Competing reactions during metalorganic deposition: Ligand-exchange versus direct reaction with the substrate surface

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 31, Issue 2, 2013, Pages

  Lin, Jia Ming ^a   Teplyakov, Andrew V ^a   Rodríguez Reyes, Juan Carlos F ^b  

^a UNIVERSITY OF DELAWARE   (United States)

^b Research Center for Heritage Conservation   (Peru)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALKOXIDES; AMIDINATES; CHEMICAL PERFORMANCE; CYCLOPENTADIENYLS; DECOMPOSITION PATHWAY; DENSITY FUNCTIONAL THEORY CALCULATIONS; DEPOSITION PRECURSORS; DIRECT REACTIONS; FILM DEPOSITION; FRONTIER MOLECULAR ORBITALS; GENERAL APPROACH; HIGH PURITY; INTRINSIC REACTIVITY; KEY PROCESS; LIGAND EXCHANGE REACTIONS; LIGAND EXCHANGES; METAL ORGANIC DEPOSITION; POTENTIAL SURFACES; REACTIVE SITE; REACTIVE SURFACES; SI(100) SURFACE; SOLID SUBSTRATES; SUBSTRATE SURFACE; SURFACE MEDIATED REACTION; SURFACE MODELS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; HAFNIUM; LIGANDS; MOLECULAR ORBITALS;

SURFACE REACTIONS;

EID: 84874598056     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.4774031     Document Type: Article

References (163)

1. F. Zaera, J. Mater. Chem. 18, 3521 (2008). 10.1039/b803832e
2. H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2231 (2003). 10.1116/1.1622676
3. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005). 10.1063/1.1940727 (Pubitemid 40940570)
4. J. E. Crowell, J. Vac. Sci. Technol. A 21, S88 (2003). 10.1116/1.1600451
5. W. L. Gladfelter, Chem. Mater. 5, 1372 (1993). 10.1021/cm00034a004
6. J. Irven, J. Mater. Chem. 14, 3071 (2004). 10.1039/b405703a
7. A. C. Jones, H. C. Aspinall, and P. R. Chalker, Surf. Coat. Technol. 201, 9046 (2007). 10.1016/j.surfcoat.2007.04.118 (Pubitemid 47209418)
8. M. Putkonen, L. Niinistö, and R. Fischer, Top. Organomet. Chem. 9, 125 (2005). 10.1007/b136145
9. L. McElwee-White, Dalton Trans. 45, 5327 (2006). 10.1039/b611848h (Pubitemid 44759534)
10. M. Leskela and M. Ritala, Thin Solid Films 409, 138 (2002). 10.1016/S0040-6090(02)00117-7 (Pubitemid 34524820)
11. M. Leskela and M. Ritala, Angew. Chem., Int. Ed. 42, 5548 (2003). 10.1002/anie.200301652 (Pubitemid 37509356)
12. J. C. F. Rodríguez-Reyes and A. V. Teplyakov, Chem. Eur. J. 13, 9164 (2007). 10.1002/chem.200700856 (Pubitemid 350178582)
13. W. Arden, P. Cogez, and M. Graref, International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net/reports.html, 2009.
