Toward successful integration of porous low-k materials: Strategies addressing plasma damage

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 4, Issue 1, 2015, Pages N3071-N3083

  Lionti, K ^a   Volksen, W ^a   Magbitang, T ^a   Darnon, M ^b   Dubois, G ^a  

^a IBM ALMADEN RESEARCH CENTER   (United States)

^b UNIV GRENOBLE ALPES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84923972401     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.0081501jss     Document Type: Review

References (122)

1. V. McGahay, Materials, 3, 536 (2010).
2. W. Volksen, R. D. Miller, and G. Dubois, Chem. Rev., 110, 56 (2010).
3. G. Dubois and W. Volksen, in Adv. Interconnects ULSI Technol., M. R. Baklanov, P. S. Ho, and E. Zschech Editors, p. 3, Wiley (2012).
4. R. J. O. M. Hoofman, V. H. Nguyen, V. Arnal, M. Broekaart, L. G. Gosset, W. F. A. Besling, M. Fayolle, and F. Iacopi, in Dielectric Films for Advanced Microelectronics, M. Baklanov, K. Maex, and M. Green Editors, p. 199, Wiley (2007).
5. W. Volksen, K. Lionti, T. Magbitang, and G. Dubois, Scripta Mater., 74, 19 (2014).
6. K. Mosig, T. Jacobs, K. Brennan, M. Rasco, J. Wolf, and R. Augur, Microelectron. Eng., 64, 11 (2002).
7. A. Grill, D. Edelstein, M. Lane, V. Patel, S. Gates, D. Restaino, and S. Molis, J. Appl. Phys., 103, 054104/1 (2008).
8. E. P. Guyer, M. Patz, and R. H. Dauskardt, J. Mater. Res., 21, 882 (2006).
9. A. Jain, S. Rogojevic, S. Ponoth, N. Agarwal, I. Matthew, W. N. Gill, P. Persans, M. Tomozawa, J. L. Plawsky, and E. Simonyi, Thin Solid Films, 398-399, 513 (2001).
10. H. Li, Y. Lin, T. Y. Tsui, and J. J. Vlassak, J. Mater. Res., 24, 107 (2009).
11. M. S. Oliver, G. Dubois, M. Sherwood, D. M. Gage, and R. H. Dauskardt, Adv. Funct. Mater., 20, 2884 (2010).
12. M. D. Ong, W. Volksen, G. Dubois, V. Lee, P. J. Brock, V. R. Deline, R. D. Miller, and R. H. Dauskardt, Adv. Mater., 20, 3159 (2008).
13. K. Vanstreels, C. Wu, P. Verdonck, and M. R. Baklanov, Appl. Phys. Lett., 101, 123109/1 (2012).
14. R. A. Susko, T. H. Daubenspeck, T. A. Wassick, T. D. Sullivan, W. Sauter, and J. Cincotta, ECS Trans., 16, 51 (2009).
15. F. Iacopi, Y. Travaly, B. Eyckens, C. Waldfried, T. Abell, E. P. Guyer, D. M. Gage, R. H. Dauskardt, T. Sajavaara, K. Houthoofd, P. Grobet, P. Jacobs, and K. Maex, J. Appl. Phys., 99, 053511/1 (2006).
16. A. Zenasni, B. Remiat, C. Waldfried, C. Le Cornec, V. Jousseaume, and G. Passemard, Thin Solid Films, 516, 1097 (2008).
17. W. Volksen, G. Dubois, A. Kellock, T. P. Magbitang, R. D. Miller, D. Miller, S. Cohen, E. E. Simonyi, L. Ramirez, D. Markle, S. Chen, S. Zhou, X. Wang, and Y. Wang, J. Electrochem. Soc., 155, G224 (2008).
18. G. Dubois, W. Volksen, T. Magbitang, M. H. Sherwood, R. D. Miller, D. M. Gage, and R. H. Dauskardt, J. Sol-Gel Sci. Technol., 48, 187 (2008).
19. G. Dubois, W. Volksen, T. Magbitang, R. D. Miller, D. M. Gage, and R. H. Dauskardt, Adv. Mater., 19, 3989 (2007).
20. Y. Matsuda, J. S. Rathore, L. V. Interrante, R. H. Dauskardt, and G. Dubois, ACS Appl. Mater. Interfaces, 4, 2659 (2012).
