Effect of the phase states of self-assembled monolayers on pentacene growth and thin-film transistor characteristics

Journal of the American Chemical Society

Volumn 130, Issue 32, 2008, Pages 10556-10564

  Lee, Hwa Sung ^a   Kim, Do Hwan ^a   Cho, Jeong Ho ^a   Hwang, Minkyu ^a   Jang, Yunseok ^a   Cho, Kilwon ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALKYL CHAINS; CRYSTALLINITY; DISORDERED SUBSTRATES; FIELD-EFFECT MOBILITIES; GROWTH MODES; INTERCONNECTIVITY; OCTADECYLTRICHLOROSILANE; ORGANIC THIN-FILM TRANSISTORS; PENTACENE; PENTACENE FILMS; PENTACENE MOLECULES; PHASE STATES; SUBSTRATE TEMPERATURE; SUBSTRATE TEMPERATURES; TEMPERATURE-DEPENDENT;

ALKYLATION; CRYSTAL GROWTH; ELECTRON ENERGY LEVELS; EPITAXIAL GROWTH; FILM GROWTH; MISSILE BASES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MONOLAYERS; SELF ASSEMBLED MONOLAYERS; SUBSTRATES; THIN FILM DEVICES; THIN FILM TRANSISTORS;

SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS;

ALKYL GROUP; OCTADECYLTRICHIOROSILANE; SILANE DERIVATIVE; UNCLASSIFIED DRUG;

ARTICLE; CHEMICAL STRUCTURE; CRYSTALLIZATION; DIELECTRIC CONSTANT; FILM; MOLECULAR STABILITY; SEMICONDUCTOR; STRUCTURE ANALYSIS; TEMPERATURE;

EID: 49449099236     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja800142t     Document Type: Article

References (63)