14. P. Doppelt, Coord. Chem. Rev. 178-180, 1785 (1998). 10.1016/S0010- 8545(98)00087-3
15. A. E. Kaloyeros and E. Eisenbraun, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 363 (2000). 10.1146/annurev.matsci.30.1.363
16. K. L. Choy, Prog. Mater. Sci. 48, 57 (2003). 10.1016/S0079-6425(01)00009- 3 (Pubitemid 35412314)
17. S. M. Gates, Chem. Rev. 96, 1519 (1996). 10.1021/cr950233m
18. L. Niinisto, J. Paivasaari, J. Niinisto, M. Putkonen, and M. Nieminen, Phys. Status Solidi A 201, 1443 (2004). 10.1002/pssa.200406798
19. G. Malandrino and I. L. Fragala, Coord. Chem. Rev. 250, 1605 (2006). 10.1016/j.ccr.2006.03.017
20. S. M. George, Chem. Rev. 110, 111 (2010). 10.1021/cr900056b
21. A. C. Jones, J. Mater. Chem. 12, 2576 (2002). 10.1039/b202675a
22. Y. Orimoto, A. Toyota, T. Furuya, H. Nakamura, M. Uehara, K. Yamashita, and H. Maeda, Ind. Eng. Chem. Res. 48, 3389 (2009). 10.1021/ie800903h
23. A. Y. Timoshkin, H. F. Bettinger, and H. F. Schaefer, J. Cryst. Growth 222, 170 (2001). 10.1016/S0022-0248(00)00903-9 (Pubitemid 32092258)
24. A. Zydor and S. D. Elliott, J. Phys. Chem. A 114, 1879 (2010). 10.1021/jp9072608
25. J. G. Ekerdt, Y. M. Sun, A. Szabo, G. J. Szulczewski, and J. M. White, Chem. Rev. 96, 1499 (1996). 10.1021/cr950236z
26. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker, R. J. Potter, K. Kukli, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskela, Mater. Sci. Eng., B 118, 97 (2005). 10.1016/j.mseb.2004.12.081 (Pubitemid 40394004)
27. J. W. Elam, M. Schuisky, J. D. Ferguson, and S. M. George, Thin Solid Films 436, 145 (2003). 10.1016/S0040-6090(03)00533-9
28. S. M. George, A. W. Ott, and J. W. Klaus, J. Phys. Chem. 100, 13121 (1996). 10.1021/jp9536763
29. O. Seitz, M. Dai, F. S. Aguirre-Tostado, R. M. Wallace, and Y. J. Chabal, J. Am. Chem. Soc. 131, 18159 (2009). 10.1021/ja907003w
30. A. A. Dameron, D. Seghete, B. B. Burton, S. D. Davidson, A. S. Cavanagh, J. A. Bertrand, and S. M. George, Chem. Mater. 20, 3315 (2008). 10.1021/cm7032977
31. S. M. George, B. Yoon, and A. A. Dameron, Acc. Chem. Res. 42, 498 (2009). 10.1021/ar800105q
32. B. Yoon, D. Seghete, A. S. Cavanagh, and S. M. George, Chem. Mater. 21, 5365 (2009). 10.1021/cm9013267
33. A. Deshpande, R. Inman, G. Jursich, and C. Takoudis, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 2035 (2004). 10.1116/1.1781183
34. M. T. Ho, Y. Wang, R. T. Brewer, L. S. Wielunski, Y. J. Chabal, N. Moumen, and M. Boleslawski, Appl. Phys. Lett. 87, 133103 (2005). 10.1063/1.2058226 (Pubitemid 41717304)
35. J. H. Kim, J. Y. Kim, and S. W. Kang, J. Appl. Phys. 97, 093505 (2005). 10.1063/1.1883728 (Pubitemid 40682672)
36. J. W. Lim, H. S. Park, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc. 148, C403 (2001). 10.1149/1.1368102 (Pubitemid 33695950)
37. Y. Xu and C. B. Musgrave, Appl. Phys. Lett. 86, 192110 (2005). 10.1063/1.1922080 (Pubitemid 40861111)
38. S. D. Elliott, Surf. Coat. Technol. 201, 9076 (2007). 10.1016/j.surfcoat.2007.04.116 (Pubitemid 47209422)
39. T. P. Holme and F. B. Prinz, J. Phys. Chem. A 111, 8147 (2007). 10.1021/jp062568l (Pubitemid 47387830)
