Role of surface chemistry in semiconductor thin film processing

Chemical Reviews

Volumn 96, Issue 4, 1996, Pages 1499-1517

  Ekerdt, J G ^a   Sun, Y M ^a   Szabo, A ^a   Szulczewski, G J ^a   White, J M ^a  

^a UNIVERSITY OF TEXAS AT AUSTIN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001020914     PISSN: 00092665     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cr950236z     Document Type: Article

References (214)

1. Stringfellow, G. B. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice; Academic Press, Inc.: San Diego, 1989.
2. Deparis, C.; Massies, J. J. Cryst. Growth 1991, 108, 157
3. Kamiya, I.; Aspnes, D. E.; Florez, L. T.; Harbison, J. P. Phys. Rev. 1992, B46, 894.
4. Heitzinger, J. M.; White, J. M.; Ekerdt, J. G. Surf. Sci. 1994, 299/300, 892.
5. Creighton, J. R.; Banse, B. A. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1991, 222, 15.
6. Zhu, X.-Y.; White, J. M.; Creighton, J. R. J. Vac. Sci. Technol. 1992, A10, 316.
7. Yu, M. L.; Memmert, U.; Buchan, N. I.; Kuech, T. F. Mater. Res. Symp. Proc. 1991, 204, 37.
8. Banse, B. A.; Creighton, J. R. Surf. Sci. 1991, 257, 221.
9. Buchan, N. I.; Yu, M. L. Surf. Sci. 1993, 280, 383.
10. Heitzinger, J. M.; Jackson, M. S.; Ekerdt, J. G. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 352.
11. Yu, M. L.; Memmert, U.; Kuech, T. F. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 1011.
12. Yu, M. L. J. Appl. Phys. 1993, 73, 716.
13. Creighton, J. R. Surf. Sci. 1990, 234, 287.
14. Murrell, A. J.; Wee, A. T. S.; Fairbrother, D. H.; Singh, N. K.; Foord, J. S. J. Appl. Phys. 1990, 68, 4053.
15. Kuech, T. F.; Potemski, R. Appl. Phys. Lett. 1985, 47, 821.
16. Putz, N.; Heinecke, H.; Heyen, M.; Balk, P.; Wayers, M.; Luth, H. J. Cryst. Growth 1986, 74, 292.
17. Davison, P. J.; Lappert, M. F.; Pearce, R. Chem. Rev. 1976, 76, 219.
18. Elschenbroich, C.; Salzer, A. Organometallics; VCH: Weinheim, 1979; p 13.
19. Heitzinger, J. M.; Ekerdt, J. G. J. Vac. Sci. Technol. A 1995, 13, 2772.
20. Keeling, L. A.; Chen, L.; Greenlief, C. M.; Mahajan, A.; Bonser, D. Chem. Phys. Lett. 1994, 217, 136.
21. Creighton, J. R. J. Vac. Sci. Technol. 1990, A8, 3984.
22. Pütz, N.; Veuhoff, E.; Heinecke, H.; Heyen, M.; Lüth, H.; Balk, P. J. Vac. Sci. Technol. 1985, B3, 671.
23. Weyers, M.; Pütz, N.; Heinecke, H.; Heyen, M.; Lüth, H.; Balk, P. J. Electron. Mater. 1986, 15, 57.
24. Abernathy, C. R.; Pearton, S. J.; Caruso, R.; Ren, F.; Kovalchik, J. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 1750.
25. Abernathy, C. R.; Ren, F.; Pearton, S. J.; Song, J. J. Electron. Mater. 1992, 21, 323.
26. Tu, C. W.; Liang, B. W.; Chin, T. P.; Zhang, J. J. Vac. Sci. Technol. 1990, B8, 193.
27. Sandhu, A.; Nakamura, T.; Ando, H.; Domen, K.; Okamoto, N.; Fujil, T. J. Cryst. Growth 1992, 120, 296.
28. Mochizuki, K.; Ozeki, M.; Kodama, K.; Ohtsuka, N. J. Cryst. Growth 1988, 93, 557.
29. Reid, K. G.; Urdianyk, H. M.; Bedair, S. M. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 2397.
30. Chung, B.-C.; Green, R. T.; MacMillan, H. F. J. Cryst. Growth 1991, 107, 89.
31. Dapkus, P. D.; Manasevit, H. M.; Hess, K. L.; Low, T. S.; Stillman, G. E. J. Cryst. Growth 1981, 55, 10.
32. Kuech, T. F.; Veuhoff, V. J. Cryst. Growth 1984, 68, 148.
33. Watkins, S. P.; Haacke, G. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 2263.
34. (a) Creighton, J. R.; Bansenauer, B. A.; Huett, T.; White, J. M. J. Vac. Sci. Technol. 1993, A11 (4), 876.
