Photonic devices

Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices

Volumn , Issue , 2007, Pages 97-230

  Kawakami, Yoichi ^a   Kamiyama, Satoshi ^b   Hatakoshi, Gen Ichi ^p   Mukai, Takashi ^c   Narukawa, Yukio ^c   Nomura, Ichirou ^d   Kishino, Katsumi ^d   Hirayama, Hideki ^e   Kawasaki, Masashi ^f   Ohtomo, Akira ^f   Okushi, Hideyo ^g   Taniyasu, Yoshitaka ^h   Kasu, M ^h   Makimoto, T ^h   Hirano, A ^q   Kohmoto, Kohtaro ⁱ   Kanie, H ^j   Shibata, Naoki ^k   Nakamura, Takao ^l   Tadatomo, Kazuyuki ^m   Kuramoto, Masaru ⁿ   Yanamoto, Tomoya ^c   Amano, Hiroshi ^b   Akimoto, Katsuhiro ^o   more..

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

^b MEIJO UNIVERSITY   (Japan)

^c NICHIA CORPORATION   (Japan)

^d SOPHIA UNIVERSITY   (Japan)

^e RIKEN   (Japan)

^f TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^g NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^h NTT CORPORATION   (Japan)

ⁱ Teknologue Co Ltd   (Japan)

^j TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE   (Japan)

^k Toyoda Gosei Co Ltd   (Japan)

^l SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD   (Japan)

^m YAMAGUCHI UNIVERSITY   (Japan)

ⁿ SONY CORPORATION   (Japan)

^o UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^p TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

^q OSAKA GAS CO LTD   (Japan)

more..

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84890187683     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Book    
DOI: 10.1007/978-3-540-47235-3_3     Document Type: Chapter

References (295)