40. Y. Xu and C. B. Musgrave, Chem. Phys. Lett. 407, 272 (2005). 10.1016/j.cplett.2005.03.084 (Pubitemid 40626586)
41. Y. Xu and C. B. Musgrave, Surf. Sci. 591, L280 (2005). 10.1016/j.susc.2005.06.032 (Pubitemid 41329127)
42. Y. Widjaja and C. B. Musgrave, J. Chem. Phys. 117, 1931 (2002). 10.1063/1.1495847 (Pubitemid 34916770)
43. Y. Widjaja and C. B. Musgrave, Appl. Phys. Lett. 81, 304 (2002). 10.1063/1.1490415 (Pubitemid 34803028)
44. Y. Widjaja and C. B. Musgrave, Appl. Phys. Lett. 80, 3304 (2002). 10.1063/1.1473237 (Pubitemid 34599971)
45. C. Mui and C. B. Musgrave, J. Phys. Chem. B 108, 15150 (2004). 10.1021/jp037507r
46. J. C. F. Rodríguez-Reyes, A. V. Teplyakov, and S. D. Brown, Surf. Sci. 604, 2043 (2010). 10.1016/j.susc.2010.08.019
47. J. C. F. Rodríguez-Reyes and A. V. Teplyakov, J. Appl. Phys. 104, 084907 (2008). 10.1063/1.3000654
48. J. C. F. Rodríguez-Reyes and A. V. Teplyakov, J. Phys. Chem. C 112, 9695 (2008). 10.1021/jp800436w
49. J. C. F. Rodríguez-Reyes and A. V. Teplyakov, J. Phys. Chem. C 111, 16498 (2007). 10.1021/jp074656r (Pubitemid 350149987)
50. J. C. F. Rodríguez-Reyes and A. V. Teplyakov, J. Phys. Chem. C 111, 4800 (2007). 10.1021/jp067929b (Pubitemid 46573525)
51. L. Pirolli and A. V. Teplyakov, Surf. Sci. 600, 3313 (2006). 10.1016/j.susc.2006.06.019 (Pubitemid 44294899)
52. A. B. Mukhopadhyay and C. B. Musgrave, Appl. Phys. Lett. 90, 173120 (2007). 10.1063/1.2721118 (Pubitemid 46748399)
53. M. J. Kelly, J. H. Han, C. B. Musgrave, and G. N. Parsons, Chem. Mater. 17, 5305 (2005). 10.1021/cm051064h (Pubitemid 41527965)
54. Z. Hu and C. H. Turner, J. Phys. Chem. C 111, 5756 (2007). 10.1021/jp068696r (Pubitemid 46686258)
55. M. K. Ghosh and C. H. Choi, Chem. Phys. Lett. 426, 365 (2006). 10.1016/j.cplett.2006.05.126 (Pubitemid 44080132)
56. M. D. Halls and K. Raghavachari, J. Phys. Chem. B 108, 4058 (2004). 10.1021/jp0378079
57. Z. Hu and C. H. Turner, J. Am. Chem. Soc. 129, 3863 (2007). 10.1021/ja066529z (Pubitemid 46595508)
58. T. R. Leftwich and A. V. Teplyakov, Surf. Sci. Rep. 63, 1 (2008). 10.1016j.surfrep.2007.28.001
59. K. A. Perrine and A. V. Teplyakov, Chem. Soc. Rev. 39, 3256 (2010). 10.1039/b822965c
60. See supplementary material at http://dx.doi.org/10.1116/1.4774031 E-JVTAD6-31-303302 for more detailed information on the nature of the Si(100) surface, the appropriateness of the silicon surface model, the validity of the level of theory employed, and alternative reaction pathways for selected cases.
61. P. G. Karlsson, J. H. Richter, J. Blomquist, P. Uvdal, T. M. Grehk, and A. Sandell, Surf. Sci. 601, 1008 (2007). 10.1016/j.susc.2006.11.038 (Pubitemid 46210072)
62. J. R. Creighton, G. T. Wang, W. G. Breiland, and M. E. Coltrin, J. Cryst. Growth 261, 204 (2004). 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.074
63. T. R. Gow, R. Lin, L. A. Cadwell, F. Lee, A. L. Backman, and R. I. Masel, Chem. Mater. 1, 406 (1989). 10.1021/cm00004a006
64. D. R. Strongin and P. B. Comita, J. Phys. Chem. 95, 1329 (1991). 10.1021/j100156a055
65. K. M. Bulanin, M. J. Kong, L. Pirolli, A. T. Mathauser, and A. V. Teplyakov, Surf. Sci. 542, 167 (2003). 10.1016/S0039-6028(03)01025-2
