Gate dielectric chemical structure-organic field-effect transistor performance correlations for electron, hole, and ambipolar organic semiconductors

Journal of the American Chemical Society

Volumn 128, Issue 39, 2006, Pages 12851-12869

  Yoon, Myung Han ^a   Kim, Choongik ^a   Facchetti, Antonio ^a   Marks, Tobin J ^a  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIPOLAR ORGANIC SEMICONDUCTORS; DIELECTRIC INTERFACIAL CHEMISTRY; GATE DIELECTRICS; ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR;

CHARGE TRANSFER; DIELECTRIC DEVICES; ELECTRON MOBILITY; ELECTRON TRAPS; ELECTRONIC STRUCTURE; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS;

GATES (TRANSISTOR);

CARBONYL DERIVATIVE; POLYSTYRENE; SILICON DIOXIDE; THIOPHENE;

ARTICLE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL STRUCTURE; ELECTRON; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR; WIDE ANGLE X RAY DIFFRACTION; X RAY DIFFRACTION;

EID: 33749533450     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja063290d     Document Type: Article

References (176)

1. For recent reviews on this topic, see: (a) Chabinyc, M.; Loo, Y.-L. J. Macrom. Sci. Polym. Rev. 2006, 46, 1-5.
2. (b) Dodabalapur, A. Nature 2005, 434, 151.
3. (c) Sirringhaus, H. Adv. Mater 2005, 17, 2411.
4. (d) Newman, C. R.; Frisbie, C. D.; da Silva Filhoqq, D. A.; Bredas, J.-L.; Ewbank, P. C.; Mann, K. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
5. (e) Horowitz, G. J. Mater. Res. 2004, 19, 1946.
6. (f) Dimitrakopoulos, C. D.; Malenfant, P. R. L. Adv. Mater. 2002, 14, 99.
7. (g) Rogers, J. A.; Bao, Z.; Katz, H. E.; Dodabalapur, A. Thin-Film Transistors; Kagan, C., Andry R. P., Eds; Marcel Dekker, Inc.: New York, USA, 2003; pp 377-425.
8. (a) Kim, D. H.; Han, J. T.; Park, Y. D.; Jang, Y.; Cho, J. H.; Hwang, M.; Cho, K. Adv. Mater. 2006, 18, 719.
9. (b) Tulevski, G. S.; Miao, Q.; Afzali, A.; Graham, T. O.; Kagan, C. R.; Nuckolls, C. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 1788.
10. (c) Ponomarenko, S. A.; Kirchmeyer, S.; Elschner, A.; Alpatova, N. M.; Halik, M.; Klauk, H.; Zschieschang, U.; Schmid, G. Chem. Mater. 2006, 18, 579.
11. (d) Ando, S.; Nishida, J.; Tada, H.; Inoue, Y.; Tokito, S.; Yamashita, Y. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 5336.
12. (e) Ofuji, M.; Lovinger, A. J.; Kloc, C.; Siegrist, T.; Maliakal, A. J.; Katz, H. E. Chem. Mater. 2005, 17, 5748.
13. (f) Wu, Y.; Ong, B. S. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 3266.
14. (g) Murphy, A. R.; Liu, J.; Luscombe, C.; Kavulak, D.; Frechet, J. M. J.; Kline, R. J.; McGehce, M. D. Chem. Mater. 2005, 17, 4891
15. (h) Locklin, J.; Li, D.; Mannsfeld, S. C. B.; Borkent, E.-J.; Meng, H. Advincula, R.; Bao, Z. Chem. Mater. 2005, 17, 3366.
16. (i) Payne, M. M.; Parkin, S. R.; Anthony, J. E. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 8028.
17. (j) Swartz, C. R.; Parkin, S. R.; Bullock, J. E.; Anthony, J. E.; Mayer, A. C.; Malliaras, G. G. Org. Lett. 2005, 7, 3163.
18. (k) Payne, M. M.; Parkin, S. R.; Anthony, J. E.; Kuo, C.-C.; Jackson, T. N. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 4986.
19. (l) Sakamoto, Y.; Suzuki, T.; Kobayashi, M.; Gao, Y.; Fukai, Y.; Inoue, Y.; Sato, F.; Tokito, S. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 8138.
