1-Octadecene monolayers on Si(111) hydrogen-terminated surfaces: Effect of substrate doping

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 3, 2004, Pages 1529-1536

  Miramond, Corinne ^a,b   Vuillaume, Dominique ^a  

^a CNRS   (France)

^b STMICROELECTRONICS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; DOPING (ADDITIVES); FERMI LEVEL; FREE RADICALS; LEAKAGE CURRENTS; SILICON; SUBSTRATES; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

HYDROGEN-TERMINATED SURFACES; HYDROSILYLATION; PHOTOELECTRON DIFFRACTION; SURFACE POTENTIAL;

MONOLAYERS;

EID: 4043089318     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1767984     Document Type: Article

References (64)

1. R. Cohen, N. Zenou, D. Cahen, and S. Yitzchaik, Chem. Phys. Lett. 279, 270 (1997).
2. K. Gartsman et al., Chem. Phys. Lett. 283, 301 (1998).
3. M. J. Lercel, H. G. Graighead, A. N. Parikh, K. Seshadri, and D. L. Allara, Appl. Phys. Lett. 68, 1504 (1996).
4. J. Collet and D. Vuillaume, Appl. Phys. Lett. 73, 2681 (1998).
5. J. Collet, O. Tharaud, A. Chapoton, and D. Vuillaume, Appl. Phys. Lett. 76, 1941 (2000).
6. R. Maoz and J. Sagiv, J. Colloid Interface Sci. 100, 465 (1984).
7. S. R. Wasserman, Y. Tao, and G. M. Whitesides, Langmuir 5, 1074 (1989).
8. J. B. Brzoska, N. Shahidzadeh, and F. Rondelez, Nature (London) 360, 719 (1992).
9. J. B. Brzoska, I. Ben Azouz, and F. Rondelez, Langmuir 10, 4367 (1994).
10. D. Vuillaume, C. Boulas, J. Collet, J. V. Davidovits, and F. Rondelez, Appl. Phys. Lett. 69, 1646 (1996).
11. C. Boulas, J. V. Davidovits, F. Rondelez, and D. Vuillaume, Phys. Rev. Lett. 76, 4797 (1996).
12. M. R. Linford and C. E. D. Chidsey, J. Am. Chem. Soc. 115, 12631 (1993).
13. M. R. Linford, P. Fenter, P. M. Eisenberger, and C. E. D. Chidsey, J. Am. Chem. Soc. 117, 3145 (1995).
14. J. Terry, M. R. Linford, C. Wigren, R. Cao, P. Pianetta, and C. E. D. Chidsey, Appl. Phys. Lett. 71, 1056 (1997).
15. J. Terry, M. R. Linford, C. Wigren, R. Cao, P. Pianetta, and C. E. D. Chidsey, J. Appl. Phys. 85, 213 (1999).
16. A. B. Sieval, A. L. Demirel, J. W. M. Nissink, M. R. Linford, v. d. M. J.H., W. H. de Jeu, H. Zuilhof, and E. J. R. Sudhölter, Langmuir 14, 1759 (1998).
17. A. B. Sieval, R. Optiz, H. P. A. Maas, M. G. Schoeman, G. Meijer, F. J. Vergeldt, H. Zuilhof, and E. J. R. Sudhölter, Langmuir 16, 10359 (2000).
18. M. M. Sung, G. J. Kluth, O. W. Yauw, and R. Maboudian, Langmuir 13, 6164 (1997).
19. A. B. Sieval, R. Linke, G. Heij, G. Meijer, H. Zuilhof, and E. J. R. Sudhölter, Langmuir 17, 7554 (2001).
20. R. Boukherroub, D. D. M. Wayner, G. I. Sproule, D. J. Lockwood, and L. T. Canham, Nano Lett. 1, 713 (2001).
21. R. Boukherroub, S. Morin, F. Bensebaa, and D. D. M. Wayner, Langmuir 15, 3831 (1999).
22. J. H. Song and M. J. Sailor, J. Am. Chem. Soc. 120, 2376 (1998).
23. S. A. Mitchell, R. Boukherroub, and S. Anderson, J. Phys. Chem. B 104, 7668 (2000).
24. A. Bansal, X. Li, S. I. Yi, W. H. Weinberg, and N. S. Lewis, J. Phys. Chem. B 105, 10266 (2001).
25. A. Bansal, X. Li, I. Lauermann, N. S. Lewis, S. I. Yi, and W. H. Weinberg, J. Am. Chem. Soc. 118, 7225 (1996).
26. R. L. Cicero, M. R. Linford, and C. E. D. Chidsey, Langmuir 16, 5688 (2000).
27. R. Boukherroub and D. D. M. Wayner, J. Am. Chem. Soc. 121, 11513 (1999).
28. J. M. Buriak, M. P. Stewart, T. W. Geders, M. J. Allen, H. C. Choi, J. Smith, D. Raftery, and L. T. Canham, J. Am. Chem. Soc. 121, 11491 (1999).
