Growth of AlGaN on Si(111) by gas source molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 21, 2000, Pages 3028-3030

  Nikishin, S A ^a   Faleev, N N ^a   Zubrilov, A S ^a,b   Antipov, V G ^a   Temkin, H ^a  

^a Department of Electrical and Computer Engineering   (United States)

^b IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005948983     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126568     Document Type: Article

References (25)

1. L. Eastman, J. Burm, W. Schaff, M. Murphy, K. Chu, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, paper 4 (1996).
2. D. Kuksenkov, H. Temkin, R. Gaska, and J. W. Yang, IEEE Electron Device Lett. 19, 222 (1998).
3. D. Kuksenkov, G. E. Guidice, H. Temkin, and I. Adesida, Electron. Lett. 34, 2274 (1998).
4. T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 76, 121 (2000) and references therein.
5. B. W. Lim, Q. C. Chen, J. Y. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 68, 3761 (1996).
6. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. W. Lim, M. Z. Anwar, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 72, 742 (1998).
7. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. J. Tarsa, Appl. Phys. Lett. 75, 247 (1999).
8. F. Omnès, N. Marenco, B. Beaumont, Ph. de Mierry, E. Monroy, F. Calle, and E. Muñoz, J. Appl. Phys. 86, 5286 (1999) and references therein.
9. S. Guha and N. A. Bojarzuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998).
10. M. A. Sánchez-García, E. Calleja, F. B. Narajo, F. J. Sánchez, F. Calle, E. Muñoz, A. M. Sánchez, F. J. Pacheco, and S. I. Molina, J. Cryst. Growth 201/202, 415 (1999).
11. X. Zhang, S-J. Chua, P. Li, K.-B. Chong, and Z.-C. Feng, Appl. Phys. Lett. 83, 1984 (1999).
12. H. Ishikawa, G.-Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L492 (1999).
13. S. A. Nikishin, V. G. Antipov, S. Francoeur, N. N. Faleev, G. A. Seryogin, V. A. Elyukhin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, A. Konkar, and S. Zollner, Appl. Phys. Lett. 75, 484 (1999).
14. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999).
15. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, H. Temkin, and S. N. G. Chu, State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii, October 17-22, 1999 (Electrochemical Society, New York, 1999), Vol. 99-17, p. 238.
16. S. A. Nikishin and H. Temkin (unpublished).
17. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, M. Holtz, T. I. Prokofyeva, S. N. G. Chu, A. S. Zuhrilov, V. A. Elyukhin, I. P. Nikitina, A. Nikolaev, Yu. Melnik, V. Dmitriev, and H. Temkin, paper number W8.3 in Proceedings of 1999 Fall MRS Meeting (unpublished).
18. M. R. H. Khan, Y. Koide, H. Itoh, N. Sawaki, and I. Akasaki, Solid State Commun. 60, 509 (1986).
19. A. S. Zubrilov, D. V. Tsvetkov, V. I. Nikolaev, and I. P. Nikitina, Semiconductors 30, 1069 (1996).
20. G. A. Korkotashvili, A. N. Pikhtin, I. G. Pichugin, and A. M. Tsaregorodtsev, Sov. Phys. Semicond. 18, 913 (1984).
21. M. Stutzmann, O. Ambacher, A. Cros, M. S. Brandt, H. Angerer, R. Dimitrov, N. Reinacher, T. Metzger, R. Hopler, D. Brunner, F. Freudenberg, R. Handschuh, and Ch. Deger, Mater. Sci. Eng., B 50, 212 (1997).
22. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
23. E. F. Schubert, E. O. Gobel, Y. Horikoshi, K. Ploog, and H. J. Queisser, Phys. Rev. B 30, 813 (1984).
24. J. Hagen, D. R. Metcalfe, D. Wickenden, and W. Clark, J. Phys. C 11, L143 (1978).
25. A. S. Zubrilov, Yu. V. Melnik, A. E. Nikolaev, D. V. Tsvetkov, V. V. Tretyakov, M. A. Jakobson, D. K. Nelson, and V. A. Dmitriev, Abstracts of 2nd Russian Workshop Gallium Nitride, Indium Nitride, Aluminum Nitride: Structures and Devices, June 2, 1998, St. Petersburg, Russia, p. 34 [in Russian].