Effect of buffer layer and substrate surface polarity on the growth by molecular beam epitaxy of GaN on ZnO

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 21, 1997, Pages 3111-3113

  Hamdani, F ^a   Botchkarev, A E ^a   Tang, H ^a   Kim, W ^a   Morkoc H ^a,b  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

^b AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001592492     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120262     Document Type: Article

References (23)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995); S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. I. Nagahama, ibid. 67, 1868 (1995).
3. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995); S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. I. Nagahama, ibid. 67, 1868 (1995).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 68, 2105 (1996).
5. Ö. Aktas, W. Kim, Z. Fan, A. Bothkarev, A. Salvador, S. N. Mohammad, B. Sverdlov, and H. Morkoç. Electron. Lett. 31, 1389 (1995).
6. W. Kim, Ö. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 79, 7657 (1996).
7. B. N. Sveldlov, G. A. Martin, H. Morkoç, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 67, 2063 (1995).
8. F. Hamdani, A. Botchkarev, W, Kim, H. Morkoç, M. Yeadon, J. M. Gibson, S-C. Y. Tsen, D. Smith, D. C. Reynolds, D. C. Look, K. Evans, C. W. Litton, W. C. Mitchel, and P. Hemenger, Appl. Phys. Lett. 70, 467 (1997).
9. Z. Sitar, M. J. Paisley, B. Yan, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 537 (1990).
10. T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki, and A. Katsui, J. Electron. Mater. 21, 157 (1992).
11. T. Detchprohm, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 384 (1993).
12. S. Y. Ren and J. D. Dow, Appl. Phys. Lett. 69, 251 (1996); T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64, 4531 (1988).
13. S. Y. Ren and J. D. Dow, Appl. Phys. Lett. 69, 251 (1996); T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64, 4531 (1988).
14. A. Kuramata, K. Hirino, K. Domen, K. Shinohara, and T. Tanahashi, Appl. Phys. Lett. 67, 2521 (1995).
15. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 391 (1993).
16. S. Fujieda and Y. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1665 (1991).
17. A. Gassmann, T. Suski, N. Newman, C. Kielowski, E. Jones, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, M. D. Rubin, H. I. Helava, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, and S. Porowski, J. Appl. Phys. 80, 2195 (1996); F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz, N. M. Johnson, H. I. Helava, I. Grzegory, J. Jun, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 68, 917 (1996).
18. A. Gassmann, T. Suski, N. Newman, C. Kielowski, E. Jones, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, M. D. Rubin, H. I. Helava, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, and S. Porowski, J. Appl. Phys. 80, 2195 (1996); F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz, N. M. Johnson, H. I. Helava, I. Grzegory, J. Jun, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 68, 917 (1996).
19. W. S. Wong, N. Y. Li, H. K. Dong, F. Deng, S. S. Lau, C. W. Tu, J. Hays, S. Bidnyk, and J. J. Song, J. Cryst. Growth 164, 159 (1996); C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, E. Bigan, M. Razeghi, and D. K. Gaskill, J. Appl. Phys. 76, 236 (1994).
20. W. S. Wong, N. Y. Li, H. K. Dong, F. Deng, S. S. Lau, C. W. Tu, J. Hays, S. Bidnyk, and J. J. Song, J. Cryst. Growth 164, 159 (1996); C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, E. Bigan, M. Razeghi, and D. K. Gaskill, J. Appl. Phys. 76, 236 (1994).
21. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995).
22. D. C. Look, D. C. Reynolds, R. L. Jones, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoç, Mater. Sci. Eng. B 44, 423 (1997).
23. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laugt, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 71, 240 (1997).