Group III Nitrides

Springer Handbooks

Volumn , Issue , 2007, Pages 753-804

  Teke, Ali ^a   Morkoç, Hadis ^b  

^a BALIKESIR UNIVERSITY   (Turkey)

^b Virginia Commonwealth University   (United States)

Author keywords

Debye Temperature; Electron Mobility; Gallium Nitride; Light Emit Diode; Nitrogen Vacancy

Indexed keywords

EID: 85088267414     PISSN: 25228692     EISSN: 25228706     Source Type: Book Series    
DOI: 10.1007/978-0-387-29185-7_32     Document Type: Chapter

References (388)

1. nd edition will appear within 2004 (Springer, Heidelberg 1999)
2. 32.2 S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol: The Blue Laser Diodes (Springer, Berlin Heidelberg New York 2001)
3. 32.3 P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer: Nitride Semiconductors – Handbook on Materials and Devices (Wiley, Weinheim 2003)
4. 32.4 S. J. Pearton: GaN and Related Materials (Gordon and Breach, New York 1997)
5. 32.5 B. Gil: Group III Nitride Semiconductor Compounds (Clarendon, Oxford 1998)
6. 32.6 J. I. Pankove, T. D. Moustakas: GaN, Vol. 1 (Aca-demic, New York 1998)
7. 32.7 T. D. Moustakas, I. Akasaki, B. A. Monemar: III–V nitrides, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 482 (1997, 1998)
8. 32.8 M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, M. S. Shur: Properties of Advanced Semiconductor Materials (Wiley, New York 2001)
9. 32.9 J. H. Edgar: Properties of Group III Nitrides (INSPEC, London 1994)
10. 32.10 J. H. Edgar, S. T. Strite, I. Akasaki, H. Amano, C. Wetzel: Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors (IN-CPEC, London 1999)
11. 32.11 S. N. Mohammad, W. Kim, A. Salvador, H. Morkoc: MRS Bull. 22, 22 (1997)
12. 32.12 S. Strite, H. Morkoç: J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992)
13. 32.13 H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns: J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994)
14. 32.14 S. N. Mohammad, H. Morkoç: Proc. Quant. Electr. 20, 361 (1996)
15. 32.15 H. Morkoç, S. N. Mohammad: Science 267, 51 (1995)
16. 32.16 I. Akasaki, H. Amano: Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet. 96, 231 (1996)
17. 32.17 S. Nakamura: MRS Bull. 22, 29 (1997)
18. 32.18 S. Nakamura: Sel. Top. Quant. Electron. 3, 712 (1997)
19. 32.19 S. Nakamura: Science 281, 956 (1998)
20. 32.20 S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren: J. Appl. Phys. 86, 1 (1999)
21. 32.21 S. J. Pearton, F. Ren, J. C. Zolper, R. J. Shul: Mater. Sci. Eng. R30, 55 (2000)
22. 32.22 M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, C. J. Sun: Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 985 (1995)
23. 32.23 M. A. Khan, Q. Chen, J. Yang, M. Z. Anwar, M. Blasingame, M. S. Shur: Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet. 96, 27 (1996)
24. 32.24 M. S. Shur, M. A. Khan: MRS Bull. 22, 44 (1997)
25. 32.25 L. Liu, J. H. Edgar: Mater. Sci. Eng. R37, 61 (2002)
26. 32.26 S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten: J. Appl. Phys. 87, 965 (2000)
27. 32.27 B. Monemar: Semicond. Semimetals 50, 305 (1998)
28. 32.28 O. Ambacher: J. Phys. D: Appl. Phys. 31, 2653 (1998)
29. 32.29 I. Akasaki, H. Amano, I. Suemune: Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 7 (1996)
30. 32.30 W. A. Harris: Electronic Structure and Properties of Solids (Dover, New York 1980) pp. 174–179
31. 32.31 C. Y. Yeh, Z. W. Lu, S. Froyen, A. Zunger: Phys. Rev. B 46, 10086 (1992)
32. 32.32 G. A. Jeffery, G. S. Parry, R. L. Mozzi: J. Chem. Phys. 25, 1024 (1956)
33. 32.33 H. Schulz, K. H. Theimann: Solid State Commun. 23, 815 (1977)
34. 32.34 Q. Xia, H. Xia, A. L. Ruoff: J. Appl. Phys. 73, 8198 (1993)
35. 32.35 P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. San Miguel, I. Grzegory, A. Polian: Phys. Rev. B 45, 83 (1992)
36. 32.36 M. Ueno, M. Yoshida, A. Onodera, O. Shimommura, K. Takemura: Phys. Rev. B 49, 14 (1994)
37. 32.37 M. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill, R. F. Davis: J. Vac. Sci. Technol. 7, 701 (1989)
38. 32.38 T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, R. J. Graham, J. Scanlon: Appl. Phys. Lett. 59, 944 (1991)
39. 32.39 R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, J. E. Greene: J. Appl. Phys. 73, 189 (1993)
40. 32.40 M. Mizita, S. Fujieda, Y. Matsumoto, T. Kawamura: Jpn. J. Appl. Phys. 25, L945 (1986)
41. 32.41 M. Leszczynski, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, J. Muszalski, M. Kaniewska, J. Marczewski: Appl. Phys. Lett. 67, 539 (1995)
42. 32.42 M. Leszczynski, E. Litwin-Staszewska, J. Bak-Misiuk, J. Domagala: Acta Phys. Pol. 88, 837 (1995)
43. 32.43 G. S. Cargill, A. Segmuller, T. F. Kuech, T. N. Theis: Phys. Rev. B 46, 10078 (1992)
44. 32.44 M. Leszczynski, T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Polowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, C. T. Foxon, T. S. Cheng: Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996)
45. 32.45 J. Härtwing, S. Groswing: Phys. Stat. Solidi 115, 369 (1989)
46. 32.46 W. L. Bond: Acta Crystallogr. 13, 814 (1960)
47. 32.47 I. Petrov, E. Mojab, R. Powell, J. Greene, L. Hult-man, J.-E. Sundgren: Appl. Phys. Lett. 60, 2491 (1992)
48. 32.48 M. E. Sherwin, T. J. Drummond: J. Appl. Phys. 69, 8423 (1991)
49. 32.49 Q. Xia, H. Xia, A. L. Ruoff: Phys. Rev. B 74, 12925 (1993)
50. 32.50 H. Vollstadt, E. Ito, M. Akaishi, S. Akimoto, O. Fuku-naga: Proc. Jpn. Acad. B 66, 7 (1990)
51. 32.51 A. Munoz, K. Kunc: Phys. Rev. B 44, 10372 (1991)
52. 32.52 P. E. Van Camp, V. E. Van Doren, J. T. Devreese: Solid State Commun. 81, 23 (1992)
53. 32.53 M. Tanaka, S. Nakahata, K. Sogabe, H. Nakata, M. Tabioka: Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1062 (1997)
