Low operating voltage single ZnO nanowire field-effect transistors enabled by self-assembled organic gate nanodielectrics

Nano Letters

Volumn 5, Issue 11, 2005, Pages 2281-2286

  Ju, Sanghyun ^a   Lee, Kangho ^a   Janes, David B ^a   Yoon, Myung Han ^b   Facchetti, Antonio ^b   Marks, Tobin J ^b  

^a PURDUE UNIVERSITY   (United States)

^b NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHANNEL MOBILITY; NANOWIRE TRANSITORS; NANOWIRES; ORGANIC MONOLAYERS;

DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC POTENTIAL; GATES (TRANSISTOR); LEAKAGE CURRENTS; MONOLAYERS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SELF ASSEMBLY; ZINC OXIDE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 28144453662     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl051658j     Document Type: Article

References (28)

1. Ohya, Y.; Niwa, T.; Ban, T.; Takahashi, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 297-298.
2. Kwon, Y.; Li, Y.; Heo, Y. W.; Jones, M.; Holloway, P. H.; Norton, D. P.; Park, Z. V.; Li, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2685-2687.
3. Hoffman, R. L.; Norris, B. J.; Wager, J. F. J. Appl. Phys. 2003, 82, 733-735.
4. Carcia, P. F.; McLean, R. S.; Reilly, M. H.; Nunes, G., Jr. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117-1119.
5. Nomura, K.; Ohta, H.; Ueda, K.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Science 2003, 300, 1269-1272.
6. McAlpine, M. C.; Friedman, R. S.; Jin, S.; Lin, K.-h.; Wang, W. U.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 1531-1535.
7. Chiang, H. Q.; Wager, J. F.; Hoffman, R. L.; Jeong, J.; Keszler, D. A. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 13503-13505.
8. Norris, B. J.; Anderson, J.; Wager, J. F.; Keszler, D. A., Jr. Physica D 2003, 36, L105-L107.
9. Hara, K.; Horiguchi, T.; Kinoshita, T.; Sayama, K.; Sugihara, H.; Arakawa, H. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2000, 64, 115-134.
10. Yumoto, H.; Inoue, T.; Li, S. J.; Sako, T.; Nishiyama, K. Thin Solid Films 1999, 345, 38-41.
11. Sberveglieri, G.; Groppelli, S.; Nelli, P.; Tintinelli, A.; Giunta, G. Sens. Actuators, B 1995, 25, 588-590.
12. Rodriguez, J. A.; Jirsak, T.; Sambasivan, S.; Fischer, D.; Maiti, A. J. Chem. Phys. 2000, 112, 9929-9939.
13. Service, R. F. Science 1997, 276, 895.
14. Yoon, M.-H.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 4678-4682.
15. Facchetti, A.; Yoon, M.-H.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2005, 17, 1705-1725.
16. Banerjee, D.; Lao, J. Y.; Wang, D. Z.; Huang, J. Y.; Steeves, D.; Kimball, B.; Ren, Z. F. Nanotechnology 2004, 15, 404-409.
17. Banerjee, D.; Lao, J. Y.; Wang, D. Z.; Huang, J. Y.; Ren, Z. F.; Steeves, D.; Kimball, B.; Sennett, M. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2061-3.
18. Lao, J. Y.; Huang, J. Y.; Wang, D. Z.; Ren, Z. F. Nona Lett. 2003, 3, 235-258.
19. Goldberger, J.; Sirbuly, D. J.; Law, M.; Yang. P., Jr. Phy. Chem. B 2004, 109, 9-14.
20. Fan, Z.; Wang, D.; Chang, P. C.; Tseng, W. Y.; Lu, J. G. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5923-5925.
21. Das, N. C.; Nathan, V.; Tallon, R.; Maier, R. J. J. Appl. Phys. 1992, 72, 4958-4962.
22. Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals; Addison-Wesley: Reading, MA, 1996; p 665.
23. Ahsan, A. K. M.; Schroder, D. K. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 4.
24. Studenikin, S. A.; Golego, N.; Cocivera, M. J. Appl. Phys. 2000, 87, 2413.
25. Kohiki, S.; Nishitani, M.; Wada, T.; Hirao, T. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 2876.
26. Natsume, Y.; Sakata, H. Mater. Chem. Phys. 2002, 78, 170.
27. Bae, H. S.; Kim, J. H.; Im, S. Electrochem. Solid-State Lett. 2004, 7, G279.
28. Wang, D.; Wang, Q.; Javey, A.; Tu, R.; Dai, H.; Kim, H.; Paul, C. M.; Tejas, K.; Krishna, C. S. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2432-2434.