20. (m) Kunugi, Y.; Takimiya, K.; Toyoshima, Y.; Yamashita, K.; Aso, Y.; Otsubo, T. J. Mater. Chem. 2004, 14, 1367.
21. (a) Yoo, B.; Jung, T. O.; Basu, D.; Dodabalapur, A.; Jones, B. A.; Facchetti, A.; Wasielewski, M. R.; Marks, T. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 082104.
22. (b) Subramanian, V.; Chang, P. C.; Lee, J. B.; Molesa, S. E.; Volkman, S. K. IEEE Trans. Comp. Pack. Tech. 2005, 28, 742.
23. (c) Baude, P. F.; Ender, D. A.; Haase, M. A.; Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Theiss, S. D. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3964.
24. (d) Drury, C. J.; Mutsaers, C. M. J.; Hart, C. M.; Matters, M.; de Leeuw, D. M. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 108.
25. (e) Gamota, D. R.; Brazis, P.; Kalyanasundarain, X.; Zhang, J. Printed Organic and Molecular Electronics: Kluwer Academic Publishers: New York, USA, 2004.
26. (a) Street, R. A.; Wong, W. S.; Ready, S. E.; Chabinyc, M. L.; Arias, A. C.; Limb, S.; Salleo, A.; Lujan, R. Mater. Today (Oxford, U. K.) 2006, 9, 32.
27. (b) Zhou, L.; Wanga, A.; Wu, S.-C.; Sun, J.; Park, S.; Jackson, T. N. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 083502/1.
28. (c) Zyung, T.; Kim, S. H.; Lim, S. C.; Lee, J. H.; Chu, H. Y.; Lee, J.-I.; Oh, J. Y. J. Korean Phys. Soc. 2006, 48, S111.
29. (d) Oh, S. Y.; Lee, J.-Y. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2006, 444, 211.
30. (e) Chabinyc, M. L.; Salleo, A. Chem. Mater. 2004, 16, 4509.
31. (f) Sheraw, C. D.; Zhou, L.; Huang, J. R.; Gundlach, D. J.; Jackson, T. N.; Kane, M. G.; Hill, I. G.; Hammond, M. S.; Campi, J.; Greening, B. K.; Francl, West, J. J. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1088.
32. (g) Mach, P.; Rodriguez, S. J.; Nortrup, R.; Wiltzius, P.; Rogers, J. A. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3592.
33. (h) Klauk, H.; Gundlach, D. J.; Nichols, J. A.; Jackson, T. N. IEEE Trans. Electron Devices 1999, 46, 1258.
34. Naber, R. C. G.; de Boer, B.; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 203509/1.
35. (a) Someya, T.; Sekitani, T.; Iba, S.; Kato, Y.; Sakurai, T.; Kawaguchi, H. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2006, 444, 13.
36. (b) Wang, L.; Fine, D.; Sharma, D.; Torsi, L.; Dodabalapur, A. Anal. Bioanal. Chem. 2006, 384, 310.
37. (c) Torsi, L. Anal. Bioanal. Chem. 2006, 384, 309.
38. (d) Zhu, Z.-T.; Mason, J. T.; Dieckmann, R.; Malliaras, G. G. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4643.
39. (e) Someya, T.; Katz, H. E.; Gelperin, A.; Lovinaer, A. J.; Dodabalapur, A. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3079.
40. (a) Lee, K. J.; Motala, M. J.; Meitl, M. A.; Childs, W. R.; Menard, E.; Shim, A. K.; Rogers, J. A.; Nuzzo, R. G. Adv. Mat. 2005, 17, 2332.
41. (b) Sele, C. W.; von Werne, T.; Friend, R. H.; Sirringhaus, H. Adv. Mater. 2005, 17, 997.
42. (c) Chabinyc, M. L.; Salleo, A.; Wu, Y.; Liu, P.; Ong, B. S.; Heeney, M.; McCulloch, I. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 13928.
43. (d) Ling, M. M.; Bao, Z. Chem. Mater. 2004, 16, 4824.