54. 32.54 H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Höpler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch, H.-J. Körner: Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997)
55. 32.55 J. Domagala, M. Leszczynski, P. Prystawko, T. Suski, R. Langer, A. Barski, M. Bremser: J. Alloy Compd. 286, 284 (1999)
56. 32.56 K. Kim, W. R. L. Lambrecht, B. Segall: Phys. Rev. B 53, 16310 (1996). erratum: [32.388]
57. 32.57 A. F. Wright, J. S. Nelson: Phys. Rev. 51, 7866 (1995)
58. 32.58 M. Leszczynski, P. Prystawko, T. Suski, B. Lucznik, J. Domagala, J. Bak-Misiuk, A. Stonert, A. Turos, R. Langer, A. Barski: J. Alloy Compd. 286, 271 (1999)
59. 32.59 T. Detchprohm, K. Hiramatsu, K. Itoh, I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1454 (1992)
60. 32.60 M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Polowski, J. Major: J. Phys. D 69, A149 (1995)
61. 32.61 T. Deguchi, D. Ichiryu, K. Toshikawa, K. Sekiguchi, T. Sota, R. Matsuo, T. Azuhata, M. Yamaguchi, T. Yagi, S. Chichibu, S. Nakamura: J. Appl. Phys. 86, 1860 (1999)
62. 32.62 W. Paszkowicz, J. Adamczyk, S. Krukowski, M. Leszczynski, S. Porowski, J. A. Sokolowski, M. Michalec, W. Lasocha: Philos. Mag. A 79, 1145 (1999)
63. 32.63 S. Strite, D. Chandrasekhar, D. J. Smith, J. Sariel, H. Chen, N. Teraguchi: J. Cryst. Growth 127, 204 (1993)
64. 32.64 W. Paszkowicz: Powder Diffr. 14, 258 (1999)
65. 32.65 F. D. Murnaghan: Proc. Natl. Acad. Sci. 30, 244 (1944)
66. 32.66 A. Polian, M. Grimsditch, I. Grzegory: J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996)
67. 32.67 I. Yonenaga, T. Shima, M. H. F. Sluiter: Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4620 (2002)
68. 32.68 I. Yonenega: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7, 6 (2002)
69. 32.69 T. Tsubouchi, N. Mikoshiba: IEEE Trans. Sonics Ul-troson. SU 32, 634 (1985)
70. 32.70 L. E. McNeil, M. Grimsditch, R. H. French: J. Am. Ceram. Soc. 76, 1132 (1993)
71. 32.71 A. F. Wright: J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997)
72. 32.72 T. Tsubouchi, K. Sugai, N. Mikoshiba: Ultrosonic Symposium Preceedings (IEEE, New York 1981) p. 375
73. 32.73 R. Thokala, J. Chaudhuri: Thin Solid Films 266, 189 (1995)
74. 32.74 M. Ueno, A. Onodera, O. Shimomura, K. Takemura: Phys. Rev. B 45, 10123 (1992)
75. 32.75 D. Gerlich, S. L. Dole, G. A. Slack: J. Phys. Chem. Solid 47, 437 (1986)
76. 32.76 P. E. Van Camp, V. E. Van Doren, J. T. Devreese: Phys. Rev. B 44, 9056 (1991)
77. 32.77 E. Ruiz, S. Alvarez, P. Alemany: Phys. Rev. B 49, 7617 (1994)
78. 32.78 V. A. Savastenko, A. V. Sheleg: Phys. Stat. Sol. A 48, K135 (1978)
79. 32.79 R. B. Schwarz, K. Khachataryan, E. R. Weber: Appl. Phys. Lett. 70, 1122 (1997)
80. 32.80 C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornstein, E. Riha, G. Fischeruer: Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998)
81. 32.81 R. Nowak, M. Pessa, M. Suganuma, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, F. Yoshida: Appl. Phys. Lett. 75, 2070 (1999)
82. 32.82 I. Yonenaga, K. Motoki: J. Appl. Phys. 90, 6539 (2001)
83. 32.83 J. H. Edgar, C. H. Wei, D. T. Smith, T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden: J. Mater. Sci. 8, 307 (1997)
84. 32.84 P. Perlin, A. Polian, T. Suski: Phys. Rev. B 47, 2874 (1993)
85. 32.85 C. T. M. Ribeiro, F. Alvarez, A. R. Zanatta: Appl. Phys. Lett. 81, 1005 (2002)
86. 32.86 Z. M. Ren, Y. F. Lu, H. Q. Ni, T. Y. F. Liew, B. A. Cheong, S. K. Chow, M. L. Ng, J. P. Wang: J. Appl. Phys. 88, 7346 (2000)
87. 32.87 O. Brafman, G. Lengyel, S. S. Mitra, P. J. Gielisse, J. N. Plendl, L. C. Mansur: Solid State Commun. 6, 523 (1968)
88. 32.88 K. Shimada, T. Sota, K. Suzuki: J. Appl. Phys. 84, 4951 (1993)
89. 32.89 K. Miwa, A. Fukumoto: Phys. Rev. B 48, 7897 (1993)
90. 32.90 T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Nakamura: J. Phys.: Condens. Matter 7, L129 (1995)
91. 32.91 V. Yu. Davydov, V. V Emtsev, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, V. D. Petrikov, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, M. B. Smirnov, T. Inushima: Appl. Phys. Lett. 75, 3297 (1999)
92. 32.92 J. S. Dyck, K. Kim, S. Limpijumnong, W. R. L. Lambrecht, K. Kash, J. C. Angus: Solid State Commun. 114, 355 (2000)
93. 32.93 D. Huang, F. Yun, M. A. Reshchikov, D. Wang, H. Morkoç, D. L. Rode, L. A. Farina, Ç. Kurdak, K. T. Tsen, S. S. Park, K. Y. Lee: Solid State Electron. 45, 711 (2001)
94. 32.94 W. Götz, N. M. Johnson, D. P. Bour, M. G. McCluskey, E. E. Haller: Appl. Phys. Lett. 69, 3725 (1996)
95. 32.95 C. G. Van de Walle: Phys. Rev. B 56, R10020 (1997)
96. 32.96 C. Wetzel, A. L. Chen, J. W. Suski, J. W. Ager III, W. Walukiewicz: Phys. Stat. Sol. B 198, 243 (1996)
97. 32.97 G. Kaczmarczyk, A. Kaschner, S. Reich, A. Hoffmann, C. Thomsen, D. J. As, A. P. Lima, D. Schikora, K. Lischka, R. Averbeck, H. Riechert: Appl. Phys. Lett. 76, 2122 (2000)
98. 32.98 K. M. Taylor, C. Lenie: J. Electrochem. Soc. 107, 308 (1960)
99. 32.99 V. Kirchner, H. Heinke, D. Hommel, J. Z. Domagala, M. Leszczynski: Appl. Phys. Lett. 77, 1434 (2000)
100. 32.100 G. A. Slack, S. F. Bartram: J. Appl. Phys. 46, 89 (1975)
101. 32.101 W. M. Yim, R. J. Paff: J. Appl. Phys. 45, 1456 (1974)
102. 32.102 H. P. Maruska, J. J. Tietjen: Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969)
103. 32.103 A. U. Sheleg, V. A. Savastenko: Vestsi Akad. Nauk, Set. Fiz.-Mat. Nauk USSR 3, 126 (1976)
104. 32.104 M. Leszczynski, J. F. Walker: Appl. Phys. Lett. 62, 1484 (1993)
105. 32.105 G. L. Slack, L. J. Schowalter, D. Morelli, J. A. Freitas Jr.: J. Cryst. Growth 246, 287 (2002)
106. 32.106 G. A. Slack: J. Phys. Chem. Solids 34, 321 (1973)