1. H. Sugawara, M. Ishikawa, and G. Hatakoshi; Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 1010.
2. H. Sugawara, K. Itaya, and G. Hatakoshi; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 33 (1994) 6195.
3. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T. J. Gmitter, and A. Scherer; Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2174.
4. M. R. Krames, M. Ochiai-Holcomb, G. E. Hofler, C. Carter-Coman, E. I. Chen, I. H. Tan, P. Grillot, N. F. Gardner, H. C. Chui, J. W. Huang, S. A. Stockman, F. A. Kish, M. G. Craford, T. S. Tan, C. P. Kocot, M. Hueschen, J. Posselt, B. Loh, G. Sasser, and D. Collins; Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2365.
5. T. Baba, K. Inoshita, H. Tanaka, J. Yonekura, M. Ariga, A. Matsutani, T. Miyamoto, F. Koyama, and K. Iga; J. Lightwave Technol. 17 (1999) 2113.
6. M. Fujita, S. Takahashi, Y. Tanaka, T. Asano, and S. Noda; Science 308 (2005) 1296.
7. W. L. Barnes; J. Lightwave Technol. 17 (1999) 2170.
8. K. Okamoto, I. Niki, A. Shvartser, Y. Narukawa, T. Mukai, and A. Scherer; Nat. Mater. 3 (2004) 601.
9. R. C. Miller, D. A. Kleinman, W. A. Nordland Jr., and A. C. Gossard; Phys. Rev. B 22 (1980) 863.
10. I. H. Ho and G. B. Stringfellow; Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2701.
11. R. Zimmermann; J. Cryst. Growth 101 (1990) 346.
12. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura; Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4188.
13. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura; Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 981.
14. C. Gourdon and P. Lavallard; Phys. Status Solidi B 153 (1989) 641.
15. Y. Kawakami, in "Low Dimensional Nitride Semiconductors" (B. Gil, ed.), Series on Semiconductor Science and Technology, Oxford University Press, New York City, 2002, p. 233-256.
16. A. Kaneta, K. Okamoto, Y. Kawakami, S. Fujita, G. Marutsuki, Y. Narukawa, and T. Mukai; Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 4353.
17. A. Kaneta, T. Mutoh, Y. Kawakami, S. Fujita, G. Marutsuki, Y. Narukawa, and T. Mukai; Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 3462.
18. R. G. Palmer, D. L. Stein, E. Abrahams, and P. W. Anderson; Phys. Rev. Lett. 53 (1984) 958.
19. D. L. Huber; Phys. Rev. B 31 (1985) 6070.
20. A. Hangleiter, J. S. Im, H. Kollmer, S. Heppel, J. Off, and F. Scholz; MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3 (1998) 15. (http://nsr.mij.mrs.org/3/ 15/).
21. M. Sugawara; Phys. Rev. B 51 (1995) 10743.
22. J. Feldmann, G. Peter, E. O. Göbel, P. Dawson, K. Moore, C. Foxon, and R. J. Elliott; Phys. Rev. Lett. 59 (1987) 2337.
23. H. Gotoh, H. Ando, T. Takagahara, H. Kamada, A. Chavez-Pirson, and J. Temmyo; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 36 (1997) 4204.
24. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Nakamura; Phys. Rev. B 59 (1999) 10283.
25. Y. Kawakami, Y. Narukawa, K. Omae, S. Fujita, and S. Nakamura; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 178 (2000) 331.
26. S. Kamiyama, M. Suzuki, T. Uenoyama, and Y. Ban, in Proc. "Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95) ", Nagoya, 21-23 September, 1995, p. 205.
27. M. Suzuki and T. Uenoyama; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 Reg. Pap. 35 (1996) 1420.
28. M. Suzuki, T. Uenoyama, and A. Yanase; Phys. Rev. B 52 (1995) 8132.
29. I. Akasaki, H. Amano, and I. Suemune, in Proc "The Sixth International Conference on Silicon Carbide and Related Materials" (S. Nakashima, H. Matsunami, S. Yoshida, and H. Harima, eds.), Institute of Physics Conference Series, Vol. 142, Institute of Physics Publishing, Kyoto, 18-21 September, 1995, p. MoA-I-2.
30. S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 Reg. Pap. 39 (2000) 390.
31. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 Lett. 37 (1998) L309.
32. O. Matsumoto, S. Goto, T. Sasaki, Y. Yabuki, T. Tojyo, S. Tomiya, K. Naganuma, T. Asatsuma, K. Tamamura, S. Uchida, and M. Ikeda, in "Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) ", Business Center for Academic Societies, Japan, Nagoya, 17-19 September 2002, p. 832-833.
33. K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 Lett. 40 (2001) L140.
34. H. Sugawara, K. Itaya, M. Ishikawa, and G. Hatakoshi; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 31 (1992) 2446.
35. M. Suzuki, Y. Nishikawa, M. Ishikawa, and Y. Kokubun; J. Cryst. Growth 113 (1991) 127.
36. M. Suzuki, K. Itaya, Y. Nishikawa, H. Sugawara, and M. Okajima; J. Cryst. Growth 133 (1993) 303.
37. M. Suzuki, K. Itaya, and M. Okajima; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 33 (1994) 749.
38. H. Sugawara, M. Ishikawa, and G. Hatakoshi; Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 1010.
39. G. Hatakoshi, K. Nitta, and M. Ishikawa, in Proc. "The Fifth Microoptics Conference (MOC'95) ", Technical Digest, Hiroshima, 1995, p. 212-215.
40. G. Hatakoshi and H. Sugawara; Display and Imaging [Jpn. Ed.] 5 (1997) 101.
41. H. Sugawara, K. Itaya, H. Nozaki, and G. Hatakoshi; Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 1775.
42. H. Sugawara, K. Itaya, and G. Hatakoshi; J. Appl. Phys. 74 (1993) 3189.
43. H. Sugawara, K. Itaya, and G. Hatakoshi; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 33 (1994) 6195.