44. (e) Lefenfeld, M.; Blanchet, G.; Rogers, J. A. Adv. Mater. 2003, 15, 1188.
45. (a) Kuo, Y. Thin Film Transistors; Kluwer Academic Publishers: Norwell, MA, USA, 2004; pp 183-202.
46. (b) Sazonov, A.; Striakhilev, D.; Lee, C.-H.; Nathan, A. Proc. IEEE 2005, 93, 1420.
47. (c) Hamakawa, Y. Ren. Energy 1996, 8, 10.
48. (a) Videlot-Ackermann, C.; Ackermann, J.; Brisset, H.; Kawamura, K.; Yoshimoto, N.; Raynal, P.; El Kassmi, A.; Fages, F. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 16343.
49. (b) Wex, B.; Kaalarani, B. R.; Schroeder, R. I.; Majewski, L. A.; Burckel, P.; Grell, M.; Neckers, D. J. Mater. Chem. 2006, 16, 1121.
50. (c) Crouch, D. J.; Skabara, P. J.; Lohr, J. E.; McDouall, J. J. W.; Heeney, M.; McCulloch, I.; Sparrowe, D.; Shkunov, M.; Coles, S. J.; Horton, P. N.; Hursthouse, M. B. Chem. Mater. 2006, 18, 6567.
51. (d) Zen, A.; Bilge, A.; Galbrecht, F.; Alle, R.; Meerholz, K.; Grenzer, J.; Neher, D.; Scherf, U.; Farrell, T. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 3914.
52. (e) Sun, Y.; Ma, Y.; Liu, Y.; Lin, Y.; Wang, Z.; Wang, Y.; Di, C.; Xiao, K.; Chen, X.; Qiu, W.; Zhang, B.; Yu, G.; Hu, W.; Zhu, D. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 426.
53. (f) Takimiya, K.; Kunugi, Y.; Konda, Y.; Ebata, H.; Toyoshima, Y.; Otsubo, T. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 3044.
54. (g) Zhang, H.; Wang, Y.; Shao, K.; Liu, Y.; Chen, S.; Qiu, W.; Sun, X.; Qi, T.; Ma, Y.; Yu, G.; Su, Z.; Zhu, D. Chem. Commun. 2006, 755.
55. (a) Locklin, J.; Roberts, M.; Mannsfeld, S.; Bao, Z. J. Macromol. Sci. Polym. Rev. 2006, 46, 79.
56. (b) Jurchescu, O. D.; Baas, J.; Palstra, T. T. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3061.
57. (c) Shtein, M.; Mapel, J.; Benziger, J. B.; Forrest, S. R. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 268.
58. (d) Jentzsch, T.; Juepner, H. J.; Brzezinka, K. W.; Lau, A. Thin Solid Films 1998, 315, 273.
59. (e) Dimitrakopoulos, C. D.; Brown, A. R.; Pomp, A. J. Appl. Phys. 1996, 80, 2501.
60. (f) Laquindanum, J. G.; Katz, H. E.; Lovinaer, A. J.; Dodabalapur, A. Chem. Mater. 1996, 8, 2542.
61. (a) Naraso; Nishida, J.-i.; Ando, S.; Yamaguchi, J.; Itaka, K.; Koinuma, H.; Tada, H.; Tokito, S.; Yamashita, Y. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 10142.
62. (b) DeLongchamp, D. M.; Sambasivan, S.; Fischer, D. A.; Lin, E. K.; Chang, P.; Murphy, A. R.; Frechet, J. M. J.; Subramanian, V. Adv. Mater. 2005, 17, 2340.
63. (c) Abthagir, P. S.; Ha, Y.-G.; You, E.-A.; Jeong, S.-H.; Seo, H.-S.; Choi, J.-H. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 23918.
64. (d) Porzio, W.; Destri, S.; Giovanella, U.; Pasini, M.; Motta, T.; Natali, D.; Sampietro, M.; Campione, M. Thin Solid Films 2005, 492, 212.
65. (e) Singh, Th. B.; Gunes, S.; Marjanovic, N.; Sariciftci, N. S.; Menon, R. J. Appl. Phys. 2005, 97, 114508/1.