107. 32.107 G. A. Slack, T. F. McNelly: J. Cryst. Growth 42, 560 (1977)
108. 32.108 K. Watari, K. Ishizaki, F. Tsuchiya: J. Mater. Sci. 28, 3709 (1993)
109. 32.109 A. Witek: Diamond Relat. Mater. 7, 962 (1998)
110. 32.110 A. Nikolaev, I. Nikitina, A. Zubrilov, M. Mynbaeva, Y. Melnik, V. Dmitriev: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 595, 6.5.1 (2000)
111. 32.111 D. I. Florescu, V. M. Asnin, F. H. Pollak: Compound Semiconductor 7, 62 (2001)
112. 32.112 E. K. Sichel, J. I. Pankove: J. Phys. Chem. Solids 38, 330 (1977)
113. 32.113 D. Kotchetkov, J. Zou, A. A. Balandin, D. I. Florescu, F. H. Pollak: Appl. Phys. Lett. 79, 4316 (2001)
114. 32.114 J. Zou, D. Kotchetkov, A. A. Balandin, D. I. Florescu, F. H. Pollak: J. Appl. Phys. 92, 2534 (2002)
115. 32.115 D. I. Florescu, V. M. Asnin, F. H. Pollak, R. J. Molnar: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 595, 3.89.1 (2000)
116. 32.116 D. I. Florescu, V. M. Asnin, F. H. Pollak, R. J. Molnar, C. E. C. Wood: J. Appl. Phys. 88, 3295 (2000)
117. 32.117 G. A. Slack, R. A. Tanzilli, R. O. Pohl, J. W. Vander-sande: J. Phys. Chem. Solids 48, 641 (1987)
118. 32.118 S. Krukowski, A. Witek, J. Adamczyk, J. Jun, M. Bockowski, I. Grzegory, B. Lucznik, G. Nowak, M. Wroblewski, A. Presz, S. Gierlotka, S. Stelmach, B. Palosz, S. Porowski, P. Zinn: J. Phys. Chem. Solids 59, 289 (1998)
119. 32.119 A. D. Mah, E. G. King, W. W. Weller, A. U. Christensen: Bur. Mines, Rept. Invest. RI-5716, 18 (1961)
120. 32.120 V. P. Glushko, L. V. Gurevich, G. A. Bergman, I. V. Weitz, V. A. Medvedev, G. A. Chachkurov, V. S. and Yungman: Thermodinamicheskiie Swoistwa Indiwidualnych Weshchestw (the old USSR), Vol. 1 (Nauka, Moscow 1979) p. 164
121. 32.121 I. Basin, O. Knacke, O. Kubaschewski: Thermochemical Properties of Inorganic Substances (Springer, Berlin, Heidelberg 1977)
122. 32.122 V. I. Koshchenko, A. F. Demidienko, L. D. Sabanova, V. E. Yachmenev, V. E. Gran, A. E. Radchenko: Inorg. Mater. 15, 1329 (1979)
123. 32.123 S. Krukowski, M. Leszczynski, S. Porowski: Thermal properties of the Group III nitrides. In: Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, EMIS Datareviews Series, No. 23, ed. by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, C. Wetzel (INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, Stevenage, UK 1999) p. 23
124. 32.124 A. F. Demidienko, V. I. Koshchenko, L. D. Sabanova, V. E. Gran: Russ. J. Phys. Chem. 49, 1585 (1975)
125. 32.125 J. C. Nipko, C.-K. Loong, C. M. Balkas, R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 73, 34 (1998)
126. 32.126 V. Davydov, A. Klochikhin, S. Ivanov, J. Aderhold, A. Yamamoto: Growth and properties of InN. In: Nitride Semiconductors-Handbook on Materials and Devices, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley, New York 2003)
127. 32.127 D. L. Rode, R. K. Willardson, A. C. Beer (Eds.): Semiconductors and Semimetals, Vol. 10 (Academic, New York 1975) pp. 1–90
128. 32.128 K. Seeger: Semiconductor Physics, 2 edn. (Springer, Berlin Heidelberg New York 1982)
129. 32.129 V. W. L. Chin, T. L. Tansley, T. Osotchan: J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994)
130. 32.130 D. L. Rode, D. K. Gaskill: Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995)
131. 32.131 M. E. Lin, B. Sverdlov, G. L. Zhou, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 62, 3479 (1993)
132. 32.132 H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, L. F. Eastman: Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998)
133. 32.133 N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, T. D. Moustakas: J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998)
134. 32.134 D. C. Look, J. R. Sizelove: Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999)
135. 32.135 H. W. Choi, J. Zhang, S. J. Chua: Mater. Sci. Semicond. Process. 4, 567 (2001)
136. 32.136 J. Y. Shi, L. P. Yu, Y. Z. Wang, G. Y. Zhang, H. Zhang: Appl. Phys. Lett. 80, 2293 (2002)
137. 32.137 Z. Q. Fang, D. C. Look, W. Kim, Z. Fan, A. Botchkarev, H. Morkoc: Appl. Phys. Lett. 72, 2277 (1998)
138. 32.138 K. Wook, A. E. Botohkarev, H. Morkoc, Z. Q. Fang, D. C. Look, D. J. Smith: J. Appl. Phys. 84, 6680 (1998)
139. 32.139 Q. S. Zhu, N. Sawaki: Appl. Phys. Lett. 76, 1594 (2000)
140. 32.140 Z. Chen, Y. Yuan, Da-C. Lu, X. Sun, S. Wan, X. Liu, P. Han, X. Wang, Q. Zhu, Z. Wang: Solid State Electron. 46, 2069 (2002)
141. 32.141 S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991)
142. 32.142 W. Götz, L. T. Romano, J. Walker, N. M. Johnson, R. J. Molnar: Appl. Phys. Lett. 72, 1214 (1998)
143. 32.143 D. C. Look, R. J. Molnar: Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997)
144. 32.144 S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh: Jpn. J. Appl. Phys. 31, 2883 (1992)
145. 32.145 S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh: J. Appl. Phys. 71, 5543 (1992)
146. 32.146 S. C. Binari, H. C. Dietrich: In: GaN and Related Materials, ed. by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York 1997) pp. 509–534
147. 32.147 F. Yun, M. A. Reshchikov, K. Jones, P. Visconti, S. S. Park, K. Y. Lee: Solid State Electron. 44, 2225 (2000)
148. 32.148 B. Heying, I. Smorchkova, C. Poblenz, C. Elsass, P. Fini, S. Den Baars, U. Mishra, J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 77, 2885 (2000)
149. 32.149 D. D. Koleske, R. L. Henry, M. E. Twigg, J. C. Culbertson, S. C. Binari, A. E. Wickenden, M. Fatemi: Appl. Phys. Lett. 80, 4372 (2000)
150. 32.150 S. Nakamura, T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1457 (1992)
151. 32.151 W. Götz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler: Appl. Phys. Lett. 68, 3144 (1996)
