Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 9, 2005, Pages

  Hirayama, Hideki ^a  

^a INST OF PHYS AND CHEMICAL RESEARCH   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BLUE EMITTING DEVICES; EPITAXIAL LAYERS; EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY (EQE); ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODES;

FLUORESCENCE; LASER APPLICATIONS; LIGHT EMISSION; OPTICAL SENSORS; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SINGLE CRYSTALS; SUBSTRATES; ULTRAVIOLET RADIATION;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 18844431908     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1899760     Document Type: Review

References (116)

1. See for example, A. Zukauskas, M. S. Shue, and R. Gaska, Introduction to Solid-State Lighting (Wiley, NY, 2002), and references therein.
2. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light-Emitting Diodes, edited by S. Nakamura and, S. F. Chichibu, (Taylor and Francis, London, 2000).
3. I. Akasaki and M. Hashimoto, Solid State Commun. 5, 851 (1967).
4. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
5. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2112 (1989).
6. I. Akasaki, H. Amano, K. Kito, N. Koide, and K. Manabe, Inst. Phys. Conf. Ser. 129, 851 (1992).
7. J. Han, Appl. Phys. Lett. 73, 1688 (1998).
8. J. Han and M. H. Crawford, Proc. SPIE 3419, 46 (1998).
9. A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 77, 175 (2000).
10. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 78, 399 (2001).
11. D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, T. Murayama, S. Nagahama, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1434 (2002).
12. D. Morita, Proc. SPIE 5359, 415 (2004).
13. V. Adivarahan, W. H. Sun, A. Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, H. P. Maruska, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 2175 (2004).
14. S. Wu, V. Adivarahan, M. Shatalov, A. Chitnis, W. H. Sun, and M. Asif Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1035 (2004).
15. V. Adivarahan, Appl. Phys. Lett. 85, 1838 (2004).
16. V. Adivarahan, S. Wu, J. P. Zhang, A. Chitnis, M. Shatalov, V. Madavilli, R. Gaska, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 84, 4762 (2004).
17. W. H. Sun, V. Adivarahan, M. Shatalov, Y. Lee, S. Wu, J. W. Yang, J. P. Zhang, and M. Asif Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 43, L1419 (2004).
18. J. P. Zhang, Appl. Phys. Lett. 81, 4910 (2002).
19. W. H. Sun, Appl. Phys. Lett. 85, 531 (2004).
20. V. Adivarahan, J. P. Zhang, A. Chitnis, W. Shuai, J. Sun, R. Pachipulusu, M. Shatalov, and M. Asif Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L435 (2002).
21. M. Asif Khan, Proc. SPIE 4996, 188 (2003).
22. J. P. Zhang, S. Wu, S. Rai, V. Madavilli, V. Adivarahan, A. Chitnis, M. Shatalov, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 83, 3456 (2003).
23. V. Adivarahan, Appl. Phys. Lett. 81, 3666 (2002).
24. A. Chitnis, Appl. Phys. Lett. 81, 2938 (2002).
25. A. Chitnis, J. P. Zhang, V. Adivarahan, M. Shatalov, S. Wu, R. Pachipulusu, V. Madavilli, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 82, 2565 (2003).
26. A. Chitnis, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L450 (2002).
27. M. Asif Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L1308 (2001
28. A. Chitnis Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L320 (2002
29. V. Adivarahan, Appl. Phys. Lett. 79, 4240 (2001
30. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, D. Shiell, L. Gautero, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 83, 4701 (2003
31. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Proc. SPIE 5359, 400 (2004
32. K. Mayes, A. Yasan, R. McClintock, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 84, 1046 (2004
33. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 81, 801 (2002
34. C. Q. Chen, J. P. Zhang, M. E. Gaevski, H. M. Wang, W. H. Sun, R. S. Q. Fareed, J. W. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 4916 (2002
35. J. P. Zhang, M. Asif Khan, W. H. Sun, H. M. Wang, C. Q. Chen, Q. Fareed, E. Kuokstis, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 81, 4391 (2002
36. H. Wang, J. P. Zhang, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002
37. J. P. Zhang, H. Wang, M. E. Gaevski, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 80, 3542 (2002
38. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, H. Zhang, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 81, 2151 (2002
39. G. Tamulaitis, I. Yilmaz, M. S. Shur, Q. Fareed, R. Gaska, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 206 (2004
40. E. Kuokstis Appl. Phys. Lett. 81, 2755 (2002
41. R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 81, 4658 (2002
42. T. N. Oder, K. H. Kim, J. Y. Lin, and X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 84, 466 (2004
43. J. Shakya, K. H. Kim, J. Y. Lin, and X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 85, 142 (2004
44. R. Gaska, A. Zukauskas, M. S. Shur, and M. Asif Khan, Proc. SPIE 4776, 82 (2002
45. E. Radkov, R. Bompiedi, A. M. Srivastava, A. A. Setlur, and C. A. Becker, Proc. SPIE 5187, 171 (2004
46. H. S. Venugopalan, Proc. SPIE 4996, 195 (2003
47. T. Nishida, T. Ban, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 82, 3817 (2003
48. T. Nishida and N. Kobayashi, Proc. SPIE 4641, 68 (2002
49. M. H. Crawford, J. Han, W. W. Chow, M. A. Banas, J. J. Figiel, L. Zhang, and R. J. Shul, Proc. SPIE 3938, 13 (2000
50. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1358 (1998
51. P. D. Floyd, C. L. Chua, D. W. Treat, and D. P. Bour, Proc. SPIE 3628, 209 (1999
52. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 73, 1487 (1998
53. T. H. Jeys, L. Desmarais, E. J. Lynch, and J. R. Ochoa, Proc. SPIE 5071, 234 (2003
