks, Langmuir 2008, 24, 5755.
126. S. Liu, R. Maoz, G. Schmid, J. Sagiv, Nano Lett. 2002, 2, 1055.
127. R. Maoz, S. R. Cohen, J. Sagiv, Adv. Mater. 1999, 11, 55.
128. E. P. Plueddemann, Silane Coupling Agents, 2nd Ed., Plenum Press, New York 1991.
129. M. E. McGovern, K. M. R. Kallury, M. Thompson, Langmuir 1994, 10, 3607.
130. D. M. Spori, N. V. Venkatarman, S. G. P. Tosatti, F. Durmaz, N. D. Spencer, Langmuir 2007, 23, 8053.
131. J. P. Folkers, C. B. Gorman, P. E. Laibinis, S. Buchholz, G. M. Whitesides, R. G. Nuzzo, Langmuir 1994, 11, 813.
132. P. E. Laibinis, J. J. Hickman, M. S. Wrighton, G. M. Whitesides, Science 1989, 245, 845.
133. N. Tsud, M. Yoshitake, Surf. Sci. 2007, 601, 3060.
134. C. M. Yam, A. J. Dickie, A. K. Kakkar, Langmuir 2002, 18, 8481.
135. D. A. Offord, S. B. Sachs, M. S. Ennis, T. A. Eberspacher, J. H. Griffin, C. E. D. Chidsey, J. P. Collman, J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 4478.
136. R. E. Schaak, T. E. Mallouk, Chem. Mater. 2000, 12, 2513.
137. H. Lee, L. J. Kepley, H.-G. Hong, T. E. Mallouk, J. Am. Chem. Soc. 1988, 92, 2311.
138. M. E. van der Boom, P. Zhu, G. Evmenenko, J. E. Malinsky, L. Wenbin, P. Dutta, T. J. Marks, Langmuir 2002, 18, 3704.
139. M. R. Linford, C. E. D. Chidsey, J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 12631.
140. J. M. Buriak, Chem. Rev. 2002, 102, 1271.
141. S. F. Bent, Surf. Sci. 2002, 500, 879.
142. R. Basu, J.-C. Lin, C.-Y. Kim, M. J. Schmitz, J. A. Yoder, J. A. Kellar, M. J. Bedzyk, M. C. Hersam, Langmuir 2007, 23, 1905.
143. A. Aviram, M. A. Ratner, Chem. Phys. Lett. 1974, 29, 277.
144. A. Aviram, M. A. Ratner, Molecular Electronics: Science and Technology, New York Academy of Sciences, New York 1999.
145. R. L. McCreery, Chem. Mater. 2004, 16, 4477.
146. A. Salomon, D. Cahen, S. Lindsay, J. Tomfohr, V. B. Engelkes, C. D. Frisbie, Adv. Mater. 2003, 15, 1881.
147. A. Hanciuc, R. M. Metzger, A. Gong, C. W. Spangler, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 8310.
148. J. Chen, M. A. Reed, A. M. Rawlett, J. M. Tour, Science 1999, 286, 1550.
149. R. M. Metzger, T. Xu, I. R. Peterson, J Phys. Rev. B 2001, 105, 7280.
150. R. P. Kalakodimi, A. M. Nowak, R. L. McCreery, Chem. Mater. 2005, 17, 4939.
151. J. O'Dwyer, Theory of Electrical Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics, Clarendon, Oxford 1973.
152. J. G. Simmons, J. Phys. D: Appl. Phys. 1971, 4, 613.
153. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edn., John Wiley and Sons, New York. 1981.
154. J. J. Davis, N. Wang, A. Morgan, T. Zhang, J. Zhao, Faraday Discuss. 2006, 131, 167.
155. Y. A. Berlin, A. L. Burin, M. A. Ratner, Chem. Phys. 2002, 275, 61.
156. D. K. James, J. M. Tour, Chem. Mater. 2004, 16, 4423.
157. W. Wang, T. Lee, M. A. Reed, Proc. IEEE 2005, 95, 1815.
158. M. Duati, C. Grave, N. Tcbeborateva, W. Jishan, K. Mullen, A. Shaporenko, M. Zharnikov, J. K. Kriebel, G. M. Whitesides, M. A. Rampi, Adv. Mater. 2006, 18, 329.
