Temperature quenching of photoluminescence intensities in undoped and doped GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 7, 1999, Pages 3721-3728

  Leroux, M ^a   Grandjean, N ^a   Beaumont, B ^a   Nataf, G ^a   Semond, F ^a   Massies, J ^a   Gibart, P ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; BAND STRUCTURE; CHARGE CARRIERS; CRYSTAL DEFECTS; ELECTRON TRANSITIONS; EXCITONS; NITRIDES; PHOTOLUMINESCENCE; QUENCHING; SEMICONDUCTOR DOPING;

GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0032620905     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371242     Document Type: Article

References (44)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1997).
3. J. Y. Duboz and M. A. Khan, in Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Clarendon, Oxford, 1998), p.343.
4. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. McDermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. J. Shaff, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 17, 584 (199).
5. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
6. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
7. J. I. Pankove and J. A. Hutchby, J. Appl. Phys. 47, 5387 (1976).
8. M. Ilegems and R. Dingle, J. Appl. Phys. 44, 4234 (1973).
9. C. Merz, M. Kunzer, U. Kaufmann, I. Akasaki, and H. Amano, Semicond. Sci. Technol. 11, 712 (1996).
10. M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, C. Golivet, P. Gibart, J. Massies, J. Leymarie, A. Vasson, and A. M. Vasson, Mater. Sci. Eng., B 43, 237 (1997).
11. I. A. Buyanova, J. P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Mater. Sci. Eng., B 50, 130 (1997).
12. M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J. P. Alexis, and R. L. Aulombard, J. Appl. Phys. 80, 5352 (1996).
13. S. Fisher, C. Wetzel, E. E. Haller, and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett. 67, 1298 (1995).
14. M. A. L. Johnson, Z. Yu, C. Boney, W. C. Hughes, J. W. Cook, J. F. Schetzina, H. Zhao, B. J. Skromme, and J. A. Edmond, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 215 (1997).
15. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvator, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoc, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 68, 1883 (1996).
16. B. Santic, C. Merz, U. Kaufmann, R. Niebuhr, H. Obloh, and K. Bachem, Appl. Phys. Lett. 71, 1837 (1997).
17. K. Pakula, A. Wysmolek, K. P. Korona, J. M. Baranowski, R. Stepniewski, I. Grzegory, M. Bochowski, J. Jun, S. Krukowski, M. Wroblewski, and S. Porowski, Solid State Commun. 97, 919 (1996).
18. B. Monemar, J. Cryst. Growth 189/190, 1 (1998).
19. B. Beaumont, M. Vaille, P. Lorenzini, P. Gibart, T. Boufaden, and B. el Jani, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 17 (1996).
20. N. Grandjean, J. Massies, P. Vennéguès, M. Leroux, F. Demangeot, M. Renucci, and J. Frandon, J. Appl. Phys. 83, 1379 (1998).
21. N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux, and P. Lorenzini, Appl. Phys. Lett. 72, 82 (1998).
22. M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennéguès, J. Massies, and P. Gibart, Mater. Sci. Eng., B 50, 97 (1997).
23. B. Skromme, H. Zhao, B. Goldenberg, H. S. Kong, M. T. Leonard, G. E. Bulman, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 713 (1997).
24. N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, M. Mesrine, and M. Laügt, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 618 (1999).
25. B. Meyer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 497 (1997).
26. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
27. D. Kovalev, B. Averboukh, D. Volm, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 54, 2518 (1996).
28. J. S. Blakemore, Semiconductor Statistics (Pergamon, Oxford, 1962).
29. W. Shan, B. D. Little, A. J. Fisher, J. J. Song, B. Goldenberg, W. G. Perry, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 16369 (1996).
30. A. Hangleiter, J. S. Im, T. Forner, V. Härle, and F. Scholz, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 559 (1996).
31. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
32. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
33. P. Vennéguès, S. Haffouz, A. Bouillé, M. Leroux, and B. Beaumont, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 521, 273 (1998).
34. J. Jayapalan, B. J. Skromme, R. P. Vaudo, and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 73, 1188 (1998).
35. W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996).
36. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laügt, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 71, 240 (1997).
37. S. Fischer, G. Steude, D. M. Hofmann, F. Kurth, F. Anders, M. Topf, B. K. Meyer, F. Bertram, M. Schmidt, J. Christen, L. Eckey, J. Holst, A. Hoffmann, B. Mensching, and B. Rauschenbach, J. Cryst Growth 189/ 190, 556 (1998).
38. S. Fischer, C. Wetzel, W. Walukiewicz, and E. E. Haller, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 571 (1996).
39. M. Albrecht, S. Christiansen, G. Salviati, C. Zanotti-Fregonara, Y. T. Rebane, Y. G. Shreter, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K. J. Ebeling, M. D. Bremser, R. F. Davis, and H. P. Strunk, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 293 (1997).
40. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, and P. Schlotter, Appl. Phys. Lett. 72, 1326 (1998).
41. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 70 (1998).
42. L. Eckey, U. Von Gfug, J. Holst, A. Hoffmann, B. Schineller, K. Heime, M. Heuken, O. Schön, and R. Beccard, J. Cryst. Growth 189/190, 523 (1998).
43. N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 211 (1998).
44. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994).