54. X. A. Cao, S. F. LeBoeuf, M. P. D'Evelyn, S. D. Arthur, J. Kretchmer, C. H. Yan, and Z. H. Yang, Appl. Phys. Lett. 84, 4313 (2004).
55. T. M. Katona, T. Margalith, C. Moe, M. C. Schmidt, S. Nakamura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Proc. SPIE 5187, 250 (2004).
56. A. Hanlon, P. M. Pattison, I. F. Kaeding, R. Sharma, P. Fini, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L628 (2003).
57. O. Schoen, H. Protzmann, M. Luenenbuergar, B. Wachtendorf, B. Schoettker, and M. Heuken, Proc. SPIE 4641, 76 (2002).
58. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001).
59. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 78, 3927 (2001).
60. T. Nishida, N. Kobayashi, and T. Ban, Appl. Phys. Lett. 82, 1 (2003).
61. T. Nishida, T. Makimoto, H. Saito, and T. Ban, Appl. Phys. Lett. 84, 1002 (2004).
62. T. Nishida, T. Ban, H. Saito, N. Kobayashi, and T. Makimoto, Proc. SPIE 5359, 387 (2004).
63. M. Iwaya, Phys. Status Solidi A 188, 117 (2001).
64. M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, Y. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 400 (2003).
65. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Workbook of the Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICOMVPE-X'2000), 2000, p. 349, Fr-A8.
66. H. Hirayama, K. Matsunaga, and M. Asada, Electron. Lett. 30, 142 (1994).
67. H. Hirayama, S. Tanaka, P. Ramvall, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 72, 1736 (1998).
68. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 891 (1997).
69. S. Chichibu, T. Azuhara, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
70. H. Hirayama, A. Kinoshita, T. Yamabi, Y. Enomoto, A. Hirata, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 207 (2002).
71. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 1589 (2002).
72. H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Phys. Status Solidi A 188, 83 (2001).
73. H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G2.8 (2001).
74. H. Hirayama and Y. Aoyagi, Proc. SPIE 5359, 422 (2004).
75. H. Hirayama, K. Akita, T. Kyono, T. Nakamura, and K. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 43, L1241 (2004).
76. K. Akita, T. Nakamura, and H. Hirayama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 8030 (2004).
77. H. Hirayama, T. Kyono, K. Akita, T. Nakamura, and K. Ishibashi, Phys. Status Solidi C 2, 2899 (2005).
78. J. P. Zhang, Appl. Phys. Lett. 79, 925 (2001).
79. C. Chen, J. W. Yang, M. Ryu, J. P. Zhang, E. Kuokstis, G. Simin, and M. Asif Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1924 (2002).
80. M. Shatalov, Appl. Phys. Lett. 78, 817 (2001).
81. G. Tamulaitis, Appl. Phys. Lett. 77, 2136 (2000).
82. E. Kuokstis, J. Zhang, M. Ryu, J. W. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 79, 4375 (2001).
83. K. Kazlauskas, Appl. Phys. Lett. 82, 4501 (2003).
84. J. P. Zhang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L921 (2001).
85. H. Teisseyre, Appl. Phys. Lett. 82, 1541 (2003).
86. P. Lefebvre, Phys. Rev. B 66, 195330 (2002).
87. S. Guo, M. Pophristic, D. S. Lee, B. Peres, I. T. Ferguson, J. Lee, and M. Osinski, Proc. SPIE 4776, 18 (2002).
88. T. Wang, Y. H. Liu, Y. B. Lee, J. P. Ao, J. Bai, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 81, 2508 (2002).
89. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
90. T. Sugahara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L398 (1998).
91. T. Miyajima, Phys. Status Solidi B 228, 395 (2001).
92. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 37 (2002).
93. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Phys. Status Solidi A 180, 157 (2000).
94. H. Hirayama and Y. Aoyagi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 537, G3.74 (1999).
95. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 595, W11.35 (2000).
96. H. Hirayama, M. Ainoya, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 2057 (2002).
97. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
98. S. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 73, 496 (1998).
99. A. Koukitu, Y. Kumagai, and H. Seki, Work book of the Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICOMVPE-X'2000), 2000, p. 270, We-P39.-
100. H. Hirayama, A. Kinoshita, M. Ainoya, T. Yamanaka, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Inst. Phys. Conf. Ser. 170, 195 (2001).
101. A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, T. Yamabi, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 693, 671 (2001).
102. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
103. P. Kozodoy, Appl. Phys. Lett. 75, 2444 (1999).
104. V. Kuryatkov, Appl. Phys. Lett. 83, 1319 (2003).
105. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2428 (2000).
106. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L195 (2000).
107. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 693, 295 (2001).
108. S. Iwai, H. Hirayama, and Y. Aoyagi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 719, 3 (2002).
109. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L785 (2001).
110. K. Motoki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L140 (2001).
111. K. Kagawa, K. Hoributi, N. Kuwano, K. Oki, and K. Hiramatsu, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2000), Nagoya, Japan, 24-27 September 2000 (unpublished), PME-25.
112. H. Hirayama, Y. Miyake, and M. Asada, IEEE J. Quantum Electron. 28, 68 (1992).
113. H. Hirayama, J. Yoshida, Y. Miyake, and M. Asada, IEEE J. Quantum Electron. 30, 54 (1994).
114. Gallium Nitride and Related Semiconductors, edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Alasaki, H. Amano, and C. Wetzel, EMIS Datareviews Series No. 23 (INSPEC, London, 1999).
115. Group III Nitrides, edited by J. H. Edgar EMIS Datareviews Series No. 11 (INSPEC, London, 1994).
116. T. Obata, H. Hirayama, Y. Aoyagi, and K. Ishibashi, Phys. Status Solidi A 201, 2803 (2004).