29. J. M. Buriak and M. J. Allen, J. Am. Chem. Soc. 120, 1339 (1998).
30. C. Henry de Villeneuve, J. Pinson, M. C. Bernard, and P. Allongue, J. Phys. Chem. B 101, 2415 (1997).
31. P. Allongue, C. H. de Villeneuve, J. Pinson, F. Ozanam, J. N. Chazalviel, and X. Wallart, Electrochim. Acta 43, 2791 (1998).
32. A. Fidelis, F. Ozanam, and I. N. Chazalviel, Surf. Sci. 444, L7 (2000).
33. P. Allongue, C. H. de Villeneuve, and J. Pinson, Electrochim. Acta 45, 3241 (2000).
34. W. J. Royea, A. Juang, and N. S. Lewis, Appl. Phys. Lett. 77, 1988 (2000).
35. S. Kar, C. Miramond, and D. Vuillaume, Appl. Phys. Lett. 78, 1288 (2001).
36. A. B. Sieval et al., J. Phys. Chem. B 28, 6846, (2003).
37. L. J. Webb and N. S. Lewis, J. Phys. Chem. B 107, 5404 (2003).
38. D. Vuillaume, Organic Insulating Films at Nanometer Scale (MRS, Boston, 1997), pp. 79-90.
39. W. Zisman, in Contact Angle, Wettability, and Adhesion; edited by F. M. Fowkes (American Chemical Society, Washington, 1964), Vol. 43, p. 1-51.
40. R. Maoz, J. Sagiv, D. Degenhardt, H. Möhwald, and P. Quint, Supramol. Sci. 2, 9 (1995).
41. H. Hoffmann, U. Mayer, H. Brunner, and A. Krischanitz, J. Mol. Struct. 349, 305 (1995).
42. H. Hoffmann, U. Mayer, and A. Krischanitz, Langmuir 11, 1304 (1995).
43. A. Ulman, An Introduction to Ultrathin Organic Films: From Langmuir-Blodgett to Self-Assembly (Academic, Boston, 1991).
44. R. G. Snyder and J. H. Schachtschneider, Spectrochim. Acta 19, 85 (1963).
45. R. G. Snyder, S. L. Hsu, and S. Krimm, Spectrochim. Acta 34A, 395 (1978).
46. I. R. Hill and I. W. Levin, J. Chem. Phys. 70, 842 (1979).
47. R. G. Snyder, H. L. Strauss, and C. A. Elliger, J. Phys. Chem. 86, 5145 (1982).
48. A. B. Sieval, B. van den Hout, H. Zuilhof, and E. J. R. Sudhölter, Langmuir 17, 2172 (2001).
49. C. D. Bain and G. M. Whitesides, J. Am. Chem. Soc. 111, 7164 (1989).
50. N. L. Jeon, K. Finnie, K. Branshaw, and R. G. Nuzzo, Langmuir 13, 3382 (1997).
51. N. R. Couch, C. M. Montgomery, and R. Jones, Thin Solid Films 135, 173 (1986).
52. N. J. Geddes, J. R. Sambles, D. J. Jarvis, and N. R. Couch, in Molecular Electronic Devices, edited by F. L. Carter, R. E. Siatkowski, and H. Wohltjen, (Elsevier, Amsterdam, 1988) 495.
53. D. J. Wold and C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc. 122, 2970 (2000).
54. D. J. Wold and C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc. 123, 5549 (2001).
55. L. Patrone, S. Palacin, J.-P. Bourgoin, J. Lagoute, T. Zambelli, and S. Gauthier, Chem. Phys. 281, 325 (2002).
56. L. Patrone, S. Palacin, J. Charlier, F. Armand, J.-P. Bourgoin, H. Tang, and S. Gauthier, Phys. Rev. Lett. 91, 096802 (2003).
57. D. Vuillaume and S. Lenfant, Microelectron. Eng. 70, 539 (2003).
58. R. E. Holmlin, R. Haag, M. L. Chabinyc, R. F. Ismagilov, A. E. Cohen, A. Terfort, M. A. Rampi, and G. M. Whitesides, J. Am. Chem. Soc. 123, 5075 (2001).
59. J. Zhao and K. Uosaki, Appl. Phys. Lett. 83, 2034 (2003).
60. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (Wiley, New York, 1982).
61. it is constant in energy over the entire silicon band gap.
62. N. M. Johnson, D. K. Biegelsen, M. D. Moyer, S. T. Chang, E. H. Poindexter, and P. J. Caplan, Appl. Phys. Lett. 43, 563 (1983).
63. E. H. Poindexter, G. J. Gerardi, M.-E. Rueckel, P. J. Caplan, N. M. Johnson, and D. K. Biegelsen, J. Appl. Phys. 56, 2844 (1984).
64. D. Vuillaume, D. Goguenheim, and G. Vincent, Appl. Phys. Lett. 57, 1206 (1990).