159. A. L. Burin, M. A. Ratner, in Computational Materials Chemistry: Methods and Aplications (Eds: L. A. Curtiss, M. S. Gordon ), Kluwer Academic, Netherlands 2004, p. 308.
160. J. K. N. Mbindyo, T. E. Mallouk, J. B. Mattzela, I. Kratochvilova, B. Razavi, T. N. Jackson, T. S. Mayer, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 4020.
161. V. Mujica, M. A. Ratner, Chem. Phys. 2001, 264, 365.
162. B. Ulgut, H. D. Abruna, Chem. Rev. 2008, 108, 2721.
163. E. Tran, C. Grave, G. M. Whitesides, M. A. Rampi, Electrochim. Acta 2005, 50, 4850.
164. C. Grave, C. Risko, A. Shaporenko, Y. Wang, C. Nuckolls, M. A. Ratner,M. A. Rampi, M. Zharnikov, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3816.
165. A. Nitzan, M. A. Ratner, Science 2003, 300, 1384.
166. Y. Selzer, A. Salomon, D. Cahen, J Phys. Rev. B 2002, 106, 10432.
167. F.-R. F. Fan, J. Yang, L. Cai, D. W. Price, S. M. Dirk, D. V. Kosykin, Y. Yao, A. M. Rawlett, J. M. Tour, A. J. Bard, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 5550.
168. H. B. Akkerman, P. W.M. Blom, D.M. de Leeuw, B. de Boer, Nature 2006, 441, 69.
169. N. B. Zhitenev, H. Erbe, Z. Bao, Nanotechnol 2003, 14, 254.
170. M. Galperin, M. A. Ratner, A. Nitzan, A. Troisi, Science 2008, 319, 1056.
171. A. Nitzan, Annu. Rev. Phys. Chem. 2001, 52, 681.
172. W. Wang, L. Takhee, M. A. Reed, Phys. Rev. B 2003, 68, 035416.
173. S. Banerjee, B. Shen, I. Chen, J. Bohlman, G. Brown, R. Doering, J. Appl. Phys. 1989, 65, 1140.
174. M. Lenzinger, E. H. Snow, J. Appl. Phys. 1969, 40, 278.
175. J. M. Beebe, B. Kim, J. W. Gadzuk, C. D. Frisbie, J. G. Kushmerick, Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 026801.
176. D. K. Aswal, S. Lenfant, D. Guerin, J. V. Yakhmi, D. Vuillaume, Small 2005, 1, 725.
177. S. Maisch, F. Effenberger, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 17315.
178. T. Shamai, A. Ophir, Y. Selzer, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 102108.
179. F. Chen, X. Li, J. hihath, Z. Huang, N. Tao, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 15874.
180. Y. S. Park, A. C. Whalley, M. Kamenetska, L. L. Steigerwald, M. S. Hybersten, C. Nuckolls, L. Venkataraman, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 15768.
181. G. Wang, T.-W. Kim, Y. H. Jang, T. Lee, J. Phys. Chem. C 2008, 112, 13010.
182. G. Wang, T.-W. Kim, H. Lee, T. Lee, Phys. Rev. B 2007, 76, 205320.
183. C. Boulas, J. V. Davidovits, F. Rondelez, D. Vuillaume, Phys. Rev. Lett. 1996, 76, 4797.
184. Y. Gu, B. Akhremitchev, G. C. Walker, D. H. Waldeck, J Phys. Rev. B 1999, 103, 5220.
185. R. E. Holmlin, R. Haag, M. L. Chabinyc, R. F. Ismagilov, A. E. Cohen, A. Terfort, M. A. Rampi, G. M. Whitesides, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5075.
186. N. I. Cracium, J. Wildeman, P. W. M. Blom, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 056601.
187. S. Barth, U. Wolf, H. Bassler, P. Muller, H. Riel, H. Vestweber, P. F. Seidler, W. Reiss, Phys. Rev. B 1999, 60, 8791.