21. W. Volksen, S. Purushothaman, M. Darnon, M. F. Lofaro, S. A. Cohen, J. P. Doyle, N. Fuller, T. P. Magbitang, P. M. Rice, L. E. Krupp, H. Nakagawa, Y. Nobe, T. Kokubo, and G. J. M. Dubois, ECS J. Solid State Sci. Technol., 1, N85 (2012).
22. W. Volksen, T. P. Magbitang, R. D. Miller, S. Purushothaman, S. A. Cohen, H. Nakagawa, Y. Nobe, T. Kokubo, and G. J. M. Dubois, J. Electrochem. Soc., 158, G155 (2011).
23. S. M. Gates, G. Dubois, E. T. Ryan, A. Grill, M. Liu, and D. Gidley, J. Electrochem. Soc., 156, G156 (2009).
24. S. Hualiang, D. Shamiryan, J.-F. De Marneffe, H. Huai, P. S. Ho, and M. R. Baklanov, in Adv. Interconnects ULSI Technol., M. R. Baklanov, P. S. Ho, and E. Zschech Editors, p. 79, Wiley (2012).
25. R. L. Bruce, S. Engelmann, S. Purushothaman, W. Volksen, T. J. Frot, T. Magbitang, G. Dubois, and M. Darnon, J. Phys. D Appl. Phys., 46, 265303 (2013).
26. M. Darnon, N. Casiez, T. Chevolleau, G. Dubois, W. Volksen, T. J. Frot, R. Hurand, T. L. David, N. Posseme, N. Rochat, and C. Licitra, J. Vac. Sci. Technol. B, 31, 011207/1 (2013).
27. Q. T. Le, G. Vereecke, H. Struyf, E. Kesters, and M. R. Baklanov, in Adv. Interconnects ULSI Technol., M. R. Baklanov, P. S. Ho, and E. Zschech Editors, p. 129, Wiley (2012).
28. S. Satyanarayana, R. McGowan, B. White, and S. Hosali, Semicond. Int., 28, 63 (2005).
29. T. Frot, W. Volksen, T. Magbitang, S. Purushothaman, R. L. Bruce, S. Cohen, M. Lofaro, and G. Dubois, Future Fab Intl., 39, 67 (2011).
30. T. Frot, W. Volksen, S. Purushothaman, R. Bruce, and G. Dubois, Adv. Mater., 23, 2828 (2011).
31. T. Frot, W. Volksen, S. Purushothaman, R. L. Bruce, T. Magbitang, D. C. Miller, V. R. Deline, and G. Dubois, Adv. Funct. Mater., 22, 3043 (2012).
32. F. Iacopi, J. H. Choi, K. Terashima, P. M. Rice, and G. Dubois, Phys. Chem. Chem. Phys., 13, 3634 (2011).
33. T. Standaert, P. J. Matsuo, S. D. Allen, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 741 (1999).
34. N. Posseme, T. Chevolleau, O. Joubert, L. Vallier, and N. Rochat, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2772 (2004).
35. I. Reid, V. Krastev, and G. Hughes, Microelectron. Eng., 83, 2458 (2006).
36. Y. Iba, S. Ozaki, M. Sasaki,Y.Kobayashi, T. Kirimura, and Y. Nakata, Microelectron. Eng., 87, 451 (2010).
37. M. R. Baklanov, J.-F. de Marneffe, D. Shamiryan, A. M. Urbanowicz, H. Shi, T. V. Rakhimova, H. Huang, and P. S. Ho, J. Appl. Phys., 113, 041101 (2013).
38. D. Shamiryan, M. R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, and K. Maex, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1923 (2002).
39. M. Darnon, T. Chevolleau, T. David, J. Ducote, N. Posseme, R. Bouyssou, F. Bailly, D. Perret, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B, 28, 149 (2010).
40. J. N. Sun, D. W. Gidley, Y. Hu, W. E. Frieze, and E. T. Ryan, Appl. Phys. Lett., 81, 1447 (2002).
41. F. Bailly, T. David, T. Chevolleau, M. Darnon, N. Posseme, R. Bouyssou, J. Ducote, O. Joubert, and C. Cardinaud, J. Appl. Phys., 108, 014906 (2010).
