Effect of plasma interactions with low-κ films as a function of porosity, plasma chemistry, and temperature

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 2, 2005, Pages 395-405

  Worsley, Marcus A ^a   Bent, Stacey F ^a   Gates, Stephen M ^b   Fuller, Nicholas C M ^b   Volksen, Willi ^c   Steen, Michelle ^b   Dalton, Timothy ^b  

^a Stanford University   (United States)

^b IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

^c IBM ALMADEN RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

PLANARIZATION; REACTIVE GAS CONCENTRATION;

DIELECTRIC MATERIALS; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; MICROELECTRONICS; PLASMA ETCHING; SILICATES;

PLASMA APPLICATIONS;

EID: 31144461878     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1861038     Document Type: Conference Paper

References (38)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS, Santa Clara, CA, 2001).
2. M. Morgen, E. T. Ryan, J. H. Zhao, C. Hu, T. Cho, and P. S. Ho, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 645 (2000).
3. K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma, and Z. S. Yanoviskaya, J. Appl. Phys. 93, 8793 (2003).
4. D. Shamiryan, T. Abell, F. Iacopi, and K. Maex, Mater. Today 7, 34 (2004).
5. J. L. Hedrick, R. D. Miller, C. J. Hawker, K. R. Carter, W. Volksen, D. Y. Yoon, and M. Trollsas, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 10, 1049 (1998).
6. Alfred Grill, Stephen M. Gates, and V. V. Patel, U. S. Patent No. 6 312 793 (6 November 2001).
7. D. G. Shamiryan, M. R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, and K. Maex, Electrochem. Solid-State Lett. 4, F3 (2001).
8. A. T. Kohl, R. Minma, R. Shick, L. Rhodes, Z. L. Wang, and P. A. Kohl, Electrochem. Solid-State Lett. 2, 77 (1999).
9. S. Yang, P. A. Mirau, C. S. Pai, O. Nalamasu, E. Reichmanis, J. C. Pai, Y. S. Obeng, J. Seputro, E. K. Lin, H. J. Lee, J. Sun, and D. W. Gidley, Chem. Mater. 14, 369 (2002).
10. A. Jain, S. Rogojevic, S. Ponoth, N. Agarwal, I. Matthew, W. N. Gill, P. Persans, M Tomozawa, J. L. Plawsky, and E. Simonyi, Thin Solid Films 398-9, 513 (2001).
11. M. O'Neill, A. Lukas, R. Vrtis, J. Vincent, B. Peterson, M. Bitner, and E. Karwacki, Semicond. Int. 25, 93 (2002).
12. S. Ito, Y. Homma, E. Sasaki, S. Uchimara, and H. Morishima, J. Electrochem. Soc. 137, 1212 (1990)
13. M. Worsley, S. Bent, S. Gates, K. Kumar, T. Dalton, and J. Hedrick, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 766, E3.29 (2003)
14. D. Shamiryan, M. R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, and K. Maex, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1923 (2002)
15. T. C. Chang, P. T. Liu, Y. S. Mor, T. M. Tsai, C. W. Chen, Y. J. Mei, F. M. Pan, W. F. Wu, and S. M Sze, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1561 (2002).
16. P. T. Liu, T. C. Chang, Y. S. Mor, T. M. Tsai, C. J. Chu, F. M. Pan, and S. M. Sze, Electrochem. Solid-State Lett. 5, G11 (2002).
17. P. T. Liu, T. C. Chang, H. Su, Y. S. Mor, Y. L. Yang, H. Chung, J. Hou, and S. M. Sze, J. Electrochem. Soc. 148, F30 (2001).
18. P. T. Liu, T. C. Chang, S. M. Sze, F. M. Pan, Y. J. Mei, W. F. Wu, M. S. Tsai, B. T. Dai, C. Y. Chang, F. Y. Shih, and H. D. Huang, Thin Solid Films 332, 345 (1998).
19. H. Nagai, Y. Maeda, M. Hiramatsu, M. Hori, and T. Goto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L326 (2003).
20. E. T. Ryan, J. Martin, K. Junker, J. Wetzel, D. W. Gidley, and J. Sun, J. Mater. Res. 16, 3335 (2001).
21. J. Liu, D. Gan, C. Hu, M. Kiene, P. S. Ho, W. Volksen, and R. D. Miller, Appl. Phys. Lett. 81, 4180 (2002).
22. A. M. Padovani, L. Rhodes, L. Riester, H. Lohman, B. Tsuie, J. Conner, S. A. B. Allen, and P. A. Kohl, Electrochem. Solid-State Lett. 4, F25 (2001).
23. T. C. Chang, P. T. Liu, Y. J. Mei, Y. S. Mor, T. H. Perng, Y. L. Yang, and S. M. Sze, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2325 (1999).
24. P. T. Liu, T. C. Chang, Y. S. Mor, and S. M. Sze, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 3482 (1999).
25. J. A. Hedstrom, M. F. Toney, E. Huang, H. C. Kim, W. Volksen, T. Magbitang, and R. D. Miller, Langmuir 20, 1535 (2004).
26. H. C. Kim, J. B. Wilds, W. D. Hinsberg, L. R. Johnson, W. Volksen, T. Magbitang, V. Y. Lee, J. L. Hedrick, C. J. Hawker, R. D. Miller, and E. Huang, Chem. Mater. 14, 4628 (2002).
27. Q. R. Huang, W. Volksen, E. Huang, M. Toney, C. W. Frank, and R. D. Miller, Chem. Mater. 14, 3676 (2002).
28. E. F. Connor, L. K. Sundberg, H. C. Kim, J. J. Cornelissen, T. Magbitang, P. M. Rice, V. Y. Lee, C. J. Hawker, W. Volksen, J. L. Hedrick, and R. D. Miller, Angew. Chem., Int. Ed. 42, 3785 (2003).
29. J. L. Hedrick, T. Magbitang, E. F. Connor, T. Glauser, W. Volksen, C. J. Hawker, V. Y. Lee, and R. D. Miller, Chem.-Eur. J. 8, 3308 (2002).
30. E. Huang, M. F. Toney, W. Volksen, D. Mecerreyes, P. Brock, H. C. Kim, C. J. Hawker, J. L. Hedrick, V. Y. Lee, T. Magbitang, and R. D. Miller, Appl. Phys. Lett. 81, 2232 (2002).
31. N. Fuller, K. Kumar, and T. Dalton (private communication).
32. M. Worsley, S. Bent, N. C. M. Fuller, T. J. Dalton, J. Doyle, and M. B. Rothwell (unpublished).
33. D. Lide, CRC Handbook of Chemistry and Physics (CRC Press, Washington, 2003).
34. M. Worsley, S. Bent, S. Gates, K. Kumar, T. Dalton, and J. Hedrick (unpublished).
35. E. Huang (private communication).
36. R. Alfonsetti, L. Lozzi, M. Passacantando, P. Picozzi, and S. Santucci, Appl. Surf. Sci. 70-71, 222 (1993).
37. J-H. Lee, N. Chopra, J. Ma, Y-C. Lu, T-F. Huang, R. Willecke, W-F. Yau, D. Cheung, and E. Yieh, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 612, D.3.4.1 (2000).
38. T. Fukuda, N. Aoi, and H. Matsunaga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L309 (2002).