35. (b) Zhu, X.-Y.; White, J. M.; Creighton, J. R. J. Vac. Sci. Technol. 1992, A10, 316.
36. Stienstra, J.; Lewis, B. S.; Aarts, J. F. M. J. Vac. Sci. Technol. 1992, A10, 920.
37. Närmann, A.; Purtell, R. J.; Yu, M. L. MRS Symp. Proc. 1991, 222, 41.
38. Luth, H.; Matz, R. Phys. Rev. Lett. 1981, 46, 1652.
39. Dubois, L. H.; Schwartz, G. P. Phys. Rev. 1982, B26, 794.
40. Maslowski, E., Jr. Vibrational Spectra of Organometallic Compounds; John Wiley and Sons: New York, 1977; p 21.
41. (a) Zhou, X.-L.; Zhu, X.-Y.; White, J. M. Surf. Sci. Rep. 1991, 13, 77.
42. (b) White, J. M. J. Vac. Sci. Technol. 1992, B10, 191.
43. King, D. S.; Cavanagh, R. R. Adv. Chem. Phys. 1989, 76, 45.
44. Doi, A.; Aoyagi, Y.; Namba, S. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 785.
45. Chu, S. S.; Chu, T. L.; Chang, C. L.; Firouzi, H. Appl. Phys. Lett. 1988, 52, 1243.
46. Maury, F.; Bouabid, K.; Fazouan, N.; Gue, A. M.; Esteve, D. Appl. Surf. Sci. 1995, 86, 447.
47. Balk, P.; Fischer, M.; Grundmann, D.; Luckerath, R.; Luth, H.; Richter, W. J. Vac. Sci. Technol. 1987, B5, 1453.
48. Liu, H.; Roberts, J. C.; Ramdani, J.; Bedair, S. M.; Farari, J.; Vilcot, J. P.; Decoster, D. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 388.
49. Zhu, X. Y.; Wolf, M.; White, J. M. J. Chem. Phys. 1992, 97, 605.
50. McCaulley, J. A.; MeCrary, V. R.; Donnelly, V. M. J. Phys. Chem. 1988, 93, 1148.
51. Maayan, E.; Kreinin, O.; Veinger, D.; Thon, A.; BAhir, G.; Salzman, J. J. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 296.
52. Shogen, S.; Ohashi, M.; Hashimoto, S.; Matsumi, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 3039.
53. Cui, S.; Hacker, K.; Xin, Q.-S.; Hinton, R. A.; Zhu, X.-Y. J. Phys. Chem. 1995, 99, 11512.
54. (a) Nakamura, S.; Mukai, T.; Senoh, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1998.
55. (b) Nakamura, S.; Seno, M.; Nagahama, S.-I.; Iwasa, N.; Yamada, T.; Matsushita, T.; Kiyoku, H.; Sugimoto, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L74.
56. (a) Neumayer, D. A.; Ekerdt, J. G. Chem. Mater. 1996, 8, 9.
57. (b) Morkoc, H.; Mohammad, S. N. Science 1995, 267, 51.
58. (c) Morkoc, H.; Strite, S.; Gao, G. B; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. J. Appl. Phys. 1994, 76, 1363.
59. (d) Strite, S.; Morkoc, H. J. Vac. Sci. Technol. B 1992, 10, 1237.
60. (e) Matsuoka, T.; Ohki, T.; Ohno, T.; Kawaguchi, Y. J. Cryst. Growth 1994, 138, 727.
61. Khan, M. A.; Kuznia, J. N.; Van Hove, J. M.; Olson, D. T. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 526.
62. Zembutsu, S.; Sasaki, T. J. Cryst. Growth 1986, 77, 250.
63. Sandroff, C. J.; Hedge, M. S.; Chang, C. C. J. Vac. Sci. Technol. 1989, B7, 841.
64. Shikata, O.; Hayashi, J. J. Vac. Sci. Technol. 1991, B9, 2479.
65. Zhu, X.-Y.; Wolf, M.; Huett, T.; White, J. M. J. Chem. Phys. 1992, 97, 5856.
66. Ruckman, M.; Cao, W. J.; Park, K. T.; Gao, Y.; Wicks, G. W. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 849.