188. M. A. Lampert, P. Mark, Current Injection in Solids, Academic Press, New York 1970.
189. M. Pope, C. E. Swenberg, Electronic Processes in Organic Crystals and Polymers, 2nd Edn., Oxford University Press, New York 1999.
190. Y. Selzer, M. A. Cabassi, T. S. Mayer, D. L. Allara, Nanotechnol 2004, 15, S483.
191. D. Segal, A. Nitzan, M. A. Ratner, W. B. Davis, J Phys. Rev. B 2000, 104, 2790.
192. V. D. Lakhno, V. B. Sultanov, B. M. Pettitt, Chem. Phys. Lett. 2004, 400, 47.
193. T. Renger, R. A. Marcus, J. Phys. Chem. A 2003, 107, 8404.
194. M. Bixon, J. Jortner, Chem. Phys. 2002, 281, 393.
195. D. Segal, A. Nitzan, J Phys. Rev. B 2000, 104, 3817.
196. E. G. Petrov, V. May, P. Hanggi, Chem. Phys. 2002, 281, 211.
197. E. A. Weiss, M. R. Wasielewski, M. A. Ratner, in Topics in Current Chemistry, Springer, Vol. 257, Heidelber 2005, p. 103.
198. Y. A. Berlin, F. C. Grozema, L. D. A. Siebbeles, M. A. Ratner, J. Phys. Chem. C 2008, 112, 10988.
199. E. A. Weiss, M. J. Tauber, R. F. Kelley, M. J. Ahrens, M. A. Ratner, M. R. Wasielewski, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11842.
200. R. H. Goldsmith, O. DeLeon, T. M. Wilson, D. Finkelstein-Shapiro, M. A. Ratner, M. R. Wasielewski, J. Phys. Chem. A 2008, 130, 4708.
201. F. Anariba, R. L. McCreery, J Phys. Rev. B 2002, 106, 10355.
202. R. L. McCreery, J. Wu, R. P. Kalakodimi, Phys. Chem. Chem. Phys. 2006, 8, 2572.
203. Y. A. Berlin, A. L. Burin, M. A. Ratner, Chem. Phys. 2002, 275, 61.
204. B. Xu, P. Zhange, X. Li, N. J. Tao, Nano Lett. 2004, 4, 1105.
205. S. H. Choi, B. Kim, C. D. Frisbie, Science 2008, 320, 1482.
206. C. Zhou, M. R. Deshpande, M. A. Reed, L. I. Jones, J. M. Tour, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 611.
207. J. Chen, L. C. Calvet, M. A. Reed, D. W. Carr, D. S. Grubisha, D. W. Bennett, Chem. Phys. Lett. 1999, 313, 741.
208. L. E. Calvet, R. G. Wheeler, M. A. Reed, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1761.
209. V. Adamec, J. H. Calderwood, J. Phys. D: Appl. Phys. 1975, 8, 551.
210. S. Jeong, D. Kim, S. Lee, B.-K. Park, J. Moon, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 092101.
211. L.-L. Chua, J. Zaumseil, J.-F. Chang, E. C.-W. Ou, P. K.-H. Ho, H. Sirringhaus, R. H. Friend, Nature 2005, 434, 194.
212. S. Jeong, D. Kim, J. Moon, J. Phys. Chem. C 2008, 112, 5245.
213. T. Sekitani, Y. Noguchi, U. Zschieschang, H. Klauk, T. Someya, Proc. Natl. Acad. Sci. 2008, 105, 4976.
214. A. Briseno, S. C. B.Mannsfeld,M.M. Ling, S. Liu, R. J. Tseng, C. Reese, M. E. Roberts, Y. Yang, F. Wudl, Z. Bao, Nature 2006, 444, 913.
215. A. K. Chauhan, D. K. Aswal, S. P. Koiry, S. K. Gupta, J. V. Yakjmi, C. Suergers, D. Guerin, S. Lenfant, D. Vuillaume, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Proc. 2008, 90, 581.