42. H. Sinha, H. Ren, M. T. Nichols, J. L. Lauer, M. Tomoyasu, N. M. Russell, G. Jiang, G. A. Antonelli, N. C. Fuller, S. U. Engelmann, Q. Lin, V. Ryan, Y. Nishi, and J. L. Shohet, Journal of Applied Physics, 112, 111101 (2012).
43. N. Posseme, T. Chevolleau, T. David, M. Darnon, O. Louveau, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 1928 (2007).
44. M. A.Worsley, S. F. Bent, S. M. Gates, N. C. M. Fuller, W. Volksen, M. Steen, and T. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 395 (2005).
45. N. Posseme, T. Chevolleau, T. David, M. Darnon, J. P. Barnes, O. Louveau, C. Licitra, D. Jalabert, H. Feldis, M. Fayolle, and O. Joubert, Microelectron. Eng., 85, 1842 (2008).
46. H. Chaabouni, L. L. Chapelon, M. Aimadeddine, J. Vitiello, A. Farcy, R. Delsol, P. Brun, D. Fossati, V. Arnal, T. Chevolleau, O. Joubert, and J. Torres, Microelectron. Eng., 84, 2595 (2007).
47. C. Dubois, A. Sylvestre, H. Chaabouni, and A. Farcy, Microelectron. Eng., 87, 333 (2010).
48. S. Gates, S. P. Rao, V. Anandan, M. Krishnan, S. Cohen, Y. Ostrovski, N. Klymko, M. Chace, and D. Canaperi, Microelectron. Eng., 91, 82 (2012).
49. A. Grill and D. A. Neumayer, J. App. Phys., 94, 6697 (2003).
50. R. K. Iler, The chemistry of silica: solubility, polymerization, colloid and surface properties, and biochemistry, Wiley (1979).
51. M. Darnon, T. Chevolleau, T. David, N. Posseme, R. Bouyssou, R. Hurand, O. Joubert, C. Licitra, N. Rochat, F. Bailly, and C. Verove, IITC, 3 pp. (2011).
52. N. Rochat, A. Chabli, F. Bertin, M. Olivier, C. Vergnaud, and P. Mur, J. Appl. Phys., 91, 5029 (2002).
53. N. Rochat, M. Olivier, A. Chabli, F. Conne, G. Lefeuvre, and C. Boll-Burdet, Appl. Phys. Lett., 77, 2249 (2000).
54. M.-S. Kuo, A. R. Pal, G. S. Oehrlein, P. Lazzeri, and M. Anderle, J. Vac. Sci. Technol., B, 28, 952 (2010).
55. P. Lazzeri, G. J. Stueber, G. S. Oehrlein, R. McGowan, E. Busch, S. Pederzoli, M. Bersani, and M. Anderle, J. Vac. Sci. Technol., B, 24, 2695 (2006).
56. M. R. Baklanov, K. P. Mogilnikov, and Q. T. Le, Microelectron. Eng., 83, 2287 (2006).
57. P. Lazzeri, X. Hua, G. Oehrlein, E. Iacob, M. Barozzi, M. Bersani, and M. Anderle, Appl. Surf. Sci. FIELD Full Journal Title:Applied Surface Science, 252, 7186 (2006).
58. G. Mannaert, M. R. Baklanov, Q. T. Le, Y. Travaly, W. Boullart, S. Vanhaelemeersch, and A. M. Jonas, J. Vac. Sci. Technol., B, 23, 2198 (2005).
59. R. Bouyssou, M. El Kodadi, C. Licitra, T. Chevolleau, M. Besacier, N. Posseme, O. Joubert, and P. Schiavone, J. Vac. Sci. Technol. B, 28, L31 (2010).
60. C. Licitra, R. Bouyssou, M. El Kodadi, G. Haberfehlner, T. Chevolleau, J. Hazart, L. Virot, M. Besacier, P. Schiavone, and F. Bertin, Thin Solid Films, 519, 2825 (2011).
