Novel cladding structure for ZnSe-based white light emitting diodes with longer lifetimes of over 10,000 h

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 43, Issue 4 A, 2004, Pages 1287-1292

  Nakamura, Takao ^a   Fujiwara, Shinsuke ^a   Mori, Hiroki ^a   Katayama, Koji ^a  

^a SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD   (Japan)

Author keywords

Be chalcogenides; Confinement; LED; Lifetime; Rapid degradation; White; ZnMgBeSe; ZnMgSSe; ZnSe

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CLADDING (COATING); DEGRADATION; DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; IRRADIATION; LATTICE CONSTANTS; LIGHT SCATTERING; LIQUID CRYSTAL DISPLAYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RELIABILITY; SELENIUM; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SUBSTRATES; ZINC COMPOUNDS;

BE CHALCOGENIDES; CONFINEMENT; LIFETIME; RAPID DEGRADATION; WHITE LIGHT EMITTING DIODES; ZNMGBESE; ZNMGSSE; ZNSE;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 3042756156     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.43.1287     Document Type: Article

References (33)

1. M. A. Haase, J. Qiu, J. DePuydt and H. Cheng: Appl. Phys. Lett. 69 (1991) 1272.
2. H. Okuyama, K. Nakano, T. Miyajima and K. Akimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1620.
3. E. Kato, H. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi and M. Ikeda: Electron. Lett. 32 (1996) 32.
4. K. Katayama, H. Yao, F. Nakanishi, H. Doi, A. Saegusa, N. Okuda, T. Yamada, H.Matsubara, M. Irikura, T. Matsuoka, T. Takebe, S. Nishine and T. Shirakawa: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 102.
5. S. L. Chuang, A. Ishibashi, S. Kijima, N. Nakayama, M. Ukita and S. Taniguchi: IEEE J. Quantum Electron. 33 (1997) 970.
6. D. Albert, J. Nürnberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger and G. Landwehr: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1957.
7. M. Adachi, Z. M. Aung, K. Minami, K. Koizumi, M. Watanabe, S. Kawamoto, T. Yamaguchi, H. Kasada, T. Abe, K. Ando, A. Ishibashi and S. Itoh: J. Cryst. Growth 214/215 (2000) 1035.
8. H. C. Lee, T. Abe, M. Watanabe, Z. M. Sung, M. Adachi, T. Shirai, H. Yamada, S. Kuroda, H. Kasada and K. Ando: J. Cryst. Growth 214/215 (2000) 1096.
9. A. Toda, K. Nakano and A. Ishibashi: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1523.
10. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
11. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.
12. K. Bando, K. Sakano, Y. Noguchi and Y. Shimazu: J. Light & Vis. Environ. 22 (1998) 2.
13. T. Mukai and S. Nakamura: OyoButuri 68 (1999) 152 [in Japanese].
14. K. Katayama, H. Matsubara, F. Nakanishi, T. Nakamura, H. Doi, A. Saegusa, T. Mitsui, T. Matsuoka, M. Irikura, T. Takebe, S. Nishine and T. Shirakawa: J. Cryst. Growth 214/215 (2000) 1064.
15. H. Wenish, K. Schüll, T. Behr, D. Hommel, G. Landwehr, D. Siehe, P. Rudolph and H. Hartmann: J. Cryst. Growth 159 (1996) 26.
16. A. Waag, F. Fischer, K. Schüll, T. Baron, H.-J. Laugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Keim, G. Reuscher and G. Landweh: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 280.
17. A. Waag, F. Fischer, H.-J. Laugauer, Th. Litz, J. Laubender, U. Lunz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Möller and G. Landwehr: J. Appl. Phys. 80 (1996) 792.
18. E. Tournie and J.-P. Faurie: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 382.
19. K. Goto, H. Makino, M. W. Cho, J. H. Chang, Y. Yamazaki, T. Yao, M. Y. Shen and T. Goto: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 4168.
20. S.-B. Che, I. Nomura, K. Fukuda, A. Kikuchi and K. Kishino: Phys. Status Solidi A 192 (2002) 972.
21. N. Yu. Gordeev, S. V. Ivanov, V. I. Kopchatov, I. I. Novvikov, T. V. Shubina, N. D. Il'nskaya, P. S. Kop'es, G. Reuscher, A. Waag and G. Landwehr: Semiconductors 35 (2001) 1340.
22. H. Doi, T. Matsuoka, F. Nakanishi, N. Okuda, T. Yamada, K. Katayama, H. Yao, A. Saegusa, H. Matsubara, M. Irikura, K. Kimura, T. Takabe, S. Nishine and T. Shirakawa: Proc. of the 2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes. 1998 (Ohm-sha, Japan, 1998) 385.
23. S. Itoh, N. Nakayama, T. Ohta, M. Ozawa, H. Okuyama, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi and M. Mori: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L639.
24. H.-J. Lagauer, M. Keim, G. Reuscher, P. Grabs, U. Linz, A. Waag, G. Landwehr, S. Ivanov, T. Shubina, A. Toropov, N. Il'inskaya, P. Kop'ev and Zh. Alferov: J. Cryst. Growth 201/202 (1999) 927.
25. A. Waag, Th. Litz, F. Fischer, H.-J. Laugauer, T. Baron, K. Schüll, U. Zehnder, T. Gerhard, U. Lunz, M. Keim, G. Reuscher and G. Landwehr: J. Cryst. Growth 184/185 (1998) 1.
26. S. Gundel, D. Albert, J. Nürnberger and W. Faschinger: Phys. Rev. B 60 (1999) 16271.
27. B.-H. Cheong, C. H. Park and K. J. Chang: Phys. Rev. B 51 (1995) 10610.
28. A. Sawamura, M. Kohyama and T. Keishi: Comp. Mater. Sci. 14 (1999) 4.
29. S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
30. Crosslight Software: APSYS user's manual, 2001.
31. Sze: Physics of Semiconductor Devices (John Wiley & Sons, New York, 1981).
32. T. Shirakawa: Mater. Sci. Eng. B 91-92 (2002) 470.
33. K. Katayama and T. Nakamura: to be published in J. Appl. Phys.