216. N. J. Tao, Phys. Rev. Lett. 1996, 76, 4066.
217. N. P. Guisinger, M. E. Greene, R. Basu, A. S. Baluch, M. C. Hersam, Nano Lett. 2004, 4, 55.
218. P. D. Byrne, A. Facchetti, T. J. Marks, Adv. Mater. 2008, 20, 2319.
219. B. N. Limketkai, M. A. Baldo, Phys. Rev. B 2005, 71, 085207.
220. M. A. Baldo, S. R. Forrest, Phys. Rev. B 2001, 64, 085201.
221. P. Marmont, N. Battaglini, P. Lang, G. Horowitz, J. Hwang, A. Kahn, C. Amato, P. Calas, Org. Electron. 2008, 9, 419.
222. H. E. Katz, J. Johnson, A. J. Lovinger, W. Li, J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 7787.
223. M. L. Swiggers, G. Xia, J. D. Slinker, A. A. Gorodetsky, G. G.Malliaras, R. L. Headrick, B. T. Weslowski, R. N. Shashidar, C. S. Dulcey, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1300.
224. I. Kymissis, C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, IEEE Trans. Electron. Dev. 2001, 48, 1060.
225. W. Wang, T. Lee, M. A. Reed, J Phys. Rev. B 2006, 108, 18398.
226. C. Bock, D. V. Pham, U. Kunze, D. Kafer, G. Witte, C. Woll, J. Appl. Phys. 2006, 100, 114517.
227. C. D. Zangmeister, S. W. Robey, R. D. van Zee, J. G. Kushmerick, J. Naciri, J. M. Tour, B. Varughese, B. Xu, J. E. Reutt-Robey, J Phys. Rev. B 2006, 110, 17138.
228. J.-P. Hong, A.-Y. Park, S. Lee, J. Kang, N. Shin, D. Y. Yoon, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 143311.
229. D. J. Gundlach, L. Jia, T. N. Jackson, IEEE Electron. Dev. Lett. 2001, 22, 571.
230. G. S. Tulevski, Q. Miao, A. Afzali, T. O. Graham, C. R. Kagan, C. Nuckolls, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 1788.
231. S. Gowrisanker, Y. Ai, M. A. Quevedo-Lopez, H. Jia, H. N. Alshareef, E. Vogel, B. Gnade, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 153305.
232. C. D. Dimitrakopoulos, D. J. Mascaro, IBM J. Res. Dev. 2001, 45, 11.
233. M.-H. Yoon, C. Kim, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 12851.
234. F. Todescato, R. Capelli, F. Dinelli, M. Murgia, N. Camaioni, M. Yang, R. Bozio, M. Muccini, J Phys. Rev. B 2008, 112, 10130.
235. Y.-Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron. Dev. 1997, 44, 1325.
236. G. Horowitz, X.-Z. Peng, D. Fichou, F. Garnier, Synth. Met. 1999, 51, 419.
237. M. A. Loi, E. da Como, F. Dinelli, M. Murgia, R. Zamboni, F. Biscarini, M. Muccini, Nat. Mater. 2005, 4, 81.
238. T. W. Kelley, L. D. Boardman, T. D. Dunbar, D. V.Muyres, M. J. Pellerite, T. P. Smith, J Phys. Rev. B 2003, 107, 5877.
239. M. Mottaghi, G. Horowitz, Org. Electron. 2006, 7, 528.
240. D. Knipp, R. A. Street, A. Volkel, A. Ho, J. Appl. Phys. 2003, 93, 347.
241. J. B. Koo, S. H. Kim, J. H. Lee, C. H. Ku, S. C. Lim, T. Zyung, Synth. Met. 2006, 156, 99.
242. A. Salleo, M. L. Chabinyc, M. S. Yang, R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4383.
243. D. J. Gundlach, C.-C. S. Kuo, C. D. Sheraw, J. A. Nichols, T. N. Jackson, Proc. SPIE 2001, 4466, 54.
244. S. Y. Yang, K. Shin, C. E. Park, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1806.
245. D. Kumaki, S. Ando, S. Shimono, Y. Yamashita, T. Umeda, S. Tokito, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 053506.