1. Dimitrakopoulos, C. D.; Purushothaman, S.; Kymissis, J.; Callegari, A.; Shaw, J. Science 1999, 283, 822.
2. Babel, A.; Jenekhe, S. A. Adv. Mater. 2002, 14, 371.
3. Horowitz, G. Adv. Mater. 1998, 10, 365.
4. Shtein, M.; Mapel, J.; Benziger, J. B.; Forrest, S. R. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 268.
5. Kobayashi, S.; Nishikawa, T.; Takenobu, T.; Mori, S.; Shimoda, T.; Mitani, T.; Shimotani, H.; Yoshimoto, N.; Ogawa, S.; Iwasa, Y. Nat. Mater. 2004, 3, 317.
6. Fritz, S. E.; Martin, S. M.; Frisbie, C. D.; Ward, M. D.; Toney, M. F. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 4084.
7. Kim, C.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Science 2007, 318, 76.
8. Yang, H.; Shin, T. J.; Ling, M. -M.; Cho, K.; Ryu, C. Y.; Bao, Z. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11542.
9. Chabinyc, M. L.; Salleo, A.; Endicott, F.; Ong, B. S.; Wu, Y.; Liu, P.; Heeney, M.; McCulloch, I. Proc. SPIE 2005, 5940, 594012.
10. Halik, M.; Klauk, H.; Zschieschang, U.; Schmid, G.; Dehm, C.; Schütz, M.; Malsch, S.; Effenberger, F.; Brunnbauer, M.; Stellacci, F. Nature 2004, 431, 963.
11. Zaumseil, J.; Sirringhaus, H. Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
12. Lee, H. S.; Cho, J. H.; Kim, W. -K.; Lee, J. -L.; Cho, K. Electrochem. Solid-State Lett. 2007, 10, H239.
13. Dimitrakopoulos, C. D.; Malenfant, P. R. L. Adv. Mater. 2002, 14, 99.
14. Ruiz, R.; Nickel, B.; Koch, N.; Feldman, L. C.; Haglund, R. F.; Kahn, A.; Scoles, G. Phys. Rev. B 2003, 67, 125406.
15. Stadiober, B.; Haas, U.; Maresch, H.; Haase, A. Phys. Rev. B 2006, 74, 165302.
16. Schiefer, S.; Huth, M.; Dobrinevski, A.; Nickel, B. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 10316.
17. Yanagisawa, H.; Tamaki, T.; Nakamura, M.; Kudo, K. Thin Solid Films 2004, 464, 398.
18. Meyer zu Heringdorf, F.-J.; Reuter, M. C.; Tromp, R. M. Nature 2001, 412, 517.
19. Pratontep, S.; Nüesch, F.; Zuppiroli, L.; Brinkmann, M. Phys. Rev. B 2005, 72, 085211.
20. Ruiz, R.; Choudhary, D.; Nickel, B.; Toccoli, T.; Chang, K.-C.; Mayer, A. C.; Clancy, P.; Blckely, J. M.; Headrick, R. L.; Iannotta, S.; Malliaras, G. G. Chem. Mater. 2004, 16, 4497.
21. Kline, R. J.; DeLongchamp, D. M.; Fischer, D. A.; Lin, E. K.; Heeney, M.; McCulloch, I.; Toney, M. F. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 062117.
22. Schreiber, F. Phys. Stat. Sol. A 2004, 201, 1037.
23. Lee, H. S.; Kim, D. H.; Cho, J. H.; Park, Y. D.; Kim, J. S.; Cho, K. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 1859.
24. Lin, Y.-Y.; Cundlach, D. J.; Nelson, S. F.; Jackson, T. N. IEEE Electron Device Lett. 1997, 18, 87.
25. Takeya, J.; Nishikawa, T.; Takenobu, T.; Kobayashi, S.; Iwasa, I.; Mitani, T.; Goldmann, C.; Krellner, C.; Batlogg, B. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5078.
26. Park, Y. D.; Lim, J. A.; Lee, H. S.; Cho, K. Mater. Today 2007, 10, 46.
27. Shtein, M.; Mapel, J.; Benziger, J. B.; Forrest, S. R. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 268.
28. Kang, S. J.; Yi, Y.; Kim, C. Y.; Whang, C. N.; Callcott, T. A.; Krochak, K.; Moewes, A.; Chang, G. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 232103.
29. Knipp, D.; Street, R. A.; Volkel, A.; Ho, J. J. Appl. Phys. 2003, 93, 347.
30. Leggett, G. J. Anal. Chim. Acta 2003, 479, 17.
31. Onclin, S.; Ravoo, B. J.; Reinhoudt, D. N. Angew. Chem., Int. Ed. 2005, 44, 6282.
32. Ulman, A. Chem. Rev. 1999, 96, 1533.
33. Lee, D. H.; Oh, T.; Cho, K. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 11301.
34. Cho, J. H.; Lee, D. H.; Shin, H. S.; Pattanayek, S. K.; Ryu, C. Y.; Cho, K. Langmuir 2004, 20, 11499.
35. Iimura, K.; Nakajima, Y.; Kato, T. Thin Solid Films 2000, 379, 230.
36. Rye, R. R. Langmuir 1997, 13, 2588.
37. Kim, D. H.; Jang, Y.; Park, Y. D.; Cho, K. Langmuir 2005, 21, 3203.
38. Bagus, P. S.; Weiss, K.; Scheitel, A.; Wö ll, Ch.; Braun, W.; Hellwig, C.; Jung, C. Chem. Phys. Lett. 1996, 248, 129.
39. Weiss, K.; Bagus, P. S.; Wö ll, Ch. J. Chem. Phys. 1999, 111, 6834.
40. Tourillon, G.; Fontaine, A.; Garrett, R.; Sagurton, M.; Xu, P.; Williams, G. P. Phys. Rev. B 1987, 35, 9863.
41. Väterlein, P.; Schmelzer, M.; Taborski, J.; Krause, T.; Viczian, F.; Bässler, M.; Fink, R.; Umbach, E.; Wurth, W. Surf. Sci. 2000, 452, 20.
42. Mirji, S. A. Surf. Interface Anal. 2006, 38, 158.
43. Wang, Y.; Lieberman, M. Langmuir 2003, 19, 1159.
44. Arias, A. C.; Endicott, F.; Street, R. A. Adv. Mater. 2006, 18, 2900.
45. Mattheus, C. C.; de Wijs, G. A.; de Groot, R. A.; Palstra, T. T. M. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 6323.
46. Yoshida, H.; Inaba, K.; Sato, N. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 181930.
47. J. Nogués, J.; Zakharchenko, I. V.; Rao, K. V. Thin Solid Films 1998, 325, 30.
48. Sato, T.; Yamada, Y.; Saijo, S.; Hori, T.; Hirose, R.; Tanaka, N.; Sazaki, G.; Nakajima, K.; Igarashi, N.; Tanaka, M.; Matsuura, Y. Acta Crystallogr. 2000, D56, 1079.
49. Venables, J. A.; Spiller, G. D. T.; Hanbücken, M. Rep. Prog. Phys. 1984, 47, 399.
50. Dürr, A. C.; Nickel, B.; Sharma, V.; Täffner, U.; Dosch, H. Thin Solid Films 2006, 503, 127.
51. Meyer zu Heringdorf, F.-J.; Reuter, M. C.; Tromp, R. M. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2004, 78, 787.
52. Zorba, S.; Shapir, Y.; Gao, Y. Phys. Rev. B 2006, 74, 245410.
53. Zhang, Z.; Lagally, M. G. Science 1997, 276, 377.
54. Cheng, H.-L.; Mai, Y.-S.; Chou, W.-Y.; Chang, L.-R.; Liang, X.-W. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3639.
55. Jang, Y.; Cho, J. H.; Kim, D. H.; Park, Y. D.; Hwang, M.; Cho, K. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 132104.
56. Forrest, S. R.; Burrows, P. E. Supramol. Sci. 1997, 4, 127.
57. Wang, H.; Zhu, F.; Yang, J.; Geng, Y.; Yan, D. Adv. Mater. 2007, 19, 2168.
58. Eremthenko, M.; Schaefer, J. A.; Tautz, F. S. Nature 2003, 425, 602.
59. Kojio, K.; Takahara, A.; Omote, K.; Kajiyama, T. Langmuir 2000, 16, 3932.
60. Tinakata, T.; Imai, H.; Ozaki, M.; Saco, K. J. Appl. Phys. 1992, 72, 5220.
61. Kojio, K.; Ge, S.; Takahara, A.; Kajiyama, T. Langmuir 1998, 14, 971.
62. Lee, D. H.; Kim, D.; Oh, T.; Cho, K. Langmuir 2004, 20, 8124.
63. Prathima, N.; Harini, M.; Rai, N.; Chandrashekara, R. H.; Ayappa, K. G.; Sampath, S.; Biswas, S. K. Langmuir 2005, 21, 2364.