67. Bu, Y.; Lin, M. C. Surf. Sci. 1994, 317, 152.
68. (a) Sun, Y.-M.; Ekerdt, J. G. J. Vac. Sci. Technol. 1993, B11, 610.
69. (b) Sun, Y.-M.; Huett, T.; Sloan, D.; White, J. M.; Ekerdt, J. G. Surf. Sci. Lett. 1993, 295, L982.
70. Nooney, M. G.; Liberman, V.; Martin, R. M. J. Vac. Sci. Technol. 1995, A13, 1837.
71. Yoshida, N.; Chichibu, S.; Akane, T.; Tosuka, M.; Uji, H.; Matsumoto, S. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 3035.
72. Zavadil, K. R.; Ashby, C. I. H.; Howard, A. J.; Hommons, B. E. J. Vac. Sci. Technol. 1994, A12, 1045.
73. Bozos, F.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 1986, 57, 1185.
74. See the recent reviews: Mokler, S. M. Crit. Rev. Surf. Chem. 1994, 4, 1. Bean, J. C. Proc. IEEE 1992, 80, 571. Meyerson, B. S. IBM J. Res. Dev. 1990, 34, 806.
75. See the recent reviews: Mokler, S. M. Crit. Rev. Surf. Chem. 1994, 4, 1. Bean, J. C. Proc. IEEE 1992, 80, 571. Meyerson, B. S. IBM J. Res. Dev. 1990, 34, 806.
76. See the recent reviews: Mokler, S. M. Crit. Rev. Surf. Chem. 1994, 4, 1. Bean, J. C. Proc. IEEE 1992, 80, 571. Meyerson, B. S. IBM J. Res. Dev. 1990, 34, 806.
77. Sturm, J. C.; Schwartz, P. V.; Prinz, E. J.; Manoharan, H. J. Vac. Sci. Technol. 1991, 59, 2011.
78. (a) Ning, B. M. H.; Crowell, J. E. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 2914.
79. (b) Crowell, J. E.; Lu, G.; Ning, B. M. H. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1991, 204, 253.
80. (c) Ning, B. M. H.; Crowell, J. E. Surf. Sci. 1993, 295, 79.
81. Klug, D. A.; Du, W.; Greenlief, C. M. Chem. Phys. Lett. 1992, 197, 352.
82. (a) Tsu, R.; Lubben, D.; Bramblett, T. R.; Greene, J. E. Thin Solid Films 1993, 225, 191.
83. (b) Suda, Y.; Lubben, D.; Matooka, T.; Greene, J. E. J. Vac. Sci. Technol. 1990, A8, 61.
84. (a) Gates, S. M.; Greenlief, C. M.; Beach, D. B.; Holbert, P. A. J. Chem. Phys. 1990, 92, 3144.
85. (b) Jones, M. E.; Xia, L.-Q.; Maity, N.; Engstrom, J. R. Chem. Phys. Lett. 1994, 229, 401.
86. (a) D'Evelyn, M. P.; Yang, Y. L.; Sutcu, L. F. J. Chem. Phys. 1992, 96, 852;
87. (b) D'Evelyn, M. P.; Cohen, S. M.; Rouchouze, E.; Yang, Y. L. J. Chem. Phys. 1993, 98, 3560.
88. Jang, S.-M.; Reif, R. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 707.
89. Jang, S.-M.; Reif, R. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 707.
90. Russell, N. M.; Breiland, W. G. J. Appl. Phys. 1993, 73, 3525.
91. Eres, G.; Sharp, J. W. J. Appl. Phys. 1993, 74, 7241.
92. Höfer, U.; Li, L.; Heinz, T. F. Phys. Rev. 1992, B45, 9485.
93. Flowers, M. C.; Jonathan, N. B. H.; Liu, Y.; Morris, A. J. Chem. Phys. 1993, 99, 7038.
94. Mokier, S. M.; Ohtani, N.; Xie, M. H.; Zhang, J.; Joyce, B. A. Appl. Phys. Lett. 1992, 61, 2548.
95. Garone, P. M.; Strum, J. C.; Schwartz, P. V.; Schwarz, S. A.; Wilkens, B. J. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 1275.