152. 32.152 M. Ilegams, H. C. Montgomery: J. Phys. Chem. Solids 34, 885 (1973)
153. 32.153 M. A. Littlejohn, J. R. Hauser, M. Glisson: Appl. Phys. Lett. 26, 625 (1975)
154. 32.154 U. V. Bhapkar, M. S. Shur: J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997)
155. 32.155 J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farah-mand, K. F. Brennan: J. Appl. Phys. 83, 1446 (1998)
156. 32.156 S. Dhar, S. Ghosh: J. Appl. Phys. 86, 2668 (1999)
157. 32.157 J. G. Kim, A. C. Frenkel, H. Liu, R. M. Park: Appl. Phys. Lett. 65, 91 (1994)
158. 32.158 R. J. Molnar, W. Götz, L. T. Romano, N. M. Johnson: J. Cryst. Growth 178, 147 (1997)
159. 32.159 S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki: J. Appl. Phys. 85, 7682 (1999)
160. 32.160 H. Morkoç: IEEE J. Select. Top. Quant. Electron. 4, 537 (1998)
161. 32.161 D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove, R. L. Jones, R. J. Molnar: Phys. Rev. Lett. 79, 2273 (1997)
162. 32.162 S. Keller, B. P. Keller, Y. F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. Den Baars: Appl. Phys. Lett. 68, 1525 (1996)
163. 32.163 S. Nakamura, T. Mukhai, M. Senoh: J. Appl. Phys. 75, 7365 (1997)
164. 32.164 M. A. Khan, R. A. Skogman, R. G. Schulze, M. Ger-shenzon: Appl. Phys. Lett. 42, 430 (1983)
165. 32.165 I. Akasaki, H. Amano: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 383 (1992)
166. 32.166 T. Matsuoka: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 39 (1995)
167. 32.167 S. Sinharoy, A. K. Aggarwal, G. Augustine, L. B. Rawland, R. L. Messham, M. C. Driver, R. H. Hopkins: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 157 (1995)
168. 32.168 R. J. Molnar, R. Aggarwal, Z. L. Lian, E. R. Brown, I. Melngailis, W. Götz, L. T. Romano, N. M. Johnson: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 157 (1995)
169. 32.169 T. T. Mnatsakanov, M. E. Levinshtein, L. I. Pomort-seva, S. N. Yurkov, G. S. Simin, M. A. Khan: Solid State Electron. 47, 111 (2003)
170. 32.170 D. M. Caughey, R. E. Thomas: Proc. IEEE 55, 2192 (1967)
171. 32.171 J. Edwards, K. Kawabe, G. Stevens, R. H. Tredgold: Solid State Commun. 3, 99 (1965)
172. 32.172 K. Kawabe, R. H. Tredgold, Y. Inyishi: Electr. Eng. Jpn. 87, 62 (1967)
173. 32.173 G. A. Cox, D. O. Cummins, K. Kawabe, R. H. Tredgold: J. Phys. Chem. Solilds 28, 543 (1967)
174. 32.174 W. M. Yim, E. J. Stotko, P. J. Zanzucchi, J. Pankove, M. Ettenberg, S. L. Gilbert: J. Appl. Phys. 44, 292 (1973)
175. 32.175 S. Yoshida, S. Misawa, Y. Fujii, S. Takada, H. Hayakawa, S. Gonda, A. Itoh: J. Vac. Sci. Technol. 16, 990 (1979)
176. 32.176 A. G. Gorbatov, V. M. Kamyshoc: Sov. Powder, Metall. Met. Ceram. 9, 917 (1970)
177. 32.177 R. F. Rutz: Appl. Phys. Lett. 28, 379 (1976)
178. 32.178 R. F. Rutz, E. P. Harrison, J. J. Cuome: IBMJ. Res. Sev. 17, 61 (1973)
179. 32.179 A. Fara, F. Bernadini, V. Fiorentini: J. Appl. Phys. 85, 2001 (1999)
180. 32.180 K. Wongchotigul, N. Chen, D. P. Zhang, X. Tang, M. G. Spencer: Mater. Lett. 26, 223 (1996)
181. 32.181 H. J. Hovel, J. J. Cuomo: Appl. Phys. Lett. 20, 71 (1972)
182. 32.182 T. L. Tansley, C. P. Foley: Electron. Lett. 20, 1066 (1984)
183. 32.183 M. J. Brett, K. L. Westra: Thin Solid Films 192, 227 (1990)
184. 32.184 J. S. Morgan, T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden, S. A. Ecelberger: Proc. Mater. Res. Soc. 202, 383 (1991)
185. 32.185 T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden: Appl. Phys. Lett. 59, 1844 (1991)
186. 32.186 C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, P. W. Wisk: J. Vac. Sci. Technol. B 11, 179 (1993)
187. 32.187 W. R. Bryden, S. A. Ecelberger, M. E. Haw-ley, T. J. Kistenmacher: MRS Proc. 339, 497 (1994)
188. 32.188 T. Maruyama, T. Morishita: J. Appl. Phys. 76, 5809 (1994)
189. 32.189 H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, W. Yeo, A. Pharkya, L. F. Eastman: Appl. Phys. Lett. 77, 2548 (2000)
190. 32.190 Y. Saito, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, Y. Nanishi: Jpn. J. Appl. Phys. 40, L91 (2001)
191. 32.191 J. Aderhold, V. Yu. Davydov, F. Fedler, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, O. Semchinova, J. Stemmer, J. Graul: J. Cryst. Growth 221, 701 (2001)
192. 32.192 H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, G. Koley, L. F. Eastman: Appl. Phys. Lett. 79, 1489 (2001)
193. 32.193 Motlan, E. M. Goldys, T. L. Tansley: J. Cryst. Growth 241, 165 (2002)
194. 32.194 Y. Saito, T. Yamaguchi, H. Kanazawa, K. Kano, T. Araki, Y. Nanishi, N. Teraguchi, A. Suzuki: J. Cryst. Growth 237–239, 1017 (2002)
195. 32.195 M. Higashiwaki, T. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys. 41, L540 (2002)
196. th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, p. 2 (2002)
197. 32.197 M. Higashiwaki, T. Matsui: J. Cryst. Growth 252, 128 (2003)
198. 32.198 T. L. Tansley, C. P. Foley, J. S. Blakemore (Ed.): Proc. 3rd Int. Conf. on Semiinsulating III–V Materials, Warm Springs, OR 1984 (Shiva, London 1985)
199. 32.199 T. L. Tansley, R. J. Egan, E. C. Horrigan: Thin Solid Films 164, 441 (1988)
200. 32.200 C. Stampfl, C. G. Van de Walle, D. Vogel, P. Kruger, J. Pollmann: Phys. Rev. BR 61, 7846 (2000)
201. 32.201 D. C. Look, H. Lu, W. J. Schaff, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber: Appl. Phys. Lett. 80, 258 (2002)
202. 32.202 B. E. Foutz, S. K. O’Leary, M. S. Shur, L. F. Eastman: J. Appl. Phys. 85, 7727 (1999)
203. 32.203 J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farah-mand, K. F. Brennan: J. Appl. Phys. 83, 4777 (1998)
204. 32.204 S. K. O’Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, L. F. Eastman: Solid State Commun. 105, 621 (1998)
