Gate insulators in organic field-effect transistors

Chemistry of Materials

Volumn 16, Issue 23, 2004, Pages 4543-4555

  Veres, Janos ^a   Ogier, Simon ^a   Lloyd, Giles ^a   De Leeuw, Dago ^b  

^a Avecia Biologics Limited   (United Kingdom)

^b PHILIPS RESEARCH LABORATORIES   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRON TRANSITIONS; GATES (TRANSISTOR); SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES; SURFACE TREATMENT;

ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS (OFET);

ELECTRIC INSULATORS;

SILICON DIOXIDE;

CHEMICAL STRUCTURE; DIELECTRIC CONSTANT; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON TRANSPORT; INSULATOR ELEMENT; REVIEW; SEMICONDUCTOR;

EID: 8444231667     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm049598q     Document Type: Review

References (82)

1. Gutman, F.; Lyons, L. E. Organic Semiconductors; John Wiley & Sons; New York, 1967.
2. Dimitrakopoulos, C. D.; Mascaro, D. J. IBM J. Res. Dev. 2001, 45, 11.
3. Dimitrakopoulos, C. D.; Malenfant, P. R. L. Adv. Mater. 2002, 14, 99.
4. Balk, P. Adv. Mater. 1995, 7, 703.
5. Tsumura, A.; Koezuka, H.; Ando, T. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 1210.
6. Dimitrakopoulos, C. D.; Brown, A. R.; Pomp, A. J. Appl. Phys. 1996, 80, 2501.
7. Gundlach, D. G.; Lin, Y. Y.; Jackson, T. N.; Nelson, S. F.; Schlom, D. G. IEEE Electron Dev. Lett. 1997, 18, 87.
8. zu Heringdorf, F. J. M.; Reuter, M. C.; Tromp, R. M. Nature 2001, 412, 517.
9. See, for example: http://www-mtl.mit.edu/mtlhome/3Mfab/sop/hmds.html
10. Sirringhaus, H.; Tessler, N.; Friend, R. H. Science 1998, 280, 1741.
11. Sirringhaus, H.; Brown, P. J.; Friend, R. H.; Nielsen, M. M.; Bechgaard, K.; Langeveld-Voss, B. M. W.; Spiering, A. J. H.; Janssen, R. A.; Meijer, E. W.; Herwig, P. T.; de Leeuw, D. M. Nature 1999, 401, 685.
12. Lin, Y. Y.; Gundlach, D. J.; Nelson, S.; Jackson, T. N.; IEEE Electron Device Lett. 1997, 18, 606.
13. Collet, J.; Tharaud, O.; Legrand, C.; Chapoton, A.; Vuillaume, D. Mat Res Soc. Symp. Proc. 1998, 488, 407.
14. Kosbar, L. L.; Dimitrakopoulos, C. D.; Mascaro, D. J. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2001, 665.
15. Gundlach, D. J.; Shelby Kuo, C. C.; Sheraw, C. D.; Nichols, J. A.; Jackson, T. N. Proc. of SPIE 2001, 4466, 54.
16. Shtein, M.; Mapel, J.; Benziger, J. B.; Forrest, S. R. Appl. Phys. Lett. 2002, 81 (2), 268.
17. Salleo, A.; Chabinyc, M. L.; Yang, M. S.; Street, R. A. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4383.
18. Lee, J.; Kim, K.; Kim, J. H.; Ima, S. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4171.
19. Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Pellerite, M. J.; Dunbar, T. D.; Boardman, L. D.; Smith, T. P. US Patent 6,433,359, 2002.
20. Kelley, T. W.; Boardman, L. D.; Dunbar, T. D.; Muyres, D. V.; Pellerite, M. J.; Smith, T. P. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 5877.
21. Swiggers, M. L.; Xia, G.; Slinker, J. D.; Gorodetsky, A. A.; Malliaras, G. G.; Headrick, R. L.; Weslowski, B. T.; Shashidhar, R. N.; Dulcey, C. S. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1300.
22. Jackson, N.; Lin, Y. Y.; Gundlach, D. J. IEEE J. Selected Top. Quantum El. 1998, 4, 100.
23. Knipp, D.; Street, R. A.; Völkel, A.; Ho, J. J. Appl. Phys. 2003, 93, 347.
