Low field electron mobility in GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 5, 1999, Pages 2668-2676

  Dhar, Subhabrata ^a   Ghosh, Subhasis ^a  

^a JAWAHARLAL NEHRU UNIVERSITY   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPROXIMATION THEORY; CARRIER MOBILITY; INTERFACES (MATERIALS); ITERATIVE METHODS; SEMICONDUCTOR DOPING; SUBSTRATES;

BORN APPROXIMATION; GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0032614027     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371108     Document Type: Article

References (61)

1. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsusheta, H. Kiyoka, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. M. A. Khan, D. T. Olson, J. M. Van Hove, and J. K. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 58, 1515 (1991).
4. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995).
5. M. A. Littlejohn, J. R. Hauser, and T. H. Glisson, Appl. Phys. Lett. 26, 625 (1975).
6. M. S. Shur, B. Gelmont, S. Saavedra Munoz, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 74, 1818 (1993).
7. U. V. Bhapkar and M. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997).
8. B. E. Foutz, I. F. Eastman, U. V. Bhapkar, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2849 (1997).
9. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schoff, J. W. Burn, and M. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1995).
10. M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, M. S. Shur, B. T. Dermot, and J. A. Heggins, IEEE Electron Device Lett. 17, 325 (1996).
11. F. Stengel, S. Noor Mohammad, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80, 3031 (1996).
12. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove, R. L. Jones, and R. J. Molner, Phys. Rev. Lett. 79, 2273 (1997).
13. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
14. D. L. Rode and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995).
15. J. Neugebaur and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
16. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969).
17. P. Perlin et al., Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995).
18. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995).
19. V. A. Gubanov, Z. W. Lu, B. M. Klein, and C. Y. Fong, Phys. Rev. B 53, 4377 (1996).
20. T. Mattila, A. P. Seitsonen, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 54, 1474 (1996).
21. T. Mattila, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 55, 9571 (1997).
22. D. J. Chadi, Appl. Phys. Lett. 71, 2970 (1997).
23. E. F. Schubert, I. D. Goepfert, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 3224 (1997).
24. S. Keller, B. P. Keller, Y. F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. P. Den Baars, Appl. Phys. Lett. 68, 1525 (1996).
25. W. Götz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, Appl. Phys. Lett. 68, 3144 (1996).
26. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
27. S. Nakamura, T. Mukhai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1997).
28. M. A. Khan, R. A. Skogman, R. G. Schulze, and M. Gershenzon, Appl. Phys. Lett. 42, 430 (1983).
29. M. A. Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove, D. T. Olson, S. Krishnankully, and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. 58, 526 (1991).
30. S. Nakamura, T. Makui, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 71, 5543 (1992).
31. I. Akasaki, and H. Amano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 383 (1992).
32. T. Matsuoka, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 39 (1995).
33. S. Sinharoy, A. K. Aggarwal, G. Augustine, L. B. Rawland, R. L. Messham, M. C. Driver, and R. H. Hopkins, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 157 (1995).
34. R. J. Molnar, R. Aggarwal, Z. L. Lian, E. R. Brown, I. Melngailis, W. Götz, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 157 (1995).
35. D. L. Rode, Phys. Rev. B 3, 3287 (1971).
36. J. R. Meyer and F. J. Bartoli, Phys. Rev. B 23, 5413 (1981); 24, 2089 (1981); 36, 5989 (1985).
37. J. R. Meyer and F. J. Bartoli, Phys. Rev. B 23, 5413 (1981); 24, 2089 (1981); 36, 5989 (1985).
38. J. R. Meyer and F. J. Bartoli, Phys. Rev. B 23, 5413 (1981); 24, 2089 (1981); 36, 5989 (1985).
39. T. Y. Chang and A. Izabelle, J. Appl. Phys. 65, 2162 (1989).
40. K. T. Tsen, D. K. Ferry, A. Botchkarev, B. Suerdlov, A. Salvador, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 71, 1852 (1997).
41. B. K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors, 2nd ed. (Clarendon, Oxford, 1988).
42. D. L. Rode, Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1975), Vol. 10.
43. H. Brooks, Phys. Rev. 83, 879 (1951).
44. M. V. Fischetti, Phys. Rev. 44, 5527 (1991).
45. L. E. Kay and T. W. Jang, J. Appl. Phys. 10, 1475 (1991).
46. J. R. Meyer and F. J. Bartolli, Solid State Commun. 41, 19 (1982); Phys. Rev. B 30, 1026 (1984).
47. J. R. Meyer and F. J. Bartolli, Solid State Commun. 41, 19 (1982); Phys. Rev. B 30, 1026 (1984).
48. D. Chattopadhya and H. J. Queisser, Rev. Mod. Phys. 53, 745 (1981).
49. C. Erginsoy, Phys. Rev. 79, 1013 (1950).
50. C. Schwartz, Phys. Rev. 124, 1468 (1961).
51. W. Götz, J. Walker, L. T. Ramano, N. M. Johnson, and R. J. Molnar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 525 (1997).
52. L. Cheng, Z. Zhang, G. Zhang, and D. Yu, Appl. Phys. Lett. 71, 3694 (1997).
53. G. Popowci, W. Kim, A. Bolchkarev, H. Tang, H. Morkoç, and J. Solomon, Appl. Phys. Lett. 71, 3385 (1997).
54. N. M. Johnson, Hydrogen in Semiconductors, edited by J. L. Pankove and N. M. Johnson (Academic, San Diego, 1991).
55. D. C. Look, Electrical Characterization of GaAs Material and Devices (Wiley, New York, 1989).
56. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
57. P. W. Anderson, E. Abrahams, and T. V. Ramakrishnan, Phys. Rev. Lett. 43, 718 (1979).
58. N. F. Mott, Metal-Insulator Transitions (Taylor & Francis, London, 1990).
59. D. C. Licciardello and D. J. Thouless, Phys. Rev. Lett. 35, 1475 (1975).
60. M. Pepper, Philos. Mag. B 37, 83 (1978).
61. H. S. Moreira, J. F. Sampaio, E. S. Alves, and A. G. de Oliveira, Phys. Rev. Lett. 80, 1706 (1998).