96. Meyerson, B. S.; Uram, K. J.; LeGoues, F. K. Appl. Phys. Lett. 1988, 53, 2555.
97. Russell, N. M.; Ekerdt, J. G. Manuscript in preparation.
98. McGilip, J. F. Prog. Surf. Sci. 1995, 49, 1.
99. Shen, Y. R. Principles of Nonlinear Optics; Wiley: New York, 1984.
100. Heinz, T. F. In Nonlinear Surface Electromagnetic Phenomena; Ponath, H.-E., Stegeman, G. I., Eds.; North-Holland: Amsterdam, 1991.
101. Bloembergen, N.; Pershan, P. S. Phys. Rev. 1962, 128, 606.
102. Sipe, J. E.; Moss, D. J.; van Driel, H. M. Phys. Rev. 1987, B35, 1129.
103. Lüpke, G.; Bottomley, D. J.; van Driel, H. M. Phys. Rev. 1993, B47, 10389.
104. Bjorkman, C. H.; Yasuda, T.; Shearon, C. E., Jr.; Ma, Y.; Lucovsky, G.; Emmerichs, U.; Meyer, C.; Leo, K.; Kurz, H. J. Vac. Sci. Technol. 1993, B11, 1521.
105. Daum, W.; Krause, H.-J.; Reichel, U.; Ibach, H. Phys. Rev. Lett. 1993, 71, 1234.
106. Tom, H. W. K.; Heinz, T. F.; Shen, Y. R. Phys. Rev. Lett. 1983, 51, 1983.
107. Heinz, T. F.; Loy, M. M. T.; Thompson, W. A. Phys. Rev. Lett. 1985, 54, 63.
108. Suzuki, T.; Hirabyashi, Y. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 1993, 32, L610.
109. Hollering, R. W. J.; Hoeven, A. J.; Lenssinck, J. M. J. Vac. Sci. Technol. 1990, A8, 3194.
110. McGilip, J. F.; Yeh, Y. Solid State Commun. 1986, 59, 91.
111. Kelly, P. V.; O'Mahony, J. D.; McGilip, J. F.; Rasing, Th. Appl. Surf. Sci. 1992, 56-58, 453.
112. Power, J. R.; McGilip, J. F. Surf. Sci. 1994, 307/309, 1066.
113. Hollering, R. W. J.; Dijkkamp, D.; Lindelauf, H. W. L.; van der Heide, P. A. M.; Krijin, M. P. C. M. J. Vac. Sci. Technol. 1990, A8, 3997.
114. Kelly, P. V.; Tang, Z.-R.; Woolf, D. A.; Williams, R. H.; McGilip, J. F. Surf. Sci. 1991, 251/252, 87.
115. Pedersen, K.; Morgen, P. Phys. Scrip. 1994, T54, 238.
116. Heinz, T. F.; Loy, M. M. T.; Iyer, S. S. Mater. Res. Symp. Proc. 1987, 75, 697.
117. Sakamoto, K.; Sakamoto, T.; Nagao, S.; Hashiguchi, G.; Kuniyoshi, K.; Bando, Y. J. Appl. Phys. 1987, 26, 666.
118. Dadap, J. I.; Russell, N.; Hu, X. F.; Ekerdt, J.; Downer, M. C. SPIE 1994, 2337, 68.
119. Ting, W.; Lo, G. Q.; Ahn, J.; Chu. T.; Kwong, D. L. Proc. IEEE Reliability Phys. Symp. 1991, 323.
120. Hori, T.; Iwasaki, H.; Tsuji, K. IEEE Trans. Electron Devices 1989, 36, 340.
121. Govorkov, S. V.; Emel'yanov,V. I.; Koroteev, N. L; Petrov, G. I.; Shumay, I. L.; Yakovlev, V. V. J. Opt. Soc. Am. 1989, B6, 1117.
122. McGilp, J. F.; Cavanagh, M.; Power, J. R.; O'Mahony, J. D. Appl. Phys. 1994, A59, 401.
123. Meyer, C.; Lüpke, G.; Emmerichs, U.; Wolter, F.; Kurz, H.; Bjorkman, C. H.; Lucovsky, G. Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 3001.