44. F. A. Kish, F. M. Steranka, D. C. DeFevere, D. A. Vanderwater, K. G. Park, C. P. Kuo, T. D. Osentowski, M. J. Peanasky, J. G. Yu, R. M. Fletcher, D. A. Steigerwald, M. G. Craford, and V. M. Robbins; Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2839.
45. K. Streubel, U. Helin, V. Oskarsson, E. Backlin, and A. Johansson; IEEE Photon. Technol. Lett. 10 (1998) 1685.
46. K. Takaoka and G. Hatakoshi, in The IEICE Technical Report, LQE2000-128 (The Institute of Electronics Information and Communication Engineers of Japan), Tokyo, 2001, p. 51-56.
47. M. R. Krames, M. Ochiai-Holcomb, G. E. Hofler, C. Carter-Coman, E. I. Chen, I. H. Tan, P. Grillot, N. F. Gardner, H. C. Chui, J. W. Huang, S. A. Stockman, F. A. Kish, M. G. Craford, T. S. Tan, C. P. Kocot, M. Hueschen, J. Posselt, B. Loh, G. Sasser, and D. Collins; Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2365.
48. M. R. Krames, H. Amano, J. J. Brown, and P. L. Heremans, eds., "The issue on high-efficiency light-emitting diodes", IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 8(2), IEEE, 2002.
49. G. Hatakoshi, in Proc. "The 10th International Display Workshop (IDW'03) ", Fukuoka, December 3-5, 2003, p. PH4 1.
50. G. Hatakoshi; O plus E 26 (292) No. 3 (2004) 263.
51. G. Hatakoshi, in Proc. "IEEE/LEOS 3rd International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices", Vol. 03EX726, IEEE, Tokyo, October 14-16, 2003, p. 21-24.
52. G. Hatakoshi and M. Yamamoto, in Proc. "The 10th Microoptics Conference (MOC'04) ", Jena, 1-3 September, 2004, p. J-6.
53. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48. 353 (1986)
54. H. Amano, T. Asahi, M. Kito, I. Akasaki: Stimulated emission in MOVPEgrown GaN film Journal of Luminescence 48/49, 889 (1991).
55. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: J. Electrochem. Soc. 137, 1639 (1990).
56. H. Amano, H. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 L2112 [IPAP] (1989)
57. N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki, A. Katsui: Applied Physics Letters 59(18), 2251 (1991).
58. S. Nakamura, M. Senoh and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993)
59. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 8189 (1994).
60. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagaham: Jpn. J. Appl. Phys. 34 L797 [IPAP] (1995).
61. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano and T. Mukai "InGaN-Based Near-Ultraviolet and Blue-LightEmitting Diodes with High External Quantum Efficiency Using a Patterned Sapphire Substrate and a Mesh Electrode" Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 L1431-L1433 (2002).
62. T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 L1358 [IPAP] (1998).
63. T. Mukai and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5735 (1999).
64. M. Yamada, Y. Narukawa and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 L246 [IPAP] (2002)
65. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, M. Ozawa, A. Ishibashi, M. Ikeda, and Y. Mori; Electron. Lett. 29 (1993) 1488.
66. K. Kishino and I. Nomura; IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8 (2002) 773.
67. T. Morita, K. Kikuchi, I. Nomura, and K. Kishino; J. Electron. Mater. 25 (1996) 425.
68. S. B. Che, I. Nomura, W. Shinozaki, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino; J. Cryst. Growth 214 (2000) 321.
69. S. B. Che, I. Nomura, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino; Phys. Status Solidi B Basic Res. 229 (2002) 1001.
70. Y. Takashima, I. Nomura, Y. Nakai, A. Kikuchi, and K. Kishino; Phys. Status Solidi B Basic Res. 241 (2004) 747.
71. A. Zukauskas, M. S. Shur, and R. Gaska, "Introduction to Solid State Lighting", John Wiley & Sons, New York City, 2002.
72. H. Hirayama; J. Appl. Phys. 97 (2005) Art. No. 091101.
73. H. Hirayama, K. Akita, T. Kyono, T. Nakamura, and Y. Aoyagi; Rev. Laser Eng. 32 (2004) 402.
74. D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, T. Murayama, S.-i. Nagahama, and T. Mukai; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 41 (2002) L1434.
75. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi; Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 711.
76. V. Adivarahan, W. H. Sun, A. Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, H. P. Maruska, and M. A. Khan; Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 2175.
77. W. H. Sun, V. Adivarahan, M. Shatalov, Y. B. Lee, S. Wu, J. W. Yang, J. P. Zhang, and M. A. Khan; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 43 (2004) L1419.
78. H. Hirayama, K. Akita, T. Kyono, T. Nakamura, and K. Ishibashi; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 43 (2004) L1241.
79. H. Hirayama, A. Kinoshita, T. Yamabi, Y. Enomoto, A. Hirata, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi; Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 207.
80. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi; Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1589.
81. T. Obata, H. Hirayama, Y. Aoyagi, and K. Ishibashi; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 201 (2004) 2803.
82. I. Akasaki, ed., "Blue-light-emitting devices", Kogyo Chosakai Publishing, Tokyo, 1997 (in Japanese)
83. S. Ohkubo; Nikkei Electronics 898 (2005) p. 79 (in Japanese)