66. (f) Facchetti, A.; Letizia, J.; Yoon, M.-H.; Mushrush, M.; Katz, H. E.; Marks, T. J. Chem. Mater. 2004, 16, 4715.
67. (g) Meng, H.; Zheng, J.; Lovinger, A. J.; Wang, B.-C.; Van Patten, P. G.; Bao, Z. Chem. Mater. 2003, 15, 1778.
68. (h) Videlot, C.; Ackermann, J.; Blanchard, P.; Raimundo, J.-M.; Frere, P.; Allain, M.; de Bettignies, R.; Levillain, E.; Roncali, J. Adv. Mater. 2003, 15, 306.
69. (i) Videlot, C.; Ackermann, J.; El Kassmi, A.; Raynal, P. Thin Solid Films 2002, 403, 380.
70. (j) Chen, X. L.; Lovinger, A. J.; Bao, Z.; Sapjeta, J. Chem. Mater. 2001, 13, 1341.
71. (k) Horowitz, G.; Hajlaoui, M. E. Synth. Met. 2001, 122, 185.
72. (l) Katz, H. E. J. Mater. Chem. 1997, 7, 369.
73. (a) Facchetti, A.; Yoon, M.-H.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2005, 17, 1705.
74. (b) Veres, J.; Ogier, S.; Lloyd, G.; de Leeuw, D. Chem. Mater. 2004, 16, 4543.
75. (a) Jung, T.; Dodabalapur, A.; Wenz, R.; Mohapatra, S. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 182109/1.
76. (b) Backlund, T. G.; Osterbacka, R.; Stubb, H.; Bobacka, J.; Ivaska, A. J. Appl. Phys. 2005, 98, 074504/1.
77. (c) Panzer, M. J.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 6960.
78. (d) Maliakal, A.; Katz, H. E.; Cotts, P.; Subramoney, M.; Mirau, S. P. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 14655.
79. (e) Schroeder, R.; Majewski, L. A.; Grell, M. Adv. Mater. 2005, 17, 1535.
80. (f) Wang, G.; Moses, D.; Heeger, A. J.; Zhang, H.-M.; Narasimhan, M.; Demaray, R. E. J. Appl. Phys. 2004, 95, 316.
81. (g) Dimitrakopoulos, C. D.; Purushothaman, S.; Kymissis, J.; Callegari, A.; Shaw, J. M. Science 1999, 283, 822.
82. Peng, X.; Horowitz, G.; Fichou, D.; Garnier, F. Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 2013.
83. (a) Jang, Y.; Kim, D. H.; Park, Y. D.; Cho, J. H.; Hwang, M.; Cho, K Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 072101.
84. (b) Dinelli, F.; Moulin, J.-F.; Loi, M. A.; Da Como, E.; Massi, M.; Murgia, M.; Muccini, M.; Biscarini, F.; Wie, J.; Kingshott, P. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 258.
85. (c) Nunes, G., Jr.; Zane, S. G.; Meth, J. S. J. Appl. Phys. 2005, 98, 104503/1.
86. (d) Knipp, D.; Kumar, P.; Voelkel, A. R.; Street, R. A. Synth. Met. 2005, 155, 485.
87. (e) Naber, R. C. G.; Blom, P. W. M.; Gelinck, G. H.; Marsman, A. W.; de Leeuw, D. M. Adv. Mater. 2005, 17, 2692.
88. (f) Stadlober, B.; Zirkl, M.; Beutl, M.; Leising, G.; Bauer-Gogonea, S.; Bauer, S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 242902/1.
89. (g) Klauk, H.; Halik, M.; Zschieschang, U.; Schmid, G.; Radlik, W.; Weber, W. J. Appl. Phys. 2002, 92, 5259.
90. Chua, L.-L.; Zaumsell, J.; Chang, J.-F.; Ou, E. C-W.; Ho, P. J.-H.; Sirringhaus, H.; Friend, R. H. Nature 2005, 434, 194.
91. (a) Singh, T. B.; Meghdadi, F.; Gunes, S.; Marjanovic, N.; Horowitz, G.; Lang, P.; Bauer, S.; Sariciftci, N. S. Adv. Mater. 2005, 17, 2315.