24. Le Grange, J. D.; Markham, J. L. Langmuir 1993, 9, 1749.
25. Knipp, D.; Street, R. A.; Volkel, A. R. Appl. Phys. Lett. 2003, 82 (22), 3907.
26. Knipp, D.; Street, R. A.; Krusor, B.; Ho, J.; Apte, R. B. Mat Res Soc. Symp. Proc. 2002, BB8.10.
27. Veres, J.; Morgan, J. D.; Leeming, S. W.; Allen, J. V. Proc. Of IS&T's NIP16, Int. Conf. On Digital Printing Technologies, The Society for Imaging Science and Technology, Springfield, VA, 2000, 473.
28. Higgins, A. M.; Martin, S. J.; Jukes, P. C.; Geoghegan, M.; Jones, R. A. L.; Langridge, S.; Cubitt, R.; Kirchmeyer, S.; Wehrum, A.; Grizzi, I. J. Mater. Chem. 2003, 13, 2814.
29. Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Baude, P. F.; Smith, T. P.; Jones, T. D. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, 771, L6.5.1.
30. Dimitrakopoulos, C. D.; Furman, B. K.; Graham, T.; Hegde, S.; Purushothaman, S. Synth. Met. 1998, 92, 47.
31. Garnier, F.; Hajlaoui, R.; Yasser, A.; Srivastava, P. Science 1994, 265, 1684.
32. Horowitz, G.; Deloffre, F.; Garnier, F.; Hajlaoui, R.; Hmyene, M.; Yassar, A. Synth. Met. 1993, 54, 435.
33. Veres, J.; Ogier, S. D.; Leeming, S. W.; Cupertino, D. C.; Khaffaf, S. M.; Lloyd, G. Proc. SPIE 2003, 5217, 147.
34. Halik, M.; Klauk, H.; Zschieschang, U.; Schmid, G.; Radlik, W. J. Appl. Phys. 2003, 93, 2977.
35. Gelinck, G. H.; Geuns, T. C. T.; de Leeuw, D. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, (10), 1487.
36. Bao, Z.; Dodabalapur, A.; Lovinger, A. J. Appl. Phys. Lett. 1996, 69 (26), 4108.
37. Bao, Z.; Feng, Y.; Dodabalapur, A.; Raju, V. R.; Lovinger, A. J. Chem. Mater. 1997, 9, 1299.
38. Ullmann, A.; Ficker, J.; Fix, W.; Rost, H.; Clemens, W.; McCulloch, I.; Giles. M. Mater. Res. Soc. Proc. 2001, 665, C7.5.
39. Lloyd, G.; Sedghi, N.; Raja, M.; Sellers, I.; Higgins, S.; Di Lucrezia, R.; Eccleston, W. Microelectron. Eng. 2001, 59, 323.
40. Halik, M.; Klauk, H.; Zschieschang, U.; Kriem, T.; Schmid, G.; Radlik, W.; Wussow, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81 (2), 289.
41. Fix, W.; Ullmann, A.; Ficker, J.; Clemens, W. Appl. Phys. Lett. 2002, 81 (9), 1735.
42. Park, S. Y.; Kim, Y. H.; Han, J. I.; Moon, D. G.; Kim, W. K. IEEE Trans. Electron. Dev. 2002, 49 (11), 2008.
43. Sandberg, H.; Frey, G.; Shkunov, M.; Sirringhaus, H.; Friend, R. H.; Nielsen, M. M.; Kumpf, C. Langmuir 2002, 18, 10176.
44. Austin, M. D.; Chou, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 81 (23), 4431.
45. Raja, M.; Sedghi, N.; Higgins, S. J.; Eccleston, W. Mater. Res. Soc. Proc. 2003, 734, B9.1.
46. Stutzman, N.; Friend, R. H.; Sirringhaus, H. Science 2003, 299, 1881.
47. Wang, G.; Swenson, J.; Moses, D.; Heeger, A. J. J. Appl. Phys. 2003, 93 (10), 6137.
48. Ficker, J.; Ullmann, A.; Fix, W.; Rost, H.; Clemens, W. J. Appl. Phys. 2003, 94 (4), 2638.
49. Ong, B.; Wu, Y.; Jiang, L.; Liu, P.; Murti, K. Synth. Met. To be published.
50. Tanase, C.; Meijer, E. J.; Blom, P. W.; de Leeuw, D. M. Phys. Rev. Lett. 2003, 91 (21), 216601.
51. Brandon, E. J.; West, W.; Wesseling, E. Appl. Phys. Lett. 2003, 83 (19), 3945.
52. Heil, H.; Finnberg, T.; von Malm, N.; Schmechel, R.; von Seggern, H. J. Appl. Phys. 2003, 93 (3), 1636.
53. Wang, G.; Moses, D.; Heeger, A. J.; Zhang, H. M.; Narasimhan, M.; Demaray, R. E. J. Appl. Phys. 2004, 95 (1), 316.