84. P. Yu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, in Proc. "23rd International Conference on the Physics of Semiconductors" (M. Scheffler and R. Zimmermann, eds.), World Scientific, Singapore, 1996, p. 1453
85. Y. Segawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma, Z. K. Tang, P. Yu, and G. K. L. Wong; Phys. Status Solidi B Basic Res. 202 (1997) 669
86. A. Ohtomo and M. Kawasaki; Parity: Phys. Sci. Mag. 13 (1998) 48 (in Japanese)
87. M. Kawasaki and A. Ohtomo; Kotai Butsuri 33 (1998) 59 (in Japanese)
88. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki; Nature Mater. 4 (2005) 42
89. K. Maeda, M. Sato, I. Niikura, and T. Fukuda; Semicond. Sci. Technol. 20 (2005) S49
90. T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, R. Shiroki, K. Tamura, T. Yasuda, and H. Koinuma; Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 1237
91. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa; Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 2466
92. A. Ohtomo and A. Tsukazaki; Semicond. Sci. Technol. 20 (2005) S1
93. M. Kawasaki, T. Makino, Y. Segawa, and H. Koinuma; Oyo Butsuri 70 (2001) 523 (in Japanese)
94. A. Ohtomo, T. Makino, K. Tamura, Y. Matsumoto, Y. Segawa, Z. L. Tang, G. K. L. Wong, H. Koinuma, and M. Kawasaki, in Proc. "Combinatorial and Composition Spread Techniques in Materials and Device Development", Vol. 3941, SPIE, San Jose, CA, USA, 2000, p. 70-81
95. M. Ohtani, M. Lippmaa, T. Ohnishi, and M. Kawasaki; Rev. Sci. Instrum. 76 (2005) 62218
96. T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, and H. Koinuma; Kotai Butsuri 36 (2001) 297 (in Japanese)
97. T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, and H. Koinuma; Semicond. Sci. Technol. 20 (2005) S78
98. T. Ohnishi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, K. Takahashi, M. Yoshimoto, and H. Koinuma; Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 824
99. A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki; Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2635
100. E. S. Hellman, in Proc. "Symposium N "III-V Nitrides"" (T. Moustakas, I. Akasaki, B. Monemar, and F. Ponce, eds.), Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol. 395, Materials Research Society, Boston, MA, December 2-6, 1996, p. 51
101. B. Wessler, A. Steinecker, and W. Mader; J. Cryst. Growth 242 (2002) 283
102. A. Ohtomo, H. Kimura, K. Saito, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki; J. Cryst. Growth 214 (2000) 284
103. K. Tamura, A. Ohtomo, K. Saikusa, Y. Osaka, T. Makino, Y. Segawa, M. Sumiya, S. Fuke, H. Koinuma, and M. Kawasaki; J. Cryst. Growth 214 (2000) 59
104. A. Tsukazaki, H. Saito, K. Tamura, M. Ohtani, H. Koinuma, M. Sumiya, S. Fuke, T. Fukumura, and M. Kawasaki; Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 235
105. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, and M. Kawasaki; Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 152106
106. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, S. Yoshida, M. Kawasaki, C. H. Chia, T. Makino, Y. Segawa, T. Koida, S. F. Chichibu, and H. Koinuma; Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2784
107. M. Kawasaki, K. Terai, and A. Shikazeki; Nihon Kessho Seicho Gakkaishi 32 (2005) 74 (in Japanese)
108. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 44 (2005) L643
109. V. Z. Mordkovich, H. Hayashi, M. Haemori, T. Fukumura, and M. Kawasaki; Adv. Funct. Mater. 13 (2003) 519
110. H. Watanabe, K. Hayashi, D. Takeuchi, S. Yamanaka, H. Okushi and K. Kajimura, Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 981.
111. P. J. Dean, E. C. Lightowlers and D. R. Wight: Phys. Rev. 140 (1965) A352.
112. S. Koizumi, K. Watanabe, M. Hasegawa and H. Kanda: Science 292, (2001) 1899.
113. S. Koizumi, M. Kamo, Y. Sato, H. Ozeki and T. Inuzuka: Appl. Phys. Lett. 71, (1997) 1065.
114. K. Horiuchi, A. Kawamura, T. Ida, T. Ishikura, K. Nakamura and S. Yamashita: Jpn J. Appl. Phys., 40, (2001) L275.
115. K. Horiuchi, A. Kawamura, Y. Okajima and T. Ida: New Diamond (in Japanese), 20 (2004) 6.
116. H. Okushi: Diamond Relat. Mater. 10, (2001) 281.
117. H. Kato, S. Yamasaki and H. Okushi: Appl. Phys. Lett., 86, 222111 (2005).
118. T. Makino, H. Kato, H. Ogura, H. Watanabe, S-Gi. Ri, S. Yamasaki and H. Okushi: Jpn. J. Appl. Phys. 49, (2005) L1190.
119. H. Okushi, H. Watanabe and S. Kanno: Phys. Stat. Sol. (a), 202, (2005) 2051.
120. Private communication.
121. H. Watanabe, D. Takeuchi, S. Yamanaka, H. Okushi, K. Kajimura and T. Sekiguchi: Diamond Relat. Mater. 8, (1999) 1272.
122. Y. G. Chen, H. Ogura, S. Yamasaki and H. Okushi: Semicond. Sci. & Technol. 20, (2005) 860.
123. T. Teraji, S. Koizumi, H. Kannda: Appl. Phys. Lett. 76, (2000) 1303.
124. F. Fichter; Z. Anorg. Chem. 54 322 (1907).
125. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto; Nature 441, 325 (2006).
126. M. A. Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. Wang and E. Kuokstis; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 44, 7191 (2005).
127. T. G. Mihopoulos, V. Gupta, and K. F. Jensen; J. Cryst. Growth 195, 7333 (1998).
128. H. Amano, A. Miyazaki, K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce, S. Sahonta, and D. Cherns; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 201 (2004) 2679.
129. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto; Appl. Phys. Lett. 89, (2006) 182112
130. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto; J. Cryst. Growth, (2006) in press, doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.10.032.
131. Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi; Appl. Phys. Lett. 81, 1255 (2002).
132. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto; Appl. Phys. Lett. 85, 4672 (2004).
133. C. Stampfl and C. G. Van der Walle; Appl. Phys. Lett. 72, 459 (1998).
134. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 31, L139 (1992).
135. K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang; Appl. Phys. Lett. 83, 878 (2003).
136. Y. Taniyasu, M. Kasu, K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi; Phys. Stat. Solidi A 200, 40 (2003).
137. S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku; Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.
138. H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, and I. Akasaki; MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 481 (1999) G10.1.
139. C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 39 (2000) L387.
140. R. McClintock, A. Yasan, K. Mayes, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi; Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1248.
141. R. Mouillet, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 40 (2001) L498.
142. E. Monroy, F. Calle, J. L. Pau, E. Munoz, M. Verdu, F. J. Sanchez, M. T. Montojo, F. Omnes, Z. Bougrioua, I. Moerman, and E. San Andres; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 188 (2001) 307.
143. M. A. Khan, M. S. Shur, Q. Chen, J. N. Kuznia, and C. J. Sun; Electron. Lett. 31 (1995) 398.
144. C. Pernot, A. Hirano, N. Amano, and I. Akasaki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 37 (1998) L1202.
145. A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 188 (2001) 293.
146. K. Bando, K. Sakano, Y. Noguchi, and Y. Shimizu; J. Light Vis. Env. 22 (1998) 2.
147. K. Sakuma, Y. Yamamoto, K. Omichi, N. Hirosaki, R.-J. Xie, M. Ohashi, N. Kimura, T. Suehiro, and D. Tanaka, in Proc. "The 11th International Display Workshop (IDW'04) ", Niigata, December 8-10, 2004, p. 1115 (PHp-1).
148. R. J. Xie, N. Hirosaki, M. Mitomo, Y. Yamamoto, T. Suehiro, and K. Sakuma, in Proc. "The 11th International Display Workshop (IDW'04) ", Niigata, December 8-10, 2004, p. 1105 (PH4-1).
149. K. Ueda and et al., Proc. the 182nd Meeting, (The 125th JSPS Research Committee on Mutual Conversion between Light and Electricity), Tokyo, 2003, p. 42.
150. Y. Shimomura and N. Kojima, "65th Fall Meeting of the Japanese Society of the Applied Physics", Fukuoka, September 7, 2004, Ext. Abstracts, 3, 1285 (2p-ZL-19).
151. K. Ueda, N. Hirosaki, Y. Ogawa, A. Yamamoto, and Y. Yamamoto, "65th Fall Meeting of the Japanese Society of the Applied Physics", Fukuoka, September 7, 2004, Ext. Abstracts, 3, 1283 (2p-ZL-13).
152. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda; Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
153. H. Amano and I. Akasaki, in Proc. "1989 MRS Fall Meeting Symposium Characterization of Plasma-Enhanced CVD Processes" (G. Lucovsky, D. E. Ibbotson, and D. W. Hess, eds.), MRS Symposium Proceedings, Vol. 165, Materials Research Society, 1990, Boston, Massachusetts, Nov. 27 Dec. 2, 1989, p. EA 21.
154. S. Michinari, M. Katsuhide, M. Akira, K. Hisayoshi, H. Masafumi, and A. Isamu, Japan Pat. No. Hei3-252175(JP3252175), 1991-11-11, 1991
155. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 28 (1989) L2112.
156. N. Koide, H. Kato, M. Sassa, S. Yamasaki, K. Manabe, M. Hashimoto, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki; J. Cryst. Growth 115 (1991) 639.
157. M. Koike, N. Shibata, H. Kato, S. Yamasaki, N. Koide, H. Amano, and I. Akasaki, in Proc. "Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95) ", Nagoya, 21-23 September, 1995, p. 45 (C2).
158. M. Koike, N. Shibata, S. Yamasaki, S. Nagai, S. Asami, H. Kato, N. Koide, H. Amano, and I. Akasaki, in Proc. "MRS Symposium: Gallium Nitride and Related Materials" (F. A. Ponce, R. D. Dupuis, S. Nakamura, and J. A. Edmond, eds.), Material Research Society Symposium Proceedings, Vol. 395, Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1996, p. 889-895.
159. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai; Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 2390.
160. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama; Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1868.
161. K. Bando, K. Sakano, Y. Noguchi, and Y. Shimizu; J. Light Vis. Env. 22 (1998) 2.
162. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, and T. Mukai; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 41 (2002) L1431.
163. Y. Narukawa, I. Niki, K. Izuno, M. Yamada, Y. Murazaki, and T. Mukai; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 41 (2002) L371.
164. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and T. Taguchi; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 40 (2001) L583.
165. Y. Narukawa, J. Narita, T. Sakamoto, T. Yamada, H. Narimatsu, M. Sano, T. Mukai, "International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2006) ", Kyoto, October 22-27, 2006, submitted.
