SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 45, Issue 9 A, 2006, Pages 7091-7093

Atomic layer deposition of HfO2 using Hf[N(C2H 5)2]4and H2O

Author keywords

Atomic layer deposition; Gate dielectrics; Hafnium dioxide; High Material; TDEAH

Indexed keywords

CAPACITORS; DIELECTRIC DEVICES; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; STOICHIOMETRY; THIN FILMS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; GATE DIELECTRICS; HIGH- MATERIAL;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 33749006840 PISSN: 00214922 EISSN: 13474065 Source Type: Journal
DOI: 10.1143/JJAP.45.7091 Document Type: Article

Times cited : (13)

References (13)

1
- 0035872897
- G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5243.
- (2001) J. Appl. Phys. , vol.89 , pp. 5243
- Wilk, G.D.¹ Wallace, R.M.² Anthony, J.M.³

2
- 0032653080
- J, Aarik, A. Aidla, A.-A. Kiisler, T. Uustare and V. Sammelselg: Thin Solid Films 340 (1999) 110.
- (1999) Thin Solid Films , vol.340 , pp. 110
- Aarik, J.¹ Aidla, A.² Kiisler, A.-A.³ Uustare, T.⁴ Sammelselg, V.⁵

3
- 0038149103
- K. Kukli, M. Ritala, M. Leskela, T. Sajavaara, J. Keinonen, D. C. Gilimer, R. Hegde, R. Rai and L. Prabhu: J. Mater. Electron. 14 (2003) 361.
- (2003) J. Mater. Electron. , vol.14 , pp. 361
- Kukli, K.¹ Ritala, M.² Leskela, M.³ Sajavaara, T.⁴ Keinonen, J.⁵ Gilimer, D.C.⁶ Hegde, R.⁷ Rai, R.⁸ Prabhu, L.⁹

4
- 0037115685
- M. L. Green, M. Y. Ho, B. Busch, G. D. Wilk, T. Sorsch, T. Conard, B. Brijs, W. Vandervorst, P. I. Raisanen, D. Muller, M. Bude and J. Grazul: J. Appl. Phys. 92 (2002) 7168.
- (2002) J. Appl. Phys. , vol.92 , pp. 7168
- Green, M.L.¹ Ho, M.Y.² Busch, B.³ Wilk, G.D.⁴ Sorsch, T.⁵ Conard, T.⁶ Brijs, B.⁷ Vandervorst, W.⁸ Raisanen, P.I.⁹ Muller, D.¹⁰ Bude, M.¹¹ Grazul, J.¹²

5
- 79956040381
- Y. S. Li, R. Puthenkovilakam and J. P. Chang: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 2041.
- (2002) Appl. Phys. Lett. , vol.81 , pp. 2041
- Li, Y.S.¹ Puthenkovilakam, R.² Chang, J.P.³

6
- 28344431988
- S. Kamiyama, T. Miura and Y. Nara: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 132904.
- (2005) Appl. Phys. Lett. , vol.87 , pp. 132904
- Kamiyama, S.¹ Miura, T.² Nara, Y.³

7
- 31644442136
- P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, H. J. Li, Y. Senzaki, J. J. Peterson, S. C. Song, S. A. Krishnan, N. Moumen, J. Barnett, G. Bersuker, P. Y. Hung, B. H. Lee, T. Lafford, Q. Wang, D. Gay and J. G. Ekerdt: J. Appl. Phys. 99 (2006) 023508.
- (2006) J. Appl. Phys. , vol.99 , pp. 023508
- Kirsch, P.D.¹ Quevedo-Lopez, M.A.² Li, H.J.³ Senzaki, Y.⁴ Peterson, J.J.⁵ Song, S.C.⁶ Krishnan, S.A.⁷ Moumen, N.⁸ Barnett, J.⁹ Bersuker, G.¹⁰ Hung, P.Y.¹¹ Lee, B.H.¹² Lafford, T.¹³ Wang, Q.¹⁴ Gay, D.¹⁵ Ekerdt, J.G.¹⁶

8
- 0344309148
- S. Hino, M. Nakayama, K. Takahashi, H. Funakubo and E. Tokumitsu: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 6015.
- (2003) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.42 , pp. 6015
- Hino, S.¹ Nakayama, M.² Takahashi, K.³ Funakubo, H.⁴ Tokumitsu, E.⁵

9
- 8344288168
- A. Deshpande, R. Inman, G. Jursich and C. Takoudis: J. Vac. Sci. Technol. A 22 (2004) 2035.
- (2004) J. Vac. Sci. Technol. A , vol.22 , pp. 2035
- Deshpande, A.¹ Inman, R.² Jursich, G.³ Takoudis, C.⁴

10
- 21544480959
- J. Wang, H. P. Li and R. Stevens: J. Mater. Sci. 27 (1992) 5397.
- (1992) J. Mater. Sci. , vol.27 , pp. 5397
- Wang, J.¹ Li, H.P.² Stevens, R.³

11
- 21244467231
- J. Niinisto, M. Putkonen, L. Niinisto, S. L. Stoll, K. Kukli, T. Sajavaara, M. Ritala and M. Leskela: J. Mater. Chem. 15 (2005) 2271.
- (2005) J. Mater. Chem. , vol.15 , pp. 2271
- Niinisto, J.¹ Putkonen, M.² Niinisto, L.³ Stoll, S.L.⁴ Kukli, K.⁵ Sajavaara, T.⁶ Ritala, M.⁷ Leskela, M.⁸

12
- 4344581452
- K. Kukli, M. Ritala, J. Lu, A. Harsta and M. Leskela: J. Electrochem. Soc. 151 (2004) F-189.
- (2004) J. Electrochem. Soc. , vol.151
- Kukli, K.¹ Ritala, M.² Lu, J.³ Harsta, A.⁴ Leskela, M.⁵

13
- 0942288633
- M. Cho, H. B. Park, J. Park, S. W. Lee, C. S. Hwang, G. H. Jang and J. Jeong: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 5503.
- (2003) Appl. Phys. Lett. , vol.83 , pp. 5503
- Cho, M.¹ Park, H.B.² Park, J.³ Lee, S.W.⁴ Hwang, C.S.⁵ Jang, G.H.⁶ Jeong, J.⁷

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.