124. Emmerichs, U.; Meyer, C.; Bakker, H. J.; Kurz, H.; Bjokman, C. H.; Shearon, C. E.; Ma, Y.; Yasuda, T.; Jing, Z.; Lueovsky, G.; Whitten, J. L. Phys. Rev. 1994, B50, 5506.
125. Meyer, C.; Lüpke, G.; Emmerichs, U.; Wolter, F.; Kurz, H.; Bjorkman, H.; Lucosky, G. Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 3001.
126. Dadap, J. I.; Doris, B.; Deng, Q.; Downer, M. C.; Lowell, J. K.; Diebold, A. C. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 2139.
127. Dunn, G. J.; Scott, S. IEEE Trans. Electron Devices 1990, 37, 1719.
128. Dunn, G. J.; Krick, J. T. IEEE Trans. Electron Devices 1991, 38, 901.
129. Momose, H. S.; Morimoto, T.; Wzawa, Y.; Tsuchiaki, M.; Ono, M.; Yamabe, K.; Iwai, H. Extended Abstr. IEEE Int. Electron Device Meeting 1991, 359.
130. Hwang, H.; Ting, W.; Kwong, D. L.; Lee, J. IEEE Electron Device Lett. 1991, EDL-12, 495.
131. Okada, Y.; Tobin, P. J.; Rushbrook, P.; DeHart, W. L. IEEE Trans. Electron Devices 1994, 41, 191.
132. Liu, Z. H.; Krick, J. T.; Wann, H. J.; Ko, P. K.; Hu, C.; Cheng, Y. C. IEDM Technol. Dig., 1992, 625.
133. Woerlee, P. H.; Lifka, H.; Montree, A. H.; Paulzen, G. M.; Pomp, H.; Woltjer, R. Int. Symp. VLSI Technol. 1993, 105.
134. Lo, G. Q.; Ting, W.; Ahn, J.; Kwong, D. L. IEEE Trans. Electron Device Lett. 1992, EDL13, 111.
135. Okada, Y.; Tobin, P. J.; Reid, K. G.; Hegde, R. I.; Maiti, B.; Ajuria, S. A. Technol. Dig. Symp. VLSI Technol. 1994, 105.
136. Heremans, P.; Bellens, R.; Groeseneken, G.; Maes, H. E. IEEE Trans. Electron Devices 1988, 35, 2194.
137. Bhat, M.; Kim, J.; Yan, J.; Yoon, G. W.; Han, L. K.; Kwong, D. L. IEEE Electron Device Lett. 1994, EDL-13, 421.
138. Briner, E.; Meiner, Ch.; Rothen, A. J. Chim. Phys. 1926, 23, 609.
139. Banerjee, I.; Kuzminov, D. J. Vac. Sci. Technol. 1994, B12, 205.
140. Hori, T.; Iwasaki, H.; Tsuji, K. IEEE Trans. Electron Devices 1989, 36, 340.
141. Fukuda, H.; Yasuda, M.; Iwabuchi, T.; Ohno, S. IEEE Electron Device Lett. 1991, EDL-12, 587.
142. Sun, S. C.; Plummer, J. D. IEEE Trans. Electron Devices 1980, 27, 1497.
143. Hori, T. IEEE Trans. Electron Devices 1990, 37, 1058.
144. Bhat, M.; Wristers, D. J.; Han, L.-K.; Yan, J.; Fulford, H. J.; Kwong, D. L. IEEE Trans. Electron Devices 1995, 42, 907.
145. Yoon, G. W.; Joshi, A. B.; Kim, J.; Kwong, D. L. IEEE Electron Device Lett. 1993, 14, 179.
146. Fang, H.; Krisch, K. S.; Gross, B. J.; Sodini, C. G.; Chung, J.; Antoniadis, D. A. IEEE Trans. Electron Devices 1992, 13, 217.
147. Okada, Y.; Tobin, P. J.; Hegde, R. Appl. Phys. Lett. 1992, 61, 3163.
148. Liu, Z.; Wann, H. J.; Ko, P. K.; Hu, C.; Cheng, Y. C. IEEE Electron Device Lett. 1992, 519.
149. Bhat, M.; Kamath, A.; Kwong, D. L.; Sun, Y. M.; White, J. M. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 1314.
