Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 18, 1997, Pages 2638-2640

  Nam, Ok Hyun ^a   Bremser, Michael D ^a   Zheleva, Tsvetanka S ^a   Davis, Robert F ^a  

^a Campus Box 7908   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001466566     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120164     Document Type: Article

References (11)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, L1332 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, L217 (1996).
3. S. Porowski, M. Bockowski, B. Lucznik, M. Wroblewski, S. Krukowski, I. Grzegory, M. Leszczynski, G. Nowak, K. Pakula, and J. Baranowski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 35 (1996).
4. S. Kurai, Y. Naoi, T. Abe, S. Ohmi, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, L77 (1996).
5. C. M. Balkas, Z. Sitar, T. Zheleva, L. Bergmann, I. K. Shmagin, J. F. Muth, R. Kolbas, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 41 (1996).
6. L. Jastrzebski, J. Cryst. Growth 63, 493 (1983).
7. R. P. Gale, R. W. McClelland, C. C. Fan, and C. O. Bozler, Appl. Phys. Lett. 41, 545 (1982).
8. P. Vohl, C. O. Bozler, R. W. McClelland, A. Chu, and A. J. Strauss, J. Cryst. Growth 56, 410 (1982).
9. O. H. Nam, M. D. Bremser, B. L. Ward, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, L532 (1997).
10. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
11. T. W. Weeks, Jr., M. D. Bremser, K. S. Ailey, E. P. Calson, W. G. Perry, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995).