Energy band bowing parameter in Al xGa 1-xN alloys

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 8, 2002, Pages 4837-4839

  Yun, Feng ^a   Reshchikov, Michael A ^a   He, Lei ^a   King, Thomas ^a   Morkoç, Hadis ^a   Novak, Steve W ^b   Wei, Luncun ^c  

^a Virginia Commonwealth University   (United States)

^b Evans East   (United States)

^c CHARLES EVANS AND ASSOCIATES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AL COMPOSITION; ALLOY COMPOSITIONS; BOWING PARAMETERS; CHEMICAL COMPOSITIONS; COMPOSITION RANGES; LOW TEMPERATURES; SECONDARY ION MASS SPECTROSCOPY;

ALUMINUM; CERIUM ALLOYS; ENERGY GAP; GALLIUM; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; X RAY DIFFRACTION;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 0141752279     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1508420     Document Type: Article

References (37)

1. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
2. H. Morkoç, A. Di Carlo, and R. Cingolani, Solid-State Electron. 46, 157 (2002). sel SSELA5 0038-1101
3. O. Ambacher, J. Phys. D 31, 2653 (1998). jpd JPAPBE 0022-3727
4. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
5. A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, Y. Aoyagi, and A. Hirata, Appl. Phys. Lett. 77, 175 (2000). apl APPLAB 0003-6951
6. H. Morkoç, R. Cingolani, and B. Gil, Solid-State Electron. 43, 1909 (1999). sel SSELA5 0038-1101
7. H. Morkoç, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 537 (1998). isq IJSQEN 1077-260X
8. M. A. Khan, R. A. Skogman, R. G. Schulze, and M. Gershenzon, Appl. Phys. Lett. 43, 492 (1983). apl APPLAB 0003-6951
9. S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, J. Appl. Phys. 53, 6844 (1982). jap JAPIAU 0021-8979
10. G. A. Korkotashvili, A. N. Pikhtin, I. G. Pichugin, and A. M. Tsaregorodtsev, Sov. Phys. Semicond. 18, 913 (1984). sos SPSEAX 0038-5700
11. T. Wethkamp, K. Wilmers, N. Esser, W. Richter, O. Ambacher, H. Angerer, G. Jungk, R. L. Johnson, and M. Cardona, Thin Solid Films 313, 745 (1998). tsf THSFAP 0040-6090
12. Q. S. Paduano, D. W. Weyburne, L. O. Bouthillette, and M. N. Alexander, Proceedings of the Seventh International Workshop on Wide Band gap III-Nitrides, Richmond, VA, 10-14 March 2002, Abstract book, p. 21.
13. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, A. S. Zubrilov, V. G. Antipov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 3028 (2000). apl APPLAB 0003-6951
14. W. Shan, J. W. Ager III, K. M. Yu, W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. C. Martin, W. R. McKinney, and W. Yang, J. Appl. Phys. 85, 8505 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
15. Ü. Özgür, G. Webb-Wood, H. O. Everitt, F. Yun, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 79, 4103 (2001). apl APPLAB 0003-6951
16. J. Wagner, H. Obloh, M. Kunzer, M. Maier, K. Kohler, and B. Johs, J. Appl. Phys. 89, 2779 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
17. H. Jiang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 89, 1046 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
18. T. J. Ochalski, B. Gil, P. Lefebvre, M. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, S. Makamura, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 74, 3353 (1999). apl APPLAB 0003-6951
19. S. R. Lee, S. R. Lee, A. F. Wright, M. H. Crawford, G. A. Petersen, J. Han, and R. M. Biefeld, Appl. Phys. Lett. 74, 3344 (1999). apl APPLAB 0003-6951
20. O. Ambacher, R. Dimitrov, D. Lentz, T. Metzger, W. Rieger, and M. Stutzmann, J. Cryst. Growth 170, 335 (1997). jcr JCRGAE 0022-0248
21. H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Hopler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch, and H.-J. Korner, Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997). apl APPLAB 0003-6951
22. M. D. Bremser, W. G. Perry, T. Zheleva, N. V. Edwards, O. H. Nam, N. Parikh, D. E. Aspnes, and Robert F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 8 (1996). mrj MIJNF7 1092-5783
23. J. Hagen, R. D. Metealfe, D. Wichenden, and W. Clark, J. Phys. C 11, L143 (1978). jpc JPSOAW 0022-3719
24. M. R. H. Khan, Y. Koide, H. Itoh, N. Sawaki, and I. Akasaki, Solid State Commun. 60, 509 (1986). ssc SSCOA4 0038-1098
25. T. Huang and J. S. Harris Jr., Solid State Commun. 72, 1158 (1998). ssc SSCOA4 0038-1098
26. Y. Koide, H. Itoh, M. R. H. Khan, K. Hiramatu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 61, 4540 (1987). jap JAPIAU 0021-8979
27. D. Korakakis, H. M. Ng, M. Misra, W. Grieshaber, and T. D. Moustakas, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 10 (1996). mrj MIJNF7 1092-5783
28. A. Y. Polyakov, M. Shin, J. A. Freitas, M. Skowronski, D. W. Greve, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 80, 6349 (1996). jap JAPIAU 0021-8979
29. G. Steude, B. K. Meyer, A. Goldner, A. Hoffmann, F. Bertram, J. Christen, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 74, 2456 (1999). apl APPLAB 0003-6951
30. T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L177 (1997). jjc JAPLD8 0021-4922
31. D. K. Wickenden, C. B. Bargeron, W. A. Bryden, J. Miragliotta, and T. J. Kistenmacher, Appl. Phys. Lett. 65, 2024 (1994). apl APPLAB 0003-6951
32. G. Yu, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Egawa, J. Watanabe, T. Jimbo, and T. Soga, Appl. Phys. Lett. 72, 2202 (1998). apl APPLAB 0003-6951
33. W. J. Choyke and R. Devaty (private communication).
34. F. Yun, M. A. Reshchikov, P. Visconti, K. M. Jones, D. Wang, M. Redmond, J. Cui, C. W. Litton, and H. Morkoç, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G3.17 (2001). mrs MRSPDH 0272-9172
35. L. He, M. A. Reshchikov, F. Yun, D. Huang, T. King, and H. Morkoç Appl. Phys. Lett. 81, 2178 (2002). apl APPLAB 0003-6951
36. M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 80, 935 (2002). apl APPLAB 0003-6951
37. H. Morkoç, Nitride Semiconductors and Devices (Springer, 1999).