66. G. S. Girolami, P. M. Jeffries, and L. H. Dubois, J. Am. Chem. Soc. 115, 1015 (1993). 10.1021/ja00056a028
67. A. Jain, K. M. Chi, M. J. Hampden-Smith, T. T. Kodas, J. D. Farr, and M. F. Paffett, J. Mater. Res. 7, 261 (1992). 10.1557/JMR.1992.0261
68. B. E. Bent, R. G. Nuzzo, and L. H. Dubois, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 1920 (1988). 10.1116/1.575248
69. B. E. Bent, R. G. Nuzzo, and L. H. Dubois, J. Am. Chem. Soc. 111, 1634 (1989). 10.1021/ja00187a016
70. J. G. Forbes and A. J. Gellman, J. Am. Chem. Soc. 115, 6277 (1993). 10.1021/ja00067a048
71. K. A. Perrine and A. V. Teplyakov, Langmuir 26, 12648 (2010). 10.1021/la100269m
72. J. Kwon, M. Dai, M. D. Halls, E. Langereis, Y. J. Chabal, and R. G. Gordon, J. Phys. Chem. C 113, 654 (2009). 10.1021/jp806027m
73. K. Raghavachari and M. D. Halls, Mol. Phys. 102, 381 (2004). 10.1080/00268970410001675590
74. K. T. Queeney, Y. J. Chabal, and K. Raghavachari, Phys. Rev. Lett. 86, 1046 (2001). 10.1103/PhysRevLett.86.1046 (Pubitemid 32169223)
75. J. C. F. Rodriguez-Reyes and A. V. Teplyakov, Phys. Rev. B 78, 165314 (2008). 10.1103/PhysRevB.78.165314
76. J. C. F. Rodríguez-Reyes and A. V. Teplyakov, Phys. Rev. B. 76, 075348 (2007). 10.1103/PhysRevB.76.075348
77. A. B. Gurevich, B. B. Stefanov, M. K. Weldon, Y. J. Chabal, and K. Raghavachari, Phys. Rev. B 58, R13434 (1998). 10.1103/PhysRevB.58.R13434
78. M. D. Halls and K. Raghavachari, J. Phys. Chem. A 108, 2982 (2004). 10.1021/jp037014m
79. B. B. Stefanov and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 73, 824 (1998). 10.1063/1.122013 (Pubitemid 128673929)
80. M. K. Weldon, B. B. Stefanov, K. Raghavachari, and Y. J. Chabal, Phys. Rev. Lett. 79, 2851 (1997). 10.1103/PhysRevLett.79.2851
81. J. P. Blitz, R. E. Diebel, C. A. Deakyne, J. M. Christensen, and V. M. Gun'ko, J. Phys. Chem. B 109, 5667 (2005). 10.1021/jp040483j (Pubitemid 40519471)
82. M. J. Frisch, gaussian 09, Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2009.
83. P. J. Hay and W. R. Wadt, J. Chem. Phys. 82, 270 (1985). 10.1063/1.448799
84. W. R. Wadt and P. J. Hay, J. Chem. Phys. 82, 284 (1985). 10.1063/1.448800
85. P. J. Hay and W. R. Wadt, J. Chem. Phys. 82, 299 (1985). 10.1063/1.448975
86. L. P. M. Méndez De Leo, L. Pirolli, and A. V. Teplyakov, J. Phys. Chem. B 110, 14337 (2006). 10.1021/jp061512o (Pubitemid 44187998)
87. L. Pirolli and A. V. Teplyakov, Surf. Sci. 601, 155 (2007). 10.1016/j.susc.2006.09.018 (Pubitemid 44958876)
88. B. Liu, J. Cryst. Growth 310, 4499 (2008). 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.076
89. A. C. Dillon, A. W. Ott, J. D. Way, and S. M. George, Surf. Sci. 322, 230 (1995). 10.1016/0039-6028(95)90033-0
90. S. D. Elliott, G. Scarel, C. Wiemer, M. Fanciulli, and G. Pavia, Chem. Mater. 18, 3764 (2006). 10.1021/cm0608903 (Pubitemid 44318557)
91. A. W. Ott, J. W. Klaus, J. M. Johnson, and S. M. George, Thin Solid Films 292, 135 (1997). 10.1016/S0040-6090(96)08934-1
92. M. M. Frank, Y. J. Chabal, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 82, 4758 (2003). 10.1063/1.1585129