166. K. Katayama, H. Matsubara, F. Nakanishi, T. Nakamura, H. Doi, A. Saegusa, T. Mitsui, T. Matsuoka, M. Irikura, and T. Takebe; J. Cryst. Growth 214-215 (2000) 1064.
167. T. Shirakawa; Mater. Sci. Eng. B Solid State Mater. Adv. Technol. 91 (2002) 470.
168. S. L. Chuang, A. Ishibashi, S. Kijima, N. Nakayama, M. Ukita, and S. Taniguchi; IEEE J. Quantum Electron. 33 (1997) 970.
169. M. Adachi, Z. M. Aung, K. Minami, K. Koizumi, M. Watanabe, S. Kawamoto, T. Yamaguchi, H. Kasada, T. Abe, K. Ando, K. Nakano, A. Ishibashi, and S. Itoh; J. Cryst. Growth 214 (2000) 1035.
170. T. Fujita; The TRC News 84 (2003) 31 (in Japanese).
171. K. Katayama and T. Nakamura; J. Appl. Phys. 95 (2004) 3576.
172. T. Nakamura, S. Fujiwara, H. Mori, and K. Katayama; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 43 (2004) 1287.
173. K. Tadatomo and T. Taguchi; Kino Zairyo 24 (2004) 7.
174. in "Nikkei Electronics", Vol. 844, 2003, p. 105.
175. White Light LEDs Report (Illuminating Engineering Institute of Japan), Tokyo, 2004.
176. J. Shimada, Y. Kawakami, and S. Fujita, in Proc. "Solid State Lighting and Displays", Vol. 4445, SPIE, San Diego, CA, USA, 2001, p. 13-22.
177. Y. Kawakami, J. Shimada, and S. Fujita; Oyo Butsuri 71 (2002) 1381.
178. Innovative Cluster Program Report (Yamaguchi Prefecture Industrial Development Agency), 2005.
179. K. Tadatomo, H. Okagawa, T. Jyoichi, M. Kato, M. Harada, and T. Taguchi; Mitsubishi Cable Industries Review 99 (2002) 35.
180. D. Yamaguchi, K. Tadatomo, N. Akita, and K. Hoshino, 66th Fall Meeting of the Japanese Society of the Applied Physics, Tokushima, 7a-K-5, 2005
181. H. Yanai, K. Okita, K. Kikuchi, K. Tadatomo, H. Nakamura, J. Nishikawa, T. Yoshida, and T. Taguchi; Endoscopy (2006) 290.
182. G. Iddan, G. Meron, A. Glukhovsky, and P. Swain; Nature 405 (2000) 417.
183. URL: http://www.givenimaging.com/Cultures/en-US/given/english, July 25 (2006) Given Imaging Ltd, Israel
184. URL: http://www.rfnorika.com, July 25 (2006) RF Norika
185. URL: http://www.sony.jp/CorporateCruise/Press/200408/08-0819B/, July 25 (2006) SONY Marketing (Japan) Inc.
186. URL: http://www.lumileds.com/solutions/solution.cfm?id=10, July 25 (2006) Philips Lumileds Lighting Company (LLC) San Jose, CA
187. S. Nakamura, M. Senoh, S.-i. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 35 (1996) L74.
188. I. Akasaki; Electron. Lett. 32 (1996) 1105.
189. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda; Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
190. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 28 (1989) L2112.
191. S. Nakamura; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 30 (1991) L1705.
192. T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki, and A. Katsui, in Proc. "16th International Symposium on GaAs and Related Compounds", Institute of Physics Conference Series, Vol. 106, Insitute of Physics, Bristol, 1990, Karuizawa, September, 1989, p. 141-141.
193. S. Nakamura, M. Senoh, S.-i. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku; Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.
194. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald; Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1249.
195. W. Qian, M. Skowronski, M. D. Graef, K. Doverspike, L. B. Rowland, and D. K. Gaskill; Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1252.
196. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku; Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 868.
197. T. Nishinaga, T. Nakano, and S. Zhang; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 27 (1988) L964.
198. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis; Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2638.
199. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 36 (1997) L899.
200. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 37 (1998) L309.
201. M. Takeya, K. Yanashima, T. Asano, T. Hino, S. Ikeda, K. Shibuya, S. Kijima, T. Tojyo, S. Ansai, S. Uchida, Y. Yabuki, T. Aoki, T. Asatsuma, M. Ozawa, T. Kobayashi, E. Morita, and M. Ikeda; J. Cryst. Growth 221 (2000) 646.
202. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 39 (2000) L647.
203. M. Ikeda and S. Uchida; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 194 (2002) 407.
204. S. Nakamura, M. Senoh, S.-i. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 36 (1997) L1568.
205. K. Domen, R. Soejima, A. Kuramata, K. Horino, S. Kubota, and T. Tanahashi; Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2775.
206. K. Sasanuma and G. Hatakoshi, in Tech. Rep. IEICE Technical Group of Lasers and Quantum Electronics LQE97-152, Tokyo, 1998, p. 49.
207. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 37 (1998) L1020.
208. M. Kuramoto, A. A. Yamaguchi, A. Usui, and M. Mizuta; IEICE Trans. Electron. E83C (2000) 552.
209. S. Nakamura; IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3 (1997) 712.
210. M. Kuramoto, C. Sasaoka, N. Futagawa, M. Nido, and A. A. Yamaguchi; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 192 (2002) 329.
211. M. Takeya, T. Tojyo, T. Asano, S. Ikeda, T. Mizuno, O. Matsumoto, S. Goto, Y. Yabuki, S. Uchida, and M. Ikeda; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 192 (2002) 269.
212. T. Mizuno and et al., in Tech. Rep. IEICE Technical Group of Lasers and Quantum Electronics LQE2002-87, Tokyo, 2002, p. 49.
