Atomic layer deposition and characterization of hafnium oxide grown on silicon from tetrakis(diethylamino)hafnium and water vapor

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 22, Issue 5, 2004, Pages 2035-2040

  Deshpande, Anand ^a,b   Inman, Ronald ^a   Jursich, Gregory ^a   Takoudis, Christos ^b  

^a Chicago Research Center Inc   (United States)

^b 1120 Science and Engineering Offices   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD); FILM DEPOSITION; TEMPERATURE DEPENDENCE; VAPOR PHASE DETECTION;

ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON; SUBSTRATES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPORS;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 8344288168     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1781183     Document Type: Article

References (38)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors: 2003, http://public.itrs.net/Files/2003ITRS/Home.htm
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, Appl. Phys. Lett. 89, 5243 (2001).
3. K. J. Hubbard and D. G. Scholm,. J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
4. P. S. Lysaght, P. J. Chen, R. Bergmann, T. Messina, R. W. Murto, and H. R. Huff, J. Non-Cryst. Solids 303, 54 (2002).
5. E. P. Gusev, C. Cabral, Jr., M. Copel, C. D'Emic, and M. Gribelyuk, Microelectron. Eng. 69, 145 (2003).
6. M. L. Green, M. Y. Ho, B. Busch, G. D. Wilk, T. Joseph, T. Conrad, B. Brijs, W. Vandervorst, P. I. Raisanen, D. Muller, M. Budeand, and J. Greazul, J. Appl. Phys. 92, 7168 (2002).
7. Y. Ohshita, A. Ogura, A. Hoshino, S. Hiiro, and H. Machida, J. Cryst. Growth 233, 292 (2001).
8. S. Choi, J. Koo, H. Jeon, and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc. 44, 35 (2004).
9. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelae, T. Sajavaara, J. Keinonen, A. C. Jones, and J. L. Roberts, Chem. Vap. Deposition 9, 315 (2003).
10. K. Endo and T. Tatsumi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L685 (2003).
11. D. M. Hausmann and R. G. Gordon, J. Cryst. Growth 249, 251 (2003).
12. J. Gelatos, L. Chen, H. Chung, R. Thakur, and A. Sinha, Solid State Technol. 46, 44 (2003).
13. R. Inman, A. Deshpande, and G. Jursich, SEMI Tech. Symp. ISM. 205 (2003).
14. Z. Cui and C. G. Takoudis, J. Electrochem. Soc. 150, G694 (2003).
15. Z. Cui, J. Madsen, and C. G. Takoudis, J. Appl. Phys. 87, 8181 (2000).
16. A. Roy Chowdhuri, C. G. Takoudis, R. F. Klie, and N. D. Browning, Appl. Phys. Lett. 80, 4241 (2002).
17. R. F. Klie, N. D. Browning, A. Roy Chowdhuri, and C. G. Takoudis, Appl. Phys. Lett. 83, 1187 (2003).
18. J. Aarik, A. Aidla, A.-A. Kiisler, T. Uustare, and V. Sammelselg, Thin Solid Films 340, 110 (1999).
19. D. M. Hausmann, E. Kim, J. Becker, and R. G. Gordon, Chem. Mater. 14, 4350 (2002).
20. I. M. Iskandarova, A. A. Knizhnik, E. A. Rykova, A. A. Bagatur'yants, B. V. Potapkin, and A. A. Korkin, Microelectron. Eng. 69, 587 (2003).
21. A. Kytokivi, E. Lakomaa, A Root, H. Osterholm, J. Jacobs, and H. H. Brongersma, Langmuir 13, 2717 (1997).
22. M. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, and S. W. Hyun, Appl. Phys. Lett. 81, 334 (2002).
23. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavara, J. Keinonen, and M. Leskala, Chem. Vap. Deposition 8, 199 (2002).
24. M. M. Frank, Y. J. Chabal, M. L. Green, A. Delabie, B. Brijs, G. D. Wilk, M. Ho, E. B. O. da Rosa, I. J. R. Baumvol, and F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 83, 740 (2003).
25. J. Wang, H. P. Li, and R. Stevens, J. Mater. Sci. 27, 5397 (1992).
26. J. F. Conley, Jr., Y. Ono, D. J. Tweet, and W. Zhuang, J. Appl. Phys. 93, 712 (2003).
27. R. I. Inman, A. Deshpande, and G. Jursich, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 765, 103 (2003).
28. T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 100/101, 391 (1996).
29. E. L. Lakomma, Appl. Surf. Sci. 75, 185 (1994).
30. M. Deminsky, A. Knizhnik, I. Belov, S. Umanskii, E. Rykova, A. Bagatur'yants, B. Potapkin, M. Stoker, and A. Korkin, Surf. Sci. 549, 67 (2004).
31. Y. Widjaja and C. B. Musgrave, J. Chem. Phys. 117, 1931 (2002).
32. R. L. Puurunen, Chem. Vap. Deposition 9, 327 (2003).
33. Y. Widjaja and C. B. Musgrave, Appl. Phys. Lett. 81, 304 (2002).
34. D. A. Neumayer and E. Cartier, J. Appl. Phys. 90, 1801 (2001).
35. M. Frank, Y. J. Chabal, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 82, 4758 (2003).
36. S. Stemmer, Z. Q. Chen, W. J. Zhu, and T. P. Ma, J. Mierosc. 210, 74 (2003).
37. L. Soriano, M. Abate, J. C. Fuggle, M. A. Jimenez, J. M. Sanz, C. Mythen, and H. A. Padmore, Solid State Commun. 87, 699 (1993).
38. D. J. Wallis, P. H. Gaskell, and R. Brydson, J. Mierosc. 180, 307 (1995).