54. Veres, J.; Ogier, S. D.; Leeming, S. W.; Cupertino, D. C.; Mohialdin-Khaffaf, S. Adv. Mater. 2003, 13, 199.
55. Veres, J.; Ogier, S. D.; Lloyd, G.; Leeming, S. W.; Cupertino, D. C.; Khaffaf, S. M. MRS 2003, Fall, K8.7.
56. Sirringhaus, H.; Kawase, T.; Friend, R. D.; Shimoda, T.; Inbasebakan, M.; Wu, W.; Woo, E. P. Science 2000, 290, 2123.
57. Newsome, C. J.; Kawase, T.; Shimoda, T.; Brennan, D. J. Proc. SPIE 2003, 5217, 16.
58. Redecker, M.; Bradley, D. C.; Inbasekaran, M.; Wu, W. W.; Woo, E. P. Adv. Mater. 1999, 11, 241.
59. Chabinyc, M. L.; Wong, W. S.; Salleo, A.; Paul, K. E.; Street, R. A. Appl. Phys. Lett 2002, 81, 4260.
60. Fix, W.; Ullmann, A.; Ficker, F.; Rost, H.; Clemens, W.; Brennan, D.; Welsh, D.; O'Brien, J. Proceedings of the 32nd European Solid State Device Research Conference, 2002, 527.
61. Brennan, D. J.; Townsend, P. H., III; Welsh, D. M.; Dibbs, M. G.; Shaw, J. M.; Miklovich, J. L.; Boeke, R. B.; Arias, A. C.; Creswell, L.; MacKenzie, D.; Sirringhaus, H. Proc. SPIE 2003, 5217, 1.
62. Brennan, D. J.; Townsend, P. H., III; Welsh, D. M.; Dibbs, M. G.; Shaw, J. M.; Miklovich, J. L.; Boeke, R. B. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, 771, L6.1.
63. Rawcliffe, R.; Bradley, D. D. C.; Campbell, A. Proc. SPIE, 2003, 5217, 25.
64. Kanicki, J.; Kinder, L.; Heeger, A.; Petroff, P.; Swensen, J. Proc. SPIE, 2003, 5217, 35.
65. Swensen, J.; Kanicki, J.; Wang, G.; Heeger, A.; Martin, S. Proc. SPIE, 2003, 5217, 159.
66. Bürgi, L.; Richards, T. J.; Friend, R. H.; Sirringhaus, H. J. Appl. Phys. 2003, 94 (9), 6129.
67. Salleo, A.; Street, R. A. J. Appl. Phys. 2003, 94 (1), 471.
68. Martin, S.; Hamilton, M.; Kanicki, J. J. SID 2003, 11 (3), 543.
69. Yasuda, T.; Fujita, K.; Nakashima, H.; Tsutsui, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 6614.
70. Sheraw, C. D.; Gundlach, D. J.; Jackson, T. N. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000, 558, 403.
71. Veres, J.; Ogier, S. D.; Lloyd, G.; Leeming, S. W.; Cupertino, D. C.; Khaffaf, S. M. Proeedings of the USDC; 2004, Phoenix, AZ.
72. Dimitrakopoulos, C.; Purushothaman, S.; Kymissis, J.; Callegari, A.; Shaw, J. M. Science 1999, 404, 822.
73. Dimitrakopoulos, C.; Kymissis, J.; Purushothaman, S.; Neumayer, D. A.; Duncombe P. R.; Laibowitz, R. B. Adv. Mater. 1999, 11, 1372.
74. Dodabalapur, A.; Torsi, L.; Katz, H. E. Science 1995, 268, 270.
75. Völkel, A. R.; Street, R. A.; Knipp, D. Phys. Rev. B 2002, 66, 195336.
76. Bartic, C.; Jansen, H.; Campitelli, A.; Borghs, S. Org. Electron. 2002, 3, 62.
77. Majewski, L. A.; Grell, M.; Ogier, S. D.; Veres, J. Org. Electron. 2003, 4, 27.
78. Majewski, L. A.; Schröder, R.; Grell, M. J. Phys. D: Appl. Phys. 2004, 37, 21.
79. Parashkov, R.; Becker, E.; Ginev, G.; Riedl, T.; Johannes, H. H.; Kowalsky, W. J. Appl. Phys. 2004, 95 (3), 1594.
80. Meijer, E. J.; Tanase, C.; Blom, P. W. M.; van Veenendaal, E.; Huisman, B. H.; de Leeuw, D. M.; Klapwijk, T. M. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3838.
81. Tanase, C.; Meijer, E. J.; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M. Org. Electron. 2003, 4, 33.
82. Sancho-García, J. C.; Horowitz, G.; Brédas, J. L.; Cornil, J. J. Chem. Phys. 2003, 119 (23), 12563.