205. 32.205 B. Gelmont, K. Kim, M. Shur: J. Appl. Phys. 74, 1818 (1993)
206. 32.206 N. S. Mansour, K. W. Kim, M. A. Littlejohn: J. Appl. Phys. 77, 2834 (1995)
207. 32.207 J. Kolnik, I. H. Oguzman, K. F. Brennan, R. Wang, P. P. Ruden, Y. Wang: J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995)
208. 32.208 M. Shur, B. Gelmont, M. A. Khan: J. Electron. Mater. 25, 777 (1996)
209. 32.209 S. K. O’Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, L. F. Eastman: J. Appl. Phys. 83, 826 (1998)
210. 32.210 E. Bellotti, B. K. Doshi, K. F. Brennan, J. D. Albrecht, P. P. Ruden: J. Appl. Phys. 85, 916 (1999)
211. 32.211 C. G. Rodrigues, V. N. Freire, A. R. Vasconcellos, R. Luzzi: Appl. Phys. Lett. 76, 1893 (2000)
212. 32.212 M. Wraback, H. Shen, S. Rudin, E. Bellotti: Phys. Stat. Sol. (b) 234, 810 (2002)
213. 32.213 R. Collazo, R. Schesser, Z. Sitar: Appl. Phys. Lett. 81, 5189 (2002)
214. 32.214 B. Monemar, U. Lindefelt, W. M. Chen: Physica B 146, 256 (1987)
215. 32.215 M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J. P. Alexis, R. L. Aulombard: J. Appl. Phys. 80, 5352 (1996)
216. 32.216 R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, M. Ilegems: Phys. Rev. B 4, 1211 (1971)
217. 32.217 E. L. Ivchenko: Excitons (North Holland, Amsterdam 1982) p. 141
218. 32.218 B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova: Optical characterization of GaN and related materials. In: GaN and Related Material, ed. by S. J. Pearton (Golden and Breach, Amsterdam 1997) p. 85
219. 32.219 J. J. Song, W. Shan: In: Group III Nitride Semiconductor Compounds, ed. by B. Gil (Clarendon, Oxford 1998) pp. 182–241
220. 32.220 B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova: In: GaN and Related Materials Semiconductor Compounds, ed. by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York 1998) pp. 85–139
221. 32.221 B. Monemar: Phys. Rev. B 10, 676 (1974)
222. 32.222 B. Gil, O. Briot, R. L. Aulombard: Phys. Rev. B 52, R17028 (1995)
223. 32.223 W. Shan, B. D. Little, A. J. Fischer, J. J. Song, B. Goldenberg, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis: Phys. Rev. B 54, 16369 (1996)
224. 32.224 M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. K. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995)
225. 32.225 K. P. Korona, A. Wysmolek, K. Pakula, R. Stepniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. Lucznik, M. Wroblewski, S. Porowski: Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996)
226. 32.226 K. Kornitzer, T. Ebner, M. Grehl, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski: Phys. Stat. Sol. (b) 216, 5 (1999)
227. 32.227 B. J. Skromme, K. Palle, C. D. Poweleit, H. Yamane, M. Aoki, F. J. Disalvo: J. Cryst. Growth 246, 299 (2002)
228. 32.228 L. Eckey, L. Podloswski, A. Goldner, A. Hoffmann, I. Broser, B. K. Meyer, D. Volm, T. Streibl, K. Hiramatsu, T. Detcprohm, H. Amano, I. Akasaki: Ins. Phys. Conf. Ser. 142, 943 (1996)
229. 32.229 K. Pakula, A. Wysmolek, K. P. Korona, J. M. Baranowski, R. Stepniewski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Krukowski, M. Wroblewski, S. Porowski: Solid State Commun. 97, 919 (1996)
230. 32.230 A. V. Rodina, M. Dietrich, A. Goldner, L. Eckey, A. L. L. Efros, M. Rosen, A. Hoffmann, B. K. Meyer: Phys. Stat. Sol. (b) 216, 216 (1999)
231. 32.231 A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Ku-ramata, K. Horino, S. Nakamura: J. Appl. Phys. 81, 417 (1997)
232. 32.232 B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, W. Li, H. Amano, I. Akasaki: MRS Int. J. Nitride Semicond. Res. 1, 2 (1996)
233. 32.233 S. F. Chichibu, K. Torii, T. Deguchi, T. Sota, A. Se-toguchi, H. Nakanishi, T. Azuhata, S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 76, 1576 (2000)
234. 32.234 J. F. Muth, J. H. Lee, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, H. C. Casey Jr., B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. Den-Baars: Appl. Phys. Lett. 71, 2572 (1997)
235. 32.235 R. Stepniewski, K. P. Korona, A. Wysmolek, J. M. Baranowski, K. Pakula, M. Potemski, G. Martinez, I. Grzegory, S. Porowski: Phys. Rev. B 56, 15151 (1997)
236. 32.236 W. Shan, A. J. Fischer, S. J. Hwang, B. D. Little, R. J. Hauenstein, X. C. Xie, J. J. Song, D. S. Kim, B. Goldenberg, R. Horning, S. Krishnankutty, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis: J. Appl. Phys. 83, 455 (1998)
237. 32.237 B. Gil, S. Clur, O. Briot: Solid State Commun. 104, 267 (1997)
238. 32.238 W. Shan, R. J. Hauenstein, A. J. Fischer, J. J. Song, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis, B. Goldenberg: Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995)
239. 32.239 C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova, F. H. Pollak: Phys. Rev. B 55, 9251 (1997)
240. 32.240 A. K. Viswanath, J. I. Lee, D. Kim, C. R. Lee, J. Y. Leam: Phys. Rev. B 58, 16333 (1998)
241. 32.241 S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura: J. Appl. Phys. 79, 2784 (1996)
242. 32.242 M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, C. J. Sun, Q. Chen, J. W. Yang: J. Appl. Phys. 79, 7001 (1996)
243. 32.243 M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 66, 3474 (1995)
244. 32.244 F. Hamdani, A. Botchkarev, H. Tang, W. K. Kim, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 71, 3111 (1997)
245. 32.245 F. Hamdani, A. Botchkarev, W. Kim, H. Morkoç, M. Yeadon, J. M. Gibson, S. C. Y. Tsen, D. J. Smith, D. C. Reynolds, D. C. Look, K. Evans, C. W. Litton, W. C. Mitchel, P. Hemenger: Appl. Phys. Lett. 70, 467 (1997)
246. 32.246 W. Shan, A. J. Fischer, J. J. Song, G. E. Bulman, H. S. Kong, M. T. Leonard, W. G. Perry, M. D. Bremser, B. Goldenberg, R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 69, 740 (1996)