246. Y. Bai, X. Liu, L. Chen,M. A. Khizar-ul-Haq, Khan,W.Q. Zhu, X. Y. Jiang, Z. L. Zhang, Microelectron. J. 2007, 38, 1185.
247. L. Li, Q. Tang, H. Li, W. Hu, J Phys. Rev. B 2008, 112, 10405.
248. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, S. Ponomarenko, S. Kirchmeyer, W. Weber, Adv. Mater. 2003, 15, 917.
249. H. Yang, T. J. Shin, M.-M. Ling, K. Cho, C. Y. Ryu, Z. Bao, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11542.
250. M. Shtein, J. Mapel, J. B. Benziger, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 268.
251. J. E. McDermott, M. McDowell, I. G. Hill, J. Hwang, A. Kahn, S. L. Bernasek, J. Schwartz, J. Phys. Chem. A 2007, 111, 12333.
252. Y. D. Park, J. A. Lim, H. S. Lee, K. Cho, Mater. Today 2007, 10, 46.
253. I. Yagi, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 103502.
254. T. Yokoyama, C. B. Park, K. Nagashio, K. Kita, A. Toriumi, Appl. Phys. Exp. 2008, 1, 041801.
255. C. Kim, A. Facchetti, T. J. Marks, Science 2007, 318, 76.
256. D. Kumaki, M. Yahiro, Y. Inoue, S. Tokito, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 133511.
257. J. Veres, S. D. Ogier, S. W. Leeming, D. C. Cupertino, S. M. Khaffaf, Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 199.
258. B. Stadholder, U. Hass, H. Maresch, A. Haase, Phys. Rev. B 2006, 74, 165302.
259. S. Kobayashi, T. Nishikawa, T. Takenobu, S. Mori, T. Shimoda, T. Mitani, H. Shimotani, N. Yoshimoto, S. Ogawa, A. Iwasa, Nat. Mater. 2004, 3, 317.
260. H. S. Lee, D. H. Kim, J. H. Cho, M. Hwang, Y. Jang, K. Cho, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 10556.
261. T. Miyadera, S. D. Wang, T. Minari, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 033304.
262. N. Benson, C. Melzer, R. Schmechel, H. van Seggern, Phys. Stat. Sol.(a) 2008, 205, 475.
263. R. T. Weitz, K. Amsharov, U. Zschieschang, E. B. Villas, D. K. Goswami,M. Burghard, H. Dosch,M. Jansen, K. Kern, H. Klauk, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 4637.
264. C. Huang, H. E. Katz, J. E. West, Langmuir 2007, 23, 13223.
265. M. F. Calhoun, J. Sanchez, D. Olaya, M. E. Gershenson, V. Podzorov, Nat. Mater. 2008, 7, 84.
266. V. Podzorov, E. Menard, A. Borissov, V. Kiryukhin, J. A. Rogers, M. E. Gershenson, Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 086602.
267. P. Fontaine, D. Goguenheim, D. Deresmes, D. Vuillaume, M. Garet, F. Rondelez, Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 2256.
268. J. Collet, O. Tharaud, A. Chapoton, D. Vuillaume, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1941.
269. E. K. Evangelou, W. C. Weimer,M. Fanciulli, M. Sethu,W. Cranton, J. Appl. Phys. 2003, 94, 318.
270. S. A. DiBenedetto, D. Frattarelli, M. A. Ratner, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 7528.
271. S. Keinan, M. A. Ratner, T. J. Marks, Chem. Phys. Lett. 2006, 417, 293.
272. S. A. DiBenedetto, I. Paci, A. Facchetti, T. J. Marks, M. A. Ratner, J Phys. Rev. B 2006, 110, 22394.
273. A. vonMuhlenen,M. Castellani, M. Schaer, L. Zuppiroli, Phys. Stat. Sol.(b) 2008, 245, 1170.
274. O Acton, G. Ting, H. Ma, J. W. Ka, H.-L. Yip, N. M. Tucker, A. K.-Y. Jen, Adv. Mater. 2008, 20, 3697.
275. B. H. Lee, M. K. Ryu, S.-Y. Choi, K.-H. Lee, S. Im,M.M. Sung, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 16034.