150. Lutz, F.; Bischoff, J. L.; Kubler, L.; Bolmont, D. Appl. Surf. Sci. 1993, 73, 427.
151. Rangelov, G.; Stober, J.; Eisenhut, B.; Fauster, Th. Phys. Rev. B 1991, 44, 1954.
152. Nishijima, M.; Kobayashi, H.; Edamoto, K.; Onchi, M. Surf. Sci. 1984, 137, 473.
153. Chu, T. Y.; Ting, W.; Ahn, J. H.; Lin, S.; Kwong, D. L. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 1412.
154. Wang, S.-Q. MRS Bull. 1994, August, 31.
155. Li, J.; Shacham-Diamand, Y.; Mayer, J. W. Mater. Sci. Rep. 1992, 9, 11.
156. Arita, Y. Semiconductor World 1993, December, 158.
157. Li, J.; Seidel, T. E.; Mayer, J. W. MRS Bull. 1994, August, 15.
158. Harper, J. M. E.; Colgan, E. G.; Hu, C.-K.; Hummel, J. P.; Buchwalter, L. P.; Uzoh, C. E. MRS Bull. 1994, August, 23.
159. Choi, C. S.; Ruggles, G. A.; Shah, A. S.; Xing, G. C.; Osburn, C. M.; Hunn, J. D. J. Electrochem. Soc. 1991, 138, 30622.
160. Chang, C.-A. J. Vac. SSci Technol. 1990, A8, 3796.
161. Chittipeddi, S.; Kelly, M. J.; Dziuba, C. M.; Oales, A. S.; Cochran, W. T. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1990, 181, 527.
162. Russell, S. W.; Li, J.; Strane, J. W.; Mayer, J. W. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1992, 265, 205.
163. Creighton, J. R.; Parmeter, J. E. Crit. Rev. Solid State Sci 1993, 18, 175.
164. Doppelt, P.; Baum, T. H. MRS Bull. 1994, 19, 41.
165. Gelatos, A. V.; Jain, A.; Marsh, R.; Mogab, C. J. MRS Bull. 1994, 19, 49.
166. Jain, A.; Chi, K.-M.; Kodas, T. T.; Hampden-Smith, M. J. J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 1434.
167. Dubois, L. H.; Zegarski, B. R. J. Electrochem. Soc. 1992, 139, 3295.
168. Jain, A.; Chi, K.-M.; Hampden-Smith, M. J.; Kodas, T. T.; Farr, J. D.; Paffett, M. F. J. Mater. Res. 1992, 7, 261.
169. Cohen, S. L.; Liehr, M.; Kasi, S. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 1585.
170. Shin, H.-K.; Chi, K.-M.; Hampden-Smith, M. J.; Kodas, T. T.; Farr, J. D.; Paffett, M. F. Adv. Mater. 1991, 3, 246.
171. Jain, A.; Chi, K.-M.; Kodas, T. T.; Hampden-Smith, M. J.; Farr, J. D.; Paffett, M. F. Chem. Mater. 1991, 3, 995.
172. Cheng, H.-E.; Chiang, M.-J.; Han, M.-H. J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 1573.
173. Yokoyama, N.; Hindo, K.; Homma, Y. J. Electrochem. Soc. 1991, 138, 190.
174. Dubois, L. H.; Zegarski, B. R.; Girolami, G. S. J. Electrochem. Soc. 1992, 139, 3603.
175. Prybyla, J. A.; Chiang, C.-M.; Dubois, L. H. J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 2695.
176. Flamm, D. L.; Donnelly, V. M.; Ibbotson, D. E. J. Vac. Sci. Technol. 1983, B1, 23.
177. Winters, H. F.; Coburn, J. W.; Chuang, T. J. J. Vac. Sci. Technol. 1983, B1, 469.
178. Winters, H. F.; Coburn, J. W. Surf. Sci. Rep. 1992, 14, 161.
179. Yu, M. L.; DeLouise, L. A. Surf. Sci. Rep. 1993, 19, 285.
180. Coburn, J. W. Appl. Phys. 1994, A59, 451.
181. Connick, I.-H.; Bhattacharyya, A.; Ritz, K. N.; Smith, W. L. J. Appl. Phys. 1988, 64, 2059.
182. Sung, K. T.; Pang, S. W. J. Vac. Sci. Technol. 1994, A12, 1346.
183. Plasma Processing of Materials: Scientific Opportunities and Technological Challenges; National Research Council, National Academy Press: Washington, DC, 1991.