92. (b) Takahashi, T.; Takenobu, T.; Takeya, J.; Iwasa, Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 033505/1.
93. (a) Knipp, D.; Street, R. A.; Volkel, A.; Ho, A. J. Appl. Phys. 2003, 93, 347.
94. (b) Knipp, D.; Street, R. A.; Krusor, B. S.; Apte, R. B.; Ho, J. Proc. SP1E-Int. Soc. Opt. Eng. 2001, 4466, 8.
95. Steudel, S.; De Vusser, S.; De Jonge, S.; Janssen, D.; Verlaak, S.; Genoe, P.; Heremans, J. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4400.
96. (a) Ruiz, R.; Choudhary, D.; Nickel, B.; Toccoli, T.; Chang, K.-C.; Mayer, A. C.; Clancy, P.; Blakely, J. M.; Headrick, R. L.; Iannotta, S.; Malliaras, G. G. Chem. Mater. 2004, 16, 4497.
97. (b) Knipp, D.; Murti, D. K.; Krusor, B.; Apte, R.; Jiang, L.; Lu, J. P.; Ong, B. S.; Street, R. A. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2002, 665, 207.
98. (c) Horowitz, G.; Hajlaoui, M. E. Adv. Mater. 2000, 12, 1046.
99. (d) Klauk, H.; Jackson, T. N. Solid State Technol. 2000, 43, 63.
100. (e) Lin, Y.-Y.; Gundlach, D. J.; Nelson, S. F.; Jackson, T. N. IEEE Trans. Electron Devices 1997, 44, 1325.
101. (a) Yang, S. Y.; Shin. K.; Park, C. E. Adv. Fund. Mater. 2005, 15, 1806.
102. (b) Gundlach, D. J.; Kuo, C.-C.; Nelson, S. F.; Jackson, T. N. IEEE 57th Device Research Conference Digest; Santa Barbara, CA; IEEE Publishing Services: New York, USA 1999; pp 164-165.
103. Fritz, S. E.; Kelly, T. W.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 10574.
104. (a) Salleo, A.; Chabinyc, M. L.; Yang, M. S.; Street, R. A. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4383.
105. (b) Lin, Y. Y.; Gundlach, D. J.; Nelson, S. F.; Jackson, T. N. IEEE Electron Devices Lett. 1997, 18, 606.
106. Yagi, I.; Tsukagoshi, K.; Aoyagi, W. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 103502-1.
107. (a) Kobayashi, S.; Nishikawa, T.; Takenobu, T.; Mori, S.; Shimoda, T.; Mitani, T.; Shimotani, H.; Yoshimoto, N.; Ogawa, S.; Iwasa, Y. Nat. Mater. 2004, 3, 317.
108. (b) Pernstich, K. P.; Goldmann, C.; Krellner, C.; Oberhoff, D.; Gundlach, J.; Batlogg, B. Synth. Met. 2004, 146, 325.
109. (a) Pernstich, K. P.; Rashid, A. N.; Haas, S.; Schitter, G.; Oberhoff, D.; Goldmann, C.; Gundlach, D. J.; Batlogg, B. Los Alamos Natl. Lab., Prepr. Arch., Condens. Matter 2004, 1-9, arXiv:cond-mat/0410014.
110. (b) Kelley, T. W.; Boardman, L. D.; Dunbar, T. D.; Muyres, D. V.; Pellerite, M. J.; Smith, T. P. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 5877.
111. Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Baude, P. F.; Smith, T. P.; Jones, T. D. MRS Symp. Proc. 2003, 771, 169.
112. (a) Deman, A. L.; Tardy, J. Mater Sci. Eng. C 2006, 26, 421.
113. (b) Itoh, E.; Miyairi, K. Thin Solid Films 2006, 499, 95.
114. (c) Yoshida, M.; Uemura, S.; Kodzasa, T.; Kamata, T.; Matsuzawa, M.; Kawai, T. Synth. Met. 2003, 137, 967.
115. (d) Liu, P.; Wu, Y.; Li, Y.; Ong, B. S.; Zhu, S. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 4554.
116. (a) Yoon, M.-H.; DiBenedetto, S. A.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 1348.
