High-power GaN-based semiconductor lasers

Physica Status Solidi C: Conferences

Volumn 1, Issue 6, 2004, Pages 1461-1467

  Ikeda, M ^a   Mizuno, T ^a   Takeya, M ^a   Goto, S ^a   Ikeda, S ^a   Fujimoto, T ^a   Ohfuji, Y ^a   Hashizu, T ^a  

^a SONY CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SILICA;

BEAM DIVERGENCE; CATASTROPHIC OPTICAL DAMAGE (COD); CONTINUOUS WAVE (CW) OPERATION;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 2542510732     PISSN: 16101634     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1002/pssc.200304086     Document Type: Conference Paper

References (17)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
2. T. Tojyo, S. Uchida, T. Mizuno, T. Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto, Y. Yabuki, and M. Ikeda, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1829 (2002).
3. T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, S. Ikeda, T. Mizuno, S. Ansai, S. Goto, S. Kijima, T. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda, MRS-Proc. 693, 259 (2002).
4. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsuura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L647 (2000).
5. I. Ichimura, F. Maeda, K. Osato, K. Yamamoto, and Y. Kasami, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 937 (2000).
6. M. Ikeda and S. Uchida, phys. stat. sol. (a) 194, 407 (2002).
7. O.H. Nam, M.D. Bremser, T. Zheleva, and R.F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
8. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
9. M. Takeya, K. Yanashima, T. Asano, T. Hino, S. Ikeda, K. Shibuya, S. Kijima, T. Tojyo, A. Ansai, S. Uchida, Y. Yabuki, T. Aoki, T. Asatsuma, M. Ozawa, T. Kobayashi, E. Morita, and M. Ikeda, J. Cryst. Growth 221, 646 (2000).
10. T. Tojyo, T. Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto, S. Uchida, and M. Ikeda, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 3206 (2001).
11. T. Asano, T. Tojyo, T. Mizuno, M. Takeya, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda, IEEE J. Quantum Electron. 39, 135 (2003).
12. W. Streifer and E. Kapon, Appl. Opt. 18, 3724 (1979).
13. S. Goto, K. Tamamura, O. Matsumoto, T. Tojyo, T. Sasaki, Y. Yabuki, K. Naganuma, T. Asatsuma, S. Uchida, and M. Ikeda, 44th Electron. Mater. Conf. Late News, 9 (2002).
14. O. Matsumoto, S. Goto, T. Sasaki, Y. Yabuki, T. Tojyo, S. Tomiya, K. Naganuma, T. Asatsuma, K. Tamamura, S. Uchida, and M. Ikeda, Ext. Abstr. 2002 Int. Conf. SSDM, Nagoya, (2002), p. 832.
15. R.L. Hartman and R.W. Dixon, Appl. Phys. Lett. 26, 239 (1975).
16. K. Endo, K. Kobayashi, H. Fujii, and Y. Ueno, Appl. Phys. Lett. 64, 146 (1994).
17. M. Kneissl, D.P. Bour, L. Ramano, C.G. Van de Walle, J.E. Northrup, W.S. Wong, D.W. Treat, M. Teepe, T. Schmidt, and N.M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 77, 1931 (2000).