213. S. Nunoue, M. Yamamoto, M. Suzuki, C. Nozaki, J. Nishio, L. Sugiura, M. Onomura, K. Itaya, and M. Ishikawa; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 37 (1998) 1470.
214. M. F. C. Schemmann, C. J. Vanderpoel, B. A. H. Vanbakel, H. Ambrosius, A. Valster, J. A. M. Vandenheijkant, and G. A. Acket; Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 920.
215. T. Tojyo, S. Uchida, T. Mizuno, T. Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto, Y. Yabuki, and M. Ikeda; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 41 (2002) 1829.
216. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell, and J. F. Schetzina; Electron. Lett. 33 (1997) 1556.
217. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota, and T. Tanahashi; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 36 (1997) L1130.
218. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto; Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2105.
219. M. Kuramoto, C. Sasaoka, Y. Hisanaga, A. Kimura, A. A. Yamaguchi, H. Sunakawa, N. Kuroda, M. Nido, A. Usui, and M. Mizuta; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 38 (1999) L184.
220. K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 40 (2001) L140.
221. O. Matsumoto, S. Goto, T. Sasaki, Y. Yabuki, T. Tojyo, S. Tomiya, K. Naganuma, T. Asatsuma, K. Tamamura, S. Uchida, and M. Ikeda, in Proc. "Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) ", Business Center for Academic Societies, Japan, Nagoya, 17-19 September 2002, p. 832-833.
222. H. Fujii, Y. Ueno, and K. Endo; Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 2114.
223. K. Shinozaki, A. Watanabe, R. Furukawa, and N. Watanabe; J. Appl. Phys. 65 (1989) 2907.
224. S. Tomiya, S. Goto, M. Takeya, and M. Ikeda; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 200 (2003) 139.
225. M. Takeya, T. Mizuno, T. Sasaki, S. Ikeda, T. Fujimoto, Y. Ohfuji, K. Oikawa, Y. Yabuki, S. Uchida, and M. Ikeda; Phys. Status Solidi C 0 (2003) 2292.
226. M. Ikeda, T. Mizuno, M. Takeya, S. Goto, S. Ikeda, T. Fujimoto, Y. Ohfuji, and T. Hashizu; Phys. Status Solidi C 1 (2004) 1461.
227. M. Kneissl, D. P. Bour, L. Romano, C. G. Van de Walle, J. E. Northrup, W. S. Wong, D. W. Treat, M. Teepe, T. Schmidt, and N. M. Johnson; Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1931.
228. R. L. Hartman and R. W. Dixon; Appl. Phys. Lett. 26 (1975) 239.
229. K. Endo, K. Kobayashi, H. Fujii, and Y. Ueno; Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 146.
230. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 34 (1995) L797.
231. T. Mukai, H. Narimatsu, and S. Nakamura; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 37 (1998) L479.
232. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 35 (1996) L74.
233. S. Masui, Y. Matsuyama, T. Yanamoto, T. Kozaki, S. Nagahama, and T. Mukai; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 42 (2003) L1318.
234. T. Kozaki, T. Yanamoto, T. Miyoshi, Y. Fujimura, S. Nagahama, and T. Mukai, in Proc. "Society for Information Display International Symposium, Seminar & Exhibition (SID'05) ", SID, Boston, Massachusetts, May 22-27, 2005, p. 1605-1607.
235. S. Nagahama, M. Sano, T. Yanamoto, D. Morita, O. Miki, K. Sakamoto, M. Yamamoto, Y. Matsuyama, Y. Kawata, T. Murayama, and T. Mukai, in Proc. "Novel In-Plane Semiconductor Lasers II", Vol. 4995, SPIE, San Jose, CA, USA, 2003, p. 108-116.
236. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai; Jpn. J. Appl. Phys. P.1 40 (2001) 3075.
237. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura; Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 981.
238. S. Chichibu, K. Wada, and S. Nakamura; Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2346.
239. M. Takeya, T. Tojyo, T. Asano, S. Ikeda, T. Mizuno, O. Matsumoto, S. Goto, Y. Yabuki, S. Uchida, and M. Ikeda; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 192 (2002) 269.
240. S. Goto, M. Ohta, Y. Yabuki, Y. Hoshina, K. Naganuma, K. Tamamura, T. Hashizu, and M. Ikeda; Phys. Status Solidi A Appl. Res. 200 (2003) 122.
241. J. Krutmann, H. Stege, and A. Morita, in "Dermatological phototherapy and photodiagnostic methods" (J. Krutmann and et al., eds.), Springer, Berlin Heidelberg-New York-Tokio, 2001.
242. T. Nishimura, K. Toyoda, M. Watanabe, and S. Urabe; Jpn. J. Appl. Phys. P. 1 42 (2003) 5079.
243. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 35 (1996) L74.
244. M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita, and N. M. Johnson, in Proc. "Novel In-Plane Semiconductor Lasers II", Vol. 4995, SPIE, San Jose, CA, USA, 2003, p. 103-107.
245. K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 43 (2004) L499.
246. J. Edmond, A. Abare, M. Bergman, J. Bharathan, K. L. Bunker, D. Emerson, K. Haberern, J. Ibbetson, M. Leung, P. Russel, and D. Slater; J. Cryst. Growth 272 (2004) 242.
247. J. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, O. Ambacher, and M. Stutzmann; J. Cryst. Growth 190 (1998) 692.
248. T. Takano, Y. Narita, A. Horiuchi, and H. Kawanishi; Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3567.
249. F. A. Kroger; J. Phys. Chem. Solids 26 (1965) 1707.
250. F. A. Kroger and H. J. Vink; J. Phys. Chem. Solids 5 (1958) 208.
251. R. F. Brebrick; J. Phys. Chem. Solids 18 (1961) 116.