117. (b) Facchetti, A.; Mushrush, M.; Yoon, M.-H.; Hutchison, G. R.; Ratner, M. A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 13859.
118. (c) Facchetti, A.; Yoon, M.-H.; Stern, C. L.; Hutchison, G. R.; Ratner, M. A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 13480.
119. (d) Bao, Z.; Lovinger, A. J.; Brown, J. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 207.
120. (a) Veres, J.; Ogier, S. D.; Leeming S. W.; Cupertino, D. C.; Khaffaf, S. M. Adv. Func. Mater. 2003, 13, 199.
121. (b) Jang, Y.; Kim, D. H.; Park, Y. D.; Cho, J. H.; Hwang, M.; Cho, K. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 152105.
122. de Boer, R. W. I.; Iosad, N. N.; Stassen, A. F.; Klapwijk, T. M.; Morpurgo, A. F. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 0321031/1.
123. Jang, Y.; Kim, D. H.; Park, Y. D.; Cho, J. H.; Hwang, M.; Cho, K. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 072101/1.
124. Yoon, M.-H.; Van, H.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 10388.
125. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices. 2nd ed.; John Wiley & Sons: USA, 1981.
126. (a) Menard, M.; Paynter, R. W. Surf. Interface Anal. 2005, 37, 466.
127. (b) Guruvenket, S.; Rao, G. M.; Komath, M.; Raichur, A. M. Appl. Surf. Sci. 2004, 236, 278.
128. (c) Koprinarov, I.; Lippitz, A.; Friedrich, J. F.; Unger, W. E. S.; Woll, Ch. Polymer 1998, 39, 3001.
129. (d) Murakami, T.; Kuroda, S.; Osawa, Z. J. Colloid Interface Sci. 1998, 200, 192.
130. Handbook of Chemistry and Physics; CRC Press: R. C. West Ed.: Boca Raton, FL, 1988.
131. Khastgir, D.; Adachi, K. J. Poly. Sci. B 1999, 37, 3065.
132. (a) Chesterfield, R. J.; McKeen, J. C.; Newman, C. R.; Ewbank, P. C.; da Silva Filhoqq, D. A.; Bredas, J.-L.; Miller, L. L.; Mann, K. R.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 19281.
133. (b) Facchetti, A.; Yoon, M.-H.; Stern, C. L.; Katz, H. E.; Marks, T. J. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 3900.
134. (c) Facchetti, A.; Mushrush, M.; Katz, H. E.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2003, 15, 33.
135. (d) Katz, H. E.; Johnson, J.; Lovinger, A. J.; Li, W. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 7787.
136. Gu, G.; Kane, M. G.; Doty, J. E.; Firester, A. H. Appl. Phys. Lett. 2005. 87, 243512/1.
137. Singh, Th. B.; Marjanovic, N.; Matt, G. J.; Sariciftci, N. S.; Schwodiauer, R.; Bauer, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5409.
138. Uemura, S.; Yoshida, M.; Hoshino, S.; Kodzasa, T.; Kamata, T. Thin-Solid Films 2003, 438-439, 378.
139. Knipp, D.; Street, R. A.; Volkel, A.; Ho, J. J. Appl. Phys. 2003, 93, 347.
140. Rep, D. B. A.; Morpurgo, A. F.; Sloof, W. G.; Klapwijk, T. M. J. Appl. Phys. 2003, 93, 2082.
141. Smith, D. L. Thin-Film Deposition: Principles and Practice; McGraw Hill: New York, 1995; Chapter 5.
142. Fichou, D. J. Mater. Chem. 2003, 10, 571 and references therein.
143. Dodabalapur, A.; Torsi, L.; Katz, H. E. Science 1995, 268, 270.
144. (a) Dinelli, F.; Murgia, M.; Levy, P.; Cavallini, M.; Biscarini, F. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 116802.
145. (b) Muck, T.; Wagner, V.; Bass, M.; Leufgen, J.; Geurts, J.; Molenkamp, L. W. Synth. Met. 2004, 146, 317.
146. (c) Ruiz, R.; Papadimitratos, A.; Mayer, A. C.; Malliaras, G. G. Adv. Mater. 2005, 17, 1795.