93. M. M. Frank, Y. Wang, M. T. Ho, R. T. Brewer, N. Moumen, and Y. J. Chabal, J. Electrochem. Soc. 154, G44 (2007). 10.1149/1.2405839 (Pubitemid 46094524)
94. P. Lu, K. Demirkan, R. L. Opila, and A. V. Walker, J. Phys. Chem. C 112, 2091 (2008). 10.1021/jp077100c (Pubitemid 351322083)
95. A. Rahtu, T. Alaranta, and M. Ritala, Langmuir 17, 6506 (2001). 10.1021/la010103a (Pubitemid 35330632)
96. R. A. Wind and S. M. George, J. Phys. Chem. A 114, 1281 (2010). 10.1021/jp9049268
97. W. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, E. E. Zavarin, A. I. Besyul'kin, A. V. Fomin, and D. S. Sizov, Semiconductors 38, 678 (2004). 10.1134/1.1766372 (Pubitemid 38865193)
98. J. L. van Hemmen, S. B. S. Heil, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, C. J. Hodson, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 154, G165 (2007). 10.1149/1.2737629 (Pubitemid 46872260)
99. H. L. Lu, W. Chen, S. J. Ding, M. Xu, D. W. Zhang, and L. K. Wang, J. Phys. Condens. Matter 17, 7517 (2005). 10.1088/0953-8984/17/48/005 (Pubitemid 41640725)
100. Y. Widjaja, J. H. Han, and C. B. Musgrave, J. Phys. Chem. B 107, 9319 (2003). 10.1021/jp030257u
101. H. Kuramochi, J. Cui, H. Iwai, and M. Ozeki, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2072 (2000). 10.1116/1.1303854
102. H. T. Lam and J. M. Vohs, Surf. Sci. 426, 199 (1999). 10.1016/S0039-6028(99)00291-5
103. X. P. Cao and R. J. Hamers, J. Am. Chem. Soc. 123, 10988 (2001). 10.1021/ja0100322 (Pubitemid 33042013)
104. A. J. Carman, L. H. Zhang, J. L. Liswood, and S. M. Casey, J. Phys. Chem. B 107, 5491 (2003). 10.1021/jp021419+
105. C. Mui, G. T. Wang, S. F. Bent, and C. B. Musgrave, J. Chem. Phys. 114, 10170 (2001). 10.1063/1.1370056 (Pubitemid 32586020)
106. C. Mui, J. H. Han, G. T. Wang, C. B. Musgrave, and S. F. Bent, J. Am. Chem. Soc. 124, 4027 (2002). 10.1021/ja0171512 (Pubitemid 34310917)
107. X. P. Cao and R. J. Hamers, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1614 (2002). 10.1116/1.1490381 (Pubitemid 35010074)
108. J. J. Hill, A. A. Aquino, C. P. A. Mulcahy, N. Harwood, A. C. Jones, and T. S. Jones, Surf. Sci. 340, 49 (1995). 10.1016/0039-6028(95)00683-4
109. X. Y. Zhu, J. M. White, and J. R. Creighton, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 316 (1992). 10.1116/1.578083
110. J. R. Creighton, B. A. Bansenauer, T. Huett, and J. M. White, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 876 (1993). 10.1116/1.578320
111. J. S. Becker, S. Suh, S. L. Wang, and R. G. Gordon, Chem. Mater. 15, 2969 (2003). 10.1021/cm021772s
112. J. S. Becker and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 82, 2239 (2003). 10.1063/1.1565699
113. W. J. Maeng and H. Kim, Electrochem. Solid-State Lett. 9, G191 (2006). 10.1149/1.2186427
114. J. Musschoot, Q. Xie, D. Deduytsche, S. Van den Berghe, R. L. Van Meirhaeghe, and C. Detavernier, Microelectron. Eng. 86, 72 (2009). 10.1016/j.mee.2008.09.036
115. D. M. Hausmann, E. Kim, J. Becker, and M. S. Gordon, Chem. Mater. 14, 4350 (2002). 10.1021/cm020357x