184. Gupta, P.; Coon, P. A.; Koehler, B. G.; George, S. M. Surf. Sci. 1991, 249, 92.
185. Whitman, L. J.; Joyce, S. A.; Yarmoff, J. A.; McFeely, F.; Terminello, L. J. Surf. Sci. 1990, 232, 297.
186. Schnell, R. D.; Rieger, D.; Bogen, A.; Himpsel, F. J.; Wandelt, K. Phys. Rev. 1985, B32, 8057.
187. Matsuo, J.; Karahashi, K.; Sato, A.; Hijiya, S. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 1992, 31, 2025.
188. Craig, B. I.; Smith, P. V. Surf. Sci. 1992, 262, 235.
189. Gao, Q.; Cheng, C. C.; Chen, P. J.; Choyke, W. J.; Yates, J. T. J. Chem. Phys. 1993, 98, 8308.
190. Boland, J. J.; Villarubia, J. S. Phys. Rev. 1990, B41, 9865.
191. Etelaniemi, V.; Michel, E. G.; Materlik, G. Surf. Sci. 1991, 251/ 252, 483.
192. Sullivan, D. J. D.; Flaum, H. C.; Kümmel, A. C. J. Phys. Chem. 1993, 97, 12051.
193. Johansson, L. S. O.; Uhrberg, R. I. G.; Lindsay, R.; Wincott, P. L.; Thornton, G. Phys. Rev. 1990, B42, 9534.
194. Mendicino, M. A.; Seebauer, E. G. Appl. Surf. Sci. 1993, 68, 285.
195. Szabo, A.; Farral, P. D.; Engel, T. Surf. Sci. 1993, 312, 284.
196. Szabo, A.; Engel, T. J. Vac. Sci. Technol. 1994, A12, 648.
197. Su, C.; Xi, M.; Dai, Z. G.; Vernon, M. F.; Bent, B. F. Surf. Sci. 1993, 282, 357.
198. Chuang, M.; Coburn, J. W. J. Vac. Sci. Technol. 1990, A8, 1969.
199. Tyrrell, G. C.; Boyd, I. W.; Jackman, R. B. Appl. Surf. Sci. 1989, 43, 439.
200. Dieleman, J.; Sanders, F. H. M.; Kolfschoten, A. W.; Zalm, P. C.; de Vries, A. E.; et al. J. Vac. Sci. Technol. 1985, B3, 1384.
201. Sanders, F. H. M.; Kolfschoten, A. W.; Dieleman, J.; Haring, R. A.; Haring, A.; et al. J. Vac. Sci. Technol. 1984, A2, 487.
202. Okano, H.; Horike, Y.; Sekine, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1985, 24, 68.
203. Chuang, T. J. J. Chem. Phys. 1981, 74, 1453.
204. Sesselmann, W.; Hudeczek, E.; Bachmann, F. J. Vac. Sci. Technol. 1989, B7, 1284.
205. Baller, T. S.; Kools, J. C. S.; Dieleman, J. Appl. Surf. Sci. 1990, 46, 292.
206. Boulmer, J.; Bourguignon, B.; Budin, J. P.; Däbarre, D.; Desmur, A. J. Vac. Sci. Technol. 1991, A9, 2923.
207. Baller, T.; Costra, D. J.; de Vries, A. E.; van Veen, G. N. A. J. Appl. Phys. 1986, 60, 2321.
208. Suzuki, K.; Hiraoka, S.; Nishimatsu, S. J. Appl. Phys. 1988, 64, 3697.
209. Suzuki, J.; Ninomiya, K.; Nishimatsu, S.; Okada, O. Jpn. J. Appl. Phys. 1986, 25, L373.
210. Saito, Y.; Hirabaru, M.; Yoshida, A. J. Vac. Sci. Technol. 1992, B10, 175.
211. Szabo, A.; Farral, P. D.; Engel, T. J. Appl. Phys. 1993, 75, 3623.
212. Campos, F. X.; Weaver, G. C.; Waltman, C. J.; Leone, S. R. J. Vac. Sci. Technol. 1992, B10, 2217.
213. Leone, S. R. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 1995, 34, 2073.
214. Teraoka, Y.; Uesugi, F.; Nishiyama, I. In Photons and Low Energy Particles in Surface Processing; Ashby, C., Brannon, J. H., Pang, S., Eds.; Materials Research Society: Pittsburgh, 1992; pp 183.