InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes grown on GaN substrates with a fundamental transverse mode

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 37, Issue 9 PART A/B, 1998, Pages

  Nakamura, Shuji ^a   Senoh, Masayuki ^a   Nagahama, Shin Ichi ^a   Iwasa, Naruhito ^a   Yamada, Takao ^a   Matsushita, Toshio ^a   Kiyoku, Hiroyuki ^a   Sugimoto, Yasunobu ^a   Kozaki, Tokuya ^a   Umemoto, Hitoshi ^a   Sano, Masahiko ^a   Chocho, Kazuyuki ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

GaN; GaN substrate; InGaN; Laser; Lifetime; Quantum well; Transverse mode

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; EPITAXIAL GROWTH; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; TEMPERATURE;

CONTINUOUS WAVE OPERATION; FUNDAMENTAL TRANSVERSE MODE; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

SEMICONDUCTOR DIODES;

EID: 0032154559     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.37.l1020     Document Type: Article

References (13)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74.
3. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishino, L. Sugiura, S. Sailo, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi and M. Ishikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1315.
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T, Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.
5. G. E. Bulman, K. Doverspike. S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell and J. F. Schetzena: Electron. Lett. 33 (1997) 1556.
6. M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren and S. DenBaars; MRS Internet J. Nitride Semicond. Ros. 2 (1997) 41. (Available from http://nsr.mij.mrs.org/2/41/)
7. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota and T. Tanahashi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1130.
8. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1568.
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L309.
10. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 2014.
11. S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 1620.
12. J. I. Pankove: J. Luminescence 7 (1973) 114.
13. M. Sano and M. Aoki: Jpn. J. Appl. Phys. 15 (1976) 1943.