247. 32.247 S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 70, 2085 (1997)
248. 32.248 I. A. Buyanova, J. P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 69, 1255 (1996)
249. 32.249 B. J. Skromme, K. C. Palle, C. D. Poweleit, H. Yamane, M. Aoki, F. J. Disalvo: Appl. Phys. Lett. 81, 3765 (2002)
250. 32.250 Y. S. Huang, Fred H. Pollak, S. S. Park, K. Y. Lee, H. Morkoç: J. Appl. Phys. 94, 899 (2003)
251. 32.251 B. K. Meyer: In: Free and Bound Excitons in GaN Epitaxial Films, MRS Proc., Vol. 449, ed. by F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki, B. A. Monemar (Materials Research Society, Pittsburgh, Pennsylvania 1997) p. 497
252. 32.252 B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki: Solid State Electron. 41, 239 (1995)
253. 32.253 D. Kovalev, B. Averboukh, D. Volm, B. K. Meyer: Phys. Rev. B 54, 2518 (1996)
254. 32.254 G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S.-H. Wei, M. A. Khan, C. J. Sun: Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996)
255. 32.255 G. Mahler, U. Schroder: Phys. Stat. Sol. (b) 61, 629 (1974)
256. 32.256 B. Monemar: In: Gallium Nitride I, ed. by J. I. Pankove, T. D. Moustakas (Academic, San Diego 1998) p. 305
257. 32.257 D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoç, D. N. Talwar: J. Appl. Phys. 80, 594 (1996)
258. 32.258 R. Stepniewski, M. Potemski, A. Wysmolek, K. Pakula, J. M. Baranowski, J. Lusakowski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Martinez, P. Wyder: Phys. Rev. B 60, 4438 (1999)
259. 32.259 G. Neu, M. Teisseire, E. Frayssinet, W. Knap, M. L. Sadowski, A. M. Witowski, K. Pakula, M. Leszczynski, P. Prystawsko: Appl. Phys. Lett. 77, 1348 (2000)
260. 32.260 J. M. Baranowski, Z. Liliental-Weber, K. Korona, K. Pakula, R. Stepniewski, A. Wysmolek, I. Grzegory, G. Nowak, S. Porowski, B. Monemar, P. Bergman: III–V Nitrides, Vol. 449 (MRS Proc., Pittsburg, PA 1997) p. 393
261. rd Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Berlin, p.497 (1996)
262. 32.262 S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. B. Vartuli, C. B. Mackenzi, J. D. Ren, R. G. Wilson, J. M. Zavada, R. J. Shul, J. C. Zolper: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 124 (1996)
263. 32.263 B. Monemar: J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 10, 227 (1999)
264. 32.264 M. Reshchikov, D. Huang, F. Yun, L. He, H. Morkoç, D. C. Reynolds, S. S. Park, K. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 79, 3779 (2001)
265. 32.265 A. K. Viswanath: Semicond. Semimetals 73, 63 (2002)
266. 32.266 B. Monemar, P. P. Paskov, T. Paskova, J. P. Bergman, G. Pozina, W. M. Chan, P. N. Hai, I. A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki: Mater. Sci. Eng. B 93, 112 (2002)
267. 32.267 G. Pozina, N. V. Edwards, J. P. Bergman, T. Paskova, B. Monemar, M. D. Bremser, R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 78, 1062 (2001)
268. 32.268 S. Pau, J. Kuhl, M. A. Khan, C. J. Sun: Phys. Rev. B 58, 12916 (1998)
269. 32.269 G. Pozina, J. P. Bergman, T. Paskova, B. Monemar: Appl. Phys. Lett. 75, 412 (1999)
270. 32.270 M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennegues, J. Massies, P. Gibart: Mater. Sci. Eng. B 50, 97 (1997)
271. 32.271 M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, P. Gibart: J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999)
272. 32.272 B. J. Skromme, G. L. Martinez: Mater. Res. Soc. Symp. 595, W9.8. (1999)
273. 32.273 D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, V. M. Phanse, R. P. Vaudo: Solid State Commun. 103, 533 (1997)
274. 32.274 B. Santic, C. Merz, U. Kaufmann, R. Niebuhr, H. Obloh, K. Bachem: Appl. Phys. Lett. 71, 1837 (1997)
275. 32.275 A. K. Viswanath, J. I. Lee, S. Yu, D. Kim, Y. Choi, C. H. Hong: J. Appl. Phys. 84, 3848 (1998)
276. 32.276 R. A. Mair, J. Li, S. K. Duan, J. Y. Lin, H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 74, 513 (1999)
277. 32.277 D. G. Thomas, J. J. Hopfield: Phys. Rev. 128, 2135 (1962)
278. 32.278 H. Saito, S. Shionoya, E. Hanamura: Solid State Commun. 12, 227 (1973)
279. 32.279 U. Kaufmann, M. Kunzer, C. Merz, I. Akasaki, H. Amano: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 633 (1996)
280. 32.280 K. P. Korona, J. P. Bergman, B. Monemar, J. M. Baranowski, K. Pakula, L. Grzegory, S. Porowski: Mater. Sci. Forum 258-263, 1125 (1997)
281. 32.281 G. Neu, M. Teisseire, N. Grandjean, H. Lahreche, B. Beaumont, I. Grzegory, S. and Porowski: Proc. Phys. 87, 1577 (2001)
282. 32.282 C. H. Henry, K. Nassau: Phys. Rev. B 1, 1628 (1970)
283. 32.283 O. Lagerstedt, B. Monemar: J. Appl. Phys. 45, 2266 (1974)
284. 32.284 R. Dingle, M. Ilegems: Solid State Commun. 9, 175 (1971)
285. 32.285 S. Fischer, C. Wetzel, E. E. Haller, B. K. Meyer: Appl. Phys. Lett. 67, 1298 (1995)
286. 32.286 M. A. L. Johnson, Z. Yu, C. Boney, W. C. Hughes, J. W. Cook Jr, J. F. Schetzina, H. Zao, B. J. Skromme, J. A. Edmond: MRS Proc. 449, 271 (1997)
287. 32.287 M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoc, B. Goldenberg: Appl. Phys. Lett. 68, 1883 (1996)
288. 32.288 G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoc: J. Appl. Phys. 79, 2675 (1995)
289. 32.289 T. Ogino, M. Aoki: Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980)
290. 32.290 K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissilä, P. Hautojärvi, L. Dobrzynski, J. M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski: Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997)
291. 32.291 J. Neugebauer, C. G. Van de Walle: Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996)