276. S.-H. Hur, M.-H. Yoon, A. Gaur, M. Shim, A. Facchetti, T. J. Marks, J. A. Rogers, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13808.
277. R. T. Weltz, U. Zschieschang, F. Effenberger, H. Klauk, M. Burghard, K. Kern, Nano Lett. 2007, 7, 22.
278. L. Wang, M.-H. Yoon, G. Lu, A. Facchetti, T. J. Marks, Nat. Mater. 2006, 5, 893.
279. S. Ju, K. Lee, D. B. Janes, M.-H. Yoon, A. Facchetti, T. J. Marks, Nano Lett. 2005, 5, 2281.
280. S. Ju, K. Lee, D. B. Janes, R. C. Dwivedi, H. Abffour-Awuah, R. Wilkins, M.-H. Yoon, A. Facchetti, T. J. Marks, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 073510.
281. P. Patel-Predd, IEEE Spectrum 2008, 45, 17.
282. S. Ju, S. Kim, S. Mohammadi, D. B. Janes, y.-G, Ha, A. Facchetti, T. J. Marks, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 022104.
283. K. Lee, G. Lu, A. Facchetti, D. B. Janes, T. J. Marks, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 123509.
284. H. C. Lin, P. D. Ye, Y. Xuan, A. Facchetti, T. J. Marks, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 142101.
285. F. Seker, K. Meeker, T. F. Kuech, A. B. Ellis, Chem. Rev. 2000, 100, 2505.
286. C. A. Mead, W. G. Spitzer, J. Appl. Phys. 1963, 34, 3061.
287. H. Klauk, U. Zschieschang, J. Pflaum, M. Halik, Nature 2007, 445, 745.
288. U. Zschieschang, M. Halik, H. Klauk, Langmuir 2008, 24, 1665.
289. S. Ju, J. Li, J. Lui, P.-C. Chen, Y.-G. Ha, F. Ishikawa, H. Change, C. Zhou, A. Facchetti, D. B. Janes, T. J. Marks, Nano Lett. 2008, 8, 997.
290. T. Uchida, S. Kaneta, M. Ichihara, M. Ohtsuka, T. Otomo, D. R. Marx, Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L282.
291. J. Gao, J. B. Xu, M. Zhu, D. Ma, J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 5666.
292. B.-N. Park, S. Seo, P. G. Evans, J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 3506.
293. M. Rittner,M. S.Martin-Gonzalez, A. Flores, H. Schweizer, F. Effenberger, M. H. Pilkuhn, J. Appl. Phys. 2005, 98, 054312.
294. J. H. Schon, H. Meng, Z. Bao, Nature 2001, 413, 713.
295. J. H. Schon, Z. Bao, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 847.
296. R. Ruiz, A. Papadimitratos, A. C. Mayer, G. C. Malliaras, Adv. Mater. 2005, 17, 1795.
297. M. Mottaghi, P. Lang, F. Rodriguez, A. Rumyantseva, A. Yassar, G. Horowitz, S. Lefant, D. Tondelier, D. Vuillaume, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 597.
298. J. Huang, J. Sun, H. E. Katz, Adv. Mater. 2008, 20, 2567.
299. F. Dinelli, M. Murgia, P. Levy, M. Cavallini, F. Biscarini, D. M. de Leeuw, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 116802.
300. E. C. P. Smits, S. G. J. Mathijssen, P. A. van Hal, S. Setayesh, T. C. T. Geuns, K. A. H. A. Mutsaers, E. Cantatore, H. J. Wondergem, O. Werzer, R. Resel, M. Kemerink, S. Kirchmeyer, A. M. Muzafarov, S. A. Ponomarenko, B. de Boer, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Nature 2008, 455, 956.