61. R. Hurand, R. Bouyssou, M. Darnon, C. Tiphine, C. Licitra, M. El-kodadi, T. Chevolleau, T. David, N. Posseme, M. Besacier, P. Schiavone, F. Bailly, O. Joubert, and C. Verove, IITC, 3 pp. (2011).
62. A. M. Ionescu, G. Reimbold, and F. Mondon, International Semiconductor Conference, 27 (1999).
63. L. Zhao, Z. Tokei, G. G. Gischia, M. Pantouvaki, K. Croes, and G. Beyer, in 2009 Ieee International Reliability Physics Symposium, Vols 1 and 2, p. 848 (2009).
64. J. M. Jung, H. S. Kwon, W.-K. Lee, B.-C. Choi, H. G. Kim, and K. T. Lim, Microelectron. Eng., 87, 1680 (2010).
65. B. Lahlouh, J. A. Lubguban, G. Sivaraman, R. Gale, and S. Gangopadhyay, Electrochem. Solid-State Lett., 7, G338 (2004).
66. T. Rajagopalan, B. Lahlouh, J. A. Lubguban, N. Biswas, S. Gangopadhyay, J. Sun, D. H. Huang, S. L. Simon, D. Toma, and R. Butler, Appl. Surf. Sci., 252, 6323 (2006).
67. B. Xie and A. J. Muscat, Microelectron. Eng., 82, 434 (2005).
68. T. C. Chang, Y. S. Mor, P. T. Liu, T. M. Tsai, C. W. Chen, C. J. Chu, F. M. Pan, W. Lur, and S. M. Sze, J. Electrochem. Soc., 149, F145 (2002).
69. T. C. Chang, Y. S. Mor, P. T. Liu, T. M. Tsai, C. W. Chen, Y. J. Mei, and S. M. Sze, J. Electrochem. Soc., 149, F81 (2002).
70. S. V. Nitta, S. Purushothaman, N. Chakrapani, O. Rodriguez, N. Klymko, E. T.Ryan, G. Bonilla, S. Cohen, S. Molis, and K. McCullough, Adv. Met. Conf. 2005, Proc., 325 (2006).
71. T. Oszinda, M. Schaller, and S. E. Schulz, J. Electrochem. Soc., 157, H1140 (2010).
72. O. Boehm, R. Leitsmann, P. Plaenitz, T. Oszinda, M. Schaller, and M. Schreiber, Microelectron. Eng., 112, 63 (2013).
73. A. Bhanap, B. Korolev, S. Nitta, S. Purushothaman, G. Bonilla, and E. T. Ryan, Solid State Technol., 50, 79 (2007).
74. Y. Uchida, S. Hishiya, N. Fujii, K. Kohmura, T. Nakayama, H. Tanaka, and T. Kikkawa, Microelectron. Eng., 83, 2126 (2006).
75. A. Ishikawa, Y. Shishida, T. Yamanishi, N. Hata, T. Nakayama, N. Fujii, H. Tanaka, H. Matsuo, K. Kinoshita, and T. Kikkawa, J. Electrochem. Soc., 153, G692 (2006).
76. T. Seo, T. Yoshino, N. Ohnuki, Y. Seino, Y. Cho, N. Hata, and T. Kikkawa, J. Electrochem. Soc., 156, H98 (2009).
77. T. Seo, T. Yoshino, N. Ohnuki, Y. Seino, Y. Cho, N. Hata, and T. Kikkawa, J. Electrochem. Soc., 158, H659 (2011).
78. K.Kohmura, H. Tanaka, S. Oike, M. Murakami, N. Fujii, S. Takada, T. Ono,Y. Seino, and T. Kikkawa, Thin Solid Films, 515, 5019 (2007).
79. K. S. Yim, T. Nowak, B. Xie, and A. T. Demos, Applied Materials, Inc., USA, U.S. Pat. 8,216,861 (2012).
80. B. N. Varadarajan, K. M. McLaughlin, and B. Van Schravendijk, Novellus Systems, Inc., USA, U.S. Pat. 8,465,991 (2013).
81. P. Marsik, A. M. Urbanowicz, P. Verdonck, D. De Roest, H. Sprey, and M. R. Baklanov, Thin Solid Films, 519, 3619 (2011).
82. A. Zenasni, V. Jousseaume, P. Holliger, L. Favennec, O. Gourhant, P. Maury, and G. Gerbaud, J. Appl. Phys., 102, 094107/1 (2007).