116. J. C. F. Rodriguez-Reyes, C. Ni, H. P. Bui, T. P. Beebe, Jr., and A. V. Teplyakov, Chem. Mater. 21, 5163 (2009). 10.1021/cm902107h
117. J. Y. Kim, S. Seo, D. Y. Kim, H. Jeon, and Y. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 8 (2004). 10.1116/1.1624285
118. A. E. Kaloyeros, X. Chen, S. Lane, H. L. Frisch, and B. Arkles, J. Mater. Res. 15, 2800 (2000). 10.1557/JMR.2000.0400
119. B. K. Lim, H.-S. Park, A. K. H. See, E. Z. Liu, and S. H. Wu, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2219 (2002). 10.1116/1.1515911
120. S.-G. Park and D.-H. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 303 (2004). 10.1143/JJAP.43.303
121. R. M. Fix, M. S. Gordon, and D. M. Hoffman, J. Am. Chem. Soc. 112, 7833 (1990). 10.1021/ja00177a075
122. R. M. Fix, M. S. Gordon, and D. M. Hoffman, Chem. Mater. 3, 1138 (1991). 10.1021/cm00018a034
123. R. M. Fix, R. G. Gordon, and D. M. Hoffman, Chem. Mater. 2, 235 (1990). 10.1021/cm00009a010
124. J. Becker, E. Kim, and R. G. Gordon, Chem. Mater. 16, 3497 (2004). 10.1021/cm049516y
125. S. Horii, K. Yamamoto, M. Asai, H. Miya, I. Kaneko, T. Ishihara, S. Hayashi, and M. Niwa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 6963 (2004). 10.1143/JJAP.43.6963 (Pubitemid 40001990)
126. K. Kukli, T. Pilvi, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Lu, and M. Leskela, Thin Solid Films 491, 328 (2005). 10.1016/j.tsf.2005.05.050 (Pubitemid 41344877)
127. X. Liu, S. Ramanathan, A. Longdergan, A. Srivastava, E. Lee, T. E. Seidel, J. T. Barton, D. Pang, and R. G. Gordon, J. Electrochem. Soc. 152, G213 (2005). 10.1149/1.1859631 (Pubitemid 40407354)
128. H. Wong and H. Iwai, Microelectron. Eng. 83, 1867 (2006). 10.1016/j.mee.2006.01.271
129. L. A. Okada and S. M. George, Appl. Surf. Sci. 137, 113 (1999). 10.1016/S0169-4332(98)00375-4
130. J. Cui, M. Ozeki, and M. Ohashi, Appl. Phys. Lett. 71, 2659 (1997). 10.1063/1.120170
131. C. L. Dezelah, O. M. El-Kadri, K. Kukli, K. Arstila, R. J. Baird, J. Lu, L. Niinisto, and C. H. Winter, J. Mater. Chem. 17, 1109 (2007). 10.1039/b610873c (Pubitemid 351455292)
132. D. C. Bradley, Chem. Rev. 89, 1317 (1989). 10.1021/cr00096a004
133. P. Alen, M. Vehkamaki, M. Ritala, and M. Leskela, J. Electrochem. Soc. 153, G304 (2006). 10.1149/1.2168389 (Pubitemid 43352262)
134. Y. Yokoyama, S. Y. Zhu, and A. Nakajima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 7091 (2006). 10.1143/JJAP.45.7091 (Pubitemid 44452052)
135. J. Aarik, A. Aidla, T. Uustare, M. Ritala, and M. Leskela, Appl. Surf. Sci. 161, 385 (2000). 10.1016/S0169-4332(00)00274-9
136. K. H. Ahn, Y. B. Park, and D. W. Park, Surf. Coat. Technol. 171, 198 (2003). 10.1016/S0257-8972(03)00271-8 (Pubitemid 36689513)
137. E. Farm, M. Kemell, M. Ritala, and M. Leskela, J. Phys. Chem. C 112, 15791 (2008). 10.1021/jp803872s
138. A. Weber, R. Poeckelmann, and C. P. Klages, Microelectron. Eng. 33, 277 (1997). 10.1016/S0167-9317(96)00055-X
139. M. Ritala, M. Leskela, L. Niinisto, and P. Haussalo, Chem. Mater. 5, 1174 (1993). 10.1021/cm00032a023
140. R. Matero, A. Rahtu, M. Ritala, M. Leskela, and T. Sajavaara, Thin Solid Films 368, 1 (2000). 10.1016/S0040-6090(00)00890-7
