Structural and vibrational properties of GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 4, 1999, Pages 1860-1866

  Deguchi, T ^a   Ichiryu, D ^a   Toshikawa, K ^a   Sekiguchi, K ^a   Sota, T ^a   Matsuo, R ^b   Azuhata, T ^c   Yamaguchi, M ^d   Yagi, T ^d   Chichibu, S ^e   Nakamura, S ^f  

^a WASEDA UNIVERSITY   (Japan)

^b RIGAKU CORPORATION   (Japan)

^c HIROSAKI UNIVERSITY   (Japan)

^d HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

^e TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE   (Japan)

^f NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001149690     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370980     Document Type: Article

References (48)

1. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
2. S. Porowski, I. Grzegory, and J. Jun, in High Pressure Chemical Synthesis, edited by J. Jurczak and B. Baranowski (Elsevier, Amsterdam, 1989), p. 21.
3. M. Leszczynski, I. Grzegory, and M. Bockowski, J. Cryst. Growth 126, 601 (1993).
4. M. Leszczynski, T. Suski, H. Teisseyre, P. Perlin, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 4909 (1994).
5. M. Leszczynski, T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Polowski, and J. Major, J. Phys. D 28, A149 (1995).
6. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1977).
7. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
8. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L309 (1998).
9. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
10. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998).
11. A. A. Yamaguchi, Y. Mochizuki, H. Sunagawa, and A. Usui, J. Appl. Phys. 83, 4542 (1998).
12. A. A. Yamaguchi, Y. Mochizuki, C. Sasaoka, A. Kimura, M. Nido, and A. Usui, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 893 (1998).
13. M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Sota, T. Deguchi, K. Shimada, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 85, 8502 (1999).
14. For a review, see, S. Nakamura, and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
15. W. L. Bond, Acta Crystallogr. 13, 814 (1960).
16. T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, and S. Nakamura, J. Phys.: Condens. Matter 7, L129 (1995).
17. T. Azuhata, T. Matsunaga, K. Shimada, K. Yoshida, T. Sota, K. Suzuki, and S. Nakamura, Physica B 219&220, 493 (1996).
18. M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Chichibu, and S. Nakamura, J. Phys.: Condens. Matter 9, 241 (1997).
19. J. V. Lirman and G. S. Zhdanov, Acta Physicochim. URSS 6, 306 (1973).
20. A. Shintani and S. Minagawa, J. Cryst. Growth 22, 1 (1974).
21. H. Shultz and K. H. Thiemann, Solid State Commun. 23, 815 (1977).
22. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, K. Itoh, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1454 (1992).
23. Properties of Group III Nitrides, edited by J. H. Edger (IMSPEC, London, 1994), pp. 30-44.
24. Semiconductors-Basic Data, edited by O. Madelung (Springer, Berlin, 1996), pp. 86-91.
25. R. Stepniewski, K. P. Korona, A. Wysmolek, J. M. Baranowski, K. Pakula, M. Potemski, G. Martinez, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. B 56, 15151 (1997).
26. See, for example, B. D. Cullity, in Elements of X-ray Diffraction (Addison-Wesley, Reading, MA, 1978), pp. 99-106.
27. B. Keying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).
28. R. Vacher and L. Boyer, Phys. Rev. B 6, 639 (1972).
29. E. Ejder, Phys. Status Solidi A 6, 445 (1971).
30. Y. Takagi, M. Ahart, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, and S. Nakamura, Physica B 219&220, 547 (1996).
31. V. A. Savastenko and A. V. Sheleg, Phys. Status Solidi A 48, K135 (1978).
32. R. B. Schwarz, K. Khachataryan, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 70, 1122 (1997).
33. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996).
34. C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornstein, E. Riha, and G. Fischeruer, Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998).
35. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16310 (1996); ibid. 53, 7018 (1997).
36. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16310 (1996); ibid. 53, 7018 (1997).
37. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
38. K. Shimada, T. Sota, and K. Suzuki, J. Appl. Phys. 84, 4951 (1998).
39. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 77, 4389 (1995).
40. V. Y. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkonikov, A. N. Smimov, and M. A. Jacobson, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
41. F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, B. Gil, and R. L. Aulombard, Solid State Commun. 100, 207 (1996).
42. P. Perlin, C. J. Camion, J. P. Itie, A. S. Miguel, I. Grzegory, and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992).
43. T. Azuhata, K. Shimada, T. Deguchi, T. Sota, K. Suzuki, S. Chichibu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L151 (1999).
44. K. Karch, J.-M. Wagner, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 57, 7043 (1998).
45. N. E. Chreistensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
46. W. A. Harrison, Electronic Structure and the Properties of Solid: The Physics of Chemical Bond (Dover, New York 1989).
47. A. S. Barker, Jr. and M. Ilegems, Phys. Rev. B 7, 743 (1973).
48. See, for example, P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors (Springer, Berlin, 1996), pp. 282-295.