252. R. F. Brebrick; J. Phys. Chem. Solids 4 (1958) 190.
253. G. Mandel, F. F. Morehead, and P. R. Wagner; Phys. Rev. 136 (1964) A826.
254. G. Mandel; Phys. Rev. 134 (1964) A1073.
255. R. S. Title, G. Mandel, and F. F. Morehead; Phys. Rev. 136 (1964) A300.
256. A. R. Reinberg, W. C. Holton, M. de Wit, and R. K. Watts; Phys. Rev. B 3 (1971) 410.
257. R. K. Watts, W. C. Holton, and M. de Wit; Phys. Rev. B 3 (1971) 404.
258. T. Mitsuyu, K. Ohkawa, and O. Yamazaki; Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 1348.
259. T. Yao, Y. Makita, and S. Maekawa; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 20 (1981) L741.
260. H. Mitsuhashi, I. Mitsuishi, and H. Kukimoto; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 24 (1985) L864.
261. F. A. Ponce, W. Stutius, and J. G. Werthen; Thin Solid Films 104 (1983) 133.
262. K. Ohkawa, T. Mitsuyu, and O. Yamazaki; J. Appl. Phys. 62 (1987) 3216.
263. R. M. Park, M. B. Troffer, C. M. Rouleau, J. M. DePuydt, and M. A. Haase; Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 2127.
264. K. Ohkawa, T. Karasawa, and T. Mitsuyu; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 30 (1991) L152.
265. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng; Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 1272.
266. H. Okuyama, K. Nakano, T. Miyajima, and K. Akimoto; Jpn. J. Appl. Phys. P. 2 30 (1991) L1620.
267. H. Okuyama, T. Miyajima, Y. Morinaga, F. Hiei, M. Ozawa, and K. Akimoto; Electron. Lett. 28 (1992) 1798.
268. F. Hiei, M. Ikeda, M. Ozawa, T. Miyajima, A. Ishibashi, and K. Akimoto; Electron. Lett. 29 (1993) 878.
269. Y. Fan, J. Han, L. He, J. Saraie, R. L. Gunshor, M. Hagerott, H. Jeon, A. V. Nurmikko, G. C. Hua, and N. Otsuka; Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 3160.
270. S. Itoh, N. Nakayama, T. Ohata, M. Ozawa, H. Okuyama, K. Nakano, A. Ishibashi, M. Ikeda, and Y. Mori; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 32 (1993) L1530.
271. M. A. Haase, P. F. Baude, M. S. Hagedorn, J. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng, S. Guha, G. E. Hofler, and B. J. Wu; Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2315.
272. J. M. Gaines, R. R. Drenten, K. W. Haberern, T. Marshall, P. Mensz, and J. Petruzzello; Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 2462.
273. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, M. Ozawa, A. Ishibashi, M. Ikeda, and Y. Mori; Electron. Lett. 29 (1993) 1488.
274. N. Nakayama, S. Itoh, H. Okuyama, M. Ozawa, T. Ohata, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi, and Y. Mori; Electron. Lett. 29 (1993) 2194.
275. A. Salokatve, H. Jeon, J. Ding, M. Hovinen, A. V. Nurmikko, D. C. Grillo, L. He, J. Han, Y. Fan, M. Ringle, R. L. Gunshor, G. C. Hua, and N. Otsuka; Electron. Lett. 29 (1993) 2192.
276. G. C. Hua, N. Otsuka, D. C. Grillo, Y. Fan, J. Han, M. D. Ringle, R. L. Gunshor, M. Hovinen, and A. V. Nurmikko; Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1331.
277. S. Guha, J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qiu, and H. Cheng; Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3107.
278. S. Guha, J. M. DePuydt, J. Qiu, G. E. Hofler, M. A. Haase, B. J. Wu, and H. Cheng; Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3023.
279. J. M. DePuydt, H. Cheng, J. E. Potts, T. L. Smith, and S. K. Mohapatra; J. Appl. Phys. 62 (1987) 4756.
280. M. C. Tamargo, J. L. de Miguel, D. M. Hwang, and H. H. Farrell; J. Vac. Sci. Technol. B: Microelectr. Nanomet. Struct. 6 (1988) 784.
281. W. Xie, D. C. Grillo, R. L. Gunshor, M. Kobayashi, H. Jeon, J. Ding, A. V. Nurmikko, G. C. Hua, and N. Otsuka; Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 1999.
282. S. Guha, H. Munekata, and L. L. Chang; J. Appl. Phys. 73 (1993) 2294.
283. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, B. J. Wu, G. Hofler, J. M. DePuydt, and H. Cheng; Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3298.
284. H. Okuyama, Y. Kishita, T. Miyajima, A. Ishibashi, and K. Akimoto; Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 904.
285. S. Itoh, N. Nakayama, T. Ohata, M. Ozawa, H. Okuyama, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi, and Y. Mori; Jpn. J. Appl. Phys. P.2 33 (1994) L639.
286. S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda; Electron. Lett. 32 (1996) 552.
287. S. Itoh, K. Nakano, and A. Ishibashi; J. Cryst. Growth 214 (2000) 1029.
288. A. Toda, K. Nakano, and A. Ishibashi; Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1523.
289. S. Tomiya, H. Okuyama, and A. Ishibashi; Appl. Surf. Sci. 159 (2000) 243.
290. S. Tomiya, R. Minatoya, H. Tsukamoto, S. Itoh, K. Nakano, E. Morita, and A. Ishibashi; J. Appl. Phys. 82 (1997) 2938.
291. F. Fischer, G. Landwehr, T. Litz, H. J. Lugauer, U. Zehnder, T. Gerhard, W. Ossau, and A. Waag; J. Cryst. Growth 175 (1997) 532.
292. F. Fischer, M. Keller, T. Gerhard, T. Behr, T. Litz, H. J. Lugauer, M. Keim, G. Reuscher, T. Baron, A. Waag, and G. Landwehr; J. Appl. Phys. 84 (1998) 1650.
293. G. Landwehr, A. Waag, F. Fischer, H. J. Lugauer, and K. Schull; Physica E 3 (1998) 158.
294. S. B. Che, I. Nomura, A. Kikuchi, and K. Kishino; Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 972.
295. M. Klude and D. Hommel; Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2523.