292. 32.292 T. Mattila, R. M. Nieminen: Phys. Rev. 55, 9571 (1997)
293. 32.293 E. R. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, J. A. Freitas Jr, M. Asif Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia, D. K. Wickenden: Phys. Rev. B 51, 13326 (1995)
294. 32.294 P. Perlin, T. Suski, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, P. Boguslawski, J. Berholc, J. C. Chervin, A. Polian, T. D. Moustakas: Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995)
295. 32.295 R. Zhang, T. F. Kuech: Appl. Phys. Lett. 72, 1611 (1998)
296. 32.296 I. Shalish, L. Kronik, G. Segal, Y. Rosenwaks, Y. Shapira, U. Tisch, J. Salzman: Phys. Rev. B 59, 9748 (1999)
297. 32.297 E. Calleja, F. J. Sanchez, D. Basak, M. A. Sanchez-Garsia, E. Munoz, I. Izpura, F. Calle, J. M. G. Tijero, J. L. Sanchez-Rojas, B. Beaumont, P. Lorenzini, P. Gibart: Phys. Rev. B 55, 4689 (1997)
298. 32.298 M. A. Reshchikov, F. Shahedipour, R. Y. Korotkov, M. P. Ulmer, B. W. Wessels: Physica B 273-274, 103 (1999)
299. 32.299 J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Öberg, P. R. Briddon: Phys. Rev. B 58, 12571 (1998)
300. 32.300 F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz, P. J. Wright: Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996)
301. 32.301 D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Steude, B. K. Meyer, A. Hoffmann, L. Eckey, R. Heitz, T. Detchprom, H. Amano, I. Akasaki: Phys. Rev. B 52, 16702 (1995)
302. 32.302 R. Y. Korotkov, M. A. Reshchikov, B. W. Wessels: Physica B 273-274, 80 (1999)
303. 32.303 D. G. Thomas, J. J. Hopfield, W. M. Augustyniak: Phys. Rev. A 140, 202 (1965)
304. 32.304 R. Seitz, C. Gaspar, T. Monteiro, E. Pereira, M. Leroux, B. Beaumont, P. Gibart: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, article 36 (1997)
305. 32.305 M. Godlewski, V. Yu. Ivanov, A. Kaminska, H. Y. Zuo, E. M. Goldys, T. L. Tansley, A. Barski, U. Ross-ner, J. L. Rouvicre, M. Arlery, I. Grzegory, T. Suski, S. Porowski, J. P. Bergman, B. Monemar: Mat. Sci. Forum 258-263, 1149 (1997)
306. 32.306 H. Haag, B. Hönerlage, O. Briot, R. L. Aulombard: Phys. Rev. B 60, 11624 (1999)
307. 32.307 M. A. Reshchikov, F. Yun, H. Morkoç, S. S. Park, K. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 78, 2882 (2001)
308. 32.308 S. Pacesova, L. Jastrabik: Czech. J. Phys. B 29, 913 (1979)
309. 32.309 R. A. Youngman, J. H. Harris: J. Am. Ceram. Soc. 73, 3238 (1990)
310. 32.310 J. H. Harris, R. A. Youngman, R. G. Teller: J. Mater. Res. 5, 1763 (1990)
311. 32.311 M. Katsikini, E. C. Paloura, T. S. Cheng, C. T. Foxon: J. Appl. Phys. 82, 1166 (1997)
312. 32.312 J. Pastrnak, S. Pacesova, L. Roskovcova: Czech. J. Phys. B24, 1149 (1974)
313. 32.313 F. Karel, J. Pastrnak, J. Hejduk, V. Losik: Phys. Stat. Sol. 15, 693 (1966)
314. 32.314 F. Karel, J. Mares: Czech. J. Phys. B 22, 847 (1972)
315. 32.315 G. E. Archangelskii, F. Karel, J. Mares, S. Pacesova, J. Pastrnak: Phys. Stat. Sol. 69, 173 (1982)
316. 32.316 R. G. Wilson, R. N. Schwartz, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. Newman, M. Rubin, T. Fu, J. M. Zavada: Appl. Phys. Lett. 65, 992 (1994)
317. 32.317 J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, U. Hömmerich, X. Wu, R. N. Schwartz, R. G. Wilson, J. M. Zavada: Appl. Phys. Lett. 69, 2083 (1996)
318. 32.318 X. Wu, U. Hömmerich, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. G. Wilson, R. N. Schwartz, J. M. Zavada: J. Lumin. 72-74, 284 (1997)
319. 32.319 S. J. Pearton, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, U. Hömmerich, X. Wu, R. G. Wilson, R. N. Schwartz, J. M. Zavada, F. Ren: Appl. Phys. Lett. 71, 1807 (1997)
320. 32.320 J. Li, K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 81, 3365 (2002)
321. 32.321 E. Kuokstis, J. Zhang, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. Gaska, M. Shur, C. Rojo, L. Schowalter: Appl. Phys. Lett. 81, 2755 (2002)
322. 32.322 K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 82, 1694 (2003)
323. 32.323 T. Onuma, S. F. Chichibu, T. Sota, K. Asai, S. Sumiya, T. Shibata, M. Tanaka: Appl. Phys. Lett. 81, 652 (2002)
324. 32.324 M. Morita, K. Tsubouchi, N. Mikoshiba: Jpn. J. Appl. Phys. 21, 1102 (1982)
325. 32.325 F. R. B. Hossain, X. Tang, K. Wongchotigul, M. G. Spencer: Proc. SPIE 42, 2877 (1996)
326. 32.326 X. Tang, F. R. B. Hossian, K. Wongchotigul, M. G. Spencer: Appl. Phys. Lett. 72, 1501 (1998)
327. 32.327 Y. Shishkin, R. P. Devaty, W. J. Choyke, F. Yun, T. King, H. Morkoç: Phys. Stat. Sol. (a) 188, 591 (2001)
328. 32.328 Q. Guo, A. Yoshida: Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2453 (1994)
329. 32.329 P. B. Perry, R. F. Rutz: Appl. Phys. Lett. 33, 319 (1978)
330. 32.330 J. Pasternak, L. Roskovcova: Phys. Stat. Sol. 26, 591 (1968)
331. 32.331 T. Yodo, H. Yona, H. Ando, D. Nosei, Y. Harada: Appl. Phys. Lett. 80, 968 (2002)
332. 32.332 J. Bauer, L. Biste, D. Bolze: Phys. Stat. Sol. 39, 173 (1977)
333. 32.333 R. G. Gordon, D. M. Hoffmann, U. Riaz: J. Mater. Res. 6, 5 (1991)
334. 32.334 H. Demiryont, L. R. Thompson, G. J. Collins: Appl. Opt. 25, 1311 (1986)
335. 32.335 W. J. Meng, J. A. Sell, G. L. Eesley: J. Appl. Phys. 74, 2411 (1993)
336. 32.336 I. Akasaki, M. Hashimoto: Solid State Commun. 5, 851 (1967)
337. 32.337 A. T. Collins, E. C. Lightowlers, P. J. Dean: Phys. Rev. 158, 833 (1967)
338. 32.338 A. J. Noreika, M. H. Francombe, S. A. Zeitman: J. Vac. Sci. Technol. 6, 194 (1969)
339. 32.339 K. Osamura, N. Nakajima, Y. Murakami, P. H. Shingu, A. Ohtsuki: Solid State Commun. 46, 3432 (1975)
340. 32.340 T. Inushima, T. Yaguchi, A. Nagase, T. Shiraishi: Ins. Phys. Conf. Ser. 142, 971 (1996)