147. Muck, T.; Fritz, J.; Wagner, V. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 232101-1.
148. Halik, M.; Klauk, H.; Zschieschang, U.; Schmid, G.; Demh, C.; Schutz, M.; Maisch, S.; Effenberger, F.; Brunnbauer, M.; Stellacci, F. Nature 2004, 431, 963.
149. (a) Oh, Y.; Pyo, S.; Yi, M.-H.; Kwon, S.-K. Org. Electron. 2006, 7, 77.
150. (b) Basova, T.; Kol'tsov, E.; Hassan, A.; Tsarcorodskaya, A.; Ray, A.; Igumenov, I. Phys. Stat. Sol. 2005, 242, 822.
151. Kim, C.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Manuscript in preparation.
152. We have synthesized [Jones, B.; Ahrens, M. J.; Yoon, M.-H.; Facchetti, A.; Marks, T. J.; Wasielewky, M. R. Angew. Chem., Int. Ed. 2004, 43, 6363] and investigated a number of alkyl-substituted cyanated perylenes and found very little change in carrier mobility on different dielectrics.
153. Jones, B.; Wasieleswky, M.; Marks, T. J. Manuscript in preparation.
154. Newman, C. R.; Frisbie, C. D.; da Silva Filhoqq, D. A.; Bredas, J.-L.; Ewbank, P. C.; Mann, K. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
155. Wang, A.; Kymissis, I.; Bulovic, V.; Akinwande, I. A. IEEE Trans. Electron Devices 2006, 53, 9.
156. Pernstich, K. P.; Haas, S.; Oberhoff, D.; Goldmann, C.; Gundlach, D. J.; Batlogg, B.; Rashid, A. N.; Schiller, G. J. Appl. Phys. 2004, 96, 6431.
157. Ryu, R.; Kymissis, I.; Bulovic, V.; Sodini, C. G. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 716.
158. (a) Unni, K. N. N.; Dabos-Seignon, S.; Nunzi, J.-M. J. Mater. Sci. 2006, 41, 317.
159. (b) Rolland, A.; Richard, J.; Kleider, J.-P.; Mencaraglia, D. J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 3679.
160. McDowell, M.; Hill, I. G.; McDermott, J. E.; Bernasek, S. L.; Schwartz, J. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 073505/1.
161. Alexandrova, S.; Sxekeres, A. Phys. Status Solidi A 2001, 187, 499.
162. Ollhuis, W.; Bergveld, P. IEEE Trans. Electr. Insul. 1992, 27, 691.
163. Ahles, M.; Schmechel, R.; von Seggern, H. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4499.
164. Angst, D. L.; Summons, G. W. Langmuir 1991, 7, 2236.
165. Wasserman, S. R.; Tao, Y. T.; Whitesides, G. M. Langmuir 1989, 5, 1074.
166. Shiu, J.-Y.; Kuo, C.-W.; Chen, P.; Mou, C.-Y. Chem. Mater. 2004, 16, 561.
167. Zen, A.; Neher, D.; Silmy, K.; Hollander, A.; Asawapirom, U.; Scherf, U. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 3721.
168. Ogata, T.; Ban, C.; Ueyama, A.; Muranka, S.; Hayashi, T.; Kobayashi, K.; Kobayashi, J.; Kurokawa, H.; Ohno, T.; Hirayama, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 47, 2468.
169. Mortensen, J.; Heinze, J. Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 1984, 23, 84.
170. Uni, K. N. N.; Dabos-Seignon, S.; Nunzi, J.-M. J. Mater. Sci. 2006, 41, 317.
171. Stassem, A. F.; de Boer, R. W. I.; Iosad, N. N.; Morpurgo, A. F. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3899.
172. Teyssedre, G.; Laurent, C. IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2005, 12, 5.
173. Fry, A. J. Syntheric Organic Electrochemistry. Harper & Row: New York, 1972.
174. (a) Torres, I.; Taylor, D. M.; Itoh, E. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 314.
175. (b) Saks, N. S.; Ancona, M. G.; Chen, W. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 2261.
176. (c) Nicollian, E.; Goetzberger, A. Bell Syst. Tech. J. 1967, 46, 1055.