83. S. Eslava, F. Iacopi, A. M. Urbanowicz, C. E. A. Kirschhock, K. Maex, J. A. Martens, and M. R. Baklanov, J. Electrochem. Soc., 155, G231 (2008).
84. K. Chan and A. T. Demos, Applied Materials, Inc., USA, U.S. Pat. 20140004717 (2014).
85. B. Xie, K. Chan, D. Cui, H. Ren, D. Raj, E. Hollar, S. Baluja, J. Rocha, M. Naik, and A. Demos, IITC, 335 (2014).
86. M. Darnon, T. Chevolleau, D. Eon, R. Bouyssou, B. Pelissier, L. Vallier, O. Joubert, N. Posseme, T. David, F. Bailly, and J. Torres, Microelectron. Eng., 85, 2226 (2008).
87. N. Posseme, T. Chevolleau, R. Bouyssou, T. David, V. Arnal, J. P. Barnes, C.Verove, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B, 28, 809 (2010).
88. N. Posseme, R. Bouyssou, T. Chevolleau, T. David, V. Arnal, M. Darnon, P. Brun, C. Verove, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B, 29 (2011).
89. N. Posseme, L. Vallier, C. L. Kao, C. Licitra, C. Petit-Etienne, C. Mannequin, P. Gonon, S. Belostotskiy, J. Pender, S. Banola, O. Joubert, and S. Nemani, IITC, 3 pp. (2013).
90. N. Posseme, S. Barnola, O. Joubert, S. Nemani, and L. Vallier, Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives, Applied Materials, Inc., Cnrs Centre National De La Recherche Scientifique, France, U.S. Pat. 20140187035A1 (2014).
91. L. Zhang, R. Ljazouli, P. Lefaucheux, T. Tillocher, R. Dussart, Y. A. Mankelevich, J.-F. de Marneffe, S. de Gendt, and M. R. Baklanov, ECS J. Solid State Sci. Technol., 2, N131 (2013).
92. L. Zhang, R. Ljazouli, P. Lefaucheux, T. Tillocher, R. Dussart, Y. A. Mankelevich, J.-F. de Marneffe, S. de Gendt, and M. R. Baklanov, Ecs Solid State Lett., 2, N5 (2013).
93. H. Cui, R. J. Carter, D. L. Moore, H. G. Peng, D. W. Gidley, and P. A. Burke, J. Appl. Phys., 97, 113302 (2005).
94. J. Shoeb and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A, 29, 051305-1 (2011).
95. T. Abell and K. Maex, Microelectron. Eng., 76, 16 (2004).
96. M. Aimadeddine, V. Arnal, D. Roy, A. Farcy, T. David, T. Chevolleau, N. Posseme, J. Vitiello, L. L. Chapelon, C. Guedj, Y. Brechet, F. Volpi, and J. Torres, IITC, p. 81 (2006).
97. B. White, G. Book, J. Hautala, M. Tabat, and M. Ieee, IITC, p. 193 (2004).
98. Z. C. Wu, Y. C. Lu, C. C. Chiang, M. C. Chen, B. T. Chen, G. J. Wang, Y. T. Chen, J. L. Huang, S. M. Jang, and M. S. Liang, International Electron Devices Meeting, p. 595 (2002).
99. F. Iacopi, M. R. Baklanov, E. Sleeckx, T. Conrad, H. Bender, H. Meynen, and K. Maex, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 109 (2002).
100. Z. Chen, K. Prasad, C. Y. Li, P. W. Lu, S. S. Su, L. J. Tang, D. Gui, S. Balakumar, R. Shu, and R. Kumar, Appl. Phys. Lett., 84, 2442 (2004).
101. T. Mourier, V. Jousseaume, F. Fusalba, C. Lecornec, P. Maury, G. Passemard, P. H. Haumesser, S. Maitrejean, M. Cordeau, R. Pantel, F. Pierre, M. Fayolle, and H. Feldis, IITC, p. 245 (2003).