341. 32.341 A. Wakahara, T. Tsuchiya, A. Yoshida: J. Cryst. Growth 99, 385 (1990)
342. 32.342 K. Kubota, Y. Kobayashi, K. Fujimoto: J. Appl. Phys. 66, 2984 (1989)
343. 32.343 T. L. Tansley, C. P. Foley: J. Appl. Phys. 59, 3241 (1986)
344. 32.344 S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 76, 876 (2000)
345. 32.345 V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furth-muller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, J. Graul: Phys. Stat. Solidi (b)R 229, 1 (2002)
346. 32.346 T. Inushima, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, T. Sakon, M. Motokawa, S. Ohoya: J. Crystal Growth 227-228, 481 (2001)
347. 32.347 J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff: Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002)
348. 32.348 J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff: Phys. Rev. B 60, 201403 (2002)
349. 32.349 J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, Y. Nanishi: Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002)
350. 32.350 K. Osamura, S. Naka, Y. Murakami: J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975)
351. 32.351 A. Wakahara, T. Tsuchida, A. Yoshida: Vacuum 41, 1071 (1990)
352. 32.352 K. L. Westra, M. J. Brett: Thin Solid Films 192, 234 (1990)
353. 32.353 J. W. Trainor, K. Rose: J. Electron. Meter. 3, 821 (1974)
354. 32.354 Q. Guo, O. Kato, M. Fujisawa, A. Yoshida: Solid State Commun. 83, 721 (1992)
355. 32.355 Q. Guo, H. Ogawa, A. Yoshida: J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 79, 9 (1996)
356. 32.356 V. A. Tyagai, O. V. Snitko, A. M. Evstigneev, A. N. Krasiko: Phys. Stat. Sol. (b) 103, 589 (1981)
357. 32.357 F. Yun, M. A. Reshchikov, L. He, T. King, H. Morkoç, S. W. Novak, L. Wei: J. Appl. Phys. Rapid Commun. 92, 4837 (2002)
358. 32.358 S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda: J. Appl. Phys. 53, 6844 (1982)
359. 32.359 S. A. Nikishin, N. N. Faleev, A. S. Zubrilov, V. G. An-tipov, H. Temkin: Appl. Phys. Lett. 76, 3028 (2000)
360. 32.360 W. Shan, J. W. Ager III, K. M. Yu, W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. C. Martin, W. R. McKinney, W. Yang: J. Appl. Phys. 85, 8505 (1999)
361. 32.361 Ü. Özgür, G. Webb-Wood, H. O. Everitt, F. Yun, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 79, 4103 (2001)
362. 32.362 J. Wagner, H. Obloh, M. Kunzer, M. Maier, K. Kohler, B. Johs: J. Appl. Phys. 89, 2779 (2000)
363. 32.363 H. Jiang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. J. Umeno: Appl. Phys. 89, 1046 (2001)
364. 32.364 T. J. Ochalski, B. Gil, P. Lefebvre, M. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, S. Nakamura, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 74, 3353 (1999)
365. 32.365 M. A. Khan, J. M. Van Hove, J. N. Kuznia, D. T. Olson: Appl. Phys. Lett. 58, 2408 (1991)
366. 32.366 T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, M. Koike: Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994)
367. 32.367 M. Stutzmann, O. Ambacher, A. Cros, M. S. Brandt, H. Angerer, R. Dimitrov, N. Reinacher, T. Metzger, R. Hopler, D. Brunner, F. Freudenberg, R. Handschuh, Ch. Deger: presented at the E-MRS Straßburg, Symposium L (1997)
368. 32.368 S. Nakamura, T. Mukai: J. Vac. Sci. Technol. A 13, 6844 (1995)
369. 32.369 H. Amano, T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, I. Akasaki: In: III–V nitrides, Vol. 449, ed. by F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki, B. Menemar (MRS Proc., Pittsburgh, Pennsylvania 1997) p. 1143
370. 32.370 K. P. O’Donnell, R. W. Martin, C. Trager-Cowan, M. E. White, K. Esona, C. Deatcher, P. G. Middleton, K. Jacobs, W. van der Stricht, C. Merlet, B. Gil, A. Vantomme, J. F. W. Mosselmans: Mater. Sci. Eng. B 82, 194 (2001)
371. 32.371 T. Nagatomo, T. Kuboyama, H. Minamino, O. Omoto: Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1334 (1989)
372. 32.372 W. Shan, W. Walukiewicz, E. E. Haller, B. D. Little, J. J. Song, M. D. McCluskey, N. M. Johnson, Z. C. Feng, M. Schurman, R. A. Stall: J. App. Phys. 84, 4452 (1998)
373. 32.373 S. Pereira, M. R. Correia, T. Monteiro, E. Pereira, E. Alves, A. D. Sequeira, N. Franco: Appl. Phys. Lett. 78, 2137 (2001)
374. 32.374 I. Akasaki, H. Amano: Jpn. J. Appl., Phys. 36, 5393 (1997)
375. 32.375 S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike, K. Manabe, T. Tanaka, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 66, 1112 (1995)
376. 32.376 N. Yoshimoto, T. Matsuoka, A. Katsui: Appl. Phys. Lett. 59, 2251 (1991)
377. 32.377 S. Nakamura, T. Mukai, M. Seno: Jpn. J. Appl. Phys. 31, L16 (1993)
378. 32.378 S. Nakamura, N. Iwasa, S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 32, L338 (1993)
379. 32.379 K. S. Kim, A. Saxler, P. Kung, R. Razeghi, K. Y. Lim: Appl. Phys. Lett. 71, 800 (1997)
380. 32.380 K. Starosta: Phys. Status Solidi A 68, K55 (1981)
381. 32.381 T. J. Kistenmacher, S. A. Ecelberger, W. A. Bryden: J. Appl. Phys. 74, 1684 (1993)
382. 32.382 S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 73, 830 (1998)
383. 32.383 G. Davies: Phys. Rep. 176, 83 (1989)
384. 32.384 W. R. Bryden, T. J. Kistenmacher: Electrical transport properties of InN, GaInN and AlInN. In: Properties of Group III Nitrides, ed. by J. H. Edgar (INSPEC, London 1994)
385. 32.385 S. M. Bedair, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, E. L. Piner, K. S. Boutros, N. A. El-Masry: J. Crystal Growth 178, 32 (1997)
386. 32.386 S. N. Mohammad, A. Salvador, H. Morkoç: Proc. IEEE 83, 1306 (1995)
387. 32.387 M.-Y. Ryu, C. Q. Chen, E. Kuokstis, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. 80, 3730 (2002)
388. 32.388 K. Kim, W. R. L. Lambrecht, B. Segall: Phys. Rev. B 53, 7018 (1997)