Atomic layer deposition of hafnium and zirconium oxides using metal amide precursors

Chemistry of Materials

Volumn 14, Issue 10, 2002, Pages 4350-4358

  Hausmann, Dennis M ^a   Kim, Esther ^a   Becker, Jill ^a   Gordon, Roy G ^a  

^a HARVARD UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMIDE; HAFNIUM; HAFNIUM OXIDE; METAL; OXIDE; UNCLASSIFIED DRUG; WATER; ZIRCONIUM OXIDE;

ARTICLE; CONFORMATION; FILM; SURFACE PROPERTY; TEMPERATURE; THICKNESS; VAPOR PRESSURE;

EID: 0036799255     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm020357x     Document Type: Article

References (33)

1. Wilk, G. D.; Wallace, R. M.; Anthony, J. M. J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
2. Gutsche, M.; Seidl, H.; Luetzen, J.; Birner, A.; Hecht, T.; Jakschik, S.; Kerber, M.; Leonhardt, M.; Moll, P.; Pompl, T.; Reisinger, H.; Rongen, S.; Saenger, A.; Schroeder, U.; Sell, B.; Wahl, A.; Schumann, D. In Technical Digest of the International Electron Device Meeting, 18.6.1; IEEE: Piscataway, NJ, 2001.
3. DiMaria, D. J.; Stathis, J. H. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1752.
4. Hubbard, K. J.; Schlom, D. G. J. Mater. Res. 1996, 11, 2757.
5. Copel, M.; Gribelyuk, M.; Gusev, E. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 436.
6. Waldorf, A. J.; Dobrowolski, J. A.; Sullican, B. T.; Plante, L. M. Appl. Opt. 1993, 32, 5583.
7. Urlacher, C.; Mugnier, J. J. Raman Spectrosc. 1996, 27, 785.
8. Nawrocki, J.; Rigney, M. P.; McGormick, A.; Carr, P. W. J. Chromatogr. 1993, A657, 229.
9. Asakura, K.; Aoki, M.; Iwasawa, Y. Catal. Lett. 1988, 1, 394.
10. Ibègazéne, H.; Aplérine, S.; Diot, C. J. Mater. Sci. 1995, 30, 938.
11. Wang, J.; Li, H. P.; Stevens, R. J. Mater. Sci. 1992, 27, 5397.
12. Leskela, M.; Ritala, M. J. Phys. IV Fr. 1999, 9-Pr8, 837.
13. Reisse, G.; Keiper, B.; Weiβmantel, S.; Johansen, H.; Scholz, R.; Martini, T. Thin Solid Films 1994, 241, 119.
14. Jonsson, A. K.; Niklasson. G. A.; Veszelei, M. Thin Solid Films 2002, 402, 242.
15. Qi, W.-J.; Nieh, R.; Lee, B. H.; Kang, L.; Jeon, Y.; Lee, J. Appl. Phys. Lett. 2000, 79, 3269.
16. Balog, M.; Schieber, M.; Patai, S.; Michman, M. J. Cryst. Growth 1972, 17, 298.
17. Balog, M.; Schieber, M.; Michman, M.; Patai, S. Thin Solid Films 1977, 41, 247.
18. Balog, M.; Schieber, M.; Michman, M.; Patai, S. J. Electrochem. Soc. 1979, 26, 1203.
19. Jean, T. S.; White, J. M.; Kwong, D. L. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 368.
20. Taylor, R. N.; Dumbri, A. C.; Caffrey, R. E. J. Electrochem. Soc. 1971, 118, 747.
21. Aarik, J.; Aidla, A.; Mändar, H.; Sammelselg, V.; Uustare, T. J. Cryst. Growth 2000, 220, 105.
22. Aarik, J.; Aidla, A.; Kiisler, A.-A.; Uustare, T.; Sammelselg, V. Thin Solid Films 1999, 340, 110.
23. Ritala, M.; Kukli, K.; Rahtu, A.; Räisänen, P.; Leskalä, M.; Sajavaara, T.; Keinonen, J. Science 2000, 288, 319.
24. Zhang, H.; Solanki, R. J. Electrochem. Soc. 2001, 148, F63.
25. Kukli, K.; Forsgren, K.; Ritala, M.; Leskelä, M.; Aarik, J.; Hårsta, A. J. Electrochem. Soc. 2001, 148, F227.
26. Kukli, K.; Forsgren, K.; Aarik, J.; Uustare, T.; Aidla, A.; Niskanen, A.; Ritala, M.; Leskelä, M.; Härsta, A. J. Cryst. Growth 2001, 231, 262.
27. Ritala, M.; Leskalä, M. Appl. Surf. Sci. 1994, 75, 333.
28. Conley, J. F.; Ono, Y.; Zhuang, W.; Tweet, D.; Gao, W.; Mohammed, S.; Solanki, R. Electrochem. Solid State Lett. 2002, 5, C57.
29. Cardin, D. J.; Lappert, M. F.; Raston, C. L. Chemistry of Organo-Zirconium and -Hafnium Compounds; Ellis Horwood Limited: West Sussex, U.K., 1986.
30. Bradley, D. C.; Thomas, I. M. J. Chem. Soc. 1960, 3857.
31. Tsyganova, E. I.; Dyagileva, L. M.; Aleksandrov, Y. A. Russ. J. Chem. 1999, 69, 1532.
32. van Mol, A. M. B.; Driessen, J. P. A. M.; Linden, J. L.; de Croon, M. H. I. M.; Spee, C. I. M. A.; Schouten, J. C. Chem. Vap. Deposition 2001, 7, 101.
33. Tsyganova, E. I.; Dyagileva, L. M.; Aleksandrov, Y. A. Zh. Obshch. Khim. 1999, 69, 1598.