102. J. Bonitz, S. E. Schulz, and T. Gessner, Microelectron. Eng., 76, 82 (2004).
103. M. Tada, Y. Harada, T. Tamura, N. Inoue, F. Ito, M. Yoshiki, H. Ohtake, M. Narihiro, M. Tagami, M. Ueki, K. Hijioka, M. Abe, T. Takeuchi, S. Saito, T. Onodera, N. Furutake, K. Arai, K. Fujii, and Y. Hayashi, IEEE International Electron Devices Meeting 2003, 35.2.1 (2003).
104. F. Iacopi, C. Zistl, C. Jehoul, Z. Tokei, Q. T. Le, A. Das, C. Sullivan, G. Prokopowicz, D. Gronbeck, M. Gallagher, J. Calvert, and K. Maex, Microelectron. Eng., 64, 351 (2002).
105. F. Iacopi, Z. Tokei, Q. T. Le, D. Shamiryan, T. Conard, B. Brijs, U. Kreissig, M. Van Hove, and K. Maex, J. Appl. Phys., 92, 1548 (2002).
106. N. Jourdan, M. B. Krishtab, M. R. Baklanov, J. Meersschaut, C. J. Wilson, J. M. Ablett, E. Fonda, L. Zhao, S. Van Elshocht, Z. Tokei, and E. Vancoille, Electrochem. Solid-State Lett., 15, H176 (2012).
107. Y. Kimura, A. Kobayashi, D. Ishikawa, A. Nakano, K. Matsushita, and N. Kobayashi, IITC, 3 pp. (2012).
108. A. Kobayashi, D. Ishikawa, K. Matsushita, and N. Kobayashi, IITC, 3 pp. (2013).
109. S. Armini, J. L. Prado, J. Swerts, Y. Sun, M. Krishtab, J. Meersschaut, M. Blauw, M. Baklanov, and P. Verdonck, Ecs Solid State Letters, 1, P42 (2012).
110. S. Armini, J. L. Prado, M. Krishtab,T. Conard, J. Meersschaut, Q. T. Le, P. Verdonck, and M. R. Baklanov, Ecs Journal of Solid State Science and Technology, 3, N3106 (2014).
111. C. S. Allen, N. Annan, R. M. Blankenship, M. K. Gallagher, R. H. Gore, A. A. Lamola, and Y. You, Shipley Company LLC, USA, U.S. Pat. 6,420,441 (2002).
112. T. J. Dalton, S. E.Greco, J. C.Hedrick, S. V. Nitta, S. Purushothaman, K. P. Rodbell, and R. Rosenberg, International Business Machines Corporation, USA, U.S. Pat. 6,451, 712 (2002).
113. K. H. Pfeifer, E. R. Engbrecht, and M. K. Gallagher, Solid State Technol., 49, 59 (2006).
114. J. M. Calvert and M. K. Gallagher, Semicond. Int., 26, 56 (2003).
115. R. D. Miller, W. Volksen, V. Y. Lee, E. Connor, T. Magbitang, R. Zafran, L. Sundberg, C. J. Hawker, J. L. Hedrick, E. Huang, M. Toney, Q. R. Huang, C. W. Frank, and H. C. Kim, ACS Symp. Ser., 874, 144 (2004).
116. Y. You, A. A. Lamola, R. H. Gore, M. K. Gallagher, and N. Annan, Shipley Company, L. L. C., USA, U.S. Pat. 6,271,273 (2001).
117. M. Fayolle, V. Jousseaume,M. Assous, E. Tabouret, C. le Cornec, P. H. Haumesser, P. Leduc, H. Feldis, O. Louveau, G. Passemard, and F. Fusalba, IITC, 208 (2004).
118. B. White, A. Knorr, W. Engbrecht, B. Kastenmeier, S. Das, R. McGowan, S. Satyanarayana, and M. Gallagher, Microelectron. Eng., 82, 348 (2005).
119. P. Enzel and T. Bein, Chem. Mater., 4, 819 (1992).
120. K. Moller, T. Bein, and R. X. Fischer, Chem. Mater., 10, 1841 (1998).
121. N. Wang, M. T. Li, and J. S. Zhang, Mater. Lett., 59, 2685 (2005).
122. M. R. Baklanov, F. Iacopi, and S. Vanhaelemeerch, IMEC, Globalfoundries Inc., USA, U.S. Pat. 8,540,890 B2 (2013).