141. C. P. Fictorie, J. F. Evans, and W. L. Gladfelter, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1108 (1994). 10.1116/1.579173 (Pubitemid 24805791)
142. K. Black, J. Mater. Chem. 18, 4561 (2008). 10.1039/b807205a
143. S. Codato, G. Carta, G. Rossetto, G. A. Rizzi, P. Zanella, P. Scardi, and M. Leoni, Chem. Vap. Deposition 5, 159 (1999). 10.1002/(SICI)1521-3862(199908) 5:4<159::AID-CVDE159>3.0.CO;2-E
144. J. Niinisto, M. Putkonen, and L. Niinisto, Chem. Mater. 16, 2953 (2004). 10.1021/cm040145v
145. J. Niinisto, M. Putkonen, L. Niinisto, F. Q. Song, P. Williams, P. N. Heys, and R. Odedra, Chem. Mater. 19, 3319 (2007). 10.1021/cm0626583 (Pubitemid 47160038)
146. M. Losurdo, M. M. Giangregorio, P. Capezzuto, G. Bruno, G. Malandrino, I. L. Fragala, L. Armelao, D. Barreca and E. Tondello, J. Electrochem. Soc. 155, G44 (2008). 10.1149/1.2820621
147. S. Y. No, D. Eom, C. S. Hwang, and H. J. Kim, J. Appl. Phys. 100, 024111 (2006). 10.1063/1.2218465 (Pubitemid 44179583)
148. J. W. Elam, M. J. Pellin, S. D. Elliott, A. Zydor, M. C. Faia, and J. T. Hupp, Appl. Phys. Lett. 91, 253123 (2007). 10.1063/1.2824814
149. J. Niinisto, A. Rahtu, M. Putkonen, M. Ritala, M. Leskela, and L. Niinisto, Langmuir 21, 7321 (2005). 10.1021/la0500732 (Pubitemid 41156748)
150. H. K. Shin, K. M. Chi, J. Farkas, M. J. Hampdensmith, T. T. Kodas, and E. N. Duesler, Inorg. Chem. 31, 424 (1992). 10.1021/ic00029a015
151. M. Becht, T. Gerfin, and K.-H. Dahmen, Chem. Mater. 5, 137 (1993). 10.1021/cm00025a026
152. D. Barreca, A. Gasparotto, C. Maragno, E. Tondello, E. Bontempi, L. E. Depero, and C. Sada, Chem. Vap. Deposition 11, 426 (2005). 10.1002/cvde. 200506412 (Pubitemid 41595629)
153. S. B. Turnipseed, R. M. Barkley, and R. E. Sievers, Inorg. Chem. 30, 1164 (1991). 10.1021/ic00006a003
154. Z. W. Li, A. Rahtu, and R. G. Gordon, J. Electrochem. Soc. 153, C787 (2006). 10.1149/1.2338632 (Pubitemid 44538333)
155. A. L. Brazeau and S. T. Barry, Chem. Mater. 20, 7287 (2008). 10.1021/cm802195b
156. B. Lee, Microelectron. Eng. 86, 272 (2009). 10.1016/j.mee.2008.03.020
157. H. Li, D. B. Farmer, R. G. Gordon, Y. Lin, and J. Vlassak, J. Electrochem. Soc. 154, D642 (2007). 10.1149/1.2789294 (Pubitemid 350015348)
158. Z. W. Li, S. T. Barry, and R. G. Gordon, Inorg. Chem. 44, 1728 (2005). 10.1021/ic048492u (Pubitemid 40431467)
159. Q. Ma, H. S. Guo, R. G. Gordon, and F. Zaera, Chem. Mater. 22, 352 (2010). 10.1021/cm9027447
160. J. Paivasaari, C. L. Dezelah, D. Back, H. M. El-Kaderi, M. Heeg, M. Putkonen, L. Niinisto, and C. H. Winter, J. Mater. Chem. 15, 4224 (2005). 10.1039/b507351k (Pubitemid 41527301)
161. B. S. Lim, A. Rahtu, P. de Rouffignac, and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 84, 3957 (2004). 10.1063/1.1739272
162. J. Y. Li, J. P. Wu, C. G. Zhou, B. Han, X. J. Lei, R. Gordon, and H. S. Cheng, Int. J. Quantum Chem. 109, 756 (2009). 10.1002/qua.21880
163. J. P. Wu, J. Y. Li, C. G. Zhou, X. J. Lei, T. Gaffney, J. A. T. Norman, Z. W. Li, R. Gordon, and H. S. Cheng, Organometallics 26, 2803 (2007). 10.1021/om060910a (Pubitemid 46877659)